DLA Notite de Curs

Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2009/2010)
Dispozitive Laser Acordabile

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 2 / 281
Modul de notare
80% - Evaluarea final a cunotinelor
Not: evaluarea se poate defalca, dup preferin, n
examen parial (40%) i examen final (40%)
20% - Elaborarea unei teme de cas
Prezena nu se puncteaz, dar se va ine cont de
ea prin acordarea unui bonus la nota final
Bibliografie
Amann, M.-C., Buus, J.,
Tunable Laser Diodes,
Artech House, 1998.
Coldren, L.A., Corzine, S.W.,
Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits,
John Wiley & Sons, 1995
Iancu, O.,
Dispozitive optoelectronice,
Editura MATRIX ROM, 2003.
Cuprinsul cursului
Cap. 1 Introducere (~1 or)
Prezentarea succint a importanei abordrii acestui subiect i a domeniilor de aplicaie a
dispozitivelor laser cu lungime de und acordabil.
Cap. 2 Caracteristicile fundamentale ale diodelor laser (~4 ore)
Ctigul optic n materialele semiconductoare. Diode laser cu hetero-structuri i gropi
cuantice (Quantum Well Lasers). Ecuaiile fundamentale care caracterizeaz funcionarea
diodelor laser: ecuaiile ratelor.
Cap. 3 Tipuri de diode laser cu emisie monomodal (~4 ore)
Propagarea undelor optice n structuri cu discontinuiti periodice: teoria modurilor
cuplate. Diode laser cu reflectori Bragg distribuii (DBR) i cu reacie distribuit (DFB).
Condiii necesare pentru selectivitatea n lungime de und: considerente tehnologice i de
stabilitate termic.
Cuprinsul cursului (continuare)
Cap. 4 Concepte de baz legate de diodele laser acordabile (~4 ore)
Acordabilitate de tip continuu i discontinuu. Metode de variaie a lungimii de und: prin
deplasarea caracteristicii spectrale a ctigului optic, prin deplasarea caracteristicii de
selectivitate a cavitii rezonante sau prin combinarea acestor dou metode. Controlul
electronic i controlul termic al lungimii de und. Variante de integrare a diodelor laser
acordabile: cu structur longitudinal i cu structur transversal.
Cap. 5 Tipuri de structuri DLA integrate (~1 or)
Structuri integrate longitudinal: DLA de tip DBR i DFB multiseciune. Structuri integrate
transversal: variante de DLA care folosesc structuri de tip DFB.
Cap. 6 Diode laser acordabile cu acordabilitate extins (~2 ore)
Efectul Vernier. Teoria general a reflectorilor distribuii. Diode laser de tip DBR cu
acordabilitate extins: diode laser DBR cu reticul eantionat (SG-DBR Lasers).
Cuprinsul cursului (continuare)
Cap. 7 Alte tipuri de dispozitive laser acordabile i structuri
semiconductoare conexe (~2 ore)
Lasere acordabile cu cavitate extern. Structuri hibride multi-lungime de und cu matrice
de diode laser. Dispozitive semiconductoare aditionale folosite pentru obinerea de
structuri cu lungime de und acordabil. Dispozitive laser acordabile folosind fibre optice
sau ghiduri optice.
Cap. 8 Aplicaii ale dispozitivelor laser acordabile (~1 or)
Aplicaii in domeniul comunicaiilor optice. Alte aplicaii.
Cap. 1 - Introducere
Scurt istoric:
1962: apariia primei diode laser
~1970: diode laser cu dubl heterojonciune (AlGaAs-GaAs)
1978: este lansat COMPACT DISC-ul (Philips i Sony), aplicaie important a
diodelor laser
~1980: diode laser monomodale cu emisie pe 1300 nm i 1550 nm (InGaAsP/InP)
>1980: se dezvolt puternic comunicaiile optice; se impune necesitatea creterii
capacitii de transmisie diode laser cu lungime de und acordabil
Tehnologia WDM (Wavelength Division Multiplexing)
Sisteme de comunicaii optice coerente
Avantajele diodelor laser:
Gabarit mic
Comand electronic facil
Eficien de conversie electron-foton bun
Coeren optic bun
Ieftine
Performanele necesare ale diodelor laser n contextul aplicaiilor actuale:
Emisie monomodal
Lrgime spectral mic (10
7
Hz 10
4
Hz)
Curent de prag mic (zeci uniti mA)
Structur integrat monolitic
Performanele unei diode laser acordabile
(DLA) ideale:
Emisie monomodal i monocromatic
Dou semnale de comand electronice care
s fie ortogonale:
unul pentru controlul puterii de emisie
cellalt pentru controlul lungimii de und
Caracteristicile de putere optic i lungime
de und s fie continue i fr histerezis
Astfel de dispozitive ideale nu pot fi
obinute n practic
sursa: [Amman, fig.1.1]
Deviaii de la cazul ideal:
Numrul de semnale de comand necesare ajustrii lungimii de und este n practic
mai mare (dou sau mai multe)
Controlul puterii optice i al lungimii de und nu sunt ortogonale
Cauze: variaii de temperatur, variaii ale pierderilor optice in structur
Variaia lungimii de und nu este continu, ci continu pe poriuni i prezint
histerezis
Cauze: salturi intre diferitele moduri longitudinale ale cavitii
Performanele de emisie ale diodei laser sunt influenate drastic de procesul de
ajustare a lungimii de und
Cauze: creterea lrgimii spectrale de emisie, variaii ale puterii optice, efecte multimodale
Concluzie: diodele laser acordabile se aleg in funcie de aplicaia dorit
Criterii de performan ale DLA din punctul de vedere al aplicaiilor:
Acordabilitate continu
Intervalul de acordabilitate
Puterea optic de emisie
Lrgimea spectral de emisie
Frecvena maxim de modulaie
(vezi figura urmtoare)
Concluzii
DLA sunt dispozitive complexe, care permit obinerea de perfomane funcionale
foarte bune
DLA sunt cele mai noi tipuri de diode laser
DLA s-au dezvoltat i se dezvolt n contextul aplicaiilor lor specifice
Performanele actuale ale DLA sunt dictate de aplicaiile specifice n care sunt
folosite
Dintre acestea, sistemele de comunicaii optice coerente i tehnicile radar optice sunt
aplicaiile care necesit cele mai bune performane al DLA. Aceste aplicaii dicteaz
stadiul actual de dezvoltare a acestor structuri
Cap. 2 Caracteristicile funda-
mentale ale diodelor laser
Sumarul capitolului 2:
Ctigul optic n materialele semiconductoare. Noiunile de indice de refracie
complex i factor de lrgire spectral (linewidth enhancement factor)
Structuri semiconductoare cu heterojonciuni:
Confinarea purttorilor
Confinarea fotonilor
Considerente tehnologice
Tehnici de obinere a ghidrii fasciculului de fotoni n diodele laser: ghidare transversal i
lateral. Exemple de structuri de diode laser.
Structuri semiconductoare cu gropi cuantice (quantum well - QW)
Ecuaiile ratelor n diodele laser semiconductoare
Cap. 2 Ctigul optic n
materialele semiconductoare
Propagarea unei unde plane monocromatice ntr-un mediu izotrop este
caracterizat de constanta de und:
unde:
k
0
constanta de und n vid:
c
0
viteza luminii n vid
n, n partea real, respectiv imaginar a indicelui de refracie
(in general, |n| << n)
Dup cum se va vedea n continuare, partea imaginar a indicelui de refracie
este legat de coeficientul de ctig/pierderi n materialul semiconductor
( ) " '
0 0
jn n k n k + = =
0 0
0
2

= =
c
k
Considerm o und plan TEMcare se propag pe direcia axei z, avnd
componentele cmpului electric, respectiv magnetic:
E = (0, E
y
, 0), H = (H
x
, 0, 0)
Dac considerm c variaiile vectorilor de cmp E i H sunt nule pe direciile x
i y (adic /x = /y = 0) putem scrie:
unde E
0
i H
0
sunt amplitudinile de cmp pentru z = 0
Folosind prima ecuaie a lui Maxwell:
obinem:
( ) ( )
( ) ( ) z j H z H
z j E z E
x
y
=
=
exp
exp
0
0
H E
0
j =
y x
nE H =
0
0

Definim valoarea medie n timp astfel:
pentru mrimi vectoriale
pentru mrimi scalare
Folosind relaiile precedente, rezult c puterea medie pe unitatea de suprafa,
I (numit i intensitate sau incidan i exprimat n [W/m
2
]) pentru unda plan
TEM considerat este:
Dup cum se observ, I crete / descrete de-a lungul axei z dup cum partea
imaginar n" a indicelui de refracie este pozitiv / negativ. Corespunztor,
vorbim despre amplificarea, respectiv absorbia fasciculului de fotoni n
material.
( ) z n k E n H E I
x
y
" 2 exp '
2
1
0
2
0
0
0
* *
= = = H E
( ) { }dt t j
T
T
T

=
0
exp Re
1
lim E E
dt t u
T
u
T
T

=
0
) (
1
lim
Definim coeficientul de ctig, g, respectiv coeficientul de pierderi, , n
termeni de putere optic astfel:
ceea ce conduce la expresia: care reprezint relaia de legtur
dintre coeficientul de ctig/pierderi i partea imaginar a indicelui de refracie
g, respectiv se msoar n [m
-1
], dar uzual se folosesc [cm
-1
]
n general, att g, ct i depind de lungimea de und i de densitatea de
purttori n materialul semiconductor
dz
dI
I
g
1
= =
" 2
0
n k g =
n materialele semiconductoare cu structur direct de benzi energetice, ctigul
optic (= amplificarea fasciculului de fotoni) se obine dac fenomenul de emisie
stimulat este favorizat n raport cu cel de absorbie stimulat
Pentru aceasta trebuie ndeplinit condiia de inversie de populaie, adic
densitatea de electroni n banda de conducie (BC) trebuie s fie mai mare dect
densitatea de goluri in banda de valen (BV)
Acest lucru se obine prin polarizarea direct a unei jonciuni semiconductoare
Distribuia de probabilitate Fermi-Dirac pentru purttori n BC (W
c
), respectiv
BV (W
v
):
k
B
constanta lui Boltzmann
T temperatura absolut
E
Fc
, E
Fv
cuasi-nivelele Fermi n BC, respectiv BV
Densitile de electroni n BC (N), respectiv goluri n BV (P) n funcie de
densitile de stri i distribuiile de probabilitate Fermi-Dirac:
N
c,v
densitile de purttori efective n BC, respectiv BV
Z
c,v
densitile de stri n BC, respectiv BV
E
c,v
limitele BC, respectiv BV
( ) ( )
|
|
\
|
+
=
|
|
\
|
+
=
T k
E E
E W
T k
E E
E W
B
Fv
v
B
Fc
c
exp 1
1
exp 1
1
( ) ( ) ( ) ( ) [ ]dE E W E Z N P dE E W E Z N N
v
c
E
v v v c
E
c c

= = 1
2 2

n figura de mai jos sunt exemplificate structura de benzi energetice i
distribuiile de probabilitate Fermi-Dirac ale purttorilor ntr-un semiconductor
excitat (=exist inversie de populaie)
n funcie de gradul de injecie de purttori sau de probabilitile de ocupare a
strilor energetice de ctre purttori, va domina fie absorbia de fotoni
(=tranziie BV BC), fie emisia de fotoni (=tranziie BC BV)
Condiia pentru ca fenomenul dominant s fie emisia de fotoni este ca diferena
dintre cuasi-nivelele Fermi s fie mai mare dect banda interzis E
g
:
(condiia Bernard-Duraffourg*)
Tranziia din starea n care prevaleaz absorbia n cea n care prevaleaz
ctigul optic are loc atunci cnd E
Fc
E
Fv
= E
g
, condiie care este ndeplinit
pentru o valoare N
tr
a densitii de purttori numit densitate de purttori la
transparen (=fasciculul de fotoni nu este nici amplificat, nici atenuat)
N
tr
depinde de lungimea de und i are valori tipice de 12 10
-18
cm
-3
pentru
compuii GaAs i InGaAsP
( )
2 1 Fc Fv g
E E h E E E =
* Bernard and Duraffourg, Laser conditions in semiconductors, Physica Status Solidi, vol. 1, 1961, pag. 229-236
n figura de mai jos sunt prezentate ca exemplu curbele de ctig ale unui
semiconductor pentru diferite valori ale densitii de purttori N, n funcie de
energie (sau, echivalent, frecven) n condiiile n care se neglijeaz
recombinrile neradiative precum i orice alt mecanism de absorbie a fotonilor
n afar de absorbia de tip band-band
Dup cum se observ n figura precendent, materialul prezint ctig optic
pentru energii cuprinse ntre E
g
i E
Fc
E
Fv
, atingnd maximul g
p
la o valoare E
p

a energiei fotonilor
Pentru valori ale densitii de purttori n jurul lui N
tr
, dependena valorii
ctigului maxim g
p
n funcie de N poate fi aproximat printr-o funcie liniar:
unde a se numete ctig diferenial i are valori tipice de 35 10
-16
cm
2
pentru
compui de tipul InGaAsP i lungime de und cuprinse ntre 1300 i 1550 nm
Pentru variaii mai ample ale densitii de purttori, departe de N
tr
, o aproximaie
mai exact a dependenei g
p
(N) este cea de tip logaritmic:
( ) ( )
tr p
N N a N g =
( )
|
|
\
|
=
tr
p
N
N
a N g log
Densitatea de purttori injectai N i curentul direct I prin jonciunea
semiconductoare sunt legate prin relaia:
unde q este sarcina electronului, V
a
este volumul regiunii active, iar R(N) este
rata de recombinare, definit ca numrul de perechi electron-gol care se
recombin n unitatea de timp i n unitatea de volum i care depinde de N
ntr-un material semiconductor nedopat, pentru valori ale curentului I sub prag
(I < I
th
), o bun aproximaie a dependenei R(N) este dat de relaia empiric:
n care cei trei termeni modeleaz, respectiv, recombinarea neradiativ pe
defecte, recombinarea radiativ bimolecular (band-band) i recombinarea
neradiativ de tip Auger
( )
a
V N R q I =
( )
3 2
CN BN AN N R + + =
Pentru valori ale curentului I peste prag (I > I
th
), relaia precedent trebuie
corectat cu un termen adiional, R
st
, care ine cont de fenomenul de emisie
stimulat
Valori tipice ale coeficienilor A, B i C sunt:
A 0.51 10
-8
s
-1
B 10
-10
cm
3
/s
C 36 10
-29
cm
6
/s
O proprietate caracteristic materialelor semiconductoare este aceea c o variaie
g a ctigului, indus prin injecia de purttori n jonciunea semiconductoare,
conduce la o modificare n a indicelui de refracie n jurul valorii lungimii de
und corespunztoare ctigului maxim g
p
Acest fenomen, care se datoreaz faptului c alura spectral a ctigului este
puternic asimetric, are drept urmare o modulaie n frecven a fasciculului
laser emis. Ca o consecin neplcut a acestui lucru, lrgimea spectral a
fasciculului emis se lrgete.
n mod uzual, acest fenomen este cunoscut sub denumirea de cuplaj ctig-faz
i este caracterizat din punct de vedere cantitativ de aa-numitul factor de lrgire
spectral (linewidth enhancement factor):
N n
N n
H

=
/ "
/ '

n figura alturat este redat un
exemplu schematic al mecanismului
de cuplaj dintre ctig i indicele de
refracie
Valori tipice ale parametrului
H
pentru compui InGaAsP la
lungimea de und de 1550 nm sunt
de 5 pn la 7
Cap. 2 Structuri semiconduc-
toare cu heterojonciuni
Conceptul de heterojonciune sau heterostructur a fost introdus pentru prima
dat n 1963 de ctre Kroemer i Alferov&Kazarinov, n contextul aplicativ al
diodelor laser
O heterojonciune, spre deosebire de o homojonciune, rezult din alipirea a
dou materiale semiconductoare de naturi diferite (=cu benzi interzise diferite)
Proprietatea esenial a unei heterojonciuni este faptul c se formeaz o barier
de potenial pentru purttorii minoritari
Consecina proprietii anterioare este accea c ntr-o heterojoniune injecia de
purttori este unipolar (purttorii majoritari sunt injectai din materialul cu
band interzis mare n cel cu band interzis mic)
n figura de mai jos sunt exemplificate structura de benzi energetice pentru
(a) dou materiale semiconductoare cu benzi interzise diferite i (b) pentru o
heterojonciune abrupt ntre dou materiale semiconductoare de tip n
Diodele laser moderne se bazeaz pe structuri de tip dubl-heterojonciune n
care regiunea activ este ncadrat de materiale semiconductoare avnd banda
interzis mai mare
Acest tip de structur prezint avantajul unei foarte bune confinri transversale
att a purttorilor injectai, ct i a fotonilor generai, dup cum este detaliat n
continuare
Ca urmare a confinrii simultane a purttorilor i fotonilor n regiunea activ a
diodei laser, interacia dintre acetia este foarte puternic avnd drept consecin
principal creterea randamentului cuantic intern i, implicit, scderea curentului
de prag al diodei laser
Confinarea purttorilor injectai
n cazul polarizrii directe a jonciunii cu
tensiunea U, purttorii majoritari sunt
injectai n regiunea activ i sunt forai de
barierele de potenial s rmn i s se
recombine n aceast regiune
Ca atare, probabilitatea de recombinare
radiativ i, implicit, randamentul cuantic
intern al structurii cresc semnificativ
Dac diferena dintre benzile interzise ale
materialelor semiconductoare este mai
mare dect 10k
B
T, acest fenomen de
confinare a purttorilor este practic
independent de grosimea d a regiunii
active, pn la valori ale acesteia de
ordinul unitilor de nanometri, cnd apar
efecte de cuantizare (vezi structurile QW)
Confinarea fotonilor generai
Cu puine excepii, indicele de refracie al
materialelor semiconductoare descrete
odat cu creterea benzii interzise la
lungime de und constant
Drept urmare, o structur de tip dubl-
heterojonciune reprezint n acelai timp i
un ghid optic care asigur confinarea
fotonilor generai n regiunea activ
n plus, absorbia fotonilor n regiunile
adiacente zonei active este practic
neglijabil datorit diferenei dintre benzile
interzise ale materialelor semiconductoare
Realizarea tehnologic a heterostructurilor de calitate (fr defecte cristaline) ridic o
problem major:
necesitatea de a crete epitaxial straturi de material semiconductor de grosimi variate
i cu benzi interzise semnificativ diferite, conservnd n acelai timp valoarea
constantei de reea a
0
a cristalului
Alegerea compuilor de materiale semiconductoare este limitat de faptul c creterea
straturilor epitaxiale trebuie s se fac pornind de la un substrat binar de tip AIII-BV,
deoarece pentru aceti compui constanta de reea este bine definit pe baza stochiometriei
n funcie de substratul ales, exist mai multe sisteme de materiale, dintre care cele mai
importante sunt:
GaAs/AlGaAs pentru lungimi de und n mai mici de 900 nm
InP/InGaAsP pentru lungimi de und ntre 1200 i 1670 nm
Considerente tehnologice (continuare)
Prin creterea numrului de elemente ale compuilor semiconductori (de la 2 la 3,
respectiv 4 elemente) crete numrul gradelor de libertate pentru alegerea benzii interzise
E
g
i a constantei de reea a
0
, dar n acelai timp devine mai dificil procesul de cretere
epitaxial (vezi figura urmtoare)
De exemplu, compusul cuaternar In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
are doi parametri disponibili: fraciile atomice x
i y ale galiului, respectiv arseniului care variaz ntre 0 i 1
Se poate deduce c pentru ca compusul In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
s aib aceeai constant de reea cu InP
(a
0
= 0.5869) trebuie ca fraciile atomice x i y s satisfac condiia:
Se demonstreaz de asemenea c banda interzis a acestui compus depinde de x i y conform
relaiei:
Rezult astfel c lungimile de und care pot fi obinute cu compui In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
variaz ntre
920 nm (x = 0, y = 0) i 1670 nm (x = 0.47, y = 1)
y
y
x
031 . 0 1
452 . 0
=
[ ]
2 2 2 2
03 . 0 332 . 0 069 . 0 078 . 0 758 . 0 068 . 1 668 . 0 35 . 1 xy y x xy y x y x eV E
g
+ + + + =
Considerente tehnologice (continuare)
Banda interzis i constanta de reea pentru compusul cuaternar InGaAsP i diferii
compui binari de tip AIII-BV
Ghidarea transversal i modurile transversale
Definim direciile longitudinal (z), transversal (x)
i lateral (y) n structur conform figurii alturate:
Dup cum am vzut, structurile de tip
dubl-heterostructur reprezint ghiduri
optice transversale, cu unul sau mai multe
moduri transversale de propagare
Modurile de propagare pot fi transversal electrice (TE) sau transversal magnetice (TM) i
sunt caracterizate de componenta de cmp (E, respectiv H) pe direcia transversal
(=perpendicular pe planul jonciunii)
n diodele laser, modurile TE sunt excitate mai frecvent dect cele TM, deoarece sunt
caracterizate de un ctig optic mai mare i sunt mai bine ghidate n structur
Fiecare mod de propagare este caracterizat de constanta de propagare
m
definit de relaia:
unde n
eff,m
se numete indice de refracie efectiv, iar m este ordinul modului
0 ,
k n
m eff m
=
z
x
y
P
opt
n
0
n
0
n
1
d
Factorul de confinare
Gradul de confinare a puterii optice asociate unui mod de propagare este caracterizat de
aa-numitul factor de confinare definit ca raportul dintre puterea optic modal
confinat n regiunea activ i puterea optic modal total:
De exemplu, pentru modurile TE ntr-un ghid pelicular (vezi figura urmtoare), factorul de
confinare poate fi calculat astfel:
unde d este grosimea regiunii active, E
y
este componenta cmpului electric pe direcia
transversal, iar x este coordonata pe direcia transversal (x = 0 corespunznd cu centrul
regiunii active)
totala modala optica Putere
activa regiunea in confinata modala optica Putere
=
=
x E
x E
y
d
d
y
d
d
2
2
2
2
Exemplu de variaie a factorului de confinare pentru modurile TE i TM fundamentale
ntr-un ghid pelicular simetric din InGaAsP/InP la lungimea de und de 1300 nm:
n general, factorul de confinare nu se poate calcula analitic, ci doar numeric
n cazul unui ghid pelicular simetric se poate folosi urmtoarea aproximaie pentru
evaluarea lui :
unde valoarea de referin d
0
este dat de relaia:
Din relaia de mai sus rezult ca pentru grosimi mici ale regiunii active, d
2
, n timp ce
pentru grosimi mari, tinde asimptotic ctre valoarea unitate
n general, structura transversal a unei diode laser este proiectat astfel nct s permit
propagarea unui singur mod transversal (de regula TE
0
). n cazul ghidului pelicular
simetric, condiia de monomodalitate se expim astfel:
(pentru exemplul din figura precedent: d < 0.465 m)
( )
2
0
1
1
|
\
|
+

d
d
d
2
0
2
1
0
2
2 n n
d
2
0
2
1
2 n n
d
<

Ctigul modal
Am vzut mai nainte c ctigul (sau pierderile) n regiunea activ poate fi descris prin
folosirea unui indice de refracie complex:
legtura dintre ctigul de material i partea imaginar a indicelui de refracie fiind:
n contextul diodelor laser, ceea ce conteaz nu este ctigul de material, ci ctigul modal
care ine cont i de efectul de ghidare optic
Ctigul modal se definete n raport cu constanta de propagare asociat modului astfel:
Se poate demonstra c pentru diferene mici (< 10 %) ntre indicii de refracie n
0
i n
1
ai
ghidului pelicular, relaia dintre ctigul modal i ctigul de material este:
"
1
'
1 1
jn n n + =
"
1 0
2 n k g
a
=
{ }
m eff
g Im 2 =
a eff
g g
Metode de ghidare lateral
n afar de ghidarea transversal (pe direcia x), diodele laser necesit i o ghidare lateral
(pe direcia y) a fasciculului de fotoni moduri laterale
n pricipiu exist 2 metode de obinere a ghidrii laterale:
1) La fel ca n cazul ghidrii transversale, prin realizarea unui ghid optic pe direcia lateral
(= regiunea activ ncadrat de regiuni cu indice de refracie mai mic)
n funcie de varianta constructiv adoptat, exist dou categorii de astfel de diode laser:
cu ghidare prin variaia indicelui de refracie (index-guided (IG) laser diodes)
cu cuasi-ghidare prin variaia indicelui de refracie (quasi-index-guided (QIG) laser diodes)
2) Prin confinarea lateral a ctigului n structur (= ctig mai mare n regiunea activ i mai mic
n regiunile adiacente)
Diodele laser realizate conform acestei metode de ghidare lateral sunt cunoscute sub denumirea
de diode laser cu ghidare prin variaia ctigului (gain-guided (GG) laser diodes)
i n cazul ghidrii laterale este de dorit s existe n sigur mod lateral n structur
Structuri cu ghidare lateral prin variaia indicelui de refracie
n cazul ghidrii de indice de refracie avem de-a face cu un ghid de und bidimensional
(2-D)
Constantele de propagare ale modurilor de propagare pentru un ghid 2-D se pot obine:
fie prin rezolvarea numeric a ecuaiei undei n structura 2-D considerat
fie prin metoda indicelui de refracie efectiv
Metoda indicelui de refracie efectiv este exemplificat n figura urmtoare pentru o
structur de tip RW (ridge waveguide ghid nlat) care este o structur de tip QIG
Aceast structur se obine prin corodarea parial a stratului de ghidare de deasupra
regiunii active (de ex., InP) i nlocuirea zonelor ndeprtate cu un material (de ex. Al
2
O
3
)
cu indice de refracie mai mic (n
2
< n
0
)
Indicele de refracie efectiv asociat modurilor transversale din structur este redus ca
urmare a modificrii grosimii stratului de ghidare n direcia lateral i astfel se obine
ghidarea lateral
Exemplificarea metodei indicelui de refracie efectiv pentru o structur de tip RW:
(a) Structura schematic a ghidului RW i
distribuiile de cmp n cele 3 regiuni.
Este indicat faptul c cmpul evanescent
n regiunile cu indice de refracie n
2
este
puternic afectat dac grosimea t a stratului
de ghidare n regiunile laterale este suficient
de mic
(b-c) Din rezolvarea ecuaiei undei pe direcia
transversal n fiecare din cele 3 regiuni
rezult valorile indicilor de refracie efectivi
n
eff
A
i n
eff
B
cu care se formeaz un ghid
de und pe direcia lateral, saltul de indice
de refracie efectiv fiind:
Condiia de monomodalitate pentru ghidul lateral (identic
cu cea pentru ghidul transversal) conduce la relaia w >> d,
deoarece
B
ef
A
eff eff
n n n =
eff
n n n n >> =
0 1
Factorul de confinare bidimensional
Factorul de confinare bidimensional (care ine cont att de ghidarea transversal, ct i de
cea lateral) poate fi aproximat ca fiind produsul dintre factorul de confinare transversal
trans
calculat n regiunea central i factorul de confinare lateral
lat
:
Pentru estimarea lui
lat
n funcie de w poate fi folosit aceeai relaie ca n cazul lui
trans
:
unde valoarea de referin w
0
este dat de relaia:
lat trans

( )
2
0
1
1
|
\
|
+

w
w
w
( ) ( )
2 2
0
2
2
B
eff
A
eff
n n
w

Structuri cu ghidare lateral prin variaia ctigului
n cazul acestor structuri, nu exist nici o variaie lateral a indicelui de refracie n
regiunea activ, ghidarea obinndu-se prin confinarea ctigului n direcia lateral.
Acest lucru se obine prin folosirea unui electrod de lime limitat (tipic, uniti de
micrometri) pe direcia lateral, injecia de curent n jonciune fiind i ea restricionat de
dimensiunea electrodului
Variaia lateral a densitii de curent ca urmare a folosirii electrodului de lime limitat
conduce la variaia ctigului optic.
Se poate demonstra c i n acest caz rezolvarea ecuaiei undei conduce la soluii (moduri)
similare ca n cazul ghidrii de indice de refracie, dei valoarea factorului de confinare
asociat modurilor de propagare este mult mai mic dect n cazul variaiei indicelui de
refracie
Din punct de vedere formal, acest tip de structur poate fi interpretat ca un ghid dielectric
cu variaie a indicelui de refracie complex
Comparaie ntre structurile de tip IG, QIG i GG
n figura alturat este prezentat
o comparaie calitativ a celor trei tipuri
de variante de ghidare lateral: IG, QIG i GG
Se observ c nici unul dintre cele trei
mecanisme de ghidare nu apare singular
n particular, structurile GG prezint fenomenul
de antighidare datorat micorrii indicelui de
refracie n regiunea activ ca urmare a
cuplajului ctig-faz caracterizat de parametrul
H
Structurile QIG sunt de fapt o combinaie a
structurilor de tip IG i GG
Exemple de structuri de diode laser
Dioda laser cu heterostructur ngropat (buried heterostructure (BH) laser diode) este un
exemplu tipic de structur de tip IG
(a) Structura unei diode laser BH
realizat pe InGaAsP/InP
(b) Caracteristica P-I (putere-curent) a
diodei laser pentru:
= 1550 nm
w = 1.5 m
L = 400 m (lungimea structurii)
Din punct de vedere tehnologic, structura BH
presupune creteri epitaxiale succesive ntrerupte
de corodarea regiunii active, ceea ce conduce la o
reproductibilitate destul de sczut
Dioda laser cu ghid de und nlat (ridge waveguide (RW) laser diode) este un exemplu
tipic de structur de tip QIG
In figura alturat este prezentat structura
unei diode laser QIG RW pe InGaAsP/InP,
cu emisie pe 1550 nm
toare cu gropi cuantice (QW)
Diode laser cu gropi cuantice (Quantum-Well Laser Diodes)
Heterostructurile cu gropi cuantice (quantum-well structures) difer de heterostructurile
clasice prin grosimea stratului (sau straturilor) activ(e)
Cele dou categorii de diode laser (bazate pe heterostructuri clasice, respectiv pe structuri
cu gropi cuantice) sunt denumite astfel:
diode laser semiconductoare de volum = bulk semiconductor laser diodes
diode laser semiconductoare cu gropi cuantice = quantum well (QW) laser diodes
Pentru grosimi mici ale straturilor semiconductoare n regiunea activ apar efecte de
cuantizare a distribuiei de stri energetice
Efectul de cuantizare sus-menionat apare pentru grosimi ale regiunii active comparabile
cu sau mai mici dect lungimea de und de Broglie, care in cazul semiconductoarelor
folosite uzual este de ordinul a 1550 nm (= zecisute de straturi atomice)
Consecinele majore ale acestui fenomen de cuantizare sunt:
creterea ctigului optic de material (implicit, scderea curentului de prag al diodei laser)
creterea gradului de coeren (implicit, scderea lrgimii spectrale) a fasciculului de fotoni emii
Exist dou categorii de structuri cu gropi cuantice:
cu groap cuantic singular (SQW = Single QW)
cu gropi cuantice multiple (MQW = Multiple QW)
Un exemplu de structur SQW pe InGaAsP/InP este prezentat mai jos:
(a) seciunea transversal, structura de benzi i funciile de und pentru electroni i goluri
(b) densitatea de stri pentru cazul materialului semiconductor de volum (linie ntrerupt), respectiv QW (linie continu)
Ca urmare a efectului de cuantizare,
valoarea benzii interzise efective
este mai mare dect cea caracteristic
materialului semiconductor de volum (E
g
)
De asemenea, ctigul diferenial crete
ca urmare a confinrii strilor energetice
n sub-benzi nguste
Diode laser SL-QW (Strained-Layer QW lasers)
Datorit faptului c n cazul diodelor laser QW regiunea activ este compus din straturi
foarte subiri (cu mai mult de un ordine de mrime mai mic dect n cazul diodelor laser
cu semiconductoare de volum), condiia de conservare a constantei de reea cristalin nu
mai este critic
Cu alte cuvinte, pentru structurile QW se poate accepta o anumit nepotrivire a
constantelor de reea cristalin ale substratului i regiunii active
Diferena dintre constantele de reea cristalin nu poate depi o valoare critic, altminteri
se distruge structura cristalin a materialului
n consecin, structurile QW ofer nc n grad de libertate n ceea ce privete alegerea
materialelor potrivite pentru creterea diferitelor straturi epitaxiale
S-au nscut astfel structurile QW cu straturi tensionate (Strained-Layer QW Lasers) care
pot avea performane superioare celor clasice (de exemplu, ctig optic mai mare)
Factorul de confinare n structurile de tip QW
Dup cum am vzut mai nainte, ceea ce trebuie optimizat ntr-o diod laser nu este
ctigul de material (g
a
), ci cel modal (g
eff
g
a
)
Din pcate, n structurile cu gropi cuantice, factorul de confinare prezint n mod
obinuit valori mici (corespunztor cu rezultatul precedent: d
2
pentru d mic)
n structurile QW trebuie maximizat
n practic, pentru creterea lui se folosesc straturi suplimentare care ncadreaz regiunea
activ de tip QW i formeaz astfel un ghid optic adiional (vezi figura urmtoare)
Se obin astfel aa-numitele diode laser QW cu heterostructuri cu confinare separat
(SCH-QW= Separate Confinement Heterostructures QW Lasers)
n funcie de compoziia straturilor de confinare exist dou tipuri de astfel de diode laser:
SCH-QW (cu indice de refracie constant)
GRINSCH-QW (cu indice de refracie gradat)
mai poate fi mrit i prin folosirea de structuri de tip MQW (tipic, cu 37 gropi cuantice)
n exemplul de mai jos sunt prezentate schematic structura de benzi energetice i
distribuiile de cmp optic (||
2
), respectiv de purttori (|E|
2
) n:
(a) structuri de tip SQW
(b) structuri de tip SCH-QW i GRINSCH+QW
(c) structuri de tip MQW
Cap. 2 Ecuaiile ratelor n
diodele laser semiconductoare
Structura longitudinal a diodelor laser. Laserul Fabry-Perot
n continuare vom descrie caracteristicile fundamentale ale cavitii optice rezonante (sau
rezonator optic), elementul indispensabil din structura unui dispozitiv laser care permite
obinerea reaciei optice pozitive necesare amorsrii efectului laser (=emisia stimulat
favorizat n raport cu emisia spontan)
Dei, n general, n cazul diodelor laser cavitatea optic rezonant este tridimensional, n
cazurile de interes practic, cnd dioda laser are un singur mod pe direcia transversal,
respectiv lateral, analiza acesteia se poate restrnge la cazul unidimensional, care
corespunde cu direcia longitudinal a diodei laser
Structura cea mai simpl de cavitate rezonant longitudinal este aa-numita cavitate
Fabry-Perot (vezi figura urmtoare) care const din dou oglinzi plane situate la distana
L, avnd reflectivitile n putere R
1
, respectiv R
2,
, ntre care se gsete mediul activ,
omogen, care asigur amplificarea fasciculului de fotoni generai
Dispozitivul laser avnd aceast structur este denumit n mod uzual drept laser Fabry-
Perot (FP)
(a) Structura unui laser Fabry-Perot dup direcia longitudinal z, cu indicarea drumului
optic n cavitatea rezonant
(b) Distribuia longitudinal a densitilor de fotoni asociate undei directe (S
+
) i undei
inverse (S
), precum i suma acestora (linia ntrerupt) i densitatea medie de fotoni n

cavitate ( ) definit ca: S
( ) ( ) [ ] z z S z S
L
S
L
d
1
0
+
+ =
Propagarea fasciculului de fotoni pe direcia z este caracterizat, dup cum am mai vzut,
de constanta de propagare care, n cazul laserului FP, poate fi exprimat ca:
unde
se numete ctig net,
i
reprezentnd pierderile optice n cavitatea FP (datorate n special
fenomenelor de absorbie i mprtiere a fotonilor)
Datorit reflexiilor pe oglinzi, n cavitatea FP va exista att o und direct (caracterizat
de constanta de propagare + ), ct i o und invers (caracterizat de constanta de
propagare )
ntruct dependena de z a intensitii cmpului electric asociat undelor este exp(j z),
distribuiile densitilor de fotoni asociate undelor direct i invers se pot exprima astfel:
unde
2
'
0
net
eff
g
j n k + =
i a i eff net
g g g = =
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) z g S z S
z g S z S
net
net
=
=

+ +
exp 0
exp 0
( ) ( ) 0 0
2
+
= S R S
Condiia de rezonan a cavitii Fabry-Perot
Condiia de rezonan a cavitii presupune ca ntr-o seciune de referin a cavitii (de
exemplu, z = z
0
), att intensitatea, ct i faza cmpului electric s se conserve n urma
unei propagri dus-ntors n cavitate (=se formeaz o und staionar)
Din punct de vedere matematic, condiia de mai sus se scrie:
unde r
1
(=R
1
) i r
2
(=R
2
) sunt reflectivitile n amplitudine (presupuse reale) ale
oglinzilor, iar L este lungimea cavitii
Introducnd coeficientul de pierderi al oglinzilor cavitii:
i innd cont de periodicitatea funciei exponeniale n raport cu partea imaginar a
argumentului su, condiia de rezonan devine:
unde N reprezint ordinul modului longitudinal al cavitii i corespunde cu raportul
dintre lungimea cavitii i jumtatea lungimii de und a undei staionare
( ) 1 2 exp
2 1
= L j r r
2 1
1
ln
2
1
R R L
m
=
N j L L j
m
2 2 = +
Condiia de amplitudine
Condiia de rezonan obinut anterior corespunde de fapt cu ndeplinirea simultan a
dou condiii:
prima, corespunztoare prii reale a condiiei de rezonan condiia de amplitudine
a doua, corespunztoare prii imaginare a condiiei de rezonan condiia de faz
Introducnd noiunea de ctig al cavitii (round-trip gain):
condiia de amplitudine (cunoscut i sub denumirea de condiie de prag) se scrie simplu:
unde
tot
reprezint pierderile totale n cavitate, definite ca suma pierderilor interne i a
celor datorate oglinzilor:
m i a m net c
g g g = =
0 = =
tot eff c
g g
m i tot
+ =
Condiia de faz
Partea imaginar a condiiei de rezonan conduce la condiia de faz:
din care rezult:
relaie care definete valorile lungimilor de und de rezonan asociate modurilor
longitudinale ale cavitii
n diodele laser tipice, lungimea L a cavitii FP (L 1001000 m) este mult mai mare
dect lungimea de und
N
a modului longitudinal ordinul N al modului longitudinal
are valori mari (tipic, N 10
3
10
4
)
Conform relaiei de mai sus, spectrul de selectivitate a cavitii FP este un spectru de tip
pieptene (vezi figura urmtoare)
{ } N n k L
eff
2 2 Re 2
'
0
= =
( )
N
L n
N eff
N
'
2
=
Condiia de faz (continuare)
Reprezentarea schematic a spectrului de emisie longitudinal a unei diode laser Fabry-Perot
Ecartul modal
Un parametru important al diodelor laser este ecartul modal (FSR Free Spectral Range),
definit ca diferena dintre lungimile de und a dou moduri vecine
N
i
N+1
Pentru valori mari ale lui N, ecartul modal rezult practic constant i este dat de relaia:
unde n
g,eff
, numit indice de refracie de grup efectiv, este definit de relaia:
Indicele de refracie de grup efectiv ine cont de dispersia (=dependena de
N
) indicelui de
refracie efectiv
Tipic, n
g,eff
4, ceea ce, pentru lungimi ale cavitii n jurul a 400 m, conduce la valori
ale ecartului modal de 0.31 nm
L n
eff g
N
N N m
,
2
1
2
=
+
( )
( )
N N
eff
N N eff
eff
eff g
n
n
k
n k
n

d
d
d
d
'
'
0
'
0
,
= =
Modul longitudinal fundamental
Datorit valorii mici a ecartului modal n raport cu lrgimea spectral a ctigului de
material (tipic, zeci de nm), curba de ctig a diodei laser acoper un numr relativ
mare de moduri longitudinale (tipic, 410 moduri longitudinale)
Dintre acestea, n principiu doar pentru un singur mod (i anume, cel situat cel mai
aproape de
P
) va fi satisfcut simultan i condiia de amplitudine emisie laser
n momentul n care valoarea ctigului la lungimea de und a modului fundamental atinge
valoarea de prag (adic g
eff
(
N
) =
tot
), ctigul se satureaz la aceast valoare fenomen
cunoscut sub denumirea de gain-clamping mechanism
Acest mod se numete mod fundamental (lasing mode), n timp ce modurile adiacente se
numesc moduri alturate (side modes)
n practic, n special n cazul diodelor laser FP, emisia laser survine nu doar n cazul
modului fundamental, ci i pentru modurile alturate (bineneles, cu o pondere mai mic,
proporional cu valoarea ctigului corespunztoare modului respectiv). De aceea, diodele
laser FP prezint tipic un spectru de emisie multimodal
Ecuaiile ratelor
Ecuaiile ratelor reprezint ecuaiile fundamentale care permit descrierea proprietilor de
baz ale diodelor laser
Aceste ecuaii sunt denumite ale ratelor deoarece ele descriu rata (viteza) de variaie n
timp a densitilor de purttori, respectiv fotoni, n dioda laser
n funcie de numrul de moduri longitudinale ale diodei laser luate n considerare exist
dou categorii de sisteme de ecuaii:
Ecuaiile ratelor n variant monomodal (single-mode rate equations)
O ecuaie care descrie variaia n timp a densitii de purttori N = P
O ecuaie care descrie variaia n timp a densitii medii de fotoni
Ecuaiile ratelor n variant multimodal (multi-mode rate equations)
O ecuaie care descrie variaia n timp a densitii de purttori N = P
Dou sau mai multe ecuaii care descriu variaia n timp a densitii medii de fotoni pentru
fiecare mod longitudinal considerat
S
Ecuaiile ratelor (continuare)
Ecuaiile ratelor permit obinerea mai multor parametri i caracteristici importante ale
diodelor laser, precum:
Curentul de prag
Relaia dintre puterea optic emis i curentul de comand (aa-numita
caracteristic PI)
Raportul de supresie modal (SMSR) o msur a gradului de monomodalitate a emisiei diodei
laser
Rspunsul n frecven n cazul modulaiei de semnal mic
Ecuaiile ratelor (continuare)
n cazul unei caviti laser longitudinale omogene, cu reflectiviti identice ale celor dou
oglinzi, ecuaiile ratelor n variant monomodal se scriu astfel:
unde v
g
este viteza de grup asociat fasciculului de fotoni, iar R
sp
se numete rat de emisie
spontan n modul fundamental i caracterizeaz fenomenul de emisie spontan a fotonilor
R
sp
depinde de ctigul modal g
eff
conform relaiei:
unde n
sp
se numete coeficent de emisie spontan (tipic, n
sp
23)
( ) ( )
( )
sp c g
eff g
a
R S g v
t
S
R
N R S g v
qV
I
t
N
R
+ =
=
d
d
2 .
d
d
1 .
a
sp eff g
sp
V
n g v
R =
Semnificaia ecuaiilor ratelor
Prima din cele dou ecuaii difereniale descrie dinamica purttorilor n regiunea activ a
diodei laser
Semnificaia termenilor din membrul drept al acestei ecuaii este urmtoarea:
primul termen rata de injecie a purttorilor n regiunea activ
al doilea termen rata de emisie stimulat, proporional cu ctigul modal i densitatea medie de
fotoni
al treilea termen rate de recombinare spontan
Semnificaia ecuaiilor ratelor (continuare)
A doua din cele dou ecuaii difereniale descrie dinamica fotonilor n regiunea activ a
diodei laser
Semnificaia termenilor din membrul drept al acestei ecuaii este urmtoarea:
primul termen rata de variaie a densitii de fotoni ca urmare a absorbiei i emisiei stimulate
al doilea termen rata de emisie spontan n modul fundamental
Soluia ecuaiilor ratelor n regim staionar
n cazul regimului staionar, i prin urmare ecuaiile ratelor se reduc
la un sistem de dou ecuaii neliniare
n cazul diodelor laser, exist dou feluri de regim staionar:
regim staionar sub prag emisia stimulat este neglijabil ( ) modul LED
regim staionar peste prag emisia spontan este neglijabil ( ) modul laser
n cazul regimului staionar peste prag, al doilea termen din membrul drept al ecuaiei
(R.2) poate fi neglijat n raport cu primul termen. Prin urmare, rezult:
unde g
th
este ctigul de material la prag, valoare care se atinge pentru o densitate de
purttori de prag egal cu N
th
Observaie: n practic, g
c
nu este niciodat 0, ci negativ, tinznd asimpotic ctre 0
n concluzie, n regimul staionar peste prag, att ctigul de material, ct i densitatea de
purttori sunt saturate la valoarea de prag (vezi figura urmtoare)
0 d d d d = = t S t N
0 S
0 >> S
th th tot eff c
N N g g g = = 0
Soluia ecuaiilor ratelor n regim staionar (continuare)
n figura alturat sunt prezentate schematic variaia densitii de purttori i a celei de
fotoni, n funcie de curentul de comand I al diodei laser
Se poate observa c, ncepnd de la o valoare I
th
, numit
curent de prag, densitatea de purttori rmne constant
la valoarea de prag N
th
, n timp ce densitatea de fotoni,
iniial neglijabil, crete liniar cu I
Valoarea curentului de prag I
th
rezult din ecuaia (R.1)
n regim staionar, considernd :
Din acceai ecuaie rezult c pentru I > I
th
densitatea medie de fotoni variaz liniar cu
curentul, confom relaiei:
0 S
( )
th a th
N R qV I =
tot g a
th
v qV
I I
S
=
Deducerea relaiei dintre puterea optic i curentul de comand
n regimul staionar peste prag, puterea optic de emisie a diodei laser poate fi exprimat
n funcie de densitatea medie de fotoni astfel:
Energia total a fotonilor n regiunea activ este:
Puterea optic emis (la un capt al cavitii) rezult din nmulirea energiei cu rata v
g
m
cu care
energia iese din cavitate mprit la 2 (presupunnd c reflectivitile oglinzilor sunt egale):
n final, folosind expresia dependenei de curent a densitii de fotoni (dedus anterior) rezult:
h V S E
a
=
2
h V S v
P
a m g
=
( )
th th
tot
m
I I I I
q
h
P > = pentru ,
2

Ecuaiile ratelor n variant multimodal.
n cazul n care dorim s evalum puterea optic medie pentru diferite moduri
longitudinale ale diodei laser, se face apel la varianta multimodal a ecuaiilor ratelor
cte o ecuaie de tipul (R.2) pentru fiecare mod considerat
De exemplu, dac lum n considerare doar dou moduri, cel fundamental (de ordin N) i
cel mai puternic dintre modurile alturate (de exemplu, de ordin N+1), ecuaiile
densitilor medii de fotoni se scriu astfel:
unde, n cazul general, ctigul g
c
i rata de emisie spontan R
sp
depind de
n general, deoarece ecartul modal
m
este cu un ordin de mrime mai mic dect
lrgimea spectral a spectrului de emisie spontan dependena lui R
sp
de poate fi
neglijat pentru dou moduri vecine, astfel c putem scrie:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1
1
1
1
d
d
2 .
d
d
2 .
+
+
+
+
+ = + =
N sp
N
N c g
N
N sp
N
N c g
N
R S g v
t
S
b R R S g v
t
S
a R
( ) ( )
sp N sp N sp
R R R =
+1

Raportul de supresie modal
Raportul de supresie modal (SMSR Side-Mode Suppression Ratio) se definete ca
raportul dintre densitile de fotoni aferente modului fundamental i a celui mai puternic
dintre modurile alturate:
n practic, acest parametru se specific n decibeli: SMSR [dB] = 10log(SMSR)
n cazul diodelor laser FP, SMSR este de ordinul a 20 dB
mpunnd condiia de regim staionar n (R.2b) i innd cont de faptul c putem scrie:
unde: (deoarece g
c
0 pt. modul fundamental)
rezult: (a se vedea figura urmtoare)
1 +
=
N
N
S
S
SMSR
( ) g v
R
g v
R
S
g
sp
N c g
sp
N

=
+
+
1
1
( ) ( ) g g g
N c N c
=
+1
( )
N c
g g >>
Raportul de supresie modal (continuare)
Ilustrarea schematic a dependenei
de a parametrilor g
eff
,
tot
i g
c
pentru
o diod laser Fabry-Perot:
(a) cazul =
N

p
= 0 SMSR maxim
(b) cazul =
N

p
0 (caz realistic)
unde se numete dezacord n
lungime de und (detuning)
n cazul diodelor laser FP, pierderile
totale
tot
sunt practic independente de
n cazul cel mai defavorabil n care

m
/2 rezult g 0 i, deci,
SMSR 1. n acest caz, aproximaia
nu mai este aplicabil
( )
N c
g g >>
Raportul de supresie modal (continuare)
n baza relaiei dintre densitatea de fotoni i puterea optic emis per oglind pentru modul
fundamental, pe de o parte, i a relaiei dintre R
sp
i g
eff
, SMSR se poate calcula astfel:
unde P
N
i P sunt puterea optic coninut n modul fundamental, respectiv puterea optic
total (ca urmare a contribuiei tuturor modurilor longitudinale), mrimi care sunt
aproximativ identice n cazul emisiei monomodale (=SMSR mare) a diodei laser
Dac variaia ctigului modal n jurul lui
p
se aproximeaz parabolic (metod des
folosit n practic) conform relaiei:
SMSR poate fi exprimat n funcie de dezacordul astfel:
m tot sp g m tot sp g
N
n v h
g P
n v h
g P
SMSR

2 2
=
( ) ( ) ( )
2

g p eff p eff
b g g = +
( )
2
,
2 2
m
m tot sp g
m m g
n v h
Pb
SMSR

<

=
Rspunsul n frecven al diodelor laser
Rezolvarea ecuaiilor ratelor n aproximaia de semnal mic (=variaiile mrimilor mult mai
mici comparativ cu valorile de PSF) permite obinerea rspunsului n frecven a diodei
laser
Rspunsul n frecven al diodelor laser este diferit n cazul funcionrii peste prag,
respectiv sub prag (modul LED)
Caracteristicile cele mai importante ale rspunsului n frecven la modulaia de semnal
mic peste prag pentru diodele laser (a se vedea figura urmtoare) sunt:
existena unei fenomen de rezonan la frecvena de relaxare f
r
(valori tipice: 0.110 GHz)
pant de 20 dB pe decad la frecvene mari de modulaie
creterea benzii de modulaie odat cu creterea valorii de PSF a curentului de comand
n cazul operrii n modul LED, frecvena de tiere este mult mai mic (sute de MHz), iar
panta caracteristicii dincolo de frecvena de tiere este de doar 10 dB pe decad
Modul de operare de tip LED este important pentru diodele laser acordabile, deoarece
regiunile cavitii responsabile cu acordul lungimii de und sunt operate n acest mod
Rspunsul n frecven al diodelor laser (continuare)
n figura alturat este prezentat rspunsul
n frecven tipic pentru diodele laser:
(a) rspunsul la semnal mic pentru funcionare
peste prag (linie continu) i sub prag (linie ntrerupt)
(b-c) rspunsul la modulaie de tip on-off peste prag
Cap. 3 Tipuri de diode laser cu
emisie monomodal
Condiii necesare pentru selectivitatea n lungime de und
Propagarea undelor optice n structuri cu discontinuiti periodice: teoria modurilor
cuplate
Diode laser cu reflectori Bragg distribuii (DBR) i cu reacie distribuit (DFB)
Cap. 3 Tipuri de diode laser cu
emisie monomodal
n foarte multe aplicaii din optoelectronic este nevoie de diode laser cu emisie
monomodal (single-mode laser diodes)
Din punct de vedere al raportului de supresie modal, o diod laser poate fi considerat ca
avnd emisie monomodal dac SMSR > 4050 dB
n cap.2 am vzut c diodele laser FP prezint n cazul ideal un SMSR de ordinul a
20 dB. n practic, aceast valoare se reduce i mai mult datorit urmtoarelor cauze:
Curba real a ctigului este mult diferit de forma sa ideal
Dezacordul este aprox.
m
/2
Pierderile interne i/sau pierderile oglinzilor variaz cu
Apar fenomene de tip SHB (spatial hole-burning)
Apar efecte specifice n funcionarea dinamic (=cnd dioda laser este modulat)
Datorit cauzelor de mai sus, diodele laser FP nu sunt utilizabile n aplicaii n care este
nevoie de un grad mare de puritate spectral a fasciculului de fotoni
Cap. 3 Condiii necesare pentru
selectivitatea n lungime de und
Pentru creterea SMSR este nevoie de obinerea unei selectiviti modale, ceea ce
nseamn ca modul fundamental s fie favorizat n raport cu celelalte moduri din punctul
de vedere al ctigului la prag
Dac presupunem c pierderile interne
i
nu variaz cu , singura modalitate de obinere a
selectivitii modale este ca pierderile oglinzilor
m
s fie variabile cu
Exist mai multe metode de obinere a acestui deziderat, dar cea mai des utilizat este
folosirea de structuri periodice cu selectivitate spectral
Cap. 3 Teoria modurilor cuplate
Teoria modurilor cuplate a fost introdus n 1972 de Kogelnik i Shank*
S considerm o structur n care indicele de refracie variaz periodic pe direcia de
propagare z, iar pe direciile x i y variaiile sunt neglijabile (/x = /y = 0)
O astfel de structur se numete reea de difracie (grating)
S presupunem c expresia indicelui de refacie este
unde:
n
eff
este indicele de refracie efectiv al structurii n absena discontinuitii periodice pe direcia z
n/2 este amplitudinea variaiei indicelui de refracie (n/2 << n
eff
)
0
se numete constant de propagare Bragg i este legat de lungimea de und Bragg
B
i
perioada spaial a structurii prin relaia:
unde Meste un ntreg i se numete ordinul reelei de difracie
( ) ( ) z
n
n z n
eff 0
'
2 cos
2

+ =
( )
'
0
'
0
2
eff B eff
B
n k n
M
= =
* Kogelnik and Shank, Coupled-Wave Theory of DFB lasers, J. of Appl. Physics, vol. 43, 1972, pp. 2327-2335
n cazul unei reele de difracie de ordinul I (M= 1), relaia dintre i
B
devine:
adic perioada structurii este egal cu jumtate din lungimea de und Bragg n structur
Ecuaia undei pentru intesitatea cmpului electric n cazul structurii considerate se scrie:
inndu-se cont de expresia lui n(z) i de faptul c n/2 << n
eff
putem scrie:
unde = n
eff
k
0
este constanta de propagare n structur, iar parametrul definit ca:
se numete coeficient de cuplaj al structurii
Ecuaia undei devine astfel:
'
2
eff
B
n
=
( ) [ ] 0
d
d
2
0
2
2
= + E k z n
z
E
( ) [ ] ( ) z k z n
0
2
0
2 cos 4 +
2
n
=
( ) [ ] 0 2 cos 4
d
d
0
2
2
= + + E z
z
E

n continuare considerm cmpul electric E(z) ca suma a 2 termeni corespunztori undei
directe E
+
(z) i undei inverse E
(z) n structur:
unde funciile E
+
(z) i E
(z) sunt lent variabile cu z

Dac introducem expresia de mai sus n ecuaia undei obinut anterior, neglijnd
derivatele de ordin II ale funciilor E
+
(z) i E
(z) i fcnd presupunerea c =

0
+ cu
<<
0
se obin aa-numitele ecuaii ale modurilor cuplate:
Aceste ecuaii reprezint fundamentul teoriei modurilor cuplate
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) z j z E z j z E z E
0 0
exp exp + + =
+
( )
( )
+
+
+
=
= +
E j E j
z
E
MC
E j E j
z
E
MC

d
d
2 .
d
d
1 .
Interpretarea fizic a coeficientului de cuplaj
Pentru a putea da o interpretare fizic a coeficientului de cuplaj , considerm o structur
puin diferit, caracterizat de un profil dreptunghiular (i nu cosinusoidal) al indicelui de
refracie pe direcia z, cu factor de umplere 50% (vezi figura de mai jos)
Coeficientul de reflexie la prima discontinuitate este, conform formulei lui Fresnel:
i conform aceluiai raionament, la urmtoarea discontinuitate coeficientul de reflexie va
fi egal cu r, deoarece se trece de la indice mare la indice mic
'
2
'
eff
n
n
r


Interpretarea fizic a coeficientului de cuplaj (continuare)
Pe de alt parte, faza acumulat corespunztoare propagrii dus-ntors ntr-o subseciune
de lungime /2 la lungimea de und Bragg
B
este
0
= exp(j
0
) = 1
Drept consecin, toate reflexiile se vor nsuma n faz la lungimea de und Bragg
B
ntruct ntr-o perioad a structurii avem dou reflexii, putem defini coeficientul de
reflexie pe unitatea de lungime astfel:
Dup cum se observ, aceast mrime este identic cu coeficientul de cuplaj, mai puin un
factor de 4/, deci coeficientul de cuplaj poate fi interpretat drept coeficientul de reflexie
pe unitatea de lungime a structurii
Factorul de 4/ din relaia de mai sus se explic prin faptul c parametrul a fost dedus
pentru o reea de difracie cosinusoidal, n timp ce a fost determinat pentru o reea de
difracie dreptunghiular
4 '
2
' 2
'
'
'
=
=
B B
eff
eff
n
n
n
n r
Soluia ecuaiilor modurilor cuplate
Ecuaiile modurilor cuplate reprezint un sistem de ecuaii difereniale liniare de ordinul I
Dac cunoatem E
+
si E
-
ntr-un anumit punct al structurii, de exemplu z = 0 (ceea ce nu
nseamn neaprat nceputul sau sfritul structurii periodice), soluia analitic a acestui
sistem de ecuaii poate fi scris astfel:
de este definit prin relaia:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0 sinh cosh 0 sinh
0 sinh 0 sinh cosh
+
+ +

+ + =

(

=
E z
j
z E z
j
z E
E z
j
E z
j
z z E
2 2 2
=
Soluia ecuaiilor modurilor cuplate (continuare)
n cazul unei structuri periodice care se ntinde de la z = 0 la z = L, n baza relaiilor
precedente putem exprima pe E
+
(L) si E
-
(L) n funcie de E
+
(0) si E
-
(0)
n practic, aceast dependen se scrie n forma matriceal:
unde matricea
poart numele de matrice de transfer a structurii
Metoda matricelor de transfer (MTM) este foarte des utilizat n analiza diodelor laser
DFB si DBR multiseciune
( )
( )
( )
( )
( )
|
|
\
|
=
|
|
\
|
+
0
0
E
E
L
L E
L E
per
F
( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
|
|
|
|
|
\
|
(
=
L
j
L L
j
L
j
L
j
L
L
sinh cosh sinh

sinh sinh cosh
per
F
Soluia ecuaiilor modurilor cuplate (continuare)
Dac structura periodic este folosit ca reflector distribuit, coeficientul de reflexie al
acesteia poate fi exprimat astfel:
n cazul n care L, L, L << 1 relaia de mai sus se simplific astfel:
(aproximaia liniar)
Not: Aceast soluie a ecuaiilor modurilor cuplate a fost obinut presupunnd c
pierderile n reeaua de difracie sunt nule (
0
= 0). Pentru a ine cont de pierderi este
suficient s se nlocuiasc j
0
i j
0
n relaiile de mai sus
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) L
j
L
L
j
E
E
r
per
sinh cosh
sinh
0
0
22
21
= = =
+
per
per
F
F
L j
L j
r
per
1
Modulul i faza reflectivitii unei structuri periodice
S considerm o structur periodic de lungime L folosit ca reflector pentru o und
direct cu amplitudinea E
+
(0) la z = 0 n mod necesar, rezult c amplitudinea undei
indirecte la z = L este E
-
(L) = 0
Din soluia ecuaiilor modurilor cuplate rezult c la lungimea de und Bragg ( = 0),
variaia dup z a amplitudinilor undelor direct, respectiv invers e dat de relaiile:
dependen care este ilustrat grafic n figura
alturat
( )
( ) [ ]
( )
( ) ( )
( ) [ ]
( )
( ) 0
cosh
sinh
0
cosh
cosh
+ + +

=
= E
L
L z j
z E E
L
L z
z E

Modulul i faza reflectivitii unei structuri periodice (continuare)
Din relaiile anterioare rezult c pentru o structur periodic fr pierderi, la lungimea de
und Bragg, reflectivitatea (= coeficientul de reflexie) n amplitudine, respectiv n putere, a
structurii este dat de relaiile:
n figura alturat este reprezentat
variaia reflectivitii unei structuri
periodice la
B
n funcie de coeficientul
de cuplaj normalizat (L) al structurii
Se observ c pentru L 0.7 coeficientul
de reflexie al structurii periodice are valori
comparabile cu ale oglinzilor clivate (folosite
n cazul diodelor laser FP)
( )
( ) L r R
L r
per per
per
2
2
tanh
tanh
= =
=
Pentru
, variaia reflectivitii n funcie de dezacordul normalizat (L) se poate

obine din relaia de la pag. 88 i este prezentat n figura de mai jos pentru diferite valori
ale parametrului L
O estimare grosier a benzii reflectivitii
(= intervalul de lungimi de und n care R
are valori mari) pentru valori ale lui L
mici este
ceea ce exprimat n termeni de lungime de
und nseamn:

2
2
2
,
|
|
\
|

B
eff g
n
eff g
B
eff g
B
n
n
n
, ,
2
2
= =


Faza reflectivitii structurii periodice se obine innd cont c:
Un exemplu tipic al dependenei fazei n funcie de dezacordul normalizat L este dat
n figura de mai jos
n baza acestei dependene se poate defini
lungimea efectiv a structurii periodice astfel:
relaie care, pentru cazul =
B
devine:
( ) = j r r
per per
exp
|
|
\
|
=
d
d
2
1
eff
L
2
) tanh( L
L
eff
=
Cap. 3 Diode laser DBR
Principiul de baz al diodelor laser cu reflectori Bragg distribuii (DBR Distributed
Bragg-Reflector) este folosirea de reele de difracie longitudinale drept oglinzi ale
cavitii n locul clasicelor oglinzi obinute prin clivare (cum e cazul diodelor laser FP)
Avantajul folosirii de structuri periodice ca reflectori const ntr-o foarte bun selectivitate
n lungime de und, astfel c diodele laser DBR sunt prin definiie monomodale (au
puritate spectral foarte mare)
Dup caz, exist dou feluri de diode laser DBR:
cu o singur structur periodic la un capt al cavitii (cealalt oglind a cavitii fiind clivat)
cu dou structuri periodice, cte una la fiecare capt al cavitii
n figura de mai jos este prezentat structura schematic a undei diode laser DBR cu un
singur reflector Bragg
n practic, pentru evitarea reflexiilor parazite la captul structurii periodice (z = L
B
), se
folosete o depunere antireflectant (AR), avnd grosimi de ordinul a sute de nanometri
Mai jos sunt prezentate dou exemple de structuri reale de diode laser DBR
Bundle integrated guide (BIG) DBR laser structure Butt joint (BJ) DBR laser structure
Din punct de vedere tehnologic, diodele laser DBR ridic oarecare probleme datorit
separrii longitudinale dintre regiunea activ i reflectorii Bragg necesitatea corodrii i
recreterii selective a straturilor epitaxiale
Adaptarea regiunii active cu cea a reelei de difracie din punct de vedere al distribuiei de
cmp este o condiie de proiectare important a crei nendeplinire duce la apariia
pierderilor i a reflexiilor parazite la interfaa dintre cele dou regiuni longitudinale
sursa: [Amman, fig.3.13] sursa: [Amman, fig.3.14]
Condiia de rezonan
Dac presupunem c interfaa dintre regiunea activ i cea a reelei de difracie este
perfect (cuplaj 100% i reflexii nule), condiia de ctig pentru o diod laser cu un singur
reflector Bragg se scrie astfel:
unde R
1
este reflectivitatea oglinzii clivate, iar L
A
este lungimea regiunii active
Relaia de mai sus e echivalent cu:
n care se observ c datorit dependenei R
per
() se obine selectivitatea necesar
favorizrii modului fundamental n raport cu modurile adiacente emisie monomodal
( ) 1 2 exp
1
=
A net per
L g R R
( )
0
1
ln
1
ln
2
1
1
=
(
(
|
|
\
|
+
|
|
\
|
= =
per A
net m net c
R R L
g g g
Condiia de rezonan (continuare)
n figura de mai jos este ilustrat dependena pierderilor de extracie a puterii optice prin
structura periodic n funcie de dezacordul normalizat L, pentru L = 1 i dou valori
ale coeficientului de pierderi normalizat
0
L n reeaua de difracie:
0
L = 0, respectiv
0
L = 0.2
Dac neglijm variaiile cu lungimea de und pentru ctigul i pierderile de material,
diferena g dintre valorile ctigului cavitii g
c
pentru modul fundamental (considerat
exact la sau aproape de
B
), respectiv un mod longitudinal la o lungime de und oarecare
este:
Exemplu numeric
Considernd L
A
= 300 m i g
c
> 5 cm
-1
(condiia de monomodalitate) trebuie ca
ln(R
per
(
B
)) ln(R
per
()) > 0.3
( ) ( )
( )
( )
|
|
\
|
=
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
per
B per
A per A B per A
c
R
R
L R L R L
g g ln
2
1 1
ln
2
1 1
ln
2
1
Condiia de faz pentru dioda laser DBR considerat se scrie astfel:
n baza definiiei lungimii efective L
eff
a reelei de difracie (prezentat anterior) rezult:
din care rezult (prin analogie cu relaia determinat n cazul diodei laser FP) expresia
ecartului modal (valabil pentru lungimi de und n jurul
B
):
unde n
g,A
i n
g,G
reprezint indicele de refracie de grup pentru regiunea activ, respectiv
pentru regiunea reelei de difracie
N L
A
2 2 = +
( ) N L L L L
eff A eff A
2 2 2 2 = + = +
( )
G g eff A g A
B
n L n L
, ,
2
2 +
=


Consideraii finale
Pentru exempul simplu de diod laser DBR considerat, condiia de rezonan a putut fi
dedus direct
Pentru structuri mai complicate, mult mai eficient este folosirea metodei matricelor de
transfer (MMT), definind cte o matrice de transfer pentru:
oglinda clivat
regiunea activ
interfaa dintre regiunea activ i regiunea reelei de difracie (n cazul n care aceasta nu este
perfect)
regiunea reelei de difracie
Cu ct structura este mai complicat, cu att beneficiul utilizrii MMT este mai mare
Dac pentru o diod laser DBR regiunea activ (care ofer ctig optic) i structura
periodic (care ofer selectivitate modal) sunt separate longitudinal, ntr-o diod laser cu
reacie distribuit (DFB Distributed FeedBack) structura periodic i regiunea activ
sunt realizat n aceeai regiune spaial (vezi figura urmtoare)
De aceea, diodele laser DFB sunt mai uor de realizat tehnologic n comparaie cu cele
DBR, datorit uniformitii pe direcia longitudinal
n schimb, analiza funcionrii unei diode laser DFB nu este la fel de simpl ca cea a unei
diode laser DBR (care dup cum am vzut poate fi echivalat cu o diod laser FP) datorit
faptului c condiiile de ctig i de faz nu mai pot fi separate analiza funcionrii
diodelor laser DFB se poate face exclusiv folosind metoda matricelor de transfer
Cap. 3 Diode laser DFB
n figura de mai jos este prezentat schematic structura unei diode laser DFB
Observaie: n structura considerat, indicele de refacie al stratului de InGaAsP adiacent
regiunii active este mai mare dect al stratului de InP, dar mai mic dect cel al regiunii
active
Dup cum se observ, structura periodic (care ofer reacia optic distribuit) este
realizat n vecintatea regiunii active, pe direcia transversal
i n cazul diodelor laser DFB se folosesc, n principiu, depuneri antifelectante (AR) la
capetele structurii
Condiia de rezonan
S considerm o diod laser DFB cu depuneri AR la ambele capete ale structurii
Matricea de transfer pentru structura considerat este cea corespunztoare unei structuri
periodice care prezint ctig optic putem folosi matricea definit la pag. 87 dac
nlocuim cu + jg
0
, unde g
0
reprezint coeficientul de ctig n amplitudine
(corespunztor, 2g
0
va fi coeficientul de ctig n intensitate)
Conform MMT, condiia de rezonan corespunde cu relaia:
ceea ce nseamn:
sau, echivalent:
unde este definit prin relaia:
( ) ( ) 0
22
= L F
per
( )
( )
( ) 0 sinh cosh
0
=
+
+ L
jg j
L
( )
2
0
2 2
jg + =
( ) ( ) L jg L j L L
0
coth + =
Relaia precedent reprezint o ecuaie complex trancedental, ale crei soluii (L, g
0
L)
definesc modurile longitudinale posibile n structur astfel:
L definete lungimea de und asociat modului respectiv
g
0
L definete valoarea ctigului la prag pentru modul respectiv
Dup cum se vede, spre deosebire de cazul diodelor laser FP sau DBR, condiia de ctig
i condiia de faz nu pot fi separate
Semnificaia mrimii g
0
este urmtoarea:
Coeficientul de ctig n intensitate 2g
0
asociat modului fundamental (cu g
0
minim) reprezint
valoarea de prag a ctigului net g
net
= g
a

i
; cu alte cuvinte, mrimea 2g
0
corespunde cu
coeficientul de pierderi ale oglinzilor
m
n general, condiia de rezonan dedus anterior se rezolv numeric. Totui, pentru valori
mari ale produsului L, exist o soluie analitic asimptotic pentru modul cu L minim:
2
0
|
\
|

L
L g L L

n figura de mai jos sunt reprezentate grafic n planul (L, g
0
L), pentru diferite valori ale
produsului L, soluiile ecuaiei transcedentale care determin modurile longitudinale
ntr-o diod laser DFB cu depuneri AR la ambele capete ale structurii
Se observ c:
distribuia soluiilor este simetric n raport
cu axa vertical exist cte dou moduri
cu aceeai valoare a ctigului de prag
bimodalitate
exist o zon n vecintatea lungimii de und
Bragg n care nu exist soluii ale condiiei de
rezonan; aceast regiune se numete band
interzis (stop-band) termen mprumutat din
fizica strii solide
pentru L mare, g
0
L are valori mici, n timp
ce pentru L mic g
0
L are valori mari
Banda interzis (stop-band)
Datorit existenei benzii interzise n jurul
B
, n diodele laser DFB cu depuneri AR la
ambele capete ale structurii nu exist propagare la lungimea de und Bragg (L = 0)
Pentru a nelege mai bine acest fenomen, trebuie s privim structura din centrul ei (vezi
figura de mai jos)
Pentru L = 0, rezult ; n consecin, este o cantitate real i pozitiv
Folosind relaia de la pag. 88, rezult cu reflectivitatea structurii r
DFB
privind dinspre
centru spre dreapta conine un factor de faz de /2; de asemenea, reflectivitatea structurii
privind dinspre centru spre stnga conine i ea un factor de faz de /2 factorul de faz
acumulat ntr-un drum dus-ntors n cavitate este
2
0
2 2
g + =
Banda interzis (stop-band) (continuare)
ntruct condiia de faz presupune ca faza acumulat ntr-un drum dus-ntors n cavitate s
fie un multiplu de 2, rezult c ntr-o structur DFB cu depuneri AR la ambele capete ale
structurii nu poate fi ndeplinit condiia de faz la lungimea de und Bragg
Din figura de la pag. 105 se poate observa c banda interzis este mai mare pe msur ce
L crete; pentru L >> 1, lrgimea benzii interzise tinde asimptotic ctre valoarea 2L
Un exemplu de calcul numeric al dependenei
benzii interzise n funcie de L este prezentat
n figura alturat
Dup cum s-a vzut anterior, diodele laser DFB pure (adic cu depuneri AR la ambele
capete ale structurii) nu pot avea emisie monomodal, datorit degenerescenei modurilor
longitudinale (unui mod caracterizat de dezacordul normalizat L i ctigul la prag
normalizat g
0
L i corespunde un mod pereche caracterizat de mrimile -L i g
0
L )
Exist n principiu dou metode pentru a nltura aceast degenerescen:
asimetrizarea coeficienilor de reflexie la capetele structurii, cu urmtoarele posibiliti:
o oglind clivat, cealalt cu depunere AR
ambele oglinzi clivate
o oglind cu depunere AR, cealalt oglind cu depunere HR (high reflectivity)
folosirea de structuri de diode laser DFB cu faz deplasat (Phase-Shifted DFB lasers), respectiv
cu cuplaj n ctig (Gain-Coupled DFB lasers) care pot emite la lungimea de und Bragg
Diode laser DFB cu oglinzi clivate
Metoda cea mai simpl de a obine emisie monomodal pentru diodele laser DFB este ca
unul sau ambele capete ale structurii s nu fie acoperite cu depunere AR, introducndu-se
astfel o reflectivitate localizat, n contrast cu reflectivitatea distribuit a structurii
periodice
n continuare se va analiza cazul n care doar unul dintre capetele structurii este acoperit cu
o depunere AR; structura considerat este prezentat n figura de mai jos
Prin introducerea oglinzii clivate, distribuia modurilor longitudinale n planul (L, g
0
L)
se modific ca urmare a efectului combinat (= interferen)
al reflexiilor distribuite datorate structurii periodice i
al reflexiei localizate datorate oglinzii clivate
Acest efect depinde de poziia relativ a oglinzii clivate n
raport cu reeaua de difracie (poziie descris de defazajul
= L vezi figura alturat), parametru ce nu poate fi
controlat tehnologic i, deci, reprezint o variabil aleatoare
Diode laser DFB cu oglinzi clivate (continuare)
Analiza structurii prezentate n figura precedent poate fi fcut pornind de la matricea de
transfer echivalent a structurii este:
unde cele trei matrici, de la stnga la dreapta, in cont, respectiv, de:
reflectivitatea localizat r
2
la captul z = L al structurii,
defazajul corespunztor poziiei relative L a captului structurii n raport cu reeaua de
difracie
structura periodic de lungime L i coeficient de cuplaj
Dup cum am nvat, condiia de rezonan rezult din egalarea cu zero a elementului
(2,2) al matricei de transfer, rezultatul fiind n acest caz:
unde s-a neglijat dependena lui de
( ) ( ) ( ) L r
per prop dis CL AR
F F F F =
2
( ) ( ) ( ) [ ] ( ) 0 sinh 2 exp cosh
2 0
= + + + L j r j jg j L
Dup cum era de ateptat, se observ c pentru r
2
= 0, ecuaia precedent se reduce la
forma obinut n cazul structurii DFB cu depuneri AR
Soluiile ecuaiei precedente pentru cazul L = 3 i r
2
= 0.57 sunt reprezentate grafic n
figura de mai jos pentru diferite valori ale defazajului
n baza rezultatelor din figura precedent i a altor rezultate similare obinute pentru
diferite valori ale parametrului L se pot trasa urmtoarele concluzii:
(1) n prezena unor reflectiviti localizate la capetele structurii, banda interzis (stop-band) a
structurii nu mai este att de evident ca n cazul diodelor laser DFB pure
(2) modul fundamental (adic cel pentru care g
0
L este minim) nu este ntotdeauna cel mai aproape
de lungimea de und Bragg (adic L minim)
(3) selectivitatea modal depinde puternic de defazajul ;
ca exemplu, n figura alturat este prezentat dependena
de a diferenei g
0
L dintre valorile ctigului la prag
normalizat g
0
L pentru cele dou moduri cu pierderi minime
Datorit faptului ca defazajul nu poate fi controlat n procesul tehnologic de fabricare a
acestor diode laser, rezult c doar un anumit procentaj din structurile obinute de pe una
i aceeai plachet vor avea performane acceptabile
Criteriul de performan folosit n practic este diferena g
0
L (legat direct de parametrul
SMSR) care determin gradul de monomodalitate a structurii
Mrimea definit ca probabilitatea ca g
0
L s fie mai mare dect o valoare de prag poart
denumirea de randament de fabricaie (single-mode yield) i este o mrime important n
cazul diodelor laser DFB cu oglinzi clivate
Randamentul de fabricaie depinde de parametrii structurali ai diodei laser (cei mai
importani fiind produsul L i reflectivitile oglinzilor clivate), putndu-se maximiza prin
alegerea judicioas a acestora
n cazul diodelor laser DFB la care ambele capete sunt clivate (fr depuneri AR), analiza
este i mai complicat
Matricea de transfer a unei astfel de structuri devine:
n acest caz avem dou defazaje,
1
i
2
, ambele fiind variabile aleatoare, iar diferena
g
0
L va depinde de ambele defazaje
Se pot distinge urmtoarele cazuri n funcionarea acestor structuri:
Dac L < 1 efectul reflectivitii oglinzilor clivate este preponderent, selectivitatea modal este
foarte sczut, structura comportndu-se ca o diod laser Fabry-Perot. De semenea, randamentul
de fabricaie este foarte sczut
Dac L >> 1, efectul reflectivitii distribuite a structurii periodice este predominant, conducnd
la apariia degenerescenei modurilor i, implicit, la scderea randamentului de fabricaie
Pentru valori intermediare ale parametrului L (L = 35), randamentului de fabricaie atinge
valoarea maxim care depinde de valoarea de prag considerat pentru diferena g
0
L
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1 1 2 2
r L r
dis prop per prop dis CL CL
F F F F F F =

Exist de asemenea structuri avnd un capt acoperit cu depunere AR, iar cellalt capt
acoperit cu depunere HR (high reflectivity)
Pentru cazul n care r
1
0 i r
2
= 0,95, randamentul de fabricaie atinge un maxim pentru
valori ntre 0.5 i 2 ale parametrului L i scade semnificativ la valori mai mari ale
acestuia
Pentru aceste structuri, reflectivitatea la captul cu depunere AR trebuie s fie foarte mic
(sub 1%), altminteri selectivitatea modal este puternic afectat
n afar de defazajele
1
i
2
, randamentul de fabricaie al diodelor laser DFB cu oglinzi
clivate este puternic afectat de fenomenul funoscut sub denumirea de spatial hole burning
(SHB) care apare la nivele mari ale puterii optice n structur (= mult deasupra pragului)
Fenomenul SHB se datoreaz neuniformitii distribuiei de cmp pe direcia longitudinal
a structurii, lucru care conduce (pentru nivele mari de putere optic) la o variaie longitu-
dinal a densitii de purttori la prag, deoarece fenomenul de emisie stimulat (= recom-
binare stimulat) este mai intens acolo unde nivelul de putere optic este mai mare
n continuare, variaia longitudinal a densitii de purttori la prag conduce la instabili-
tatea modului fundamental i la apariia salturilor de moduri sau a efectelor multimodale
n general, diodele laser DFB sunt caracterizate de o distribuie puternic neuniform a
distribuiei de cmp n cavitate (mai ales pentru L mare) astfel c fenomenul SHB trebuie
luat n calcul. n acest context, randamentul de fabricaie al diodelor laser DFB se definete
mai corect drept probabilitatea ca g
0
L s fie mai mare dect o valoare de prag, iar
gradul de neuniformitate a distribuiei de cmp s fie mai mic dect o valoare limit
Diode laser DFB cu faz deplasat i diode laser DFB cu cuplaj n ctig
Principalul dezavantaj al diodele laser DFB cu oglinzi clivate este faptul c emisia
monomodal depinde de poziia relativ a capetelor structurii n raport cu reeaua de
difracie, mrime care nu poate fi controlat tehnologic
Exist dou variante de structuri DFB monomodale care pot emite la lungimea de und
Bragg:
diode laser DFB cu faz deplasat (Phase-Shifted DFB lasers)
diode laser DFB cu cuplaj n ctig (Gain-Coupled DFB lasers)
Diode laser DFB cu faz deplasat
Spre deosebire de structurile DFB clasice, diodele laser DFB cu faz deplasat prezint n
centrul structurii periodice distribuite un salt de faz de radiani, ceea ce pentru o reea de
difracie de ordinul unul este echivalent cu L =
B
/(4n
eff
) = /2 (vezi figura de mai jos)
Ca urmare a acestui artificiu, structura poate funciona la lungimea de und Bragg
Demonstraia afirmaiei precedente este imediat dac analizm faza acumulat pe o
traiectorie dus-ntors n cavitate la lungimea de und
B
: innd cont de faptul c
coeficientul de reflexie la cele dou interfee reprezentate prin linie punctat n figura de
mai sus conin cte un factor de faz de /2, iar propagarea pe distana 2L corespunde cu
o faz acumulat de , se obine un total de 2 este ndeplinit condiia de faz la
B
Diode laser DFB cu faz deplasat (continuare)
Pentru dioda laser DFB cu faz deplasat, condiia de rezonan se obine pornind tot de la
matricea de transfer a structurii:
unde reprezint saltul de faz din centrul structurii
Prin egalarea cu zero a elementului (2,2) al matricei de transfer rezult condiia de
rezonan:
ale crei soluii sunt prezentate n figura alturat
pentru diferite valori ale parametrului L
Se observ c, spre deosebire de structurile DFB
pure, n acest caz exist un mod la lungimea
de und Bragg, mod care va domina n raport cu
celelalte moduri
( ) ( ) ( ) 2 / 2 / L L
per

per prop AR AR
F F F F =

2 /
'
= = L
( )
= + +
|
\
|
0
2
coth jg j
L
Diode laser DFB cu faz deplasat (continuare)
Diodele laser DFB cu faz deplasat au o distribuie de cmp puternic neuniform n
cavitate, prezentnd un maxim pronunat n centrul cavitii fenomenul SHB este
semnificativ
Creterea gradului de uniformitate a distribuiei de cmp i, deci, reducerea impactului
fenomenului SHB asupra funcionrii dispozitivului, se poate obine prin urmtoarele
metode:
Folosirea unei structuri periodice cu L mic (1.25)
Folosirea de salturi de faz multiple
Introducerea unei corecii de faz distribuite prin folosirea n centrul structurii a unui pas spaial al
reelei de difracie uor diferit fa de restul structurii
Diode laser DFB cu cuplaj n ctig
n cazul diodelor laser DFB cu cuplaj n ctig, reeaua de difracie are indicele de refracie
constant, iar ceea ce variaz periodic este ctigul optic coeficientul de cuplaj este o
mrime imaginar
n cazul acestor structuri, emisia poate avea loc la lungimea de und Bragg deoarece
datorit faptului c este imaginar, reflectivitatea structurii periodice la lungimea de und
Bragg ( =0) este real (vezi relaia de la pagina 87)
n general, aceste structuri au un randament de fabricaie foarte mare, chiar i n cazul
structurilor mixte (= reea de difracie cu variaie att a indicelui de refracie, ct i a
ctigului optic) sau n cazul n care una sau ambele capete ale structurii sunt reflectante
Cap. 3 Considerente tehnologice
Fabricarea diodelor laser monomodale necesit proceduri tehnologice complicate, n
special pentru structurile DBR
Creterea diferitelor straturi componente ale structurilor se face folosind metodele de
cretere epitaxial MOVPE (Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy) i MBE (Molecular
Beam Epitaxy) care ofer un control foarte bun al grosimii straturilor crescute
Reelele de difracie longitudinale se obin prin mascare i corodare, masca obinndu-se
pe un fotorezist prin metoda interferenial (vezi figura de mai jos). Perioda spaial a
structurii periodice este determinat de relaia
unde este unghiul format de cele dou fascicule laser,
iar este lungimea de und a radiaiei laser folosite.
De exemplu, pentru o diod laser care funcioneaz la 1550 nm,
perioada spaial a unei reele de difracie de ordinul I este de 235 nm.
Prin urmare, trebuie s fie mai mic de 470 nm
O metod alternativ de realizare a reelelor de difracie
presupune obinerea mtii pe fotorezist folosind scriere
cu fascicul de electroni mai bun pentru structuri mai
complicate, precum structuri DFB cu faz deplasat
( ) = sin 2 / '
Etapele tehologice n realizarea structurilor DBR de tip bundle integrated guide (BIG) i
butt joined (BJ):
Bundle integrated guide (BIG) DBR laser structure Butt joint (BJ) DBR laser structure
Senzitivitatea lungimii de und Bragg
Lungimea de und Bragg a diodelor laser monomodale este dictat de valoarea indicelui de
refracie efectiv n
eff
; de aceea, orice variaie tehnologic a parametrilor care afecteaz
indicele de refracie efectiv va afecta i lungimea de und Bragg
Cei mai critici parametri tehnologici i senzitivitile corespunztoare ale lungimii de und
Bragg sunt prezentate mai jos pentru un caz tipic de structur DFB:
Grosimea stratului activ, d
a
:
Indicele de refracie n regiunea activ, n
a
:
Lrgimea regiunii active, w:
Perioada reelei de difracie, :
a
a
d
d
02 . 0
,
a
g eff
n
n

w
w
01 . 0

eff g
eff
n
n
,
2
'
2

Dezacordul n lungime de und,
Spre deosebire de diodele laser Fabry-Perot care emit ntotdeauna pe o lungime de und
0,FP
apropiat de cea corespunztoare ctigului optic maxim (
0,FP

p
), deoarece
selectivitatea n lungime de und nu exist sau este foarte slab, la diodele laser DBR i
DFB modul fundamental va avea o lungime de und apropiat de lungimea de und Bragg
(
0,DBR DFB

B
) unde selectivitatea este maxim, dar care nu corespunde neaprat cu
p
(
0,DBR DFB

p
)
Acest efect poate fi folosit n mod deliberat pentru a ndeprta lungimea de und de emisie
a diodei laser de maximul ctigului optic; dac dezacordul =
B
p
este limitat la circa
1020 nm, efectul acestuia asupra curentului de prag al diodei laser este minim
Situaia n care < 0 prezint un interes particular n practic, deoarece n acest caz
ctigul diferenial este mai mare (a se revedea pag. 28) lucru care conduce la un
comportament dinamic mai bun al acestor diode laser
Efecte termice
Datorit faptului c doar o parte din energia electric furnizat diodei laser este
transformat n energie optic, restul disipndu-se n structur, temperatura n zona
regiunii active a diodei laser este mai mare cu cteva C fa de temperatura ambiant
acest lucru conduce la modificarea parametrilor funcionali ai structurii, n special
lungimea de und
innd cont c cderea de tensiune pe dioda laser poate fi scris ca suma dintre cderea de
tensiune pe rezistena ohmic R a structurii i tensiunea jonciunii:
puterea de alimentare a dispozitivului este P
a
= IU, unde I este curentul de comand al
diodei laser
q
h
IR U

+ =
Efecte termice (continuare)
Bugetul de putere n dioda laser poate fi scris astfel:
unde
d
este eficiena cuantic diferenial (=P
opt
/I) la un capt al structurii, iar cei
patru termeni din membrul drept reprezint, n ordine:
puterea disipat prin efect Joule pe rezistena ohmic R a structurii
puterea disipat ca urmare a procesului de recombinare n regiunea jonciunii
puterea disipat ca urmare a pierderilor optice n cavitate
puterea optic emis (la ambele capete ale structurii)
Exemplu numeric:
I = 30 mA, R = 4 , h = 0.8 eV (@ 1550 nm) P
a
= 27.6 mW, pierderile prin efect Joule fiind de 3.6 mW
Presupunnd c I
th
= 10 mA i
d
= 0.25, rezult c pierderile prin recombinare sunt de 8 mW, pierderile optice
sunt de 8 mW, iar puterea optic util emis la fiecare capt al structurii este de 4 mW
mai mult de 70 % din puterea de alimentare se disip n structur.
Dac considerm o rezisten termic a structurii de 100 K/W, aceste pierderi conduc la o cretere a temperaturii
structurii cu aproximativ 2C fa de temperatura ambiant
( )( ) ( )
q
h
I I
q
h
I I
q
h
I R I P
d th d th th a
2 2 1
2
+ + + =
Variaia cu temperatura a lungimii de und de emisie la diodele laser se datoreaz
urmtoarelor cauze:
modificarea valorii benzii interzise a materialului semiconductor cu temperatura
variaia indicelui de refracie efectiv cu temperatura
modificarea lungimii cavitii ca urmare a dilatrii termice (efect care n general poate fi neglijat
n raport cu primele dou)
Modificarea valorii benzii interzise a materialului semiconductor cu temperatura conduce
la deplasarea maximului curbei de ctig ctre lungimi de und mai mari
Coeficientul de temperatur al lungimii de und n acest caz are valori tipice de aprox. 0.5 nm/K
(corespunztor unui coeficient de temperatur al benzii interzise de 2.5 10
-4
eV/K)
Variaia indicelui de refracie efectiv cu temperatura are ca efect deplasarea poziiei
modurilor longitudinale ctre lungimi de und mai mari
Coeficientul de temperatur al lungimii de und n acest caz are valori tipice de aprox. 0.1 nm/K
(corespunztor unui coeficient de temperatur al indicelui de refracie efectiv de 2.510
-4
K
-1
)
aceste efecte, corelate, conduc la salturi de mod i efecte multimodale
Figura de mai jos exemplific efectele variaiei temperaturii asupra curbei de ctig i de
pierderi n cazul unei diode laser DFB la dou valori ale temperaturii, T
1
i T
2
>T
1
Cap. 4 Concepte de baz legate
de diodele laser acordabile
Tipuri de acordabilitate: continu, discontinu i cuasi-continu
Metode de variaie a lungimii de und: prin deplasarea caracteristicii spectrale a
ctigului optic al cavitii, prin deplasarea caracteristicii de selectivitate a cavitii
rezonante sau prin folosirea ambelor metode
Metode de control electronic al lungimii de und
Variante de integrare a diodelor laser acordabile: cu structur longitudinal i cu
structur transversal
Cap. 4 Tipuri de acordabilitate
n figura alturat sunt prezentate:
(a) schema echivalent simplificat a unui
oscilator laser
(b) dependena de a ctigului normalizat
al cavitii, g
c
()L i a fazei acumulate n
cavitate, (), restricionat la intervalul 02
Spre deosebire de oscilatoarele electronice, dispozitivele laser tind s lucreze pe mai multe
lungimi de und (= frecvene) acest lucru se datoreaz faptului c lungimea cavitii
optice este mult mai mare dect lungimea de und, ceea ce conduce la un ecart modal
relativ mic (
m
< 1 nm)
Lungimea de und efectiv pe care va lucra oscilatorul laser este definit de condiia de
faz, care se scrie () mod 2 = 0, corelat cu condiia de ctig, g
c
() 0
Din figura anterioar rezult c variaia lungimii de und a oscilatorului laser se poate
face, n principiu prin trei metode:
prin modificarea caracteristicii ctigului optic, g
c
(), al cavitii (mai exact, deplasarea
maximului acesteia care se gsete la
p
)
prin modificarea caracteristicii de faz, (), a cavitii
prin modificarea simultan a celor dou caracteristici de mai sus
Fiecare dintre aceste trei metode va fi analizat separat n continuare, dup o trecere n
revist a diferitetor tipuri de acordabilitate a DLA-urilor
n funcie de modalitatea de variaie a lungimii de de und i de structura dispozitivului
folosit, exist trei tipuri de acordabilitate a diodelor laser:
acordabilitate continu
acordabilitate discontinu
acordabilitate cuasi-continu
Dependena lungimii de und de mrimea de control (n general, un curent sau o tensiune)
este prezentat schematic n figura de mai jos pentru fiecare din cele trei tipuri de
acordabilitate
Acordabilitatea continu
Este varianta ideal de acordabilitate
Lungimea de und este variat n mod continuu (cu rezoluie limitat de lrgimea spectral
a diodei laser), fr a avea loc salturi de mod i fr ca ceilali parametri ai dispozitivului
s se modifice semnificativ
Raportul de supresie modal SMSR are valori relativ mari n ntreg intervalul de
acordabilitate emisie predominant monomodal
Presupune modificarea att a caracteristicii de ctig al cavitii, ct i a celei de faz
folosirea mai multor mrimi de control al lungimii de und
Datorit cerinelor stringente (SMSR mare, numr de mrimi de control minim), intervalul
de acordabilitate n lungime de und este relativ mic (tipic, 15 nm @1550 nm)
Acordabilitatea discontinu
Lungimea de und este variat n mod discontinuu, cu salturi de mod periodice
Raportul de supresie modal SMSR are valori acceptabile doar pe poriuni ale
caracteristicii de acordabilitate (nu n vecintatea tranziiilor ntre moduri)
Presupune n principiu doar modificarea caracteristicii de ctig al cavitii
necesit n principiu o singur mrime de control al lungimii de und
Intervalul de acordabilitate n lungime de und este mare (tipic, 100 nm @1550 nm), dar
n acest interval nu pot fi accesate toate valorile de lungime de und
Acordabilitatea cuasi-continu
Este o combinaie ntre acordabilitatea continu i cea discontinu
Lungimea de und este variat n mod cuasi-continuu, cu salturi de mod periodice
Raportul de supresie modal SMSR are valori acceptabile doar pe poriuni ale
caracteristicii de acordabilitate (nu n vecintatea tranziiilor ntre moduri)
Ca i n cazul acordabilitii continue, presupune modificarea att a caracteristicii de ctig
al cavitii, ct i a celei de faz, dar aceasta din urm doar pe un interval de aprox.
m
folosirea mai multor mrimi de control al lungimii de und
Intervalul de acordabilitate, care este relativ mare, este obinut prin alipirea mai multor
intervale mai mici, corespunztoare unui mod longitudinal, n care acordul lungimii de
und se face n mod continuu
Cap. 4 Metode de variaie a
lungimii de und
Variaia lungimii de und prin modificarea caracteristicii ctigului cavitii
O prim modalitate de variaie a lungimii de und este prin deplasarea spectral a
caracteristicii ctigului cavitii, g
c
() = g
a
()
i

m
();
Acest lucru poate fi obinut fie prin modificarea dependenei de a ctigului de material,
g
a
(), fie prin ajustarea caracteristicii de selectivitate a cavitii,
m
(). n ambele cazuri
putem scrie:
unde:

p
0
este valoarea lungimii de und corespunztoare
maximului ctigului cavitii la momentul iniial;
n exemplul alturat,
p
0
=
N
(modul de ordin N)

p
reprezint deplasarea n lungime de und
a caracteristicii de ctig al cavitii

tune,p
este intervalul de acordabilitate
Metoda este ilustrat n figura alturat
p tune p p p p ,
0
, < + =
lungimii de und
Variaia lungimii de und prin modificarea caracteristicii ctigului cavitii (cont.)
Caracteristica de acordabilitate n lungime de und obiunt prin aceast metod, precum
i poziia modurilor longitudinale n raport cu curba ctigului cavitii sunt prezentate n
figura de mai jos
Analitic, lungimea de und poate fi exprimat astfel:
Dup cum se poate observa, acordabilitatea
este discontinu (doar un set de valori discrete
de lungimi de und, separate cu
m,
pot fi
obinute), dei
p
este modificat n mod
continuu
Numrul total de lungimi de und accesabile
este:
m
m
p
m
p N

\
|

+ |
\
|

+ + = mod
2 2
1
,
+ =
m p tune w
N
lungimii de und
Variaia lungimii de und prin modificarea caracteristicii ctigului cavitii (cont.)
n baza relaiei de la pag. 75, valoarea raportului de supresie modal (SMSR) variaz
semnificativ n timpul variaiei lungimii de und (
p
variabil), datorit faptului c
dezacordul variaz ntre 0 i
m
/2, conform relaiei:
Variaia parametrului SMSR n funcie de
p
este ilustrat n figura de mai jos
Performanele metodei din punct de vedere al monomodalitii sunt modeste
m p
= mod
lungimii de und
Variaia lungimii de und prin modificarea caracteristicii de faz a cavitii
Dac
p
este meninut fix, dar se modific caracteristica de faz a cavitii, efectul const
n modificarea lungimilor de und
i
asociate modurilor longitudinale (i = ordinul
modului) conform relaiei:
unde:

i
0
este valoarea lungimii de und corespunztoare
modului i la momentul iniial; n exemplul alturat,
i
0
=
N
0
(modul de ordin N)

i
reprezint deplasarea n lungime de und
a modului i

tune,c
este intervalul de acordabilitate
Metoda este ilustrat n figura alturat
Se poate obine prin ajustarea lungimii optice a cavitii (n
eff
L), ceea ce n practic
nseamn modificarea lui n
eff
se obine o deplasare a modului i :
c tune i i i i ,
0
, < + =
eff g eff i i
n n
,
'
=
Variaia lungimii de und prin modificarea caracteristicii de faz a cavitii (cont.)
Caracteristica de acordabilitate n lungime de und obiunt prin aceast metod, precum
i poziia modurilor longitudinale n raport cu curba ctigului cavitii sunt prezentate n
figura alturat
ntruct N >> 1, putem considera c:
astfel c lungimea de und poate fi exprimat astfel:
Dup cum se poate observa, acordabilitatea este
continu pe poriuni, intervalul de acordabilitate
fiind limitat la
tune,c
=
m
Din punct de vedere al parametrului SMSR,
performanele sunt similare cu metoda precedent
lungimii de und
2
mod
2
0 m
m
m
c N
\
|

+ + =
eff g eff N c i
n n const
,
' 0
. = =
lungimii de und
Variaia lungimii de und prin modificarea simultan a caracteristicii de faz i a
celei de ctig ale cavitii
n cazul n care att
p
ct i poziia modurilor longitudinale sunt variate, performanele
legate de acordabilitate sunt net mbuntite
Aceast metod presupune stabilirea unei relaii ntre variaiile
c
i
p
ale celor dou
caracteristici menionate
De exemplu, dac
c
=
p
= se obine acordabilitate continu, dup cum este
indicat n figura de mai jos
Intervalul de acordabilitate n acest caz
va fi
tune
= min(
tune,c
,
tune,p
), dar
n general este limitat de
tune,c
Din punct de vedere al SMSR,
performanele sunt foarte bune, mai ales
dac se alege
p
0
=
N
0
lungimii de und
celei de ctig ale cavitii (continuare)
Dac
tune,p
>
tune,c
i
tune,c

m
gama de acordabilitate se poate extinde la
tune,p
folosind o variaie cuasi-continu (continu pe poriuni) a lungimii de und
n figura de mai jos este ilustrat acest caz:
(a) pentru
tune,c
=
m
(b) pentru
tune,c
>
m
lungimii de und
n primul caz din figura precedent,
p
este variat continuu, n timp ce variaia lui
c

(limitat la intervalul 0
m
) este de forma unui semnal ramp periodic
Dezavantajul acestei metode este c la tranziia ntre dou segmente succesive ale
caracteristicii de acordabilitate, modul fundamental n cavitate se schimb de la N la N-1
lungimea de und i, de asemenea, faza fasciculului de fotoni sunt nedefinite n
vecintatea acestor puncte
Performanele legate de SMSR sunt net inferioare fa de acordabilitatea continu datorit
salturilor de mod periodice
lungimii de und
O anumit mbuntire a performanelor din cazul precedent se poate obine dac
intervalul de variaie a lui
c
este extins peste
m
segmentele adiacente de pe
caracteristic se suprapun parial
n acest caz, lungimile de und la care survin salturile de mod pot fi controlate n
oarecare msur, permindu-se astfel folosirea acordabilitii cuasi-continue n aplicaii
de tip PLL sau FLL
Dezavantajul acestei metode const n complexitatea legat de controlul lungimii de und
n timpul operaiei de acord i n special n vecintatea salturilor de mod
Cap. 4 Metode de control
electronic al lungimii de und
n continuare vom trece n revist fenomenele fizice cu ajutorul crora se poate varia
lungimea de und de emisie a diodelor laser
Indiferent dac acordul lungimii de und se face prin modificarea caracteristicii ctigului
cavitii g
c
() sau a celei de faz a cavitii (), mrimea fizic care este implicat n
aceast operaie este indicele de refracie efectiv n
eff.
De exemplu, caracteristica de faz () a cavitii poate fi modificat cu ajutorul unei
seciuni longitudinale a structurii, de lungime L, n care valoarea lui n
eff
s fie controlabil
prin intermediul unei mrimi de control (I
t
sau U
t
). O astfel de seciune (indicat n figura
de mai jos) se numete seciune de control al fazei (phase-control section)
Pe de alt parte, caracteristica de ctig al cavitii g
c
() poate fi modificat prin ajustarea
pierderilor
m
() n cavitate, lucru care, pentru diodele laser de tip DFB i DBR, se face
prin folosirea unei reele de difracie n care n
eff
este controlabil prin intermediul unei
mrimi de control (I
t
sau U
t
). O astfel de seciune (indicat n figura de mai jos) se
numete seciune cu reflector Bragg acordabil (tunable Bragg reflector section)
n cazul diodelor laser acordabile controlul valorii indicelui de refracie efectiv se face
folosind unul dintre urmtoarele fenomene fizice:
prin injecie de purttori liberi n semiconductor (FCPE - Free-Carrier Plasma Effect)
prin efect Stark confinat cuantic (QCSE Quantum Confined Stark Effect)
prin variaia controlat a temperaturii
n timp ce efectul Stark prezint avantajul unui consum de putere practic nul necesar
controlului indicelui de refracie efectiv, celelalte dou mecanisme necesit o cantitate
nsemnat de putere electric pentru acordul lungimii de und, lucru care duce la
nclzirea structurii i implicit la degradarea semnificativ a parametrilor funcionali ai
dispozitivului
Pe de alt parte, cea mai puternic variaie a indicelui de refracie efectiv obinut pn n
prezent (i, implicit, cel mai ntins interval de acordabilitate a lungimii de und) a fost
pus n eviden folosind injecia de purttori liberi n semiconductor
Injecia de purttori liberi n semiconductor (FCPE)
Acest mecanism de variaie a lui n
eff
este cel mai des folosit n practic
Variaia n a indicelui de refracie indus de acest efect se datoreaz n principal
polarizrii purttorilor injectai (n), dar i modificrii dependenei spectrale a
pierderilor prin absorbie (n)
Relaiile care definesc din punct de vedere cantitativ acest mecanism sunt:
unde m
e
i m
h
sunt masele efective ale electronilor i golurilor injectati,
e
i
h
sunt
mobilitile electronilor i golurilor, n este indicele de refracie al materialului
semiconductor, iar N este densitatea de purttori injectai (materialul semiconductor fiind
considerat intrinsec, N = P)
N k N
m m n c
q
n k N N
m m n c
q
n
pl
k
h h e e
pl pl
h e
pl pl
=
|
|
\
|
+ = = =
|
|
\
|
+ =
4 4 4 4 4 3 4 4 4 4 4 2 1 4 4 4 4 3 4 4 4 4 2 1

2 2
0
3 2
2 3
0
0
2 2
2 2
1 1
8
' ' 2 ,
1 1
8
'
Injecia de purttori liberi n semiconductor (FCPE) (cont.)
Datorit variaiei simultane a prii reale i a celei imaginare a indicelui de refracie,
factorul de lrgire spectral asociat fenomenului FCPE este:
n baza definiiei lui
pl
i innd cont de faptul c mobilitile i masele efective ale
purttorilor sunt legate prin relaia
unde
r
este constanta de relaxare dielectric, expresia factorului de lrgire spectral
asociat fenomenului FCPE se reduce la:
unde este frecvena unghiular asociat fasciculului de fotoni
pl
pl H
n
k
n
n
N n
N n
'
2
' '
'
/ ' '
/ '
0 ,
=

=
r pl H
=
,
h e r h e
m q
, ,
/ =
Datorit efectului de absorbie n banda de valen (IVBA - Inter-Valence Band
Absorption), variaia pierderilor crete n urma injeciei de goluri cu cantitatea:
Ca atare expresia factorului de lrgire spectral anterior trebuie corectat astfel:
Valori tipice ale coeficienilor implicai n fenomenul FCPE sunt:

pl
-6.710
-21
cm
3
k
pl
7.8 10
-18
cm
2
k
IVBA
2410
-17
cm
2
valori care conduc la variaii ale indicelui de refracie n de aprox -0.04 i valori ale lui
H,pl
de aprox. -15
N k
IVBA IVBA
=
pl IVBA
r
pl H
k k +
=
1
,

Exemplu schematic de reflector Bragg acordabil
Variaia n
t
a indicelui de refracie n
regiunea de acord (tuning region) conduce
la variaia n
eff
a indicelui de refracie
efectiv i implicit la modificarea cu a
lungimii de und Bragg, conform relaiei:
unde
t
este factorul de confinare al regiunii de acord
Densitatea de purttori injectai N depinde de valoarea curentului de acord I
t
conform
relaiei:
unde V
t
este volumul regiunii de acord
N
n n
n
n
n
eff g
pl t B
eff g
t t
B
eff g
eff
B
, , ,

=

=
=
( )
3 2
/ CN BN N qV I
s t t
+ + =
Exemplu de rezultat experimental pentru un reflector Bragg acordabil
Parametrii structurii considerate:
ghid
= 1500 nm (material cu banda interzis mai mare dect cea a regiunii active, pentru a a evita absorbia fotonilor)
B
= 1300 nm
pl
= 1.3 10
20
cm
3
L = 400 m, d = 0.3 m, w = 2 m
t
= 0.3
s
, B = 10
-10
cm
3
/s, C = 3 10
-29
cm
6
/s
Datorit fenomenului de cuplaj ctig-faz, variaia lungimii de und are loc simultan cu o
modificare a coeficientului de pierderi modale:
care este corelat cu prin intermediul factorului de lrgire spectral
H,pl
, conform
relaiei:
Acest lucru duce la o modificare semnificativ
a caracteristicii reflectivitii reelei de difracie,
dup cum este ilustrat n figura alturat pentru
un caz tipic de reflector Bragg acordabil
H
trebuie s fie ct mai mare posibil
pl t pl eff
=
,
=
pl H B
eff g
pl H
eff
pl eff
n n
k
,
2
,
,
'
0 ,
4
2
Efectul Stark confinat cuantic (QCSE)
Este o alternativ a efectului electro-optic care este foarte slab n semiconductoarele de tip
AIII-BV uzuale
Efectul Stark confinat cuantic produce modificarea indicelui de refracie ntr-o jonciune
p-n cu gropi cuantice (QW), polarizat invers consumul de putere electric este
neglijabil
Din pcate, variaii semnificative (de ordinul a 10
-3
10
-2
) ale indicelui de refracie al
materialului semiconductor din regiunile gropilor cuantice se obin doar la lungimi de
und la care absorbia fotonilor este i ea important factorul de cuplaj ctig-faz are
valori relativ mici (
H
10)
n plus, factorul de confinare al structurilor de tip QW este mai mic dect al celor de
volum (folosite in cazul mecanismului FCPE) variaia indicelui de refracie efectiv este
slab
Controlul termic al lungimii de und
Controlul termic al lungimii de und este posibil datorit variaiei cu temperatura a benzii
interzise a materialului, pe de o parte, i a indicelui de refracie, pe de alt parte
lungimea de und crete cu temperatura
ntruct coeficienii de temperatur pentru cele dou mecanisme menionate anterior difer
semnificativ (0.5 nm/K, respectiv 0.1 nm/K), caracteristica de acordabilitate termic
pentru diodele laser FP este diferit de cea a diodelor laser DFB i DBR cu emisie
monomodal, dup cum este ilustrat n figura de mai jos
Pentru structurile DFB i DBR, o valoare tipic
a intervalului de acordabilitate termic este de
circa 6 nm (corespunztoare unor variaii ale
temperaturii ntre 2080 C), putnd ajunge
pn la 15 nm
Variaii mai mari de temperatur conduc la
degradarea performanelor structurii
Controlul termic al lungimii de und (continuare)
Datorit nclzirii structurilor care folosesc metoda injeciei de purttori (FCPE) pentru
acordul lungimii de und, ca urmare a puterii disipate, va aprea i o variaie parazit, de
semn contrar, a lungimii de und, datorat efectelor termice
Efectul menionat mai sus conduce la:
diminuarea, ntr-o oarecare msur, a intervalului de acordabilitate pentru dispozitivele care
folosesc tehnica FCPE
degradarea comportamentului n regim dinamic datorit diferenei semnificative ale constantelor de
timp aferente celor dou mecanisme de acord al lungimii de und
Comparaie ntre cele trei metode de control al lungimii de und
(Valori tipice)
sursa: [Amman, tabelul 4.1]
Cap. 4 Variante de integrare a
diodelor laser acordabile
Dup cum am vzut n paragraful anterior, controlul lungimii de und n dispozitivele
laser acordabile presupune folosirea a dou regiuni de control distincte:
una pentru controlul caracteristicii ctigului cavitii care, n cazul structurilor DFB i DBR poart
numele de seciune cu reflector Bragg acordabil
cealalt pentru controlul caracteristicii de faz a cavitii (=poziia spectral a modurilor
longitudinale n cavitate), care poart numele de seciune de control al fazei
Prin integrarea n dispozitivele laser clasice a seciunilor sus-menionate (separat sau
mpreun) se pot obine cele trei tipuri de acordabilitate n lungime de und:
acordabilitate continu
acordabilitate cuasi-continu
O diod laser acordabil este un circuit optoelectronic integrat care const din urmtoarele
componente:
o regiune activ,
un reflector selectiv n lngime de und i/sau
o regiune pentru controlul fazei cavitii
Regiunea activ are rolul de control al puterii optice emise, n timp ce celelalte dou
componente sunt folosite pentru controlul lungimii de und
n principiu, integrarea celor trei componente se poate face dup orice direcie
(longitudinal z, transversal x, respectiv lateral y), dar, n practic, se folosesc
numai primele dou variante, deoarece ultima este dificil de realizat tehnologic i nu ofer
nici un avantaj n raport cu celelalte
Structura cele dou tipuri de diode laser acordabile:
cu integrare pe direcie longitudinal
cu integrare pe direcie transversal
este ilustrat grafic n figura alturat
Dup cum se poate observa, varianta cu
integrare longitudinal este similar cu
structurile de tip DBR, n timp structura
cu integrare transversal este similar cu
structurile de tip DFB
n cazul structurilor integrate longitudinal, acordul continuu al lungimii de und se obine
printr-un control simultan adecvat al celor dou regiuni de acord indicate n figura
precedent, lucru care este foarte complicat n practic datorit relaiei neliniare dintre
curentul de control i densitatea de purttori injectai, pe de o parte, i a diferenei dintre
factorii de confinare ai celor dou regiuni de acord, pe de alt parte
Exist, de asemenea i structuri integrate longitudinal cu o singur regiune de acord (cea
cu reflector Bragg), dar caracteristica de acord a acestor structuri nu poate fi dect
discontinu
n contrast, structurile integrate transversal, care nu conin dect o singur regiune de
acord, beneficiaz n mod intrinsec de posibilitatea de acord continuu a lungimii de und,
deoarece controlul indicelui de refracie efectiv conduce la variaii proporionale ale
lungimii de und Bragg i a fazei cavitii
Cap. 5 Tipuri de DLA
DLA integrate longitudinal
DLA de tip DBR cu dou seciuni (2S-DBR)
DLA de tip DBR cu trei seciuni (3S-DBR)
DLA de tip DFB multi-seciune
DLA integrate transversal
DLA de tip DFB cu ghiduri gemene (TTG-DFB)
DLA de tip DFB cu nclzitor pelicular
DLA integrate longitudinal
Pentru a nelege mai bine modul n care se face acordul caracteristicii de faz a cavitii
(=poziia modurilor longitudinale) n cazul diodelor laser cu mai multe seciuni
longitudinale (diode laser multiseciune), vom analiza structura unui laser FP cu dou
seciuni cu injecie neuniform, ilustrat n figura de mai jos:
n aceast structur, presupunem c datorit injeciei de curent neuniforme (cureni de
control diferii pentru cele dou seciuni) se obine o neomogenitate longitudinal a
parametrilor cavitii (N, k, n, etc.)
DLA integrate longitudinal (continuare)
Dac neglijm reflexiile parazite la interfaa dintre cele dou seciuni, condiia de faz
(care determin poziia spectral a modurilor longitudinale) se scrie n acest caz:
unde
1
i
2
sunt constantele de propagare n cele dou seciuni, iar M este ordinul modal
Presupunnd c
m
nu depinde de , i innd cont c M este constant (considernd un
acord continuu al lungimii de und) rezult n urma diferenierii n raport cu :
Presupunnd variaii foarte mici ale lungimii de und, respectiv ale indicelui de refracie
(|
c
|<<
0
, |n
1
|<<n
1
, |n
2
|<<n
2
), variaia relativ a lungimii de und poate fi aproximat
foarte bine astfel:
( ) ( ) M j L L L L j
m
2 2
2 1 2 2 1 1
= + + +
0
2 2 1 1
= + L L
( ) ( )
2 0 2 1 0 1
2 2 1 1
0
' ' L n L n
L n L n
c

+
+
=

n final (vezi [Amann], pag. 105-107) se ajunge la relaia:
unde:
H,1
i
H,2
sunt factorii de lrgire spectral ai celor dou seciuni longitudinale (vezi p.26)
2
3d
=
2
long
2
trans
este factorul de confinare tridimendional pentru seciunea 2
este indicele de grup efectiv mediat longitudinal
iar i sunt factorii de confinare longitudinali ai celor dou
seciuni
|
|
\
|

2 ,
1 , 3
2
,
'
2
0
1
H
H d
eff g
c
n
n
long
eff g
long
eff g
eff g n n n
2 2 , , 1 1 , ,
, + =
2 1
1
1
L L
L
long
+
=
2 1
2
2
L L
L
long
+
=
Din relaia precedent rezult c spectrul modal al unei diode laser (a se nelege
caracteristica de faz) nu este acordabil dect dac structura longitudinal a laserului
este neomogen din punct de vedere al parametrului
H
(
H1
H2
)
Consecina direct a rezultatului precedent este faptul c o diod laser de tip FP
convenional (pentru care
H
nu variaz longitudinal) nu poate fi acordabil folosind
injecie neuniform
De asemenea, n baza aceluiai rezultat, putem deduce c pentru structurile de tip DBR cu
dou seciuni, spectrul modal nu este acordabil nu este posibil dect acordabilitate
discontinu
Pe de alt parte, pentru structurile de tip DBR cu trei seciuni, spectrul modal ESTE
acordabil, ntruct regiunea activ i cea de control al fazei au compoziii diferite i n
consecint, factori de lrgire spectral diferii
DLA de tip DBR cu dou seciuni (2S-DBR)
Acest tip de structur este format din dou seciuni: seciunea activ, respectiv reflectorul
Bragg
n funcie de tipul seciunii pentru controlul lungimii de und (reflectorul Bragg) exist
dou tipuri de 2S-DBR, prezentate n figura de mai jos:
(a) 2S-DBR cu reflector Bragg pasiv
(b) 2S-DBR cu reflector Bragg activ
DLA de tip DBR cu dou seciuni (2S-DBR) (continuare)
n ambele structuri prezentate, electrodul superior (regiunea de tip p) este separat n dou
pri (cte una pentru fiecare seciune longitudinal), n timp ce electrodul inferior i
substratul sunt comune celor dou seciuni
Curentul I
a
controleaz ctigul, respectiv puterea optic emis, n timp ce curentul I
B
controleaz lungimea de und Bragg care la rndul su dicteaz lungimea de und de
emisie
Varianta 2S-DBR cu reflector Bragg activ prezint urmtoarele avantaje: (i) proces de
fabricaie mai simplu (nu sunt necesare recreteri selective); (ii) absena reflexiilor
parazite la interfaa dintre cele dou seciuni. De altfel, prima structur de tip 2S-DBR
propus n 1977 a fost cu reflector Bragg activ
*
Structura de tip 2S-DBR permite doar acordul discontinuu al lungimii de und, prin
intermediul ajustrii lungimii de und Bragg
* Okuda and Onaka, Tunability of DBR laser by modulation refractive index in corrugated waveguide, Japanese
Journal of Applied Physics, vol. 16, 1977, pag. 1501-1502
Exemplu de caracteristic de acordabilitate pentru dioda laser 2S-DBR cu reflector Bragg
pasiv
*
* Koch et al,, High performance tunable 1.5 m InGaAs/InGaAsP MQW DBR lasers, Applied Physics Letters,
vol. 53, 1988, pag. 1036-1038
Parametrii structurii:
MQW
L
A
= 298 m
L
B
= 250 m
= 140 cm
-1
(L = 3.5)
Exemplu de caracteristic de acordabilitate pentru dioda laser 2S-DBR cu reflector Bragg
activ
*
* Broberg and Nilsson, Widely tunable active Bragg reflector integrated lasers in InGaAsP-InP, Applied Physics
Letters, vol. 52, 1988, pag. 1285-1287
MQW
L
A
= 600 m
L
B
= 300 m
I
a
= 60 mA (P
opt
0.5-1.5mW)
Intervalul de acordabilitate este comparabil pentru ambele tipuri de diode laser 2S-DBR:
9.4 nm pentru cea cu reflector Bragg pasiv, respectiv 8 nm pentru cea cu reflector Bragg
activ
Caracteristica de acordabilitate pentru cazul n care reflectorul Bragg este activ este mai
neregulat, iar salturile de mod pot fi mai mari (nu doar ntre moduri adiacente)
Numrul de moduri peste care se ntinde caracteristica de acordabilitate n cele dou
cazuri este diferit datorit faptului c structurile sunt de lungime diferit
DLA de tip DBR cu trei seciuni (3S-DBR)
Este cel mai important tip de diod laser acordabil integrat longitudinal
Cele trei seciuni sunt: seciunea activ, seciunea de control al fazei, respectiv reflectorul
Bragg
Un exemplu de astfel de structur este prezentat n figura de mai jos
DLA de tip DBR cu trei seciuni (3S-DBR) (continuare)
Electrodul superior (regiunea de tip p) este separat n trei pri (cte una pentru fiecare
seciune longitudinal), n timp ce electrodul inferior i substratul sunt comune celor trei
seciuni
Curentul I
a
controleaz ctigul, respectiv puterea optic emis, curentul I
p
controleaz
poziia spectrului modal (caracteristica de faz), iar curentul I
B
controleaz lungimea de
und Bragg (caracteristica ctigului cavitii)
Este structura cea mai apropiat de structura ideal de DLA integrat longitudinal discutat
n capitolul precedent
Permite acordul continuu al lungimii de und, cu condiia ca
c
=
p
Permite, de asemenea, i un acord discontinuu sau cuasi-continuu al lungimii de und
n urma unei analize similare cu cea din cazul diodei laser FP cu dou seciuni, variaia
relativ a lungimii de und datorat ajustrii indicelui de refracie n seciunea de control
al fazei este dat de relaia:
unde indicii a i p se refer, respectiv, la seciunea activ i cea de control al fazei
Pe de alt parte, variaia relativ a lungimii de und datorat ajustrii indicelui de refracie
n seciunea Bragg (caz care corespunde cu acordabilitatea discontinu) este dat de
relaia:
unde indicele B se refer la seciunea reflectorului Bragg
|
|
\
|

p H
a H long
p
eff g
p eff
c
n
n
,
,
,
'
,
0
1
B eff g
B eff
B
n
n
, ,
'
,
0

Presupunnd c indicii de refracie de grup sunt aceiai n seciunea Bragg i n cea de
control al fazei i innd cont c pentru acordabilitate continu deplasarea caracteristicilor
de faz i de ctig al cavitii trebuie s se fac cu aceeai vitez (
c
=
p
), din
egalarea relaiilor anterioare rezult c:
n mod tipic,
p
long
0.3-0.5 i 1
H,a
/
H,p
1.5, astfel c n cazul acordabilitii continue,
ceea ce limiteaz intervalul de acordabilitate este valoarea maxim a lui n
eff,p
n regiunea
de control al fazei. Din acest motiv, intervalul de acordabilitate continu este, de regul,
mai mic dect cel n cazul acordabilitii discontinue
'
,
,
, '
,
1
B eff
p H
a H long
p p eff
n n =
|
|
\
|


Relaia dintre curenii I
p
i I
B
pentru a obine reglaj continuu al lungimii de und de emisie
este complicat datorit ecuaiei neliniare de recombinare n cele 2 seciuni
Drept consecin, raportul optim I
p
/I
B
se modific n timpul ajustrii lungimii de und,
dup cum este exemplificat n figura de mai jos, unde:
- liniile continue reprezint graniele dintre
modurile adiacente
- linia ntrerupt ilustreaz relaia optim
dintre I
p
i I
B
pentru un acord continuu pe
modul de ordin N
- linia gri reprezint un caz particular de
acordabilitate continu pe modul de ordin N,
pentru care relaia dintre I
p
i I
B
este liniar
Controlul lungimii de und n structurile 3S-DBR este foarte complex, i datorit faptului
c, pe lng curenii I
p
i I
B
, curentul I
a
afecteaz i el indirect lungimea de und prin
intermediul variaiilor de temperatur n structur
Figura de mai reprezint un rezultat experimental
*
ce exemplific efectul fiecruia dintre
cei 3 cureni de comand asupra lungimii de und
sursa:
[Amman, fig.5.7]
* Murata et al., Over 720 GHz (5.8 nm) frequency tuning by a 1.5 mm DBR laser with phase Bragg wavelength
control regions, Electronics Letters, vol. 23, 1987, pag. 403-405
Dup cum se poate vedea n figura precedent, lungimea de und este afectat n mod
semnificativ de fiecare din cei 3 cureni
Intervalul de acordabilitate continu n cazul controlului folosind un singur curent este
limitat la cca. 1 nm
Prin contrast, dac se folosesc 2 cureni de comand (I
p
i I
B
), intervalul de acordabilitate
continu poate fi extins la cca. 3 nm
Pe de alt parte, n schema de acordabilitate discontinu, intervalul de acordabilitate este
de aproape 6 nm (a se vedea figura precedent)
Conform analizei teoretice, intervalul maxim de acordabilitate al structurilor de tip
3S-DBR este de ordinul a 4 nm pentru acordabilitate continu, respectiv 10 nm pentru
ntruct intervalul de acordabilitate a caracteristicii de faz folosind curentul de comand
I
p
se extinde, n mod tipic, peste cteva intervale modale, structurile 3S-DBR pot fi
utilizate i n schema de acordabilitate cuasi-continu
n figura alturat este exemplificat caracteristica de acordabilitate cuasi-continu pentru
o structur 3S-DBR
Acest tip de acordabilitate presupune
folosirea ambilor cureni de control
al lungimii de und, I
p
i I
B
; n figura
alturat, lungimile de und n fiecare
interval corepunztor unui mod (I
B
=const.)
sunt accesate prin varierea curentului I
p
DLA de tip DBR cu trei seciuni (3S-DBR) cu control termic
ntruct reflectorul Bragg este situat la distan suficient de mare de seciunea activ,
pentru structurile 3S-DBR se pot folosi i scheme de acordabilitate termic bazate pe
ajustarea lungimii de und prin nclzirea regiunii Bragg, fr a afecta semnificativ
regiunea activ.
Controlul termic al lungimii de und pentru structurile 3S-DBR poate fi obinut n dou
configuraii tipice:
Control termic n combinaie cu controlul clasic (bazat pe fenomenul FCPE), folosind polarizare
invers a jonciunii n regiunea Bragg pentru nclzirea structurii, respectiv polarizare direct pentru
utilizarea fenomenului FCPE. n aceast configuraie, se poate obine extinderea semnificativ a
intervalului de acordabilitate (pn la cca. 22 nm)
Control termic independent, folosind un nclzitor rezistiv situat pe suprafaa dispozitivului, n
dreptul reflectorului Bragg i/sau a regiunii de control al fazei. n acest caz, fenomenul FCPE nu
mai poate fi folosit, astfel c intervalul de acordabilitate este limitat la cca. 10 nm
DLA de tip DBR cu trei seciuni (3S-DBR) cu control termic (continuare)
Exemplu de caracteristic de acordabilitate folosind mecanism mixt (termic+FCPE)
*
Pentru cureni pozitivi se utilizeaz fenomenul FCPE, iar pentru cureni negativi se
utilizeaz mecanismul termic de control al lungimii de und
* berg et al., A three-electrode distributed Bragg reflector laser with 22 nm wavelength tuning range, IEEE
Photonics Technology Letters, vol. 3, 1991, pag. 299-301
Exemplu de diod laser 3S-DBR acordabil
termic, folosind nclzirea rezistiv a regiunii
Bragg i a celei de control al fazei
*
(a) Seciune longitudinal
(b) Vedere de sus
* Kameda et al., A DBR laser employing passive-section heaters, with 10.8 nm tuning range and 1.6 MHz
linewidth, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 5, 1993, pag. 608-610
Pentru structurile ce folosesc controlul termic al lungimii de und, se pot folosi schemele
de acordabilitate discontinu, respectiv cuasi-continu
Dei, dup cum s-a mai spus, controlul termic al lungimii de und este mai lent dect
controlul electronic (FCPE), are n schimb avantajul important c lrgimea spectral de
emisie a diodei laser rmne la valori mici pe durata acordului lungimii de und
DLA de tip DFB multi-seciune
Laserele DFB multi-seciune sunt o alt categorie important de diode laser acordabile
Aceste structuri au fost printre primele tipuri de diode laser acordabile realizate, datorit
faptului c tehnologia lor de fabricaie este practic identic cu cea a diodelor laser DFB
neacordabile
Practic, o diod laser DFB acordabil se obine prin simpla divizare a contactului metalic
superior al unei diode laser DFB n dou sau mai multe seciuni
n contrast cu tehnologia de fabricaie simpl, diodele laser DFB multi-seciune prezint
dezavantajul unui control relativ complicat al lungimii de und
Spre deosebire de diodele laser acordabile de tip DBR, intervalul de acordabilitate al
structurilor DFB multi-seciune este n mod tipic mai mic (de ordin de mrime similar cu
ecartul modal), excepie fcnd cazurile n care se folosete mecanismul termic de control
al lungimii de und
DLA de tip DFB multi-seciune (continuare)
Dup cum s-a artat la nceputul capitolului (pag. 166), acordul caracteristicii de faz la
structurile DLA integrate longitudinal este posibil doar dac parametrul
H
variaz pe
direcie longitudinal
Pentru structurile DFB multi-seciune, valoarea efectiv a parametrului
H
depinde, pe de
o parte, de valoarea de material a aceluiai parametru (care poate fi n general invariant
pe direcie longitudinal), iar pe de alt parte depinde de distribuia longitudinal a
densitii de fotoni, care este puternic neuniform
Drept urmare, folosind n mod adecvat o injecie neuniform de curent pe direcie
longitudinal n diodele laser DFB multi-seciune, se poate obine acordul caracteristicii de
faz i, deci, acordabilitate continu
Mai jos sunt exemplificate cele mai utilizate 2 tipuri de diode laser DFB multi-seciune:
(a) Diod laser DFB cu dou seciuni (2S-DFB)
(b) Diod laser DFB cu trei seciuni (3S-DFB)
n timp ce structura 2S-DFB are n general
lungimi diferite ale celor dou seciuni, structura
3S-DFB este tipic simetric longitudinal i
conine o reea de difracie cu salt de faz
Pentru structura 2S-DFB din figura precedent, exist multe posibiliti de operare care au
fost dovedite de-a lungul timpului
De exemplu, meninnd constant unul dintre cei doi cureni de control i crescndu-l pe
cellalt, se poate obine o deplasare ctre rou sau ctre albastru a lungimii de und
*
De asemenea, meninnd constant suma celor doi cureni I
1
+I
2
, dar variind raportul I
1
/I
2
se poate obine acordabilitate continu; o structur de acest tip a fost realizat avnd un
interval de acordabilitate continu de aprox. 1 nm
**
Cele mai mari valori pentru intervalul de acordabilitate continu pentru diode laser de tip
2S-DFB au fost obinute pentru structuri puternic asimetrice (L
1
L
2
)
*
Dutta et al., Electronically tunable distributed feedback lasers, Applied Physics Letters, vol. 48, 1986, pag. 1501-1503
**
Amann et al., Wavelength tunable single-mode metal-clad ridge-waveguide lasers for 1.55 m wavelength region,
Archiv fr Elektronik und bertragungstechnik Electronics and Communications, vol. 43, 1989, pag. 390-393
Un astfel de exemplu, prezentat n figura de mai jos, corespunde cu un interval de
acordabilitate continu de aprox. 3.3 nm
*
faete clivate (R1 = R2 0.35)
L
tot
= L
1
+ L
2
= 800 m
L
1
/ L
2
= 1/3
L = 4

*
Okai et al., Wide-range continuous tunable double-sectioned distributed feedback lasers, 15
th
European Conference on
Optical Communications (ECOC 89), pag. 122-125, Gothenburg, Sweden
Spre deosebire de laserele 2S-DFB, structurile de tip 3S-DFB cu reticul cu faz deplasat
i cu depuneri AR pe ambele faete terminale permit un control mai facil i mai liniar al
lungimii de und. Un exemplu de rezultat experimental pentru o astfel de structur este
prezentat mai jos
*
; intervalul de acordabilitate continu n acest caz este de aprox. 2.2 nm
O valoare record de 7 nm a intervalului de acordabilitate a fost obinut la o structur
3S-DFB folosind efectul adiional al nclzirii structurii ca urmare a variaiei puternice a
curenilor de control
**
*
Kotai et al., Tunable narrow-linewidth and high-power /4-shifted DFB laser, Electronics Letters, vol.24, 1988, pp. 990-992
**
Kuindersma et al., 12th IEEE Semiconductor Laser Conference, pag. 248-249, Davos, Switzerland, 1990
faete cu depunere AR (SiN)
L
tot
= L
c
+ 2L
s
= 1200 m
L
s
= 300 m
Lc = 600 m
L = 2 3
I
s
= 180 mA (const.)
DLA integrate transversal
Dispozitivele laser acordabile integrate transversal au fost descrise succint n capitolul
precedent
Avantajul lor const n faptul c beneficiaz n mod intrinsec de posibilitatea de acord
continuu al lungimii de und. Din acest motiv, ele joac un rol important n aplicaiile n
care acordul continuu al lungimii de und este indispensabil
Pentru a nelege mai bine modul n care se face acordul lungimii de und n cazul DLA
integrate transversal, vom considera o structur ipotetic de laser DFB a crei lungime
poate fi dilatat, respectiv comprimat (a se vedea figura urmtoare)
Presupunem de asemenea c acest laser funcioneaz la lungimea de und Bragg
DLA integrate transversal (continuare)
Acordul lungimii de und pentru structura considerat este ilustrat schematic n figura de
mai jos, unde lungimea cavitii L
1
i perioda spaial a reelei de difracie
1
se modific,
n urma dilatrii structurii, n L
2
i
2
Evident, factorul de dilatare este acelai att pentru
cavitate, ct i pentru reticulul Bragg, astfel c:
L
1
/ L
2
=
1
/
2
sau, echivalent, L
1
/
1
= L
1
/
2
Amintindu-ne c lungimea de und Bragg
B
este
proporional cu , iar raportul dintre lungimea
cavitii L i lungimea de und de emisie (=
B
) este
proporional cu ordinul modal M, rezult c n urma
operaiei de dilatare a structurii, modul fundamental
rmne acelai (nu are loc nici un salt de mod), ceea ce
nseamn c acordul lungimii de und este continuu
Dilatarea structurii laser care se poate obine n practic este nesemnificativ, dar, ntruct
ceea ce conteaz este nu lungimea geometric, L, ci lungimea optic a structurii, L*n
eff
(acelai lucru fiind valabil i pentru perioada spaial a reticulului Bragg), acest principiu
de acord al lungimii de und se poate aplica prin ajustarea valorii indicelui de refracie
efectiv n structur
ntr-adevr, ceea ce se obine prin mecanismul FCPE sau prin mecanismul termic este de
fapt comprimarea, respectiv dilatarea dimensiunilor optice ale structurii, ceea ce
este echivalent cu modificarea lungimii de und
i n cazul modicrii dimensiunilor optice ale structurii, vom demonstra uor c modul
fundamental rmne acelai pe durata acordului lungimii de und, cu condiia ca n
eff
s fie
omogen pe direcie longitudinal. Presupunnd din nou c laserul emite pe lungimea de
und Bragg avem:
Faza undei acumulat pe un traseu dus-ntors n cavitate (round-trip phase) poate fi
exprimat astfel
de unde rezult clar c att faza, ct i ordinul modal M = / 2 = L
1
/
1
rmn
neschimbate ca urmare a ajustrii indicelui de refracie efectiv
'
2
eff B
n = =
= = =
L
L
n
L
eff
2
4
2
'
Pentru a evalua analitic intervalul de acordabilitate pentru structurile DLA integrate
transversal, vom considera structura din figura de mai jos
De asemena, vom ine cont de efectul combinat
al acordului electronic (folosind mecanismul
FCPE) i al celui termic (datorat fie existenei
unui nclzitor rezistiv al structurii, fie disiprii
termice n regiunea de acord ca urmare a
recombinrilor neradiative, fie disiprii termice
prin efect Joule n stratul de contact al structurii)
Presupunnd c n
eff
este omogen pe direcie longitudinal, deplasarea caracteristicii
ctigului cavitii, respectiv a caracteristicii de faz (spectrul modal) sunt identice, adic:
Variaia total a lungimii de und e datorat celor dou contribuii, cea electronic,
respectiv cea termic:
unde , cu 0.1 nm/
Variaia lungimii de und datorat exclusiv fenomenului FCPE poate fi obinut din
expresia lungimii de und Bragg, , de unde rezult:
c B
= =
term el
+ =
T
term
=
'
2
eff B
n =
eff g
el
n
n
eff
,
'
0

n continuare, putem scrie: , unde indicii a si t se refer la
regiunile activ, respectiv de acord ale structurii
Dac inem cont de relaiile:
unde
H,a
i
H,t
sunt factorii de lrgire spectral ai celor dou regiuni, i de faptul c, la
prag, variaia coeficientului de pierderi/ctig (echivalent cu partea imaginar a lui n
eff
)
este meninut nul n virtutea condiiei de gain clamping (a se vedea capitolul 2), adic:
rezult:
t eff a eff eff
n n n
, ,
+ =
( )
'
, , ,
/ 1
a eff a H a eff
n i n = ( )
'
, , ,
/ 1
t eff t H t eff
n i n =
0
,
'
,
,
'
,
=
t H
t eff
a H
a eff
n n

|
|
\
|
=
t H
a H
t eff eff
n n
,
, '
,
'
1

n final se ajunge la relaia:
unde:
t
3d
(=
t
long
) =
t
este factorul de confinare tridimendional, identic cu cel transversal,
pentru regiunea de acord a structurii
n
g,eff
este indicele de grup efectiv
Se observ c relaia de mai sus este identic cu cea corespunztoare dispozitivelor laser
acordabile integrate longitudinal
Exist ns o deosebire esenial: ntruct pentru structurile integrate longitudinal
long
este subunitar, la structurile integrate transversal acest parametru este egal cu 1, ceea ce
conduce la intervale de acordabilitate mai mari pentru structurile integrate transversal
|
|
\
|

=
|
|
\
|

t H
a H d
t
eff g
t
t H
a H
t
eff g
t el
n
n
n
n
,
, 3
,
'
,
,
,
'
0
1 1

Aceast variant de diod laser (Tunable Twin-Guide DFB laser) a fost propus n 1989
*
i reprezint implementarea n practic a unui DLA integrat transversal n conformitate cu
schema general prezentat la sfaritul capitolului precedent i cu schema din seciunea
precedent
Sectiunea transversal prin structura diodei laser
TTG-DFB n variant BH (buried heterostructure)
este prezentat n figura alturat
Dioda laser TTG-DFB este de fapt o heterostructur
de tip pnp, format din dou heterojonciuni pn
decuplate
Dei seamn cu un tranzistor bipolar, structura prezentat
este semnificativ diferit de acesta datorit faptului c regiunea central de tip n-InP nu
joac rolul regiunii de baz a tranzistorului bipolar, ci este o regiune de confinare care
furnizeaz electroni n regiunea activ i n cea de acord al lungimii de und
*
Amann et al., Tunable twin-guide laser: A novel laser diode with improved tuning performance, Appl. Phys. Letters, vol.54, 1989,
pp. 2532-2533
Curenii de electroni n cele dou regiuni menionate sunt controlai de curenii de goluri
I
a
, respectiv I
t
, iar cele dou jonciuni sunt complet separate i pot fi polarizate
independent
Din punct de vedere optic, ns, cele dou regiuni
(activ, respectiv de acord) sunt puternic cuplate,
ntruct factorii de confinare
a
i
t
au valori mari.
n consecin, ambii cureni de control (I
a
i I
t
)
influeneaz semnificativ distribuia energetic a
modului transversal
La fel ca la diodele laser DBR multiseciune,
regiunea de acord este pasiv (adic are band interzis mai mare dect regiunea activ).
n consecin, n regiunea de acord nu are loc procesul de emisie stimulat, ceea ce
nseamn c purttorii injectai n acest regiune sunt decuplai de cei din regiunea activ
din punct de vedere al mecanismului de gain clamping . Acest lucru asigur o distribuie
uniform a densitii de purttori n regiunea de acord
Datorit faptului c factorii de confinare
a
i
t
nu pot fi optimizai simultan, exist un
compromis ntre valoarea curentului de prag i mrimea intervalului de acordabilitate.
Cu toate acestea, analiza acestui tip de laser a artat faptul c se pot obine intervale de
acordabilitate de cca. 8 nm i, simultan, cureni
de prag sub 100 mA, pentru structuri cu lungimea
de cca. 600 m, utiliznd regiune activ de volum
(bulk)
Substratul ales este de tip p-InP (atipic), pentru
a putea folosi o regiune central de tip n-InP cu
rezisten ohmic mic; n consecin, cderea de
tensiune ntre contactul metalic lateral (care
furnizeaz electroni n regiunile activ i de acord) i regiunea activ poate fi meninut n
limite mici, reducnd astfel nclzirea excesiv a structurii i, implicit, micorarea
intervalului de acordabilitate ca urmare a compensrii pariale a variaiei indicelui de
refracie efectiv
Curenii de scpri (leakage currents) care, ca la toate structurile de tip BH, reprezint o
problem important, sunt meninui n limite mici datorit diferenei dintre valoarea
benzii interzise n regiunea central de tip n-InP i regiunele activ, respectiv de acord.
Diferena tipic este de 0.4-0.55 eV
Parametrul SMSR este optim (>40 dB) pentru
structuri cu lungime de aprox. 400 m; pentru
lungimi mai mari, acest parametru se degradeaz
n conformitate cu rezultatele teoretice, diodele
laser de tip TTG-DFB pot avea intervale de
acordabilitate de ordinul a 7 nm
Din punct de vedere al curentului de comand I
t
, laserul TTG-DFB poate fi folosit i n
schem de acordabilitate bipolar:
I
t
> 0 control electronic al lungimii de und
I
t
< 0 control termic al lungimii de und
n cazul al doilea (control termic), jonciunea pn
aferent regiunii de acord este polarizat invers,
curentul invers contribuind la creterea temperaturii
prin efect Joule
Pentru a proteja regiunea de acord n regimul de
polarizare invers, homojonciunile pn din InP,
adiacente jociunii dintre regiunea n-InP i regiunea de acord, acioneaz ca un unt,
tensiunea lor de strpungere (tipic, -3V) fiind semnificativ mai mic dect cea a jonciunii
principale (tipic, -10 V)
n figura de mai jos este prezentat caracteristica de acordabilitate teoretic pentru o diod
laser BH TTG-DFB cu comand bipolar
Parametrii principali ai diodei laser:
L = 400 m
w = 1 m
d
t
= 0.3 m (grosimea regiunii de acord)
t
= 0.4, = 238 nm
H,a
= 5,
H,t
= -20
t
= -7.510
-21
cm
-3
(coef. aferent efectului FCPE)
n figura de mai jos sunt prezentate rezultate experimentale pentru aceeeai diod laser BH
TTG-DFB considerat n exemplul anterior
DLA de tip DFB cu nclzitor pelicular
n seciunea precedent am vzut cum acordul termic al lungimii de und poate fi obinut
prin nclzirea electronic (efect Joule) a regiunii de acord a diodei laser.
O alt metod de modificare a lungimii de und pe cale termic const n nclzirea
ntregii structuri prin zona de substrat, folosind un radiator termic.
Aceast metod este mai simpl din punct de vedere tehnologic, dar prezint dezavantajul
unei viteze de rspuns termic mai proaste ( de ordinul a 0.1 s) comparativ cu primul caz,
unde sursa de cldur este n imediata vecintate a regiunii de acord ( de ordinul s)
Un alt dezavantaj al nclzirii ntregii structuri, comparativ cu nclzirea localizat a
regiunii de acord, const n faptul c n primul caz se va nclzi i regiunea activ, lucru ce
duce la degradarea performanelor de emisie i la reducerea intervalului de acordabilitate
DLA de tip DFB cu nclzitor pelicular (continuare)
Un compromis foarte bun ntre timpul de rspuns termic i simplitatea procesului
tehnologic o prezint aa-numita structur de laser DFB cu nclzitor pelicular
*
, ale crei
seciune transversal i vedere de sus sunt ilustrate n figura de mai jos
Aceast structur este o diod laser DFB acoperit cu un strat subire de Pt (cu rol de
nclzitor), izolat de restul structurii printr-un strat subire de SiO
2
Stratul nclzitor de Pt este
separat galvanic de restul
structurii, permind n acelai
timp o nclzire mai rapid a
acesteia, datorit localizrii n
partea superioar a dispozitivului
seciune transversal
vedere de sus
*
Sakano et al., Tunable DFB laser with a
striped thin-film heater, IEEE Photonics
Technology Letters, vol. 4, 1992, pp. 321-323
n figura de mai jos sunt prezentate rezultatele experimentale pentru o diod laser DFB cu
nclzitor pelicular
Parametrii principali ai diodei laser:
L = 800 m
P
opt
= 20 mW (meninut prin ajustarea lui I
a
)
d
t
= 0.3 m (grosimea regiunii de acord)
Rezistena nclzitorului = 17 1W @ 250mA
Din exemplul precedent, se observ c intervalul de acordabilitate pentru structura DFB cu
nclzitor pelicular este de cca. 4 nm, semnificativ mai mic att fa de structura de tip
3S-DBR (11 nm), ct i fa de structura TTG-DFB cu comand bipolar (13 nm)
Motivele sunt urmtoarele:
nclzirea se face nedifereniat, astfel c i regiunea activ se nclzete, ceea ce reduce ctigul
optic i puterea optic emis
nu se folosete controlul electronic al indicelui de refracie (efectul FCPE) precum la TTG-DFB
Comparaie
Cap. 6 Diode laser acordabile cu
acordabilitate extins
Introducere
Efectul Vernier
Teoria general a reflectorilor distribuii
Dispozitive laser cu acordabilitate extins
Diode laser DBR cu reticul eantionat (Sampled-Grating DBR Lasers)
Alte tipuri de dispozitive laser cu acordabilitate extins
Comparaie ntre diversele tipuri de dispozitive laser cu acordabilitate extins
Introducere
Un rezultat important al capitolelor anterioare (cap. 4 i 5) este acela c
intervalul de acordabilitate al diodelor laser acordabile este limitat de relaia:
unde n i n
g
sunt, respectiv, variaia indicelui de refracie i indicele de grup n
regiunea de acord a diodei laser
n condiii normale, aceast limitare corespunde cu un interval de acordabilitate
maxim
max
de aprox. 15 nm
g
n n
Introducere (continuare)
Aceast valoare a intervalului de acordabilitate maxim
max
este relativ mic
dac o comparm cu:
pe de o parte, lrgimea spectral a ctigului de material n regiunea activ a diodelor
laser (ale crei valori pot depi 100 nm)
pe de alt parte, lrgimea spectral a amplificatoarelor pe fibr optic dopat cu erbiu
(EDFA) n cazul aplicaiilor din domeniul comunicaiilor optice (ale crei valori sunt
de ordinul a 30-40 nm)
n consecin, potenialul din punct de vedere al intervalului de acordabilitate al
dispozitivelor laser acordabile este subvalorificat pentru structurile analizate
pn acum
n acest capitol vom analiza metodele care pot fi folosite pentru mrirea
intervalului de acordabilitate peste limita impus de relaia / n/n
g
Dup cum vom vedea, folosirea acestor metode permite valorificarea ntregii
lrgimi spectrale a ctigului optic al materialului semiconductor (n cazul
diodelor laser) sau a ntregii lrgimi de band a ctigului amplificatoarelor pe
fibr optic
Trebuie subliniat de la nceput o caracteristic important a DLA-urilor cu
interval mare de acordabilitate, i anume: lungimea de und de emisie nu mai
este o funcie monoton de o singur mrime de comand, ci o funcie complica-
t de 2 sau mai multe mrimi de comand. Din acest motiv, o chestiune impor-
tant la aceste dispozitive o reprezint gradul de acoperire a intervalului de
acordabilitate (= gradul de acces la fiecare lungime de und din acest interval)
Principiul care st la baza funcionrii DLA-urilor cu interval mare de
acordabilitate (n contrast cu structurile DLA studiate pn acum) poate fi
rezumat n felul urmtorul:
Modificarea lungimii de und are loc nu ca urmare a variaiei indicelui de refracie
n sine, ci ca urmare a variaiei unei diferene de indici de refracie ( n). Variaia
relativ a lungimii de und / este proporional n acest caz cu variaia relativ
(n)/n a acestei diferene de indici de refracie, variaie care este mult mai mare
comparativ cu n/n
Efectul Vernier
Aplicaia principal a efectului Vernier este binecunoscut, i anume efectuarea
msurtorilor de distane/grosimi/unghiuri cu precizie mare
Cel mai cunoscut instrument de msur care folosete o scal Vernier este
ublerul
Efectul Vernier (continuare)
Principiul de msur cu precizie mare a distanelor cu ajutorul unei scale Vernier
este exemplificat n figura de mai jos (pentru cazul ublerului)
n exemplul considerat se folosesc 2 scale,
una fix i cealalt mobil, cu pasuri ce difer
cu 10% (pasul scalei mobile fiind mai mare)
Ca urmare a unei deplasri mici, x, a scalei
mobile, punctul n care indicaia celor dou
scale coincide se deplaseaz cu x = 9 x
Presupunnd c unitile din figur reprezint
milimetri, precizia de msur n acest caz
este de 0.1 mm
S ne imaginm acum o diod laser ale crei faete terminale au ambele o
caracteristic de reflectivitate de tip pieptene, dar cu periodicitate diferit n
lungime de und (a se vedea figura urmtoare)
Aceast situaie este analog cu cazul ublerului, deoarece lungimea de und de
emisie a diodei laser este dictat de produsul caracteristicilor de reflectivitate
ale celor dou reflectoare (adic de punctele de coinciden ale celor dou
scale). n consecin, ntr-o astfel de diod laser putem valorifica principiul
scalei Vernier, obinnd astfel un interval de acordabilitate semnificativ mai
mare
Astfel, deplasnd una dintre caracteristicile de reflectivitate cu (= diferena
dintre perioadele celor dou caracteristici), lungimea de und de coinciden a
maximelor celor dou caracteristici se deplaseaz cu (ceea ce, n cazul
general, reprezint perioada caracteristicii de reflectivitate care rmne fix)
Ca exemplu de reflector cu caracteristic de tip pieptene, vom considera o
cavitate Fabry-Perot fr ctig sau pierderi, avnd lungimea L
1
, reflectivitile
r
1
i r
2
i indicele de refracie n
1
Folosind metoda matricelor de transfer (MTM) se poate calcula uor
reflectivitatea reflectorului (vzut de la stnga la dreapta, n figura precedent):
unde r
2
' este definit de relaia:
Termenul de faz din expresia lui r
2
', care ine cont de propagarea dus-ntors a
undei ntre cele dou oglinzi ale reflectorului, conduce la interferen
constructiv sau distructiv (n funcie de valoarea lungimii de und) i, implicit,
la o dependen de a modulului reflectivitii r
1
' a reflectorului, cu maxime
periodice situate la intervale egale cu:
unde n
g,1
este indicele de grup al reflectorului Fabry-Perot
( )
' 1
' 1
'
2 1
2
2
1
1 1
r r
r r
r r
+
+ =
|
\
|
=
1 1 2 2
4
exp ' L n j r r
1 1 ,
2
1
2 L n
g
=
n continuare, s considerm un exemplu numeric concret
S presupunem c ambii reflectori R
1
i R
2
ai structurii de la pag. 220 sunt
nlocuii cu cte o cavitate Fabry-Perot ca cea tocmai analizat, de lungimi
L
1
= 160 m, respectiv L
2
= 200 m (indicii de refracie i reflectivitile
oglinzilor la ambele capete fiind aceleai pentru ambii reflectori FP:
n
1
= n
2
= n = 3.5, n
g,1
= n
g,2
= n
g
= 4.36, r
1
= r
2
= r = 0.1)
Considernd o lungime de und de 1555.5 nm, rezult
1
= 1.72 nm i
2
= 1.375 nm, caracteristicile celor doi reflectori FP fiind reprezentate n
figura urmtoare (unde s-a presupus c = 1555.5 nm este o lungime de und de
coinciden a maximelor celor dou caracteristici)
n figura precedent este indicat cu linie ngroat i caracteristica
(normalizat) rezultat prin nmulirea celor dou caracteristici (adic efectul
cumulat al celor doi reflectori FP)
Dup cum se poate observa, caracteristica rezultant este similar cu o btaie
periodic, corespunztoare coincidenelor maximelor celor dou caracteristici
Perioada btii este dat de relaia:
unde:
( )
( )
1 2
2
2 1
2
1 '
L L n
N N
g

= + = =

1 2
1
L L
L
N
=
Urmrind figura precedent, s facem urmtorul raionament
Dac cretem indicele de refracie al reflectorului lung (L
2
= 200 m),
maximele caracteristicii R
2
se vor deplasa ctre lungimi de und mai mari i,
prin urmare, lungimea de und de coinciden a maximelor celor dou
caracteristici va crete de la 1555.5 nm la 1557.2 nm
Deci, un acord al caracteristicii reflectorului lung cu cantitatea
conduce la creterea lungimii de und la care maximele celor dou caracteristici
coincid cu cantitatea
1
Se obine astfel un factor de extensie a acordabilitii de N+1 (= |
1
| / )
( ) 1
1 2 2 1
+ = = = N N
Dac, ns, cretem indicele de refracie al reflectorului scurt (L
1
= 160 m),
maximele caracteristicii R
1
se vor deplasa ctre lungimi de und mai mari i,
prin urmare, lungimea de und de coinciden a maximelor celor dou
caracteristici va scdea de la 1555.5 nm la 1553.7 nm
Deci, un acord al caracteristicii reflectorului scurt cu cantitatea
conduce la scderea lungimii de und la care maximele celor dou caracteristici
coincid cu cantitatea
2
Se obine astfel un factor de extensie a acordabilitii de N (= |
2
| / )
( ) 1
1 2 2 1
+ = = = N N
n figura de mai jos este exemplificat caracteristica de acordabilitate a structurii
analizate anterior (pentru exemplul numeric considerat)
Lungimea de und este indicat relativ
la valoarea
c
= 1555.5 nm de coinciden
a maximelor din figura precedent, iar
indicii de refracie n
1
i n
2
sunt modificai
pe rnd
S-a fcut, de asemenea, presupunerea c
emisia laser are loc ntr-un interval de
lungimi de und simetric n jurul lui
c
Dup cum se observ, caracteristica de acordabilitate nu este continu, ci
discret (lungimea de und variaz n salturi)
Aceast limitare poate fi depit dac
indicii de refracie n
1
i n
2
sunt modificai
simultan. n acest caz, ambele
caracteristici ale reflectorilor FP se vor
deplasa mpreun, lungimea de und de
coinciden a maximelor ajustndu-se
n mod continuu
Dac intervalul de lungimi de und care poate fi astfel acoperit este mai mare
dect salturile discrete, se poate folosi o schem de acordabilitate cuasi-continu
pentru acoperirea ntregului interval de
acordabilitate (care este limitat n acest
caz la valoarea ' )
Linia marcat Conventional tuning
(Acordabilitate convenional) reprezint
caracteristica de acordabilitate continu
Linia marcat Enhanced tuning
(Acordabilitate extins) reprezint
caracteristica de acordabilitate n salturi
datorat efectului Vernier
n finalul acestei seciuni, trebuie fcut o observaie important, i anume c
exist cteva limitri de natur practic legate de folosirea efectului Vernier n
structurile DLA. Aceste limitri sunt urmtoarele:
Fie perioada ' a btii (a coincidenelor maximelor) trebuie s fie mai mare dect
lrgimea spectral a ctigului optic, fie modurile longitudinale care corespund cu
coincidenele vecine trebuie s poat fi suprimate prin alte metode
Diferena dintre perioadele maximelor reflectivitilor (
1
i
2
) trebuie s fie
comparabil cu lrgimea spectral a maximelor individuale
Diferena ctigului cavitii g trebuie s fie suficient de mare pentru ca alte moduri
longitudinale, cu excepia celui fundamental, s fie suprimate
Condiia de faz a cavitii trebuie s fie satisfcut la lungimea de und de
coinciden a maximelor reflectivitilor, ceea ce presupune existena unei metode
ajustare a fazei cavitii
Cap. 6 Teoria general a
reflectorilor distribuii
ntruct n practic, n cazul diodelor laser, nu este posibil implementarea de
reflectori localizai cu reflectivitate mare (necesar pentru un curent de prag
mic), se folosesc reflectori mai complicai (n general, reflectori distribuii)
Seciunea aceasta se ocup de analiza general a reflectorilor distribuii. Vom
analiza urmtoarele cazuri generale de reflectori:
Reflectori localizai multipli (combinaie de dou reflectiviti localizate)
Reea de difracie longitudinal cu coeficient de cuplaj variabil n general
Rezultatele importante la care vom ajunge sunt urmtoarele:
1) n expresia reflectivitii reflectorilor distribuii intervine funcia tanh, indiferent
dac este vorba de structuri periodice sau de reflectori localizai multipli
2) Caracteristica spectral a reflectivitii reprezint transformata Fourier a funciei ce
descrie variaia coeficientului de cuplaj al reticulului (n cazul structurilor periodice)
Cazul 1 Reflectori localizai multipli
Considerm cazul a doi reflectori localizai, ca n figura alturat.
Folosind notaiile din figur, reflectivitatea total la z
0
este:
unde este constanta de propagare
ntroducnd mrimile a, b i c astfel nct fiecare reflectivitate din
relaia anterioar s poat fi exprimat cu ajutorul funciei tanh:
putem observa c efectul combinat al celor dou reflectiviti localizate
corespunde cu nsumarea argumentelor funciei tanh:
( ) ( ) ( ) ( ) c z j r b r a r tanh 2 exp ' tanh tanh
0 1
= = =
( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) c b
c b
c b
a + =
+
+
= tanh
tanh tanh 1
tanh tanh
tanh
( )
( ) z j r r
z j r r
r
+
+
=
2 exp ' 1
2 exp '
0
0
1
sursa:
[Amman, fig.7.6]
Cazul 1 Reflectori localizai multipli (continuare)
Dac r' are valori mici putem folosi aproximaia de ordinul nti a expresiei
reflectivitii totale r
1
:
Aceast nou expresie corespunde cu o simpl
nsumare a celor dou reflectiviti localizate,
innd cont prin intermediul factorului (1 - r
0
2
)
i de efectul de reducere a intesitii fasciculului
de intrare ca urmare a primei reflexii.
Acelai rezultat poate fi obinut i pe alt cale,
i anume lund n calcul numai primele dou
reflexii din seria infinit de reflexii ce au loc la
cele dou interfee (vezi figura alturat)
( )( )
2
0 0 1
1 2 exp ' r z j r r r + =
Cazul 1 Reflectori localizai multipli (continuare)
Variaia reflectivitii relativ la valoarea r
0
, ca urmare a prezenei celei de-a doua
reflectiviti r' este (n baza aproximaiei de ordinul nti):
Aceast variaie a reflectivitii poate fi privit ca o perturbaie (mai ales c r'
are valoare mic)
( )( )
2
0 0 1
1 2 exp ' r z j r r r r = =
Cazul 2 Reea de difracie longitudinal cu constant
S considerm acum c reflexia r' este datorat unei reele de difracie
longitudinale, cu coeficient de cuplaj
Ne aducem aminte din cap. 3 (pag. 85) c coeficientul de cuplaj reprezint de
fapt coeficientul de reflexie pe unitatea de lungime a structurii periodice sau,
altfel spus, densitatea de reflectivitate pe unitatea de lungime. De aceea, putem
scrie c r' = z
Dac considerm c lucrm la lungimea de und Bragg, factorul de faz din
expresia anterioar a lui r poate fi neglijat (deoarece reflexiile sunt n faz,
argumentul exponenialei este multiplu de 2j), asfel c relaia poate fi rescris
n felul urmtor
sau, trecnd n form diferenial,
( )
2
0
1 r
z
r
=
( ) ( ) z r
z
r
2
1
d
d
=
Cazul 2 Reea de difracie longitudinal cu constant (continuare)
n cazul n care este constant (independent de z), soluia ecuaiei difereniale
obinute anterior este
adic din nou o expresie n care intervine funcia tanh
Dac considerm c reticulul se extinde de la z = 0 pn la z = L i presupunem
c r(L) = 0, rezult c
relaie care este n conformitate cu rezultatul obinut n cap. 3 (pag. 88), cu
excepia unui factor de faz care se datoreaz alegerii diferite a planului de
referin
( ) ( ) ( ) 0 z tanh r z r + =
( ) ( ) z r tanh 0 =
Cazul 3 Reea de difracie longitudinal cu variabil
S considerm acum cazul n care este variabil (dependent de z)
n acest caz vom porni de la o variant mai general a ecuaiilor modurilor
cuplate
n care a fost introdus i un factor de faz (z) pentru a ine cont de eventuale
salturi de faz ale reticulului fa de poziia de referin z = 0. Prin definiie,
(0) = 0.
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) z j E z j E j
z
E
z j E z j E j
z
E
=
= +
+
+
+
exp
d
d
exp
d
d

Cazul 3 Reea de difracie longitudinal cu variabil (continuare)
Coeficientul de reflexie la coordonata z este definit de relaia:
Prin diferenierea relaiei de mai sus n raport cu z se obine
relaie care, n urma folosirii ecuaiilor modurilor cuplate, devine
( ) ( ) ( ) z j
E
E
z =
+
exp
( ) ( )
( ) ( ) z j
z
z
E
E
j
z
E
E
E
z
E
E
z
z

|
|
\
|
=
+
+
+

+
exp
d
d
d
d
d
d 1
d
d
2
( )
( )( )
( )
|
\
|

+ + =
z
z
j z j
z
z
d
d
2 1
d
d
2


Presupunnd c soluia ecuaiei precedente este de forma
i nlocuind aceast expresie n ecuaie, rezult urmtoarea ecuaie diferenial
pentru (z):
n care al doilea termen din parantez ine cont de reducerea intesitii
fasciculului de intrare pe msura propagrii n interiorul reticulului
( ) ( ) ( ) ( ) z j z j z z = 2 exp
( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [ ] z j z j z z j z j z j
z
z
+ + =
2 exp 2 exp
d
d
2
Presupunnd cazul particular al unui reticul uniform ( constant i (z) = 0)
extins de la z = 0 pn la z = L, operat la lungimea de und Bragg ( = 0),
ecuaia precedent se reduce la:
ecuaie a crei soluie este
Impunnd condiia la limit (L) = 0, obinem coeficientul de reflexie la z = 0
rezultat care este n concordan cu rezultatul obinut anterior
( )
( ) ( ) z j
z
z
2
1
d
d

+ =
( ) ( ) ( ) 0 tanh + = z j z
( ) ( ) L j tanh 0 =
Dac analizm cazul unui reticul cu cuplaj slab (L << 1), atunci putem neglija
termenul al doilea din ecuaia diferenial de la pag. 240, astfel c ecuaia
devine:
de unde rezult:
( )
( ) ( ) ( ) z j z j z j
z
z
+ =
2 exp
d
d
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) z z j z j z j L
L
d 2 exp 0
0
+ =
Folosind relaia anterioar i legtura dintre (z) i (z) i amintindu-ne c
depinde i de frecven prin intermediul lui , obinem expresia variaiei
spectrale a reflectivitii reticulului la z = 0
Relaia de mai sus ne arat faptul c, atunci cnd cuplajul este slab (L << 1),
adic atunci cnd este neglijat atenuarea fasciculului incident ca urmare a
reflexiilor multiple, variaia spectral a reflectivitii reticulului la z = 0 este
chiar transformata Fourier a funciei (z)exp(j(z)) care descrie variaia
coeficientului de cuplaj al reticulului
Acesta reprezint cel mai important rezultat al acestei seciuni
( ) ( ) ( ) ( ) [ ] ( ) z z j z j z j z
L
d 2 exp exp , 0
0
= =

n final, s considerm, din nou, cazul particular al unui reticul uniform
( constant i (z) = 0) i cu cuplaj slab (L << 1)
Folosind rezultatul anterior obinem:
de unde rezult expresia reflectivitii n putere a reticulului
Este important de menionat faptul c aceast ultim relaie este n concordan
cu rezultatele indicate n figura de la pag. 91 pentru L << 1
( ) ( ) ( )
( )
L
L
L j L j z z j j
L
= =
sin
exp d 2 exp
0
( )
( )
2
2
2 sin
|
|
\
|
=
L
L
L

Cap. 6 Dispozitive laser cu
Diode laser DBR cu acordabilitate extins
Exemplul considerat n cadrul discuiei despre utilizarea efectului Vernier a
fcut referire la un caz simplu, n care cei doi reflectori ai cavitii diodei laser
sunt caviti FP, avnd o caracteristic spectral a reflectivitii de tip pieptene
Din pcate, acest tip de reflector nu poate fi implementat n diodele laser,
deoarece este foarte dificil s se obin reflectiviti localizate de valoare relativ
mare n structuri integrate monolitic
Din fericire, ns, exist o soluie care face uz de structuri periodice, i anume
structuri cu caviti multiple, pentru fiecare cavitate folosindu-se un mic reticul
cu rol de reflector
Exist mai multe realizri practice de diode laser DBR acordabile care folosesc
aceast idee. Dintre ele vom analiza diodele laser DBR cu reticul eantionat
(SG-DBR) i diodele laser DBR cu reticul superstructurat (SSG-DBR)
Diode laser DBR cu reticul eantionat (SG-DBR Lasers)
O caracteristic de reflectivitate de tip pieptene poate fi obinut folosind
structuri periodice (reticule) eantionate
O astfel de structur este prezentat n figura de mai jos, unde L
g
este lungimea
unui mini-reticul, iar L
s
este perioada de eantionare
Diode laser DBR cu reticul eantionat (continuare)
ntr-o astfel de structur, fiecare perioad de eantionare L
s
poate fi echivalat cu
o mini-cavitate FP al crei reflector localizat este substituit cu un reticul de
lungime L
g
n lumina celor discutate anterior, este de asteptat ca i n acest caz s avem un
spectru al reflectivitii n form de pieptene, cu un interval ntre maxime dat de
unde n
g
este indicele de grup al structurii
s g
s
L n 2
2
=
Structura de reticul eantionat poate fi analizat fcnd apel la rezultatele din
seciunea anterioar. Astfel, considernd un reticul de lungime L = N
s
L
s
compus
din N
s
perioade de eantionare, funcia (z) ce descrie coeficientul de cuplaj al
reticulului pe care o vom numi n continuare, simplu, funcia reticulului poate
fi exprimat ca produsul dintre funcia original a reticulului,
1
(z), i o funcie
de eantionare,
2
(z):
unde:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) z z z j z
2 1
exp =
( )
< < ,
=
1
rest n , 0
0 pt. L z
z
( )
( )
( ) ( )
s
s g s
g s s
N N
L N z L L N
L L N z NL
z ... , 2 , 1
1 1 pt. , 1
1 pt. 0
2
=
+ < < +
+ < < ,
=
ntruct spectrul reflectivitii reticulului este transformata Fourier a funciei
reticulului (pt. L << 1), putem face uz de proprietile transformatei Fourier,
astfel c spectrul reflectivitii reticulului va fi egal cu produsul de convoluie
dintre transformatele Fourier ale funciilor
1
(z) i
2
(z)
Pentru
1
(z) avem:
Pentru
2
(z), care este o funcie periodic, obinem coeficienii seriei Fourier:
din care, neglijnd un factor de faz, rezult n final:
( ) ( ) ( )
( )
L
L
L j L j z F
= =
1
sin
exp
1
( )
|
|
\
|
=
s
L
s s
N
dz z
L
N
j z
L
F
0
2 , 2
2
exp
1
|
|
\
|
=
s
g
N
L
L N
N
F
sin
1
, 2
Spectrele corespunztoare celor dou transformate Fourier sunt ilustrate n
figura de mai jos pentru cazul L
g
= 0.1L
s
i L = 10L
s
(si L << 1)
Ecartul dintre termenii seriei Fourier a funciei
2
(z) este
s
= /L
s
(partea stng din
figur), iar lrgimea lobului principal al spectrului funciei
1
(z) este
L
= /L (partea
dreapt din figur)
n urma produsului de convoluie a celor dou transformate Fourier se obine
spectrul reflectivitii reticulului, care are urmtoarele caracteristici:
maximul reflectivitii n putere corespunde cu
0
(lungimea de und Bragg) i are
valoarea aproximativ (N
s
L
g
)
2
; pentru valori mari ale produsului N
s
L
g
, o valoare mai
exact a acestui maxim este tanh
2
(N
s
L
g
)
ca urmare a eantionrii reticulului cu perioada L
s
, apar maxime secundare, separate
prin intervalul
s
= /L
s
avnd valori relative ale reflectivitii n putere date de:
sin(NL
g
/L
s
)
2
/(N)
2
numrul maximelor secundare cu valoarea reflectivitii n putere mai mare dect
din valoarea maxim este de aproximativ L
s
/L
g
fiecare maxim secundar are lobi laterali, separai prin intervalul
L
= /L = /(N
s
L
s
)
Spectrul de reflectivitate al reticulului eantionat poate fi obinut i pe cale
riguroas, folosind metoda MTM, ntruct structura reprezint o concatenare de
N
s
seciuni identice
Totui, n mod surprinztor, metoda de calcul simplificat prezentat anterior,
care face uz de proprietile transformatei Fourier, este foarte precis pentru
valori mici ale produsului N
s
L
g
Pentru valori mai mari ale produsului N
s
L
g
, metoda este nc aplicabil, dac inem
cont de urmtoarele:
maximele secundare apar la lungimile de und la care reflexiile ce provin de la fiecare
perioad de eantionare a reticulului sunt n faz; aceste reflexii multiple se nsumeaz
dup regula tanh, dup cum s-a discutat n seciunea precedent
n consecin, valoarea reflectivitii n putere pentru maximul de ordin N este dat de
relaia R
N
tanh
2
(|F
2,N
|N
s
L
g
), n loc de (|F
2,N
|N
s
L
g
)
2
Pentru a face uz de efectul Vernier n cazul diodei laser SG-DBR, ambii
reflectori ai cavitii (anterior i posterior) sunt reticule eantionate, avnd
perioadele L
s,f
, respectiv L
s,r
puin diferite.
O astfel de structur este ilustrat n figura de mai jos
ntruct L
s,f
L
s,r
, ecarturile
s,f
i
s,r
dintre maximele secundare ale
spectrelor de reflectivitate ale celor doi reflectori vor fi si ele diferite
O astfel de situaie este ilustrat n figura de mai jos, pentru cazul L
s,f
= 10L
g
i
L
s,r
= 9L
g
, L
g
fiind aceeasi pentru ambii reflectori ai cavitii
Urmnd un raionament similar cu cel de la pag. 226 pe marginea figurii
precedente, dac cretem indicele de refracie al reflectorului anterior (cu L
s
mai
mare) obinem acordabilitate discontinu ctre lungimi de und mai mari.
Dac, ns, cretem indicele de refracie al reflectorului posterior (cu L
s
mai mic)
obinem acordabilitate discontinu ctre lungimi de und mai mici.
Datorit formei neuniforme a anvelopei caracteristicii reflectivitii, indiferent
de care dintre cei doi reflectori este acordat, lungimea de und de lucru a diodei
laser se va muta n cele din urm de cealalt parte a lungimii de und Bragg.
Dac maximul curbei de ctig corespunde cu
B
, atunci intervalul de
acordabilitate va fi simetric n jurul lui
B
Caracteristica de acordabilitate pentru exemplul precedent este prezentat n
figura de mai jos; valoarea intervalului de acordabilitate n acest caz este egal
cu 10
s,f
= 9
s,r
Dac ecartul dintre maximele spectrului reflectivitii este suficient de mic,
lungimile de und din acest interval pot fi accesate prin acordarea simultan a
ambilor reflectori (anterior i posterior)
Proprietile de acordabilitate ale diodei laser SG-DBR n aceste condiii sunt
similare cu cele ale unei diode laser DBR acordabile; din acest motiv, i
intervalul de acordabilitate continu care poate fi obinut este de acelai ordin de
mrime
n concluzie, accesul la o anumit lungime de und din intervalul de
acordabilitate extins al diodei laser SG-DBR se face printr-o combinaie de
acordabilitate discontinu i continu
Unul dintre avantajele majore ale structurilor de tip SG-DBR este acela c
procesul tehnologic de fabricaie al acestora este foarte asemntor cu cel al
diodelor laser DBR
Principala diferen const n aceea c pentru a obine aceeai valoare a
reflectivitii, regiunile celor doi reflectori Bragg trebuie s fie mai lungi cu un
factor L
s
/L
g
Pentru realizarea reticulului eantionat este nevoie doar de o singur masc,
folosind fie metoda holografic, fie cea cu fascicul de electroni
Diode laser SG-DBR: Rezumat
Putem rezuma regulile de proiectare pentru diodele laser SG-DBR n felul
urmtor:
1) Pentru a avea o valoare rezonabil a reflectivitii n putere la cei doi reflectori, trebuie
ndeplinit condiia:
0.5 < N
s
L
g
< 1
2) Dac inem cont de pierderile optice n seciunea pasiv a reticulului eantionat, atunci
trebuie ndeplinit condiia:
N
s
L
s
<< 1
3) Ecartul ntre maximele reflectivitii este:
Dac se dorete acces la toate lungimile de und, atunci
s
trebuie s fie suficient de
mic (echivalent cu L
s
suficient de mare)
s eff g
s
L n
,
2
2
=
Diode laser SG-DBR: Rezumat (continuare)
4) Lrgimea spectral (FWHM) a anvelopei caracteristicii de reflectivitate este o msur
a intervalului de lungimi de und n care reflectivitatea are valori rezonabile; valoarea
aproximativ a acestei lrgimi spectrale este:
n baza acestei relaii rezult c pentru a avea o anvelop larg trebuie ca L
g
s fie
mic, dar n practic valoarea minim a lungimii L
g
este limitat de considerente
tehnologice, pe de o parte, i de condiia (1) menionat anterior, pe de alt parte
5) Dac perioadele de eantionare ale celor doi reflectori (anterior i posterior) sunt foarte
apropiate ca valoare, diferena fiind L
s
, rezult o perioad a btii dat de:
Perioada btii determin intervalul maxim de acordabilitate
g eff g g
s
s env
L n L
L
,
2
2
= =
s eff g s
s
s beat
L n L
L
=
,
2
2

Diode laser SG-DBR: Rezumat (continuare)
6) Dac impunem condiia ca lrgimea spectral a anvelopei s fie egal cu perioada
btii,
env
=
beat
, obinem:
L
s
= L
g
7) Dac impunem condiia ca diferena perioadelor de eantionare ale reticulelor s fie
egal cu lrgimea lobului reflectivitii reticulului uniform de lungime L, atunci
obinem relaia:
de unde rezult:
L L
L
s
s

=
2
s
s
s
s
L
L
L
L
N
=
|
|
\
|
=
Diode laser SG-DBR: Exemplu numeric
Considerm o structur SG-DBR care lucreaz n jurul lungimii de und
= 1550 nm i are indicele de grup efectiv n
g,eff
= 3.5
Alegem L
s,f
= 50 m i L
s,r
= 45 m; n baza condiiei (3) obinem ecarturile dintre
maximele reflectivitii:
s,f
= 6.9 nm i
s,r
= 7.6 nm
Folosind condiia (6), obinem L
g
= 5 m, iar din (5) rezult intervalul maxim de
acordabilitate de 69 nm
n baza condiiei (7), alegem N
s
= 10
Impunnd N
s
L
g
= 0.7 n baza condiiei (1), rezult = 140 cm
-1
; aceast valoare a
coeficientului de cuplaj poate fi obinut n practic folosind o reea de difracie de
ordinul nti
Lungimile totale ale celor 2 reflectori rezult: L
f
= 500 m i L
r
= 450 m
Diode laser SG-DBR: Seciunea de control al fazei
Pn acum am discutat doar despre caracteristica de reflectivitate a diodei laser
SG-DBR, care este legat de condiia de amplitudine
Pe lng condiia de amplitudine, ns, trebuie ndeplinit i condiia de faz la
lungimea de und de lucru a diodei laser; cu alte cuvinte, spectrul modal trebuie
potrivit n mod oportun peste spectrul de reflectivitate (=caracteristica de
ctig al cavitii)
n cazul unui cuplaj slab (N
s
L
g
< 1), valoarea aproximativ a lungimii efective
a reticulului eantionat este dat de relaia (a se revedea pag. 92):
L
eff,s
(N
s
L
s
)/2
Diode laser SG-DBR: Seciunea de control al fazei (continuare)
Ecartul modal pentru o structur cu trei seciuni (activ + dou reticule
eantionate) este definit de relaia:
Lrgimea spectral a fiecruia dintre maximele reflectivitii (care este de fapt
largimea lobului reflectivitii reticulului uniform de lungime L = N
s
L
s
) este:
Din relaiile de mai sus rezult c, chiar dac L
a
este mic, cel puin un mod
longitudinal al cavitii va fi situat n banda fiecruia dintre maximele
reflectivitii (ntruct
m
<
sg
)
s s s g a a g s eff s g a a g
m
L N n L n L n L n
, ,
2
, , ,
2
2 2 4 2 +
+
=

s s s g
sg
L N n
,
2
2
=
Diode laser SG-DBR: Seciunea de control al fazei (continuare)
Pentru a garanta emisia laserului pe lungimea de und corespunztoare
maximului produsului dintre reflectivitile celor dou reticule, este nevoie de o
a patra seciune, de control al fazei (ca i n cazul diodei laser DBR cu trei
seciuni analizat n cap. 5)
Dac considerm c indicele de refracie de material n regiunea de control al
fazei poate fi variat cu n
p
, iar factorul de confinare este
p
i lungimea seciunii
este L
p
, rezult c condiia necesar pentru ca faza cavitii s varieze cu 2
(echivalent cu deplasarea spectrului modal cu
m
) este:
1
2
=

p p p
L n
Diode laser SG-DBR: Exemplu de caracteristic de acordabilitate
n figura de mai jos este ilustrat, cu titlu de exemplu, caracteristica de
acordabilitate discontinu ca funcie de curenii de control ai seciunilor celor
doi reflectori (anterior i posterior) pentru o diod laser SG-DBR
Se observ c intervalul de acordabilitate
este de aprox. 60 nm, ceea ce reprezint
o valoare tipic pentru aceste diodele laser
Diode laser DBR cu reticul superstructurat (SSG-DBR)
n analiza structurilor cu reticul eantionat s-a folosit o abordare foarte intuitiv,
ale crei rezultate pot fi rezumate astfel:
Funcia original a reticulului,
1
(z), corespunde, n domeniul spectral, cu o variaie de
tip sinx/x avnd ecartul dintre lobii spectrali determinat de lungimea total a
reticulului, L (adic suportul funciei
1
(z))
Funcia de eantionare a reticulului,
2
(z), poate fi privit ca un semnal modulator al
purttoarei
1
(z) ce descrie reticulul uniform. Evident,
2
(z) are un spectru de
frecvene spaiale joase comparativ cu
1
(z)
Ca urmare a acestei modulaii, n jurul purttoarei vor aprea benzi laterale
(corespunztoare cu maximele secundare ale caracteristicii de reflectivitate), spaiate la
intervale dictate de perioada de eantionare L
s
i avnd amplitudini determinate de
coeficienii Fourier ai funciei
2
(z)
Diode laser DBR cu reticul superstructurat (continuare)
Din analogia cu modulaia unei purttoare rezult c reticulul eantionat
analizat anterior nu este dect un caz special al unei clase mai largi de structuri
cu proprieti similare, numite reticule superstructurate
Spre deosebire de reticulele eantionate, n cazul reticulelor superstructurate
vom folosi urmtoarea terminologie:
perioada de eantionare poart denumirea de superperioad,
funcia de eantionare
2
(z) poart denumirea de funcie de modulaie
Funcia de modulaie poate avea diferite forme, astfel c anvelopa spectrului de
reflectivitate va cpta i ea forme variate, diferite de cea de tip sinx/x ca n
cazul reticulului eantionat
Reticule superstructurate cu perioad liniar variabil (chirped gratings)
Primul exemplu de reticule superstucturate pe care l vom analiza este reticulul
cu perioad liniar variabil (chirped grating)
n aceast structur, n fiecare superperioad
s
perioada reticulului variaz
liniar ntre limitele
1
i
2
, dup cum este artat n figura de mai jos
Reticule superstructurate cu perioad liniar variabil (continuare)
Funcia de modulaie
2
(z) a acestui tip de reticul superstructurat are modulul
unitar i un termen de faz ptratic. De aceea, coeficienii Fourier asociai vor fi
descrii n baza integralelor Fresnel:
n continuare vom prezenta rezultatul analizei unei astfel de structuri
*
, avnd
urmtorii parametri:
superperioada:
s
= 35.7 m
numrul de superperioade: N
s
= 20
coeficientul de cuplaj: = 100 cm
-1
perioadele spaiale maxim i minim,
1
i
2
, corespund cu lungimile de und de
1600 nm, respectiv 1500 nm
* Ishii, H. et al, Super structure grating (SSG) for broadly tunable DBR lasers, IEEE Phot. Tech. Lett., vol. 5, 1993,
pag. 393-395
n figura de mai jos sunt prezentate, pentru structura descris pe pagina
anterioar, urmtoarele rezultate:
(a) Ptratul modulului coeficienilor Fourier ai funciei de modulaie
(b) Spectrul de reflectivitate n putere (cu indicarea doar a maximelor) calculat direct din
ecuaiile modurilor cuplate
Dup cum era de ateptat, maximele reflectivitii sunt pronunate n intervalul
1500-1600 nm, determinat de perioadele
1
i
2
, i scad rapid n afara acestuia
Se observ c anvelopa spectrului de reflectivitate este mult mai uniform dect
n cazul reticulului eantionat
Din motive practice, n loc de variaia liniar a perioadei reticulului, se prefer
modificarea acesteia n trepte.
Rezultate pentru astfel de structuri au fost publicate n revistele de specialitate.
Astfel, au fost obinute intervale de acordabilitate de pn la 83 nm
*
si acces
complet la lungimile de und ntr-un interval de 34 nm
**
* Tohmori, Y. et al, Broad-range wavelength-tunable superstructure grating (SSG) DBR lasers, IEEE Journal of
Quantum Electronics, vol. 29, 1993, pag. 1817-1823
**Ishii, H. et al, Broad-range (34 nm) quasi-continuous wavelength tuning in super-structure-grating DBR lasers,
Electronics Letters, vol. 30, 1994, pag. 1134-1135
Dup cum am menionat, variaia liniar a perioadei spaiale a reticulului este
echivalent cu o variaie ptratic a fazei reticulului
Din acest motiv, este posibil i realizarea unei structuri echivalente, folosind un
reticul cu perioad fix i introducnd salturi de faz cu o densitate spaial
care s varieze dup o lege ptratic
O astfel de structur este descris i analizat n referina de mai jos
*
:
s-au folosit 18 salturi de faz, fiecare echivalent cu /10, pentru fiecare superperioad
de 35.7 m
s-a obinut un interval de acordabilitate de 105 nm, cu un SMSR de peste 30 dB n
ntreg intervalul; de asemenea, laserul a fost modulat cu 4 Gbit/s la lungimi de und de
la ambele extremiti ale intervalului de acordabilitate
* Ishii, H. et al, Multiple-phase-shift super structure grating DBR lasers for broad wavelength tuning lasers, IEEE
Phot. Tech. Lett., vol. 5, 1993, pag. 613-615
Optimizarea structurilor SSG-DBR
La modul ideal, anvelopa spectrului de reflectivitate a unui reticul supertructurat
ar trebui s fie de form dreptunghiular (maxime de aceeai valoare n
intervalul de acordabilitate dorit i nule sau neglijabile n afara acestuia)
Funcia de modulaie a reticulului care posed aceast proprietate poate fi
sintetizat fcnd din nou apel la transformata Fourier (a se revedea al 3-lea
subcapitol). Presupunnd c modulul coeficientului de cuplaj este constant ntr-o
superperioad, problema se reduce la a determina funcia (z) de variaie a fazei
reticulului care satisface relaia
unde C
N
nu depinde de N
( ) ( )
>
=
|
|
\
|
max
max
0
dac , 0
dac
2
exp exp
1
N N
N N C
dz z
N
j z j
N
s s
s
Optimizarea structurilor SSG-DBR (continuare)
Ca exemplu, s considerm cazul unui reticul superstructurat a crui funcie de
modulaie a reticulului corespunde cu modulaie n frecven pur, adic:
unde A este indicele de modulaie FM
n acest caz, coeficienii Fourier ai funciei de modulaie pot fi calculai analitic
i rezult a fi:
unde J
N
este funcia Bessel de ordin N
( )
|
|
\
|
+
z A z
s
2
sin
( ) A J F
N N
=
, 2
n urma examinrii tabelelor de variaie a funciilor Bessel, se ajunge la
concluzia ca cel mai bun grad de uniformitate a coeficienilor Fourier se obine
pentru o valoare de indicelui de modulaie de A = 4.5. Rezultatul obinut n acest
caz este prezentat n figura de mai jos.
Un grad i mai mare de uniformitate a maximelor de reflectivitate poate fi
obinut prin optimizarea numeric a funciei (z) de variaie a fazei reticulului
Rezultatul unei astfel de optimizri
*
este prezentat n figura de mai jos
* Ishii, H. et al, Modified multiple-phase-shift super-structure-grating DBR lasers for broad wavelength tuning
lasers, Electron. Lett., vol. 30, 1994, pag. 1141-1142
Caracteristica de acordabilitate i structura schematic a laserului menionat
anterior sunt ilustrate n figura de mai jos
O metod alternativ
*
de optimizare a variaiei fazei reticulului este folosirea
unui reticul cu perioad spaial constant pe poriuni, ceea ce corespunde cu
faz liniar pe poriuni.
Pentru structura analizat n articolul menionat mai jos s-au folosit 5 poriuni de
reticul cu perioad diferit ntr-o superperioad de 45 nm, obinndu-se o
anvelop a spectrului de reflectivitate aproape uniform ntr-un interval de
acordabilitate de 60 nm
* berg, M. et al, Complete single mode wavelength coverage over 40 nm with a super structure grating DBR
laser, IEEE J. of Lightwave Technology, vol. 13, 1995, pag. 1892-1898
Structuri SSG implementate pe lasere DFB
Reticule superstructurate se pot folosi i n contextul diodelor laser DFB
*
Avantajele structurilor SSG-DFB n raport cu SSG-DBR sunt urmtoarele:
fabricarea lor este mai uoar datorit faptului c nu exist i regiuni active, i pasive,
ca n cazul structurilor SSG-DBR
lrgimea spectral n timpul acordului lungimii de und este mic, n timp ce la
structurile SSG-DBR acest deziderat nu poate fi atins dect dac se folosete
mecanismul termic de ajustare a lungimii de und
Dezavantajul structurilor SSG-DFB este acela c, datorit faptului c toate
seciunile laserului sunt active, variaia oricrui curent de control afecteaz att
ctigul optic, ct i indicele de refracie. Cu alte cuvinte, puterea optic emis i
lungimea de und nu pot fi controlate independent
* Tohmori, Y. et al, Wide tuning with narrow linewidth in DFB lasers with superstructure garting (SSG), Electronics
Letters, vol. 29, 1993, pag. 1350-1352

DLA Notite de Curs

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

DLA Notite de Curs

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2009/2010)

Dispozitive Laser Acordabile

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 17 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 28 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 46 / 281

), precum i suma acestora (linia ntrerupt) i densitatea medie de fotoni n

(z) sunt lent variabile cu z

(z) i fcnd presupunerea c =

sursa: [Amman, fig.3.2]

sinh cosh sinh

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 90 / 281

, variaia reflectivitii n funcie de dezacordul normalizat (L) se poate

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 92 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 100 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 125 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 152 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 166 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 176 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 177 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 197 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 198 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 199 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 240 / 281

10-Jan-12 Dispozitive Laser Acordabile (Master Optoelectronic 2011/2012) 244 / 281

S-ar putea să vă placă și