Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia

de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit.1 2 3 Esto es utilizado para implementar ms de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video. Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms celdas en una misma oblea de silicio. Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores4 5 o uno solo se estara hablando de memoria DRAM, no SRAM. El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los margenes de ruido. A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha seal, mientras que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones de voltaje con mayor precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de direccin al mismo tiempo. El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos es 2m palabras, o 2m n bits.

[editar] Modos de operacin de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.

[editar] Reposo
Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 M4 mantendrn los datos almacenados, en tanto dure la alimentacin elctrica.

[editar] Lectura
Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a travs de M1 y M5 al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

[editar] Escritura
El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.

[editar] Aplicaciones y Usos

[editar] Caractersticas La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.
[editar] Frecuencia de reloj y potencia

El consumo elctrico de una SRAM vara dependiendo de la frencuencia con la cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos circuitos integrados pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante menor, del orden de micro-vatios. [editar] Usos de las SRAM

Como producto de propsito general: o Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.

Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por chip. Integrados en chip: o Como memoria RAM o de cache en micro-controladores. o Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia x86. o Para almacenar los registros de microprocesadores. o En circuitos integrados. o En FPGAs y CPLDs.

[editar] Usos integrados en productos Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del automvil, y similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos los productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrnica de usuario. Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales, estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos. [editar] Uso de aficionados Los aficionados a la electrnica prefieren las memorias SRAM debido a su sencilla interfaz, ya que es mucho ms fcil trabajar con SRAM que con DRAM, al no existir ciclos de refresco, y poder acceder directamente a los buses de direccin y de datos en lugar de tener que utilizar multiplexores. Adems, las SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM sncronas, se tiene adems la seal de reloj (CLK)

[editar] Tipos de SRAM

[editar] SRAM no voltiles
Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el funcionamiento tpico de las RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentacin elctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la informacin almacenada sin necesidad de alimentacin alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es posible).6

[editar] SRAM asncrona

Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrnica de automocin.

[editar] Por tipo de transistor

Transistor Bipolar de Unin o BJT (de tipo TTL o ECL) muy rpidos, pero con un consumo muy alto. MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados actualmente.

[editar] Por funcin

Asncronas independientes de la frecuencia de reloj. Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.

Bibliografia Wikipedia