SOLIDOS

TIPOS DE SLIDOS: SOLIDOS AMORFOS: Carecen de distribucin regular. SOLIDOS CRISTALINOS: Distribucin tridimensional regular de las partculas. Algunas definiciones que involucran a "SOLIDOS CRISTALINOS": RED CRISTALINA: Patrn de ordenamiento de las partculas en el cristal. CELDA UNITARIA: Unidad de repeticin ms pequea capaz de reproducir la estructura del cristal. En un cristal existe un nmero limitado de celdas unitarias. LAS PROPIEDADES DE LOS SLIDOS CRISTALINOS DEPENDEN DE: *del tipo de partcula que lo constituye: tomos, molculas, iones. *de las fuerzas involucradas en la interaccin entre partculas: ENLACE IONICO: atraccin electrosttica entre partculas de alta y baja electronegatividad. ENLACE COVALENTE: los electrones se comparten y son atrados por ms de un ncleo. ENLACE METLICO: iones positivos [ncleos ms + electrones centrales] y electrones de valencia deslocalizados formando una "nube". DIPOLO-DIPOLO: existen entre molculas polares [hay cierta diferencia de electronegatividad entre los tomos que las constituyen]. PUENTE DE HIDRGENO: el hidrgeno se une a tomos pequeos muy electronegativos que poseen pares de electrones libres y acta como puente entre ellos. FUERZAS DE DISPERSIN DE LONDON: debidas a desbalances temporarios en la distribucin de carga del tomo. Se autopolariza temporalmente e induce momentos dipolares transitorios [depende del nmero de electrones de la molcula]. TIPOS DE CRISTALES: Atmicos Moleculares Covalentes Inicos Metlicos De cada uno de los TIPOS DE CRISTALES analizaremos: PARTICULAS QUE LOS CONSTITUYEN FUERZAS ENTRE LAS PARTCULAS PUNTO DE FUSIN CONDUCCION DE CALOR Y ELECTRICIDAD OTRAS PROPIEDADES: [dureza, maleabilidad, etc.] CRISTALES ATOMICOS PARTICULAS: tomos. FUERZAS: de dispersin de London. PUNTO DE FUSIN: muy bajo. CONDUCCIN DEL CALOR Y LA ELECTRICIDAD: pobre. OTRAS PROPIEDADES: blandos. EJEMPLOS: Ar, Kr. CRISTALES MOLECULARES PARTICULAS: molculas polares y no polares. FUERZAS ENTRE PARTICULAS: Dispersin de London [hielo seco CO2, azcar, metano CH4, oxgeno O2]. Dipolo-dipolo [dixido de azufre SO2]. Puente de hidrgeno [hielo H2O, amonaco NH3, fluoruro de H. HF] PUNTO DE FUSIN: bajo, moderadamente bajo. CONDUCCIN: pobre. OTRAS PROPIEDADES: blandos. EJEMPLOS: CO2, CH4, H2O, O2.

CRISTALES COVALENTES PARTICULAS: tomos unidos en redes de enlaces covalentes. Estructuras abiertas, no compactas. FUERZAS: enlaces covalentes [ms fuertes que las fuerzas intermoleculares]. PUNTO DE FUSIN: muy alto. CONDUCCIN: pobre [electrones localizados en los enlaces covalentes]. OTRAS PROP.: muy duros [abrasivos, material de corte y molienda]. EJEMPLOS: diamante; Carburo de silicio SiC; cuarzo, SiO2. CRISTALES INICOS PARTICULAS: iones. FUERZAS ENTRE PART.: atraccin electrosttica. PUNTO DE FUSIN: elevado [las partculas se atraen fuertemente]. CONDUCCION DE CALOR Y ELECT.: muy pobre, no conducen. [TP: conducen fundidos]. PROPIEDADES: duros y frgiles. "LOS CRISTALES INICOS SON QUEBRADIZOS" GENERALIDADES DE LOS SLIDOS INICOS: 1] Dado un empaquetamiento compacto existen tantos huecos octahdricos como partculas corresponden a la celda elemental y el doble de huecos tetradricos. 2] El volumen de los aniones es en general mayor que el de los cationes. 3] Si la relacin del radio del catin dividido el radio del anin est comprendida entre 0.22<rc/ra<0.41, el catin ocupar huecos tetrahdricos, si 0.41<rc/ra<0.73 el catin ocupar huecos octahdricos. Otros efectos que influyen sobre el tipo de huecos ocupados es la distorsin de su densidad de carga electrnica por cationes de carga elevada y radio pequeo, la polarizacin, la estequiometra del compuesto. NUMERO DE COORDINACION:para los slidos inicos es el nmero de iones de carga contraria que se encuentran como vecinos ms prximos de un ion dado. DEBEMOS RECORDAR QUE: A) El nmero de coordinacin del catin [anin en el caso de la fluorita, CaF2] viene dado por el tipo de hueco que ocupa: Tetradrico : No de coordinacin 4 Octahdrico: N de coordinacin 6 B) El producto del nmero de coordinacin por el coeficiente estequiomtrico de la frmula del compuesto inico debe ser igual para ambos iones. Ejemplo: CdCl2 el cadmio ocupa huecos octahdricos: No de coordinacin del catin: 6 x 1 [coef. esteq.]: 6 Entonces 6=c x 2 c = 3. Por lo tanto Se escribe Coord. 6: 3 ALGUNAS ESTRUCTURAS INICAS TIPICAS Estequiom CA [cc cara] CA CA2 C2A C2A3 2/3 C C 1C octaed. 1C C tetraed. Coordinac. 6:6 4:4 6:3 4:8 6:4 Red tipo NaCl Blenda CdI2 Li2O Al2O3

NOTA: el nmero de coordinacin tiende a aumentar al aumentar el tamao del catin respecto al del anin. Los aniones [gralmente. ms grandes], se ubican constituyendo tetraedros, octaedros o en una celda cbica al aumentar el tamao del catin. CRISTALES METALICOS PARTICULAS: tomos [iones positivos que ocupan los sitios de la red cristalina y e- deslocalizados]. FUERZAS: enlace metlico. PUNTO DE FUSIN: Bajo [Hg], moderado y alto.

CONDUCCIN DEL CALOR: muy buenos. Los electrones se excitan trmicamente y pasan a niveles ms bajos de su banda de conduccin. El proceso inverso hace que se libere calor. CONDUCCIN DE LA ELECTRICIDAD: muy buenos. Los electrones deslocalizados pueden moverse libremente. OTRAS PROPIEDADES: blandos a muy duros. Brillantes. Dctiles y maleables [por su empaquetamiento compacto que permite el deslizamiento de las capas densas]. LAS CAPAS DE ATOMOS SE DESPLAZAN CON FACILIDAD por lo tanto "LOS CRISTALES METLICOS NO SON QUEBRADIZOS, SON MALEABLES". EJEMPLOS: Na, Ca, Fe, Zn, Al. GENERALIDADES DE LOS SLIDOS METLICOS NUMERO DE COORDINACION: es el nmero de partculas [tomos, molculas] vecinas ms cercanas a una determinada partcula. En las estructuras compactas de los cristales metlicos un tomo est rodeado de por 12 tomos vecinos ms cercanos. Algunos ejemplos de estructuras cristalinas que presentan los slidos metlicos: ESTRUCTURAS COMPACTAS. Hexagonal compacta Cbica compacta (centrada en las caras) ESTRUCTURAS NO COMPACTAS Cbica simple Cbica centrada en el cuerpo

CLASIFICACIN DE DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS DEFECTOS PUNTUALES Cristales no inicos Autointersticiales Vacantes Por impurezas: Sustitucional Intersticial Cristales inicos Defecto de Frenkel Defecto de Schottky Defecto de Farbe Vacancias Por impurezas: Sustitucional Intersticial DEFECTOS DE LINEA O DISLOCACIONES de borde de tornillo mixtos DEFECTOS PLANARES O INTERFACIALES Borde de grano. DESCRIPCIN DE DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS DEFECTOS PUNTUALES En cristales no inicos Autointersticiales (self intersticial): Un tomo de un cristal puede ocupar el lugar intersticial entre los tomos que lo rodean. No ocurre espontneamente puede inducirse por radiacin. Fig.11 Vacantes (vacancy) : se producen debido a la prdida del tomo que se encontraba en una posicin en la red. Solidificacin, vibraciones atmicas. Proporcin 1/10000 Difusin de tomos en estado slido a altas temperaturas. Fig. 11 Por impurezas: se presentan en cristales covalentes y metlicos.

Sustitucionales (sustitutional): la impureza se ubica reemplazando a un tomo de la red. Aumento de la conductividad en el silicio puro. Fig. 12 Intersticiales (Interstitial): las impurezas se ubican en los intersticios. El tamao del tomo de la impureza debe ser pequeo. Ej: carbono en el hierro. Fig. 12 En cristales inicos: Existe necesidad de mantener la electroneutralidad. Defecto de Frenkel: Cuando un catin se mueve hacia la posicin intersticial y genera una vacante. El conjunto vacante defecto intersticial es el defecto de Frenkel. En un cristal inico aumenta la conductividad del mismo. Fig. 13 Defecto de Schottky: Cuando dos iones de carga opuesta se pierden se crea un par de huecos debidos a la ausencia del catin y anin. Fig. 13 Por impurezas: las impurezas inicas sustitucionales o intersticiales son tambin defectos en los cristales inicos. Ej: Sustitucin del Ba2+ por Sr2+ en el BaS04 Fig. 14 Vacancias: A 1000 oC el NiO es verde aislador y a 1500 oC se crean vacancias y se forma Ni0.97O (negro semiconductor). Fig. 15 Defecto de Farbe: Un anin que est ausente es reemplazado por un electrn que migra hacia el lugar vacante. Proporciona color al cristal. DEFECTOS DE LNEA O DISLOCACIONES La red cristalina se distorsiona alrededor de una lnea. Se crean durante la solidificacin del slido cristalino, por deformacin plstica del cristal, por condensacin de vacantes, por desajustes de tamaos atmicos en disoluciones slidas. De borde: Se genera por la insercin de un semiplano adicional de tomos. Fig. 16. La distancia de desplazamiento de los tomos alrededor de una dislocacin se denomina vertor b de deslizamiento o de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin [esta es perpendicular al plano del dibujo]. Hay una zona de compresin donde se insert el plano y una de traccin por debajo del mismo. Dislocacin tornillo : Se genera en un plano que se somete a un esfuerzo de corte. Se provoca un desplazamiento que genera una superficie de un plano en forma de espiral semejante al movimiento de un tornillo. Aqu la lnea de dislocacin y el vector desplazamiento de b son paralelos [en la de borde eran perpendiculares]. Fig. 17 Mixtas: Existen dislocaciones mixtas [de borde + tornillo]. Fig 18. Fig.19 DEFECTOS PLANARES O INTERFACIALES Bordes de grano: Los bordes de grano son imperfecciones en la superficie que separa los granos [cristales] de diferentes orientaciones en materiales policristalinos. Es una regin de tomos mal distribuidos entre granos adyacentes. En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros. El borde de grano es una regin estrecha. El empaquetamiento atmico de los bordes de grano es algo menor que dentro de los granos. El ms bajo empaquetamiento atmico tambin permite la difusin ms rpida de los tomos en la regin de los bordes de grano. La energa ms alta de los bordes de grano y su estructura ms abierta hacen de ellos una regin ms favorable para la nucleacin y el crecimiento de precipitados. A temperaturas normales los bordes de grano limitan el flujo plstico que permite el movimiento de dislocaciones. Fig.20 Fig. 21

IMPLICANCIAS DE LA PRESENCIA DE DEFECTOS a) La incorporacin de impurezas en materiales semiconductores pueden incrementar su conductividad. b)El conocimiento de las dislocacion es est estrechamente ligado a los procesos de deformacin plstica de materiales. c) La dureza de los metales puede incrementarse por el agregado de impurezas intersticiales o sustitucionales incrementan la tensin en la red. Se incrementa la resistencia al deslizamiento. Se dificulta la iniciacin y continuidad de la deformacin plstica. d) La presencia de los bordes de grano afecta las propiedades de los materiales (cambio de propiedades pticas, transparencia) . Fig. 22 e) Las propiedades de los materiales pueden modificarse a travs de procesos de difusin en slidos que involucran movimientos de vacancias y de impurezas intersticiales. (semiconductores) Fig. 23

Fig 11: Autointersticial & Vacancia (Punto NI)

Fig 15: Vacancias (Punto Ion)

Fig 12: Impurezas Sust. & Interst. (Punto NI)

Fig 16: Dislocacin de Borde (Lnea)

Fig 13: Frenkel & Schottky (Punto Ion.)

Fig 14: Impurezas Sust. & Interst. (Punto Ion.)

Fig 17: Dislocacin de Tornillo (Lnea)

Fig 20: Borde de Grano (Planares)

Fig 18: Dislocacin Mixta B&T (Lnea)

Fig 21: Borde de Grano (Planares)

Fig 19: Dislocacin Mixta B&T (Lnea)

Redes metlicas
Nombre Cbica simple Cbica cent. en el cuerpo (ccc) Cbica cent. en las caras (ecc o fcc) N N Coord. esfer/celda 6 Esferas se tocan en: Arista celda FEA Expresin para la densidad

Diag. cuerpo

12

Diag. cara =

Estructuras Inicas tpicas

Estequiom. N(a) CA (ecc) CA (ehc) CA2 (ecc) CA2 (ecc) CA2 (ecc) C2A (ehc) CA3 (ecc) CA3 (ehc) C2A3 (ehc) 1A 1A 1A 1A 1A 1A 1C 1A 1A 1A 1A 1A H. octadricos ocupados (N) 1C 1C 1/2 C 1/2 C 1/3 C 1/3 C 2/3 C H. tetradricos ocupados (2N) 1/2 C 1/2 C 1/4 C 1A 1C Coord. 6:6 4:4 6:6 4:4 6:3 4:2 8:4 6:3 4:8 6:2 6:2 6:4 Red tipo NaCl Zn S blenda NiAs ZnS Wurtzita CdCl2 SiO2 CaF2 fluorita CdCl2 Li2O CrCl3 BiI3 Al2O3

CLASIFICACIN DE DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

DEFECTOS DE PUNTO O PUNTUALES DEFECTOS DE LINEA O DISLOCACIONES DEFECTOS PLANARES O INTERFACIALES

Cristales no inicos
Autointersticiales Vacantes Por impurezas:
Sustitucional Intersticial

Cristales inicos
Defecto de Frenkel Defecto de Schottky Defecto de Farbe Vacancias Por impurezas:
Sustitucional Intersticial

De Borde De Tornillo Mixtos

Borde de Grano