Sunteți pe pagina 1din 26

Grupul Scolar de Transporturi Auto

Tema Proiect: Memorii. Tipuri. Parametrii. Formate fizice si logice

An scolar 2007-2008
1

Curpins

Tema Proiect .. 1 Cuprins 2 Capitolul I Notiuni Introductive.. 3 Capitolul II Memoria RAM 7 Capitolul III Memoria ROM... 14 Concluzie 21 Argument ........ 23 Anexe 24 Bibliografie.. 26

Memoria - notiuni introductive


Acest proiect prezinta memoria calculatorului dumneavoastra atat din punct de vedere logic, cat si din punct de vedere fizic. Proiectul contine o multime de informatii utile care ridica valul de pe misterele memoriei si va permit sa obtineti de le sistemul dumneavoastra performante cat mai bune. Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior stocate. Un circuit de memorare este un circuit electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam ca implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu memorii magnetice, memorii optice, memorii semiconductoare. In continuare avem in vedere numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Din punct de vedere al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma numerica mai precis a unor numere reprezentate sub forma binara, aceste numere nu au nici o importanta. Cel care doreste sa cunoasca sistemele PC trebuie sa se familiarizeze cu tipurile de memorie instalate pe un calculator personal - zone mici sau mari de memorie de diferite tipuri, unele putand fi accesate de programele de aplicatie, altele nu,o scema simpla a unui bloc de memorie este prezentat in Anexa nr. 1. In majoritatea sistemelor de calcul se utilizeaza urmatoarele tipuri de memorii : - memoria conventionala (de baza) - zona de memorie superioara (UMA) - zona de memorie inalta (HMA) - memoria extinsa - memoria expandata (actualmente depasita) - memoria RAM video - memoria ROM pentru adaptoare si memoria RAM cu destinatie speciala - componenta ROM BIOS de pe placa de baza

Dar exista mai multe clasificari ale acestora:

Memorii interne Caracterizate prin capacitate mica si viteza mare de operare ;

Memorii externe De capacitate foarte mare si viteza redusa de operare (sau acces) ;

Memorii tampon interne. De capacitate medie si viteza de operare comparabila cu a memoriilor

De asemenea, memoriile se mai pot clasifica in :

Memorii distructive La care informatia este distrusa in urma citirii ;

Memorii nedistructive La care informatia nu este alterata la citire.

Dupa modul de functionare, memoriile pot fi :

Statice
-

Retin informatia cat timp memoria este alimentata ;

Dinamice Chiar si atunci cand sunt alimentate, stocheaza informatia un timp scurt
-

(1-2 ms) ; continutul memoriei trebuie improspatat din timp in timp ;

Din punct de vedere al modificarii continutului memoriei, memoriile pot fi :

Memorii numai citeste (ROM = READ ONLY MEMORY) - Continutul se inscrie la fabricarea circuitului integrat. Memorii citeste-scrie (RWM = READ WRITE MEMORY sau RAM =
RANDOM ACCES MEMORY memorie cu acces aleatoriu). Continutul poate fi citit si scris in timpul folosirii acesteia;

Memorii semipermanente

- Reprogramabile ( READ MOSTLY MEMORY).

Arhitectura unitatii centrale de prelucrare si a placii de baza determina capacitatea memoriei fizice a sistemului. Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii din zilele noastre. In ultimii ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert, ceea ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB. Factorul principal care a dus la cresterea productiei fiind cererea de memorie, care a crescut datorita programelor ce utiulizeaza tot mai multa memorie dar si datorita avantajului (din punctul de vedere al performantelor) pe care memoria RAM il ofera in comparatie cu alte tehnologii de stocare a informatiei. In acelasi timp performantele noilor module au fost imbunatatite, au scazut timpii de acces iar viteza bus-ului a crescut. Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factori de ordin tehnic, unul dintre acestia ar fi evolutia procesoarelor, care prin cresterea frecventei introduc necesitatea cresterii performantelor pentru memorii. In lungul timpului memoriile au fost construite prin prisma mai multor tehnologii, dintre acestea doar o parte au reusit sa se impuna pe piata. Principalul motiv fiind, dupa cum multi dintre noi cunosc, raportul pret/performanta. Prin acest proiect mi-am propus o scurta descriere a modului de functionare pentru cele mai raspandite memorii existente pe piata cat si avantajele/dezavantajele tehnologiilor existente. Cu toate ca exista mai multe gategorii de memorii cele mai cunoscute si cele cu care ne intalnim mai mult sunt
-

ROM (Read Only Memory) acest tip de memorie nu poate fi rescrisa

ori stearsa. Avantajul principal pe care aceasta memorie il aduce este insensibilitatea fata de curentul electric. Continutul memoriei se pastreaza chiar si atunci cand nu este alimentata cu energie.
-

RAM (Random Access Memory), este memoria care poate fi citita ori

scrisa in mod aleator, in acest mod se poate accesa o singura celula a memoriei fara ca acest lucru sa implice utilizarea altor celule. In practica este memoria de lucru a PC-ului, aceasta este utila pentru prelucrarea temporara a datelor, dupa care este necesar ca acestea sa fie stocate (salvate) pe un suport ce nu depinde direct de alimentarea cu energie pentru a mentine informatia.

Cateva modele de memorie mai des intalnite in prezent

Memoria RAM (RANDOM ACCES MEMORY)


Circuitele de stocare din memoria principal a calculatorului sunt organizate n uniti denumite celule (sau cuvinte), dimensiunea uzual a unei celule fiind de opt bii. De fapt,irul de bii de lungime opt a devenit att de popular nct pe de o parte a dus la apariia termenului octet, iar pe de alt a impus pentru cuvntul byte sensul de ir de bii de aceast lungime. Calculatoarele simple utilizate n cadrul aparatelor casnice, cum este cuptorul cu microunde,au de obicei memorii ale cror dimensiuni sunt de sute de celule sau chiar mai puin, n timp ce calculatoarele complexe, utilizate pentru stocarea i prelucrarea ansamblurilor de date de dimensiuni mari pot avea memoria principal alctuit din miliarde de celule. Dimensiunea memoriei este msurat n multipli de 1.048.576 celule. (Numrul 1.048.576 este o putere a lui 2, mai precis 220 i de aceea este mult mai natural s fie utilizat ca unitate de msur n cadrul calculatoarelor dect 1.000.000, care este o putere a lui 10). Pentru a desemna aceast unitate de msur se folosete termenul mega. Adesea, pentru termenul megabyte se folosete abrevierea MB. Astfel o memorie de 4 MB conine 4.192.304 celule, fiecare dintre ele avnd un octet. Alte uniti de msur a dimensiunii memoriei sunt kilooctetul (kilobyte prescurtat KB), care este egal cu 1024 octei (210 octei) i gigaoctetul (gigabyte - prescurtat GB) care este egal cu 1024 MB, respectiv 230 octei. Pentru identificarea celulelor individuale din memoria principal a unui calculator, fiecare are atribuit un nume unic, denumit adres. Sistemul este analog cu tehnica de identificare dup adres - a caselor unui ora i utilizeaz aceiai terminologie. ns, n cazul celulelor de memorie, adresele utilizate sunt n ntregime numerice. Pentru a fi mai precii, celulele se consider plasate toate pe un singur rnd i numerotate n ordine pornind de la valoarea 0.

Celulele dintr-un calculator cu 4MB de memorie vor avea astfel de adrese ca 0, 1, 2, ... ,4192303. De observat c un astfel de sistem de adrese nu numai c ne ofer o cale de a identifica unic fiecare celul, ci asociaz n plus i o relaie de ordonare ntre celule, permindu-ne s facem referiri de tipul celula precedent sau urmtoarea celul. Pentru a completa structura memoriei principale a unui calculator, circuitele care stocheazbiii sunt combinate cu circuitele necesare pentru a permite altor circuite s stocheze i s recupereze datele din celulele de memorie. Astfel, alte circuite pot prelua date din memorie solicitnd informaii despre coninutul unei anumite adrese (operaie ce
7

se numete citire) sau pot nregistra informaii n memorie solicitnd ca un anumit ir de bii s fie plasat n celula aflat la o anumit adres (operaie ce poart nimele de scriere). O consecin important a modului de organizare a memoriei principale a calculatorului n celule de dimensiuni mici cu adres este aceea c fiecare celul poate fi apelat, cercetat i modificat individual. O celul de memorie cu o adres mic este la fel de accesabil ca una cu o adres mare. n consecin, datele stocate n memoria principal aunui calculator pot fi prelucrate n orice ordine. De aceea memoria principal a unui calculator este adesea denumit memorie cu acces aleator (random acces memory - RAM). Acest acces aleator la mici uniti de date se deosebete radical de sistemele de stocare de mas n cazul crora iruri lungi de bii trebuie manipulate ca blocuri. Memoria RAM(Ramdom Acces Memory)este folosita de catre procesor atunci cand foloseste infornatii.Circuitele folosite pentru a construi memoria RAM pot fi clasificate fie ca dynamic RAM(DRAM) sau static RAM (SRAM). Calculatorul poate accesa date prin SRAM mai rapid decat DRAM,dar SRAM consuma mai multe resurse.Circuitul SRAM este mai mare si de asemenea un circuit SRAM are mai putini biti decat unul DRAM cu acealasi dimensiuni.Din acest motiv SRAM este mai utilizat cand este necesara o accesare rapida a memoriei si capacitatea memoriei si consumul de resurse nu conteaza. n realitate, memoria de tip SRAM este folosit cel mai adesea ca memorie cache pe cnd DRAM-ul este uzual n PC-urile moderne, fiind prezent n primul rnd ca memorie principal a oricrui sistem. De acest din urm tip ne vom ocupa n continuare, enumernd tipurile uzuale de DRAM prezente de-a lungul istoriei, toate concepute n scopul cresterii performantelor DRAM-ului standard: FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM), EDO DRAM (Extended Data Out DRAM), BEDO RAM (Burst EDO DRAM), RDRAM (Rambus DRAM), n prezent impunndu-se SDRAM (Synchronous DRAM), cu variantele DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) si DDR2 SDRAM. De asemenea, pentru plcile grafice au fost concepute mai multe tipuri de memorie, printre care VRAM (Video RAM), WRAM (Windows RAM), SGRAM (Synchronous Graphics RAM) si GDDR3, ele fiind variante de DRAM (primele dou), SDRAM si respectiv DDR2 SDRAM, optimizate pentru a fi folosite ca memorie video. Dup perioada de nceput, cnd chip-urile de memorie se nfigeau pur si simplu n placa de baz, primul model uzual a fost SIMM-ul pe 30 de pini, urmat de cel pe 72 de pini. SIMM (Single Inline Memory Module), modulul prezentnd o ltime de band de 8 biti pentru prima versiune si de 32 pentru cea de-a doua; dimensiunea fizic a SIMM-ului pe 30 de pini este de dou ori mai mic dect n cazul celeilalte variante. Diferentele de vitez dintre ele corespund perfect perioadei de glorie: dac prima versiune era uzual pe timpul sistemelor 286 si 386, SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza generatiei 486, Pentium si Pentium Pro. Chip-urile folosite au fost de tip DRAM, FPM si, mai trziu, EDO DRAM.

Urmasul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory Module). Dup cum i spune si numele, el ofer o ltime de band de 64 de biti, dubl fat de SIMM-urile pe 72 de pini, avnd la baz un fel de dual-channel intern, dac ni se permite comparatia. Numrul de pini a fost de 168 sau de 184 de pini, n functie de tip: SDRAM sau DDR SDRAM. A existat si un numr limitat de modele de DIMM bazate pe EDO DRAM dar ele nu au avut succes pentru c trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM. RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv al memoriilor RDRAM. Numrul de pini este de 184 (ca si la DDR SDRAM) dar asemnrile se opresc aici, configuratia pinilor si modul de lucru fiind total diferit. Mai sunt de amintit modulele SO-DIMM, destinate calculatoarelor portabile, care detin un numr diferit de pini: 184 pentru SDRAM si 200 pentru DDR SDRAM. Practic vorbind, montarea modulelor SIMM era o operatie greoaie si necesita experient si ndemnare. Odat cu modulele DIMM (si RIMM, care au acelasi sistem de prindere) chinul a fost dat uitrii, oricine putnd monta o memorie, fiind necesar doar putin atentie. Montarea invers a unui DIMM (care necesit, totusi, destul fort) Timpul necesar care ii trebuie procesorului pentru a scrie un bit de memorie este foarte important pentru calculator.Acest interval este numit timp de acces. Memoriile DRAM actuale au timpii de acces intre 61 si 80 nanosecunde.Memoria SRAM are timpul de acces de patru ori mai rapid decat DRAM. Memoria interna este impartita in locatii care au anumite adrese care se refera la un singur bit sau adrese care sunt specificate la un grup de biti. Cand calculatorul executa o comanda de citire,o parte a instructiunii specifica care parte a memoriei trebuie accesata.Adresa este trimisa de processor catre memorie printrun address bus. Cicuitele de control folosesc adresele pentru a selecta bitii la locatia la din RAM. Continutul acestora sunt trimise inapoi catre procesor printr-un cicuit numit data path.La unele procesoare cale de date poate face direct operatii aritmetice pe date din memorie,pe cand la altele,datele trebuie mai intai sa treaca prin registre. Memoriile RAM se realizeaza ata in tehnologie bipolara,cat si in tehnologie MOS. Celulelede memorie bipolare sunt de tip static(retin informatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de tensiune).Circuitele de memorie pot tip MOS pot fi statice,fie dinamice,

Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele statice : - Puterea consumata in repaus este mult mai mica ; - Numarul de tranzistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se rot realeza memorii de capacitate mai mare pe cip,la un prt de cost mai mic. Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine, tehnologic sunt mai usoare de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat al memoriilor cu tranzistori bipolari.Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schimb consumul lor este mult mai mic.Memoriile RAM in tehnologiea TTL utilizeaza de regula tranzistoare multiemitator. Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic).

SRAM, acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de memorie 4

tranzistori si 2 rezistente. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin comutarea starii tranzistorilor. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Datorita utilizari matricei de tranzistori, comutarea intre cele doua stari este foarte rapida.

DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata dintr-un tranzistor

si un condensator de capacitate mica. Schimbarea starii se face prin incarcarea/descarcarea condensatorului. La fiecare citire a celulei, condensatorul se descarca. Aceasta metoda de citire a memoriei este denumita "citire distructiva". Din aceasta cauza celula de memorie trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. O alta problema, care micsoreaza performantele in ansamblu, este timpul de reimprospatare al memoriei, care este o procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms. Reimprospatarea memoriei este o consecinta a principiului de functionare al condensatoriilor. Acestia colecteaza electroni care se afla in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice, insa dupa o anumita perioada de timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita pierderilor din dielectric. Aceste probleme de ordin tehnic conduc la cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea memoriei. Datorita raspindiri vaste a memoriei de tip DRAM, am sa exemplific modul de functionare a celulei de memorie in baza acestei tehnologii. Celula de memorie, este cea mai mica unitate fizica a memoriei. Este compusa din componente electronice discrete. Principiul de functionare este in fapt modificarea starii logice intre 0 si 1 care la nivel fizic, in functie de tehnologia utilizata, corespunde cu inmagazinarea energiei electrice prin intermediul unui condensator (pentru DRAM), ori cu reconfigurarea matricei de tranzistori (in cazul SRAM). Celula de memorie din punct de vedere logic este tratat ca fiind un bit. Cea mai mica unitate logica adresabila a memoriei este formata din opt biti si ia denumirea byte.

10

Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere). Prin gruparea a opt bytes se obtine un cuvint (word). Constructiv, din motive ce tin de design, celulele de memorie sint organizate sub forma unor matrici. Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie, acestea dispun de o adresa unica pentru fiecare celula in parte. Identificarea celulei de memorie se face prin transmiterea adresei acesteia prin BUS-ul de adrese catre decodorul de adrese (format din decodoare pentru linie si coloana), acesta identifica celula de memorie care corespunde adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar aceasta mai departe, catre BUS-ul de date. Magistrala pentru adrese (BUS adrese) este conexiunea intre chipset-ul placii de baza si memorie, aceasta este puntea de legatura prin care adresele sunt transmise catre decodor. Decodorul de adrese este format din decodorul de linie si cel de coloana, acesta receptioneaza adresa celulei de memorie pe care o imparte in doua, prima parte fiind transmisa catre decodorul de linie iar a doua catre cel de coloana, astfel se identifica celula de memorie corespunzatoare. Matricea de memorie este structura prin care celulele de memorie sunt ordonate pe linii si coloane. Interfata pentru date contine un amplificator de semnal, acesta receptioneaza informatiile stocate in celulele de memorie, amplifica semnalul, reincarca memoria si transmite informatia prin BUS-ul de date catre chipset (in cazul in care informatia este citita din memorie). Pentru scriere procedeul se inverseaza. Magistrala pentru date (BUS date) este conexiunea intre chipset-ul placi de baza si memorie, aceasta ofera posibilitatea transmiterii informatiilor ce trebuiesc prelucrate de catre procesor ori stocate in memorie. In general celulele de memorie nu pot fi accesate individual, din acest motiv, constructiv matricea de memorie este incapsulata intr-un chip. Chip-urile de memorie sunt asamblate pe un modul de memorie (circuit imprimat) in numar de opt. Acestea sint conectate la magistrala de adrese si la cea pentru date. Astfel se obtine o celula de memorie virtuala, formata din 8 biti (1 byte). Modulele de memorie la randul lor sint organizate in bancuri de memorie, acestea sunt conectate intre ele in acelasi mod ca si chip-urile. Daca luam ca exemplu un procesor ce lucreaza pe 16 biti si vechile module de memorie de tip SIMM care functionau numai in perechi. Ne punem intrebare, de ce cite doua? Acest lucru se intimpla datorita procesorului, care are nevoie de 16 biti pentru a umple magistrala de date, avind in vedere ca un modul de memorie detine numai 8 biti, doua astfel de module au fost conectate intre ele, in acest mod sa obtinut o magistrala pentru date cu latimea de 16 biti.
11

Timpul de asteptare, pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc informatia in interfata pentru date este necesar un anumit timp, care este identificat sub numele "latency". Astfel ca, pentru transmiterea adreselor intre procesor, chipset si memorie se utilizeaza 2 cicluri de tact. Pentru identificarea celulei de memorie se parcurg doua operatii. Identificarea liniei din matrice, pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de calitatea memoriei utilizata), aceasta perioada se numeste RAS (Row Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru transmiterea informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima operatie, transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor, inca 2 cicluri. Dupa transmiterea informatiilor, in cazul in care cererea emisa de procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date, urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst mode" la fiecare ciclu de tact, acest lucru este posibil datorita unui numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre amplificator continutul.

Formate logice ale memoriei RAM Pentru a mri performanele memoriei, proiectanii au dezvoltat o serie de tehnologii care s depeasc aceste limite, orientndu-se asupra modului n care sunt procesate datele intern moduri ce constitue formatele logice ale memoriilor interne. Cipurile SDRAM au un timp de acces de 10 ns, fiind utilizabile pentru magistrale de memorie de 100 Mhz. Cipurile actuale au anumite limite care reduc frecvena la aproape 66 Mhz; SDRAM-urile nu vor opera la frecvene mai mari de 100 Mhz deoarece sloturile SIMM-urilor devin nesigure la frecvene mai nalte. Memoriile DDR (Double Data Rate) sunt realizate ntr-o tehnologie SDRAM cu posibilitatea dublrii frecvenei de la 100 la 200 Mhz. Memoriile EDRAM (Enhanced DRAM) fac DRAM-urile companiei Ramtron mai rapide prin adugarea unor blocuri mici de memorie cache static pe fiecare cip. Cache-ul opereaz la vitez nalt (n mod obinuit 15 ns), astfel nct poate s acopere cererile de date ale microprocesorului fr a aduga stri de ateptare generate de operaia de remprosptare. Memoria CDRAM (Cached DRAM) realizat de Mitsubishi adaug o memorie cache pe fiecare cip utiliznd un model de tip asociativ pe set; cipul iniial de 4 MB avea ncorporat o memorie cache de 2 K i folosea dou buffere de cte un cuvnt (16 bii) pentru transferul dintre cache i circuitele externe. Spre deosebire de EDRAM, CDRAM
12

permite att cache-ului ct i DRAM-ului principal s opereze independent una de cealalt. Cache-ul este suficient de rapid pentru a transfera date n mod burst la o frecven de 100 Mhz. Modelul RDRAM (Rambus DRAM) al firmei cu acelai nume folosete un cache RAM static de 2048 K cuplat la DRAM printr-o magistral foarte larg, ce permite transferul unei pagini de memorie n cache ntr-un singur ciclu. Cache-ul este destul de rapid, furniznd datele la un timp de acces de 10 ns. Rata de transfer poate ajunge la 800 Mb/sec dublu fa de SDRAM. Modelul Rambus cere o modificare radical a plcii de baz pe care se instaleaz, soclurile purtnd denumirea de RIMM (Rambus In line Memory Module). Deocamdat sunt utile pentru sisteme care includ integrare video. Capacitile disponibile actual sunt de 64 MB, 128 MB i 256 MB/modul, dar exist potenial pentru crearea modulelor de 1 G i 2 G care s funcioneze pe magistrale ale sistemului de 200 Mhz. n locul unui bloc de memorie n care fiecare celul este adresat de numrul liniei i coloanei, memoria MDRAM (Multibank DRAM) produs de MoSys Incorporated desparte informaia stocat ntr-un numr de bank-uri de memorie separate.

Deosebiri SRAM/DRAM Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul foarte redus pentru obtinerea unei celule. De altfel, acesta este si singurul plus pe care aceasta memorie il are in comparatie cu SRAM. In schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice (SRAM). Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in care se executa citirea celulei de memorie, SRAM nu are nevoie de rescriere a datelor dupa ce acestea au fost citite si nici de reimprospatarea celulei de memorie. Atfel ca timpii de acces sint mult mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult performantele memoriei dinamice. Datorita pretului de cost mare pentru obtinerea unei celule SRAM, acest tip de memorie este utilizat numai pentru fabricarea memoriei cache ce se implementeaza in placile de baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru memoria cache level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. Memoria cache L1 functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce pentru memoria cache L2 frecventa de lucru este jumatate fata de frecventa procesorului. Memoria cache a fost introdusa ca un artificiu tehnologic, care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa dintre procesor si memorie.

13

Memoria ROM (READ ONLY MEMORY)

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC. In practica, o data cu evolutia PC-urilor acest timp de memorie a suferit o serie de modificari care au ca rezultat rescrierea/arderea "flash" de catre utilizator a BIOS-ului. Scopul, evident, este de a actualiza functiile BIOS-ului pentru adaptarea noilor cerinte si realizari hardware ,ori chiar pentru a repara unele imperfectiuni de functionare. Astfel ca in zilele noastre exista o multitudine de astfel de memorii ROM programabile (PROM-Progamable Read Only Memory-, EPROM-Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory-, etc) prin diverse tehnici, mai mult sau mai putin avantajoase in functie de gradul de complexitate al operarii acestora. Componenta ROM-BIOS este livrata de catre firma producatoare a calculatorului in memoria ROM a sistemului de calcul. Imediat ce se porneste sistemul intra in lucru o rutina a acestei componente.Ca regula generala ROM-BIOS egalizeaza toate diferentele constructive ale sistemului de calcul fata de conventiile DOS.

14

Aceste memorii se realizeaza sub forma unor matrici de diode, tranzistori bipolari sau tranzistori MOS, la care unele elementedin celule nu sunt conectate sau lipsesc din schema, acest lucru exprimand una din starile logice "0" sau "1". Asa cum exista mai multe variante de memorii RAM, si memoriile ROM sunt de mai multe feluri. Putem clasifica memoriile ROM astfel:

Memoria ROM ; Memoria PROM ; Memoria EPROM ; Memoria EEPROM ; Memoria FLASH .

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC. BIOS-ul este un program de marime mica (<2 MB) fara de care computerul nu poate functiona, acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si sistemul de operare instalat (SO). Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul fabricarii, cu ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia circuitelor pe CIP. Aceasta face ca informatiile continute sa nu poata fi modificate, ci doar citite.

Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) este caracterizata de faptul ca se poate programa de catre utilizator o singura data (nu se poate reprograma). Structura acestei memorii este asemanatoare cu cea a memorie ROM. La memoriile bipolare, deosebirea apare in faptul ca fiecare tranzistor este conectat prin elemente fuzibile la linia de iesire. Trecerea unui tren de impulsuri de curent mai mare prin aceste elemente (de obicei de 0,5 - 1 A) conduce la arderea acestor elemente si la intreruperea conexiunii tranzistorului corespondent cu iesirea memoriei.
15

Generarea acestor impulsuri este realizata cu ajutorul unui aparat special numit programator, arderea elementelor fuzibile realizandu-se pe rand, unul cate unul, conform cerintelor produsului software care trebuie codificat in memoria PROM. Un element fuzibil o data ars, nu poate fi refacut, aceasta ducand la ireversibilitatea programarii (in cel mai bun caz se mai pot arde o parte din elmentele care au ramas intregi in urma primei programari). Memoria EPROM (Eraseable Programmable ROM) elimina deazavantajul PROM-urilor de a fi utilizate (programate) numai o singura data. Ea este realizata cu matrici de tranzistori MOS si se programeaza prin aplicarea unei tensiuni (circa 5V), intre sursa si drena tranzistorului, producandu-i astfel modificari, dar care, din fericire, sunt reversibile. Refacerea starii initiale a memoriei (stergerea) se realizeaza prin iluminarea ei cu raze ultraviolete. In acest scop, cipul de memorie este prevazut cu o fereastra care permite iluminarea pastilei de siliciu. Aceasta fereastra, pe timpul utilizarii memoriei, se acopera cu o eticheta pentru a o proteja impotriva stergerii involuntare. Eticheta se scoate doar cand se doreste stergerea si reprogramarea memoriei. Memoria EEPROM (Electrically Eraseable Programmable ROM) se aseamana cu memoria EPROM, cu diferenta ca stergerea se realizeaza electric, prin aplicarea unei tensiuni mai mari decat cea normala. Acest lucru permite stergerea si reprogramarea, fara a fi necesara scoaterea din montajul in care a fost amplasata, precum si stergerea si modificarea unui singur octet, in timp ce memoria EPROM se sterge in totalitate. Memoriile EPROM se pot reprograma de un numar finit de ori (in general, de zeci sau sute de mii de ori), lucru care nu permite folosirea ei pe post de memorie utilizata in cadrul calculatoarelor (intr-un PC memoria se poate modifica de mii de ori pe secunda). Memoria FLASH numita si FLASH ROM este o versiune mai noua a memoriilor EEPROM. Spre deosebire de acestea, stergerea si programarea memoriei flash se realizeaza folosind tensiunile de alimentare dintr-un calculator si nu o tensiune speciala. Astfel, citirea si scrierea (programarea) se realizeaza la tensiunea de +5V, iar stergerea foloseste tensiunea de +12V, in general. Memoria flash este, in general, impartita in blocuri. Pentru a modifica datele unui bloc este suficient a se sterge blocul respectiv, celelalte blocuri ramanand neschimbate. Stergerea blocului preuspune ca valoarea zero logic sa se ragaseasca in toate celulele blocului. La scriere, o celula isi poate schimba continutul din zero in unu, dar revenirea in zero se poate face numai prin stergerea blocului. Scrierea, ca si citirile se pot face, in general, in mod aleator.

16

Pe langa memoriile RAM si ROM, in special in primele generatii de calculatoare, se poate intalni un alt tip de memorie: "memoria virtuala". Aceasta a aparut din dorinta de a obtine o capacitate de memorie mai mare in conditiile in care circuitele de memorii aveau preturi foarte mari. Acest tip de memorie foloseste spatiul existent in sistemele de stocare masiva a datelor (hard-disk-uri, unitati de banda). Memoria virtuala este folosita pe o scara destul de larga, desi performantele de viteza ale ei sunt foarte reduse. Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Un exemplu de celula de baza pentru un astfel de memorie este dat in figura de mai jos: Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag difera in functie de continutul informational al locatiei respective . Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa , informatia inscrisa fiind 0 logic; daca ramane blocat atunci avem 1 logic .Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura data de utilizator.Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa. Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare .Celula de baza a unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.Initial toate fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate . Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul respectiv . Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza ,iar linia de bit DL se mentine la potential coborat .Curentul de emitor al tranzistorului , suficient de mare , produce arderea fuzibilului F . Programarea se face succesiv pe fiecare celula ,selectia unei celule facanduse prin liniile WL si DL.Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila) ,una comanda si una izolata. Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand
17

acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni drena , si o tensiune pozitiva pe grila . Tensiunea Vds mare , duce la campul electric intern intens , trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata .Pentru stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat)se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator. Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie stearsa , grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat. Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare .Datorita campului electric intern mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata ,formand o sarcina negativa . Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero .Campul electric format intre grila si substrat (= substrat ,- grila ) smulge electroni din grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin formarea canalului n intre drena si sursa. Programele aflate n ROM sunt livrate odat cu calculatorul i alctuiesc aa numitul firmware. Calculatoarele din familia IBM PC conin i o memorie CMOS (de tip RAM, alimentat n permanen de o baterie pentru a nu-i pierde coninutul informaional. n aceast memorie se stocheaz informaii referitoare la configuraia hardware a sistemului electronic de calcul.Dac accesul la memorie este permis att pentru citire ct i pentru scriere memoria se numete RAM (Random Access Memory - memorie cu acces aleator). Structura intern a unui cip de memorie ROM organizat pe 1024 cuvinte de cte 8 bii, adic 1K 8, este prezentat n figura urmatoare. Matricea de memorie se construiete sub o form ct mai apropiat de cea a unui ptrat. Liniile matricei sunt selectate cu ajutorul decodificatorului cu 7 intrri de selecie, iar coloanele cu ajutorul celor 8 multiplexoare cu cte 3 intrri de selecie. Intrarea suplimentar CS (Chip Select), activ pe 0 logic, pregtete cipul de memorie n vederea unei operaii de citire a datelor. Prin dezactivare, acioneaz asupra circuitelor din structur n scopul reducerii consumului.

18

Desenul mai conine i aspectul unui element din matricea de memorie, dac aceasta este realizat n tehnologie MOS. Exist mai multe tipuri constructive de memorie ROM. Memoriile ROM programabile prin masc, sau mask ROM, sunt circuite la care harta memoriei se introduce n procesul de fabricaie al circuitului integrat. Ele se realizeaz la comand, n serie mare, pentru c realizarea unei mti la cerere cost cteva mii de dolari. Memoriile PROM (Programmable ROM) se fabric cu toi biii poziionai pe un anumit nivel logic. Exist ns posibilitatea ca utilizatorul s-i nscrie singur, acolo unde dorete, valorile logice complementare. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil, o pelicul subire de CrNi, care se vaporizeaz la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Programarea memoriei const n selecia adresei i a liniei de date i aplicarea unui impuls de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. Evident c programarea nu se poate face dect o singur dat. Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt programabile ca i PROM-urile, dar de mai multe ori, pentru c ele pot fi terse prin expunere la radiaii ultraviolete cu o lungime de und specific. Matricea de memorie conine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS) adic tranzistoare care conin o poart metalic flotant, izolat de substrat prin 107 m de 2 SiO . Prin aplicarea unui impuls negativ de amplitudine mare pe dren, jonciunea pn constituit de dren i substrat este strpuns prin avalan i, prin efect tunel, electronii sunt injectai n poarta flotant. Numrul lor depinde de amplitudinea i durata impulsului. Aceast sarcin electric stocat n poart determin crearea unui canal p n substrat i tranzistorul conduce. Radiaia ultraviolet creaz perechi electronigoluri i permite descrcarea porii ([Valachi, 1986]). ns izolaia nu este perfect i n timp se pierd electroni, dar se pare c circa 70% din sarcin este regsit i dup 10 ani. Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata de zi cu zi; ea insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice si electrotehnice pe care le folosim (de ex. Telefoane mobile/fixe, masina,aparat radio-tv, etc), in ea fiind scrise isntructiunile necesare pt o functionare corecta a acestora, mai jos este o poza cu acestea, iar in Anexa 2 este o schema a acestora.

19

Memoria ROM, cel mai des intalnit tip de memorie

20

Concluzie
Dupa toate cele prezentate mai sus putem sa tragem urmatoarele concluzii: - Termenul in sine defineste suficient de bine rolul acestei componente intr-un sistem. Trebuie precizat ca, in acest context, ne referim la memoria "rapida", de lucru a sistemului, asa-zisa RAM (Random Access Memory). Aici sunt pastrate (memorate) datele imediat necesare aplicatiilor care ruleaza pe un sistem oarecare. Performanta RAM are un impact major asupra performantei sistemului si este definita de doi parametri: viteza de acces si transfer (a datelor in si din memorie) si capacitatea. Cu cat o memorie este mai rapida si cu cat mai mult RAM este prezenta intr-un sistem, cu atat mai bine. Adesea, performantele globale ale unui sistem sunt mult mai semnificativ ameliorate de instalarea de memorie in plus, decat de inlocuirea procesorului cu unul mai performant. Cele doua tipuri de memorie utilizate in prezent sunt DDR si DDR2. - Principalele caracteristici ale memorieie: 1.Timpul de acces (de adresare) - reprezinta durata intre solicitarea unei celule (locatii) in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi citit (30-60 ns la memoriile TTL; 100-500 ns la memoriile MOS). 2. Modul de acces, deosebindu-se doua moduri de organizare a unei retele de celule de memorie: - serie in care timpul de localizare a unei adrese depinde de pozitia ei in retea; - aleator (RANDOM ACCESS) ce nu depinde de pozitia adresei in retea. 3. Capacitatea de inmaganizare - numarul de celule continute de o memorie este totdeauna o putere a lui 2. Capacitatea reprezinta produsul intre numarul de cuvinte din memorie si numarul de celule cuprinsein fiecare cuvant. 4. Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se masoara in mw/bit. Memorii TTL - 1 mw/bit; Memorii MOS - 0,1 mw/bit; Memorii CMOS - 0,01 mw/bit. - Pentru a modela si manevra informatiile, calculatorului lucreaza cu date. Date reprezentarea informatiilor in memoria interna(M.I.).Se foloseste sistemul binar cu cifrele 0 si 1. - Cantitatea de informatie elementara e numeste BIT { 0,1}. Bitii sunt grupati in - Byte(octet) = 8 biti - Kilobyte(KB) = 2 la a 10 a = 1024 B - Megabite(MB) = 2 la puterea 10 KB = 2 la puterea 20 a B - Gigabite(GB) = 2 la puterea 10 MB= 20 la puterea 20 KB = 2 la puterea 30 B - BIT-ul este atomul informatiei iar zona de memorie adresabila este octetul. Modelarea fizica a sistemului binar este comutatorul.

21

Memoria intern este zona de stocare temporar a datelor ntr-un calculator. Datele supuse prelucrrii sunt transformate n iruri de cifre 0 i 1. Tipuri de memorie: ROM (Read Only Memory) - nu i pierde coninutul la oprirea calculatorului, nu poate fi \"scris\" de ctre utilizator, este de capacitate redus i este folosit pentru stocarea informaiilor despre hardware, mici programe ce configureaz diverse dispozitive - RAM (Random Access Memory) - este o memorie volatil (se pierde la oprirea calculatorului), poate fi att citit ct i modificat i este folosit pentru stocarea programelor i datelor, fiind considerat principala memorie de lucru a calculatorului. Aceast memorie (ROM) este folosit pentru stocarea permanent a unor date. n aceast categorie ns exist i cteva excepii, care pot fi modificate, cum ar fi PROM (Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate reprograma), EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate terge i reprograma). Industria memoriilor este intr-o continua dezvoltare data fiind cererea foarte mare de memorie care ste pe piata,in special de memorie RAM. Memoria nu este numai interna ea fiind si externa, aceasta fiind folosita pentru stocare datelor pentru o perioada mai lunga decat o sesiune de lucru.Memoria extern reutilizabil prin prelucrri automate cu calculatorul poate fi pe suport sensibil la cmpul magnetic (hard disk i floppz disk) pe suport sensibil la lumin, ce lucreaz n mod optic cu raze laser (CD-ROM, CD-R, CD-RW i DVD-ROM, DVD-RAM) i pe suport magneto-optic

22

Argument

Epoca in care traim nu mai este posibila fara utilizarea calculatoarelor. Acestea au devenit instrumente absolut necesare aproape in orice domeniu de activitate. Ele ne ajuta sa ne organizam mai eficient activitatea, sa indeplinim mai bine o serie de sarcini dificile sau de rutina, sa ne informam, sa comunicam, sa ne instruim si, de ce nu, chiar sa ne distram. Specialistii considera ca in viitor calculatoarele vor prelua toate activitatile de rutina pe care le realizeaza in momentul de fata oamenii, acestora ramandu-le mai mult timp sa se instruiasca, sa se ocupe de activitati pentru care si inteligenta si intuitia umana nu pot fi inca inlocuite de masini, sa calatoreasca, sa petreaca mai mult timp cu familia si cu prietenii. Azi nu am mai putea concepe viata fara existenta calculatoarelor. Ele contribuie in mod substantial la desfasurarea activitatilor din majoritatea domeniilor de activitate. Calculatorul este folosit, ca si pentru distractie, in domeniul medical sau in cel artistic, in cercetare sau in industrie,in domeniul bancar sau cel turistic. Fara existenta calculatoarelor omul nu ar mai fi putut ajunge pe Luna, nu ar fi putut comunica asa cum o face azi pin Internet, nu ar fi putut proiecta si realiza cu precizia si rapiditatea pe care le asigura calculatorul masini, cladiri, echipamente. Asa cum am mai precizat memoria este prezenta in viata noastra fara sa ne dam seama, pe mine personal fascinandu-ma aceasta posibilitate uriase de stocare a informatie. De exemplu putem avea o colectie de carti care in realitate ar ocupa o intreaga incapare pe un simplu Cd,sau ganditiva ca trebuie sa plecati in vacanta intr-o tara in care nu ati mai fost,puteti foarte simplu sa ajungeti la destinatie cu ajutorul GPS-urilor care folosesc de asemnea memoria(FLASH) pentru a stoca hartile; posibilitatile oferite de memorie sunt foarte mari,insa totusi limitate de probleme de ordin tehnologic, insa se fac si in acest domeniu progrese foarte mari. Aceste posibilitati oferite de memorie fiind si motivul pentru care am ales ca tema pentru acest atestat MEMORIA unui calculator.

23

Anexa 1

SCHEMA BLOC A UNUI SISTEM DE MEMORIE

COMANDA DE SCRIERE A DATELOR DATELOR

COMANDA DE CITIRE A

INTRODUCEREA SI EXTRAGEREA A DATELOR INTRODUCEREA ADRESELOR

24

Anexa 2

Tipuri reprezentative de memorii integrate


7481 memorie citeste scrie (RAM) de 16 biti. 14 13 12 11 10 9 8 4X W1 S1 S0 GND W0 4Y

3JH

7481 333333333

33

W0,W1- scrie ,,0, scrie ,,1 S0,S1- citeste,,0,citeste,,1

25

BIBLIOGRAFIE
1. Diverse site-uri de internet;

2. Cursuri Facultatea de Automatica si Calculatoare din Craiova; 3. Notite de Curs.

26