Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia

PMT 2100

Lista de Exerccios 12

Propriedades Eltricas dos Materiais

1. temperatura ambiente (25oC), a resistividade eltrica do alumnio igual a 2,655x10-8 .m e a mobilidade dos
eltrons livres (responsveis pela conduo eltrica) igual a 1,2x10-3 m2V-1s-1. (a) Calcule o nmero de eltrons livres por cm3 de alumnio. (b) Calcule o nmero de eltrons livres por tomo de alumnio. Dados: Carga elementar do eltron = 1,6x10-19 C; Densidade do alumnio = 2,7 g/cm3; Nmero de Avogadro = 6,022x10 tomos/mol; Massa molar do alumnio = 26,98 g/mol.
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SOLUO

(a) A condutividade eltrica () de um metal se relaciona com a densidade de eltrons livres (n) por meio da equao = n |e| e , onde |e| a magnitude da carga elementar do eltron e e a mobilidade dos eltrons livres. Sabemos tambm que a condutividade eltrica e a resistividade eltrica ( ) so inversamente proporcionais ( = 1 / ). = 2,655x10-8 .m = 1 / 2,655x10-8 = 3,766x107 -1m-1. Substituindo os valores de , |e| e e na equao (1) obtemos (1)

n = 1,96x1029 eltrons/m3 = 1,96x1023 eltrons/cm3

(b) A densidade do alumnio nAl em nmero de tomos por centmetro cbico pode ser obtida por meio da relao

26,98 6,022x1023 = n Al 2,7

n Al = 6,03x10 tomos/ cm .
22 3

Assim, o nmero de eltrons livres por tomo de alumnio

n = 3, 25 n Al

2. O silcio o material mais utilizado para a fabricao de dispositivos semicondutores.

Ele um semicondutor

intrnseco, que tambm pode ser dopado, e os materiais dopados so semicondutores extrnsecos. Considerando o caso do silcio sem dopagem e os dados apresentados abaixo (referentes ao silcio no dopado a 20oC): (a) calcule o nmero de portadores de carga por cm3 do silcio; (b) calcule a razo entre a densidade de tomos de silcio e a densidade de tomos de silcio que contribuem para a conduo eltrica.

Dados: Condutividade do silcio = 4,3x10-4 1.m-1; Carga elementar do eltron = 1,6x10-19 C;

Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia Mobilidade dos eltrons livres = 0,14x10-3 m2V-1s-1; Mobilidade dos buracos eletrnicos = 0,04x10-3 m2V-1s-1; Densidade do silcio por cm3 = 4,997x1022 tomos/cm3.

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SOLUO

(a) A condutividade eltrica () de um semicondutor pode ser representada pela equao = n |e| e + p |e| b (1)

onde n e p so, respectivamente, o nmero de eltrons livres e de buracos eletrnicos por unidade de volume, |e| a magnitude da carga elementar do eltron e e e b so, respectivamente, a mobilidade dos eltrons livres e dos buracos eletrnicos. Para semicondutores intrnsecos n = p e da equao (1) resulta = n |e| (e + b) Substituindo na equao acima os valores numricos fornecidos obtemos

n = p = 1,5 x1019 portadores / m3 = 1,5x1013 portadores / cm3

(b) A razo entre a densidade de tomos de silcio e a densidade de tomos de silcio que contribuem para a conduo eltrica

4, 997 x1022 1, 5x1013

= 3, 3x109

ou seja, um em cada 3,3x109 tomos de silcio contribui para a condutividade eltrica com um eltron livre e um buraco eletrnico.

3. Em geral, a condutividade eltrica dos materiais metlicos decresce com o aumento da temperatura, enquanto a
condutividade dos semicondutores intrnsecos cresce com o aumento da temperatura. Justifique a diferena.

SOLUO

Nos materiais metlicos, medida que a temperatura aumenta, aumenta a probabilidade de espalhamento dos eltrons livres, o que leva a uma diminuio da mobilidade eletrnica (e). Por outro lado, pouco significativo o aumento do nmero de eltrons livres (n ) com o aumento da temperatura. Assim o comportamento da condutividade ( ) dos metais basicamente governado pelo comportamento de e e a condutividade ( = n |e| e) diminui com o aumento da temperatura. Nos materiais semicondutores intrnsecos, a mobilidade dos portadores de carga (e e b) tambm decresce medida que a temperatura aumenta, no entanto, o aumento no nmero de eltrons (nSC) que conseguem saltar da banda de valncia para a banda de conduo muito significativo. Desta forma, no cmputo geral, a condutividade [SC = nSC |e| (e + b)] dos semicondutores intrnsecos aumenta com o aumento da temperatura.

Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia

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Lista de Exerccios13

Propriedades Magnticas dos Materiais

1. Materiais ferromagnticos podem ser classificados como sendo magneticamente moles ou duros.
(a) Preencha a tabela abaixo, na qual so apresentadas caractersticas de materiais ferromagnticos, indicando quais correspondem a materiais magnticos moles e quais correspondem a materiais magnticos duros.

Caracterstica
Coercividade (Hc) elevada Pequeno gasto de energia para alterar magnetizao (pequena rea do ciclo de histerese) Alta permeabilidade magntica () no incio do ciclo de magnetizao Remanncia (Br) a mais elevada possvel

Duros

Moles

(b) Voc deve fazer a escolha de materiais magnticos moles ou duros para as trs aplicaes a seguir: (I) material para ncleo de transformador eltrico; (II) material para fabricao de agulha para uma bssola e (III) material para a fabricao da mdia de gravao magntica de um disco rgido. Faa a escolha e justifique-a.

SOLUO

(a) Observando as curvas de histerese (ou ciclos magnetizao-desmagnetizao) apresentadas abaixo e correspondentes a materiais magneticamente moles e duros, podemos preencher a tabela solicitada.

Duros
Coercividade (Hc) elevada Pequeno gasto de energia para alterar magnetizao (pequena rea do ciclo de histerese) Alta permeabilidade magntica () no incio do ciclo de magnetizao Remanncia possvel (Br) a mais elevada

Moles

(b) (I) Para ncleos de transformadores eltricos devemos utilizar materiais magneticamente moles (ao com 3,25% silcio e supermalloy: 79%Ni-16%Fe-5%Mo) para minimizar as perdas energticas durante as reverses da induo magntica. "Mole" significa fcil de ser magnetizado e desmagnetizado ou, equivalentemente, significa que as perdas energticas por ciclo de histerese so pequenas.

Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia PMT 2100 (II) A agulha de uma bssola deve permanecer magnetizada para ser sensvel ao campo magntico terrestre.
Assim, ela deve ser fabricada com materiais magneticamente duros (SmCo5, Sm2Co17, NdFeB e ferritas cermicas). "Duro" significa que o material permanece magnetizado, ou seja, que ele um m permanente. (III) Mdias de gravao magntica de discos rgidos so fabricadas com materiais magneticamente duros (CoCrPt, CoCrPtTa, CoCrPtB) para maximizar a fidedignidade da informao gravada e tambm para maximizar a intensidade do sinal dos dados fornecido ao cebeote de leitura. Note-se, no entanto, que o material deve ser mole o suficiente para permitir que cabeote de escrita seja capaz de gravar na mdia os dados requeridos.

2. O que so domnios magnticos? Porque as paredes de domnio se movem?

SOLUO

Um domnio magntico uma regio volumtrica de um material ferromagntico onde todos os momentos magnticos atmicos esto alinhados (mesma direo e sentido). Num domnio magntico a magnetizao

possui seu valor de saturao. Num slido, os diversos domnios possuem magnetizaes de saturao

diferentes tanto em magnitude como em direo, desta forma, a magnetizao total de um material

ferromagntico pode ser muito pequena ou mesmo nula. A fronteira entre domnios vizinhos, a parede de domnio, uma regio de transio, com espessura da ordem de 100 nm, dentro da qual a magnetizao muda gradualmente. Note que, a magnetizao de saturao de um material atingida quando todos os domnios do material esto alinhados devido aplicao de um campo magntico externo suficientemente intenso para mover as paredes de domnio.