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INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO, CINCIA E TECNOLOGIA RIO GRANDE DO NORTE

Eletrnica Semicondutores e Diodo


Professor:

Adolfo Fernandes Herbster


http://sites.google.com/site/ensinoeengenharia/

RESISTIVIDADE

Resistividade de um material:

A R [ cm] l

17/04/2012

IFRN - Campus Caic

RESISTIVIDADE

Resistividade de um material:

A R [ cm] l

Tipos de materiais:
Condutores: Cobre (10-6 .cm); Semicondutores: Germnio (50 .cm); Silcio (50.103 .cm); Isolantes: Isolante (1012 .cm).

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SEMICONDUTORES
Versatilidade

dos semicondutores;

Impurezas; Caractersticas eltricas;

Necessrio
17/04/2012

recordar alguns conceitos ...


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NVEIS DE ENERGIA
Distribuio

dos eltrons no aleatria; Energia do eltron:

Potncia e cintica;

Nveis

discretos de energia:

Estado mais estvel possvel;

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NVEIS DE ENERGIA
Distribuio

dos eltrons no aleatria; Energia do eltron:

Potncia e cintica;

Nveis

discretos de energia:

Estado mais estvel possvel; Existncia de subcamadas:


s, p, d e f; Diagrama de Pauling;

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NVEIS DE ENERGIA
Resumo:
Nvel 1 2 3 4 Camada K L M N N mximo de eltrons 2 8 18 32 Subnveis 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f

5
6 7

O
P Q

32
18 8

5s 5p 5d 5f
6s 6p 6d 7s 7p

Exemplo:
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As (arsnio) NA 33;
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NVEIS DE ENERGIA
Distribuio

dos eltrons no aleatria; Energia do eltron:

Potncia e cintica;

Nveis

discretos de energia:

Estado mais estvel possvel; Existncia de subcamadas:


s, p, d e f; Diagrama de Pauling;

Camada

de valncia;
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BANDAS DE ENERGIA
Materiais:

Condutores; Semicondutores; Isolantes.

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
Materiais

intrnsecos:

So semicondutores cuidadosamente refinados para se obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo;

Materiais

extrnsecos:

Material semicondutor submetido ao processo de dopagem;

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
Materiais

intrnsecos:

So semicondutores cuidadosamente refinados para se obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo;

Materiais

extrnsecos:

Material semicondutor submetido ao processo de dopagem;

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
Materiais

intrnsecos:

So semicondutores cuidadosamente refinados para se obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo;

Materiais

extrnsecos:

Material semicondutor submetido ao processo de dopagem;

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MATERIAIS EXTRNSECOS
Tipo

N:

um material semicondutor dopado com impurezas com cinco eltrons na camada de valncia;

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MATERIAIS EXTRNSECOS
Tipo

P:

um material semicondutor dopado com impurezas com 3 eltrons na camada de valncia.

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CONDUO ELTRICA
Fluxo

de eltrons;

Movimento

opostos.

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DIODO
Dispositivo

semicondutor; Unio fsica de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N; Fluxo em apenas um sentido; Processo de recombinao e estabilizao;
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DIODO
Fluxo

de eltrons; Eliminao da zona vazia;

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DIODO
Fluxo

de eltrons; Eliminao da zona vazia; Dispositivo polarizado diretamente;

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DIODO
No

h fluxo de eltrons; Aumento da zona vazia; Dispositivo polarizado inversamente;

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DIODO
Smbolo:

Funcionamento:

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DIODO
Curva

caracterstica:

Diodo ideal:

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DIODO
Curva

caracterstica:

Diodo real:

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