Universit Catholique de Louvain Facult des Sciences Appliques Anne acadmique 2001-2002

ELEC 2550 :

LELECTRONIQUE ORGANIQUE

Gwnalle DE KEYSER (Matr 23) Benoit OLBRECHTS (Elec 22) Valrie WILMART (Elme 23) 1

Professeur : V. BAYOT

Table de matire

TABLE DE MATIRE INTRODUCTION : PREMIRE PARTIE : PHNOMNES DE CONDUCTION

I. Molcules conjugues II. Caractre semi-conducteur III. Transport de charges IV. Mobilit

2 3 4
4 6 8 11

SECONDE PARTIE : LES DIODES LECTROLUMINESCENTES ORGANIQUES 12

I. Description des diodes lectroluminescentes organiques : II. Mcanismes internes : 2.1. Injection de charges : 2.2 Transport de charges 2.3. Electroluminescence : III. Conclusion 12 15 15 25 27 29

TROISIME PARTIE : ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS (OTFT)

I. II. III. IV. V. Description gnrale Mcanismes de conduction Procds de fabrication Optimisation des performances Conclusion

30
30 33 38 38 43

QUATRIME PARTIE : LES CRANS PLASTIQUES

I. Principe II. Ecrans couleurs

44
44 45

CONCLUSION BIBLIOGRAPHIE

47 48

Introduction :
Il y a une quarantaine dannes, l'industrie des semi-conducteurs s'est dveloppe autour de matriaux tels que le Si et le GaAS. Cependant, depuis quelques annes, cette mme industrie s'intresse d'autres matriaux: ''les polymres''. En effet, ct des isolants et des photorsines, il existe une catgorie de matriaux organiques moins connue : les polymres conducteurs. De nombreuses perspectives dapplications font de l lectronique organique un champ de recherche majeur.1 Bien que l'engouement du secteur microlectronique envers ces nouveaux matriaux soit principalement conomique, on peut les considrer comme des alternatives aux matriaux classiques pour d'autres raisons. L avantage majeur est la facilit de fabrication. En effet ct de la technique classique dvaporation sous vide, il existe aujourd'hui des polymres solubles, ce qui rend le spin coating (dposition par tournette) possible pour l'application de telles couches. Dans ce domaine en pleine expansion, toujours dans loptique de faciliter la dposition de la couche polymre, dautres techniques sont ltude telles que link jet printing, par analogie limpression jets dencre, ou encore le stamping, qui consiste appliquer le polymre sur le substrat par contact ou pression (de la mme faon quune impression sur T-shirt). Des caractristiques telles que leurs tenues mcaniques, leur structure flexible... les rendent galement intressants dautres points de vues. Outre les produits tels que diodes et transistors organiques ( respectivement OLEDs et OTFTs), dj disponibles sur le march, beaucoup dautres applications sont ltude : crans couleurs flexibles enroulables sur une feuille de plastique, cellules photovoltaques, lasers, biocapteurs, capteurs de gaz, puces tout plastiques Le prsent article sintresse aux crans plastiques. Ceux-ci illustrent en effet la possibilit de crer un ensemble o tous les composants, quil sagisse de diodes ou de transistors, sont organiques. De plus, lappellation lectronique organique recouvre deux types de composants : ceux base de petites molcules et ceux base de polymres. La diffrence entre ces matriaux se situe aux niveau de la taille de la molcule. Un polymre est une macromolcule dont la structure se rpte rgulirement en de longues chanes constitues dentits lmentaires (les monomres). Tandis que les petites molcules ne sont composes que de quelques monomres. Dans une volont de clart, le chapitre consacr aux OLEDs se basera uniquement sur lexemple du polymre poly-phnyl vnylne(PPV) tandis que le chapitre consacr aux OTFTs sera illustr par les petites molcules Pentacne et Sexithiophne. Les crans plastiques permettent donc dintroduire les principes fondamentaux de llectronique organique et de fournir une comprhension gnrale de ce nouveau domaine, o les phnomnes physiques conducteurs sont loin des notions habituelles. Trois axes se dgagent de ce travail : tout dabord, les phnomnes de conduction dans les molcules organiques seront exposs, ensuite les principes de fonctionnement des diodes et des transistors organiques seront dtaills. Enfin, en guise de conclusion, le dernier chapitre mettra en vidence la combinaison possible de ces deux composants pour former un cran.

, Les enjeux de llctronique organique, http://www.research.ibm.com/journal

Premire partie : Phnomnes de conduction I. Molcules conjugues

Les polymres (ou petites molcules) semi-conducteurs sont des polymres conjugus . Ils alternent les liaisons carbones simples et doubles. Comme il sera dtaill par la suite, celles-ci sont dlocalises, ce qui permet le transport de charges travers la molcule.

Figure 1: exemple de polymre conducteur, le PPV(poly-phnyl vnylne)

Les liaisons carbone-carbone, dites covalentes, lient deux atomes identiques et rsultent en un un partage des lectrons priphriques qui se dplacent alors sur des orbitales molculaires communes aux deux atomes. Ces liaisons molculaires sobtiennent par superposition des orbitales atomiques.2 Ainsi, dans latome de carbone, les quatre lectrons de valence se rpartissent entre lorbitale 2s et les trois orbitales 2p (p x , p y , p z ). Une liaison carbone-carbone nat de la superposition dune des trois orbitales atomiques hybrides sp2 de chaque carbone. Quant aux orbitales p z des deux carbones, qui pointent perpendiculairement aux autres orbitales hybrides sp_, elles se chevauchent pour former une liaison dlocalise le long de la chane (Figure 2). Il nexiste en effet aucun moyen de reprsenter correctement la molcule. Diffrentes reprsentations sont quivalentes et sont appeles structures de rsonance. Les structures de rsonances sont interconvertibles uniquement par dplacement de paires lectroniques de type ou n (paires libres, cest-dire libre) appeles paires dlectrons mobiles. Cest cette dlocalisation dlectrons mobiles qui permet le transfert de charges dans la molcule.

J.P. Mercier, P. Godard, Chimie organiques: une initiation, 1995, Presses polytechniques et universitaires romandes, Lausanne.

Figure 2: structure de la liaison C=C3

J.P. Mercier, P. Godard, Chimie organiques: une initiation, 1995, Presses polytechniques et universitaires romandes, Lausanne.

II. Caractre semi-conducteur4

Lorsque deux orbitales atomiques sassocient, elles donnent naissance une orbitale molculaire. Celle-ci peut avoir deux niveaux dnergie. Dans le cas de la liaison , la plus basse nergie est dite liante, formant la bande de valence : HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital), alors que la plus haute * est dite anti-liante, formant la bande de conduction : LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital). Ce bandgap confre le caractre semi-conducteur. Afin de fonctionner comme semi-conducteur5 : La liaison _ doit tre forte afin de maintenir la molcule intacte mme en cas de prsence d'un lectron ou d'un trou dans la liaison (tat excit). En effet, un tat excit affaibli le lien et la molcule se scinderait sans la prsence de la liaison . De plus, les orbitales de molcules voisines doivent se chevaucher afin de permettre le dplacement des lectrons et des trous entre les molcules. La bande interdite des polymres conjugus est gnralement assez large : de lordre de 2,7 eV, par exemple, pour le PPV. Ces matriaux sont donc isolants naturellement. Cependant, un polymre peut devenir conducteur grce lintroduction de charges : Par dopage, ce qui se produit grce une raction doxydation (p-type) ou (plus rare) de rduction (n-type). Prenons le cas du dopage de type p (plus courant), loxygne vient pomper un lectron sur la chane ; ce qui donne naissance une charge positive couple un lectron non-pair. Par injection via un champ lectrique entre deux lectrodes lorsque la bande de conduction du mtal est suffisamment proche de celle du polymre pour permettre le passage des lectrons (des trous dans le cas de la bande de valence).

Figure 3: Dfauts chargs sur PPV

Lapparition de ces charges supplmentaires casse la structure rptitive de la molcule et introduit localement une dformation du rseau.

B.R. Saunders, Recent advances in the physical and spectroscopic properties of polypyrrole films, particulary those containing transition-metal complexes as counteranions, Chem. Mater, 1995, 7, 1082-1094.
5

R.Friend, , Polymer diodes, Physics world june1999, http://www.cdtltd.co.uk

Le processus de dformation est le suivant. Les molcules cycles (le plus souvent rencontres), possdent deux structures de rsonances : la forme aromatique et la forme quinolique. Celles-ci ne sont pas quivalentes au point de vue nergtique : la forme aromatique est la plus stable. Dans le cas du PPV, par exemple, la forme quinolique a une nergie suprieure de 0.4 eV par monomre. Les molcules ont donc naturellement la forme aromatique. Lors de la polarisation, la structure va cependant se dformer pour passer la forme quinolique, pourtant plus nergtique, car cette forme possde un potentiel dionisation infrieur qui facilite la polarisation. Ltendue de la dformation rsulte dun quilibre entre : le gain dnergie d au potentiel dionisation plus faible et lnergie supplmentaire que demande chaque monomre quinolique de plus dans le segment dform. La dformation est gnralement limite 3-4 monomres.

Figure 4

Linteraction charge-dformation est appele Polaron. Celui-ci est une entit localise d ltendue spatiale limite de la dformation. L'cart nergtique entre la forme initiale et la forme charge plus nergtique correspond au gain d'nergie du systme lectronique pidlocalis. Un polaron correspond donc lintroduction d'un tat lectronique localis l'intrieur de la bande interdite. Llectron non-pair vient occuper le niveau le plus bas ce qui confre au polaron un spin demi-entier (S=1/2). Pour rappel, le spin de llectron correspond la rotation de llectron sur lui-mme, ce qui engendre galement un moment magntique. La valeur du spin peu prendre deux valeurs dtermines +1/2 ou-1/2 qui sont associes au moment cintique de llectron. 6

J.P. Mercier, , Introduction la science des matriaux, presses polytechniques et universitaires romandes, 1999 lausanne.

Lors de lintroduction dune seconde charge, deux situations peuvent se prsenter: Un polaron supplmentaire peut natre sur un autre segment Le polaron dj prsent peut tre ioniser (via lextraction de son lectron non-pair) pour former un bipolaron . Dans ce dernier cas , S=0, il ny a aucun lectron sur le niveau bas. Laugmentation du nombre de bipolarons provoque le recouvrement des niveaux dnergie intrmdiaires et la cration de bandes de bipolarons.

Figure 57: (a) polymre isolant; (b) et (c) polaron et bipolaron respectivement; (d) recouvrement des niveaux bipolaroniques et formation de bandes.

III. Transport de charges

3.1 Hopping entre tats localiss

Pour rappel, les lectrons de la bande de conduction des mtaux et des semi-conducteurs bougent comme des lectrons libres travers des tats dlocaliss. Le transport de charges y est limit par les vibrations du rseau qui augmentent avec la temprature et qui provoquent la diffusion des porteurs. Ce modle ne peut tre appliqu au cas des semi-conducteurs organiques pour lesquels les polarons sont localiss. Le transport de charges dun site lautre seffectue en fait par effet tunnel : il y a saut (hopping) entre tats localiss. Entre ces tats localiss, leffet tunnel est accentu par la prsence de vibrations de rseau : les phonons (quanta d nergie thermique). La quantit de ces vibrations de rseau augmentent avec la temprature. Le hopping, contrairement au transport par bandes, est donc favoris par la prsence de phonons.

B.R. Saunders, Recent advances in the physical and spectroscopic properties of polypyrrole films, particulary those containing transition-metal complexes as counteranions, Chem. Mater, 1995, 7, 1082-1094.

La probabilit de saut entre un site i et j peut tre formule de la sorte8 :

ij = 0 f ( Ei ) exp(

Ei E j kT

) exp(

2 Rij a

0 est une constante reprsentant le couplage charge-phonon et la densit dtats des phonons f est la fonction de Fermi Rij est la distance entre les sites Ei, Ej sont les nergies des sites i et j A est la taille de ltat localis 3.2. Modle alternatif

Le modle du hopping prdit une augmentation de la mobilit avec la temprature, ce qui est confirm pour la plupart des molcules. Le saut dun site lautre est donc assist par la prsence de vibration de rseau. Par contre, dans le cas de petites molcules mono-cristallines comme le pentacne ou le sextitiophne, des observations viennent contredire ce modle. Pour rappel, la mono-cristallinit est caractrise par des molcules rparties de manire priodique, par opposition la polycristallinit qui se dfinit par zones cristallines (grains) orientes diffremment. A basses tempratures, des mobilits de lordre de 103 cm2/Vs ont t observes.

Figure 6: Mobilit des trous dans le cas de mono-cristaux en fonction de la temprature.

A. Miller, E. Abrahams, Phy. Rev., 1960, 120, 745.

Lanalyse des observations montre qu mesure que la temprature diminue, la mobilit augmente suivant la loi :

T n

(n=1.5-2.7).

Cette similitude avec la thorie classique indiquerait un transport par bandes dans des tats dlocaliss. En poussant les observations plus loin, un changement de comportement se produit au del de la temprature ambiante qui rinstaure le modle du hopping. La mobilit augmente, ds lors, avec la temprature. Schn9 explique le passage dun modle lautre. A basse temprature, linteraction entre un lectron et le rseau imparfait peut tre assimile une collision. Llectron change alors de direction et perd de lnergie : cest la diffusion des porteurs. A mesure que T augmente, les vibrations deviennent plus importantes et le libre parcours moyen de llectron diminue. A la limite entre les deux modles, le libre parcours moyen devient trop petit pour que lon puisse encore qualifier le parcours de llectron de libre . Celui-ci ne se dplace plus dans des tats dlocaliss, il est localis. A haute temprature, les phonons facilitent le hopping entre tats localiss. Linfluence de la temprature sinverse donc entre les deux modles.

Figure 7: Mobilit en fonction de l'nergie thermique (KbT) et de la largeur de bande (W), qui diminue avec la diffusion des porteurs.

Dans le cadre des tudes sur les OTFTs, les chercheurs ont t amens dvelopper un autre modle cohrent avec les mesures exprimentales et qui reprend les deux tendances : le multiple trapping and thermal release. Celui-ci sera abord plus en dtails dans le chapitre consacr aux OTFTs.

J.H. Schn, High mobilities in organic semiconductors: basic science and technology, Synthetic metals 122 (2001) 157-160.

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IV. Mobilit
La mobilit est un point faible majeur de llectronique organique. Le PPV (polymre) par exemple a une mobilit de l'ordre de 10 4 cm 2 V -1 s 1 et le pentacne (petite molcule) exhibe une mobilit suprieure : 1.5 cm 2 V -1 s 1 . Cette dernire est quivalente celle du Silicium amorphe mais reste loin des performances du polysilicium 50 100cm 2 V -1 s 1 ou du silicium cristallin 300 900cm 2 V -1 s 1 .10

Figure 8: Performances des semi-conducteurs organiques (8)

Cest le saut entre chanes qui est en majorit responsable des faibles mobilits observes. Les liaisons intermolculaires sont plus faibles (principalement dues aux forces de Van-derWaals) et plus longues qu lintrieur des molcules. Hors, ces deux facteurs influencent de faon nfaste le hopping. Cest pourquoi, de part leurs structures mono-cristallines, les composants en petites molcules peuvent atteindre des mobilits jusqu deux ordres de grandeur suprieurs par rapport aux polymres. Quant ces derniers, ils ne sont malheureusement jamais tout fait ltat cristallin : ce sont des mlanges de zones cristallines et amorphes.

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J.M Shaw, P.F. Seidler, Organic electronics: introduction, IBM R&D Vol. 45 Janvier 2001, http:// www.research.ibm.com/journal

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Seconde partie : les diodes lectroluminescentes organiques I. Description des diodes lectroluminescentes organiques :
Les phnomnes de conductions qui prennent place dans les matriaux organiques sont utiliss pour la mise au point dcrans plats lectroluminescents. Ces crans, promis un bel avenir, font appel une technologie de pointe qui se dveloppe depuis juste 10 ans. Il sagit des diodes lectroluminescentes organiques. Ces composants utilisent certains matriaux capables dmettre de la lumire lors du passage dun courant lectrique (matriaux lectroluminescents). On peut distinguer deux catgories de diodes lectroluminescentes organiques bases sur le mme principe mais dont la surface mettrice est de nature diffrente : les OLEDs et les PLEDs. 1.1 OLEDs :

Une cellule OLED basique consiste le plus souvent en une pile de deux couches organiques fines, composes de petites molcules, prises en sandwich entre une anode transparente et une cathode mtallique. Description : Le substrat transparent (verre ou plastique) est dabord recouvert de lanode en ITO ( IndiumTin-Oxyde ), matriau la fois transparent et conducteur. Ensuite, les deux couches organiques dont lune est en aluminium quinolate (Alq3) et lautre en NPB (NNdinaphtalne-1-yl-N-Ndiphenyl benzidine), servant respectivement au transport des lectrons et des trous, sont dposes. Aprs, la cathode mtallique (alliage lithium-aluminium ou calcium) est vapore sur le dessus. Enfin une couche protectrice vient fermer le tout pour viter toute contamination du milieu par des molcules de H2O ou de O2 . Lpaisseur totale des couches organiques est de lordre de 100 nm et celle des lectrodes est de 200 nm. Ceci est illustr sur la figure ci-dessous :

Figure 2.1 : illustration dune OLED11

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Figure tire du site web : www.ens-lyon.fr/~belena/biblio_4.html

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Fonctionnement : Sous linfluence du champ lectrique appliqu aux bornes de la diode, les lectrodes injectent des charges qui migrent ensuite de chane en chane jusqu la jonction des deux rgions o se forme une zone de dpltion. Les charges de signes opposs sont bloques linterface entre les deux couches organiques, attendant de rencontrer le partenaire de signe oppos. Le principe de ces crans est alors d'utiliser le phnomne de recombinaison charge ngative (lectrons) charge positive (trous) pour produire une nergie lectromagntique dont la longueur donde est directement relie largeur de la bande interdite de la couche o se produit lmission de lumire. En effet, lorsque deux radicaux (un anion (charge ngative) et un cation (charge positive)) se recombinent sur un mme fragment de chane conjugue, il y a formation d'un tat excit. Celui-ci est dit singulet si les spins des deux lectrons clibataires sont antiparallles et triplet s'ils sont parallles. On parle d'"exciton" singulet ou triplet. Seul l'exciton singulet peut se dsexciter de manire radiative.

Singulets

Triplets

Il est donc clair que seule la recombinaison des singulets est efficace pour lmission de lumire. Des recherches sont intensivement menes pour amliorer le taux de singulets mis qui, en moyenne, se situe aux environs des 25% (un singulet obtenu pour quatre paires dlectrons trous injects). Caractristiques : Les couches organiques des OLEDs sont labores partir de petites molcules organiques dposes en couches minces avec un contrle trs prcis de lpaisseur. Les films minces ainsi obtenus sont trs organiss, favorisant ds lors les transferts et la mobilit des charges. Mais ces couches minces autorisant des tensions de fonctionnement entre 5-10 V sont trs sensibles aux imperfections qui peuvent apparatre dans les couches ou aux impurets qui contaminent le substrat. Le matriau tend tre mcaniquement fragile et rsiste faiblement aux attaques chimiques de la photolithographie. Ainsi, les OLEDs ne sont pas compatibles avec des techniques de lithographie classique par voie humide. Il faut ds lors dposer les petites molcules par vaporation sous vide.

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1.2

PLEDs Description :

Les PLEDs se diffrentient des OLEDs par la nature des couches organiques qui dans ce cas sont constitues de polymres (le plus souvent du polyphnylne vinylne (PPV)) et non plus de petites molcules.

Les PLEDs peuvent avoir des structures similaires celles des composants molculaires organiques mais aussi plus simples. Parfois, une seule couche est utilise pour linjection de trous et dlectrons, la conduction et lmission de lumire. Comparaison OLED PLED : Les composants LEDs polymres fonctionnent de la mme manire que les OLEDs mais pour des tensions de 2 5V, infrieures celles des composants molculaires. Au lieu dun dpt sous vide, les polymres sont dposs par centrifugation sur lITO suivi de lvaporation du solvant par chauffage. Ces mthodes de chimie par voie humide prsentent un fort potentiel pour une fabrication faible cot, bien que la cathode mtallique soit toujours dposes par vaporation sous vide. Pour les structures multicouches, il faut sassurer que les solvants utiliss pour la seconde couche naltre pas la premire. Malheureusement, les PLEDs prsentent un grand dsavantage par rapport ces derniers : le contrle de la composition du film et de luniformit de son paisseur est plus difficile. Les PLEDs prsentent ds lors une mobilit plus faible. Lpaisseur de ses couches organiques est souvent suprieure (quelques microns) celle de la couche organique des OLEDs ( 1 m). Malgr leur faible mobilit, les PLEDs, meilleurs marchs, sont tout de mme utilises plus grande chelle dans les diodes lectroluminescentes. Le reste de ce chapitre sera alors consacr ltude des diodes lectroluminescentes base de polymres.

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II. Mcanismes internes :

La comprhension des mcanismes physiques impliqus est vraiment, pour le moment, au cur de lactivit de nombreux centres de recherches. La dispersion des rsultats montre quil nexiste aucun modle unique pour dcrire les caractristiques lectriques des LEDs organiques. En effet, les proprits et performances des diverses diodes sont diffrentes et dpendent de : la nature de la couche organique active, des lectrodes et leurs niveaux de Fermi, de la structure de la diode (uni, bi ou multi couches), des mthodes de mise en uvre.

Les paramtres fondamentaux caractrisant la couche active sont : les positions des niveaux dnergie, la nature des interfaces, la bande interdite et sa morphologie, la mobilit des porteurs, la concentration dimpurets. Les deux premiers facteurs influencent linjection des porteurs alors que les trois derniers dterminent les proprits de transport des charges injectes. Mais, il ne faut pas oublier que tous ces paramtres sont dpendants les uns des autres. Par exemple, la mobilit dpend grandement de la concentration en impurets. Pour amliorer les performances des diodes lectroluminescentes, il est ncessaire de comprendre les mcanismes dinjection et de transport de charges ainsi que de matriser les phnomnes de recombinaison radiative en singulets.

2.1.

Injection de charges :

Avant daborder directement les mcanismes lis linjection de charge, il faut dabord expliquer certaines phnomnes internes qui se produisent au sein de la diode. A. Introduction : a) Interface mtal - polymre : Il est intressant de rappeler que les mtaux et les polymres, en absence de contact, ont une nergie relative dtermine, pour les premiers, par la fonction de travail (diffrence nergtique entre le niveau de Fermi et le vide ) et pour les seconds, par llectroaffinit et le potentiel dionisation. Selon la concentration de dfauts et donc du dopage du polymre, les PLEDs peuvent tre dcrits comme des dispositifs Mtal Semi-conducteur Mtal (MSM) ou Mtal Isolant Mtal (MIM). Linterface entre le mtal et le semi-conducteur est diffrent dans des dispositifs dops ou non dops.

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Dans des dispositifs polymre dop (MSM) : Les polymres conjugus dops (avec des atomes, molcules ou sels) qui prsentent une grande concentration de porteurs peuvent tre dcrits comme des semi-conducteurs de type p. Le systme lectrode (mtal) polymre dop est comparable une jonction de Schottky entre un mtal et un semi-conducteur classique. Dans de tels dispositifs lquilibre, lorsque le semi-conducteur est connect un mtal, les porteurs de charge (ici de type p ) diffusent sous leffet dune force de diffusion (due la diffrence entre le potentiel dionisation du semi-conducteur et la fonction de travail du mtal) drivant dun certains potentiel de diffusion. En effet, un change de trous va se faire au dtriment du semi-conducteur. A chaque fois qu'un trou de la bande de conduction du semiconducteur passe dans le mtal, il en rsulte une charge ngative l'interface. Le potentiel du semi-conducteur va donc diminuer au voisinage du contact, tandis que le mtal se chargera positivement. A une grande distance dinterface, le semi-conducteur n'est pas altr par ce qui se passe au niveau du contact. Cela revient dire que dans une zone finie, le niveau du bas de la bande de conduction (et du haut de la bande de valence) s'incurve partant du niveau Ec pour atteindre le niveau de Fermi du mtal. Dans tout ce domaine il y aura un appauvrissement en trous entranant la cration dune zone de dpltion. Comme la concentration en trous est une fonction croissante de x, un champ lectrique drivant dun potentiel de contact se cre simultanment dans la jonction. Le processus de migration des trous se poursuit jusqu le potentiel de diffusion soit quilibr par le potentiel de contact. Ce processus prend place aux deux extrmits du polymre.

Figure 2.2 : Jonction mtal-semiconducteur-mtal12

Plus le polymre est dop, plus ce dernier prsentera une jonction abrupte au contact du mtal et une zone de dpltion troite. Inversement, si un polymre est trs faiblement dop, la dpltion se fera sur une grande distance et la courbure peut devenir presque imperceptible. Lutilisation de polymres dops dans la couche active permet damliorer drastiquement la conductivit en augmentant le nombre de porteurs.

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Semiconducting Polymers, G. Hadziioannou and P.F. van Huten, Wiley-VCH, Weinheim, 2000

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Malheureusement, le processus dlectroluminescence est dfavoris suite la prsence de dopants qui introduisent des niveaux lectroniques au cur de la bande interdite. En effet, la prsence de sites extrinsques dans la bande interdite empchent lexciton de passer directement du niveau excit au niveau fondamental en mettant une lumire dont la longueur donde correspondrait lnergie de la bande interdite. Or, pour mettre une lumire dans le visible, les polymres doivent prsenter des bandes interdites dont la largeur est suprieure 2 eV. Cest pourquoi rcemment, des systmes non dops ont t dvelopps. Dans des dispositifs polymre non-dop : Un polymre, non dop et faible concentration de dfauts intrinsques, compris entre deux lectrodes, peut tre dcrit comme une structure MIM. On se retrouve dans la situation extrme du cas faiblement dop de ci-dessus. En raison du manque de charges au sein dun polymre non dop, la zone de charges despace et le champ lectrique en rsultant, qui entranaient la courbure des bandes dnergie dans un polymre dop, ne peuvent pas se produire. Ce sont ds lors les conditions de bandes rigides qui sont postules.

Vide

ITO
Ef Mtal 1

Ec

Ca
Ef Mtal 2 Ev

Vide

+ + +

Avant contact

Aprs contact : Vapp = 0

Lorsque le dispositif est mis ensemble, les deux mtaux avec des niveaux de Fermi diffrents sont en contact. Il existe alors un potentiel de diffusion d la diffrence de leurs fonctions de travail (ITO = 4.8 eV et Ca = 2.8 eV) qui entrane la migration des lectrons du mtal 2 vers le mtal 1. Par ce mouvement de diffusion des lectrons, la rgion de surface du premier mtal se charge ngativement et celle du second mtal positivement. Il se cre simultanment un champ lectrique (de contact) dans le polymre sopposant au transfert dlectrons par diffusion. La migration des lectrons se produit jusqu ce que le potentiel de diffusion soit contrebalanc par le potentiel drivant du champ lectrique de contact ; ce qui revient dire que les niveaux de Fermi sgalisent. En accord avec la loi de Poisson illustre ci-dessous, le potentiel dans le polymre volue de manire linaire en absence de charge :

avec , la densit de charge.

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b) Potentiel interne (Vbi ): Ce potentiel de contact (Vbi ), rsultant de la diffrence significative entre les fonctions de travail, est responsable dun seuil de potentiel quil faut appliquer pour que le passage du courant et de lmission de lumire soient possibles. Ceci est illustr sur la figure suivante :

Figure 2.3 :Caractristique I-V dune diode lectroluminescente organique13

Vbi est gal, si le transfert de charges entre le mtal et les niveaux lectroniques intrinsques ou extrinsques du polymre est ngligeable, la diffrence entre les fonctions de travail des lectrodes: Vbi = W2 - W1 avec W1 , W2 : les fonctions de travail de lanode et la cathode. Ce seuil rsulte de la prsence de ce champ interne qui modifie considrablement les caractristiques oprationnelles de la diode. En effet, pour une polarisation dans le sens direct infrieure au Vbi , le champ lectrique prsent au sein du polymre soppose au passage du courant. Il faut appliquer un tension suprieure ce Vbi pour favoriser le transfert des charges ainsi que le passage des lectrons dans la bande de conduction et le passage des trous dans la bande de valence (voir mcanismes dinjection de charges au point suivant ). La figure ci-dessous reprsente le diagramme dnergie des lectrons dans une structure mtal polymre mtal : anode

--+ + cathode + + Vapp = - Vbi

+++

Aprs contact : Vapp = 0

13

Vapp > - Vbi

Semiconducting Polymers, G. Hadziioannou and P.F. van Huten, Wiley-VCH, Weinheim, 2000

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Une accumulation de charges aux interfaces, la formation dun diple linterface ou une raction chimique peuvent modifier le champ interne de telle sorte quil ne soit plus gal la diffrence des fonctions de travail. Mais, quoiquil arrive, lorsque les fonctions de travail sont diffrentes, un certain potentiel interne subsiste. c) Barrire de potentiel linjection : Le modle idal de Schottky qui sapplique dans le cas dabsence dinteractions entre le polymre et llectrode en contact dcrit une barrire nergtique linjection dlectrons (trous) linterface lectrode polymre gale e (t) = | Ec (v) - W | avec Ev, le potentiel dionisation (nergie requise pour extraire un lectron du niveau HOMO) Ec, llectoaffinit (nergie gagne pour accepter un lectron du niveau LUMO), W, la fonction de travail des lectrodes.

Figure 2.4 : Barrires de Schottky aux interfaces14

Ce modle idal de Schottky correspond parfaitement aux rsultats trouvs pour les diodes utilisant du PPV non dop comme couche active. Cette barrire Schottky de potentiel aux interfaces dtermine les proprits de linjection de charges au sein du polymre.

14

Electroluminescence in conjugated polymers, R. H. Friend et al, Nature, Vol 397, 14 january 1999.

19

Il est maintenant intressant de souligner que les diodes lectroluminescentes organiques se diffrencient de leur homologue minral par les matriaux utiliss mais surtout par leurs principes oprationnels. Les proprits lectroluminescentes des LEDs inorganiques sont due la jonction de deux semi-conducteurs minraux dops diffremment, lun de type p et lautre de type n. En contraste, les PLEDs qui utilisent des polymres non dops et isolants prsentent des proprits lectroluminescentes dues lutilisation dlectrodes asymtriques : une capable dmettre que des trous et lautre que des lectrons ; ceci en raison de leurs fonctions de travail respectives. La suite de ce chapitre traitera des phnomnes physiques se produisant dans une diode lectroluminescente base sur un polymre (le PPV) non dop.

B. Mcanismes dinjection des porteurs de charge : Suivant la nature de la jonction polymre mtal et la hauteur de la barrire de potentiel linterface, divers mcanismes sont responsables de linjection de charges au sein du polymre. a) Emission thermoonique : Lnergie cintique des porteurs de charge dans un solide augmente avec la temprature de telle sorte que la probabilit pour un porteur de franchir la barrire de potentiel augmente aussi avec la temprature. Le courant induit thermiquement par une lectrode mtallique peut tre exprim par lquation de Richardson :

jth = A*T 2e
avec

q kT

, la barrire de potentiel, q, la charge du porteur, T, la temprature absolue, A, la constante de Richardson, dpendant du matriau

Cette quation considre que les porteurs sont attirs hors de llectrode par la prsence du champ lectrique. Le schma ci-dessous illustre le saut que la charge doit effectuer.
Vide

LUMO _ITO Ef _E ITO

+

HOMO

PPV

Figure 2.5 : Injection par mission thermoonique

20

b) Injection par effet tunnel : A basse temprature mais en prsence dun champ lectrique lev, les porteurs peuvent franchir des barrires de potentiel. La hauteur de la barrire est gale lnergie ( ou travail de sortie) quil faut fournir aux lectrons (trous) pour quils parviennent au niveau LUMO (HOMO) du semi-conducteur et soient extraits du mtal. Toutefois, cette vision classique est insuffisante, et dun point de vue quantique, un lectron peut avoir une nergie totale infrieure son nergie potentielle dans certaines rgions de lespace. Cela se traduit par une certaine probabilit de prsence dans des rgions classiquement interdites. En labsence de champ, la barrire que doivent franchir les lectrons est de largeur infinie, et, selon la thorie quantique, la probabilit de leur prsence de lautre cot est nulle (figure 2.6).

ITO

LUMO

Vide Ca

Ef
Mtal 1

++

Ef Mtal 2
HOMO

PPV

Figure 2.6 : En labsence de champ lectrique.

Lorsquune diffrence de potentiel est applique (suprieur VBI ), la barrire vue par les lectrons se dforme et devient triangulaire (figure 2.7). La vision quantique autorise alors le franchissement de cette barrire, ce qui provoque larrachement des lectrons au mtal sans apport dnergie. La probabilit de prsence des lectrons de lautre cot de la barrire conduit un courant qui est une fonction trs croissante du champ lectrique. En effet, plus le potentiel appliqu est lev, plus le triangle traverser sera petit et plus linjection de charge sera facilite.
Vide

ITO

LUMO ___

_Ca

Ef

Mtal 2 Ef+ +
Mtal 1
HOMO

PPV Figure 2.7 : Barrire triangulaire avec champ 21

Ce mcanisme, appel effet tunnel, dpend fortement de la hauteur et de la largeur de la barrire de potentiel. La densit de courant en rsultant est alors exprim selon lquation de Fowler-Nordheim :
qE 2 )e j fn = A*T *( b akT
2

2 k b 2 / 3 3qE

avec E, le champ lectrique ; k, le paramtre dpendant de la forme de la barrire ; A, la constante intrinsque du matriau ; b , la hauteur de la barrire. Lmission thermoonique et leffet tunnel participent tous les deux linjection des charges au sein du polymre. La temprature et la tension applique sont deux paramtres dterminants : - Une temprature leve favorise lmission thermoonique, - Une diffrence de potentiel leve rduit la distance traverser par effet tunnel. Les valeurs du courant obtenues en utilisant lquation de Fowler-Nordheim sont largement suprieures (plusieurs ordres de grandeur) celles mesures rellement dans le systme. Pour pouvoir justifier ces caractristiques sur les courbes I/V, il faut ds lors tenir compte des mcanismes de transport de charges dans les couches organiques. Mais avant daborder le transport de charges au sein des couches de polymre, le point suivant clturera la partie relative linjection de charges.

C. Optimisation de linjection de charges Choix des lectrodes : Le choix dlectrodes possdant des fonctions de travail adaptes aux positions des bandes de valence et de conduction du polymre est crucial.

Figure 2.8 : Choix des lectrodes15

15

Figure tire du site web : www.ens-lyon.fr/~belena/biblio_4.html

22

Lanode, injectrice de trous, doit prsenter une fonction de travail proche de lnergie du sommet de la bande de valence (niveau HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital), correspondant au potentiel dionisation. En effet, il est important de minimiser la barrire nergtique, ce qui facilite ainsi linjection de trous. Cette barrire est directement lie la tension quil est ncessaire dappliquer aux bornes de la diode pour permettre son fonctionnement. Toutefois, linjection spontane de trous (lectrons) entranerait un fonctionnement anarchique de la diode et doit tre alors vite. Pour ce faire, le potentiel de lanode (cathode) doit toujours rester suprieur (infrieur) au niveau du sommet de la bande de valence. Le greffage de petites molcules ou doligomres la surface de lITO permet damliorer linjection de trous et de diminuer le voltage ncessaire au fonctionnement. Il a t suggr que le diple introduit par la fonction chimique assurant le greffage cre un champ supplmentaire linterface favorisant linjection. 16 Des substituants peuvent tre ajouts sur le squelette aromatique du polymre et peuvent modifier, en fonction de leur nature, la position des bandes de valence et de conduction, ainsi que la largeur de la bande interdite et peut donc accrotre lefficacit de linjection des lectrons dans la bande de conduction.

Figure 2.10 : Prsence de substituants17

16 17

Polymres conjugus et lectroluminescence, B. Franois, Lactualit chimique, juin 1999 Figure tire du site web : www.ens-lyon.fr/~belena/biblio_4.html

23

Structure bicouche : Dans une structure couche organique simple, bien que les niveaux dnergie de la cathode et de lanode soient dj bien ajusts aux niveaux molculaires de la couche organique, une structure bi-couches permet dobtenir un meilleur quilibre en optimisant les niveaux dnergie entre lanode et la couche conductrice des trous et entre la cathode et la couche de transport des lectrons. Linjection des porteurs et leur transport sont amliors.

ITO +++

---Ca

Fig 2.11 : Illustration de la structure bicouche

La structure bi-couche permet aussi laccumulation de charges linterface des deux couches organiques actives, facilitant ainsi linjection. Structure multi-couches : Lutilisation, comme lectrode injective, dune couche supplmentaire de polymre conducteur (polypyrrole, drivs du polythiophne, polyaniline, ..) dont la fonction de travail peut tre ajuste en jouant sur le taux de dopage permet de rduire la barrire de potentiel. Ces groupes manifestent une bonne stabilit dans lenvironnement et amliorent, non seulement les performances dmission, mais aussi la dure de vie des LEDs organiques. Contrer le dopage spontan : Une autre difficult rside dans le fait quil faut viter le dopage spontan des polymres par les lectrodes, responsable de la perte des proprits de luminescence. Or les mtaux alcalins utiliss comme cathode donne lieu lors de linjection des lectrons une migration de cations mtalliques dans le matriau, le rendant par l mme conducteur lectrique par dopage de type n. Le calcium, souvent utilis en raison de son bon rendement, est un cas un peu limite. 18 Lorsque la couche organique est pose sur la cathode en prsence doxygne ou deau, une raction chimique peut se drouler et donner naissance une couche doxyde. La prsence de cette faible couche doxyde de calcium entre le polymre et la couche mtallique est un lment favorable puisquelle cre une barrire au dopage. Laluminium bien que moins efficace que le calcium, suite sa fonction de travail plus importante, est un compromis intressant compte tenu de sa meilleure stabilit lair. Mais des liaisons Al-polymre ont t mises en vidences par XPS et celles-ci peuvent dgrader la surface en dtruisant localement la conjugaison.
18

Polymres conjugus et lectroluminescence, B. Franois, Lactualit chimique, juin 1999

24

Diminution de la tension de seuil : Certaines molcules (surtout loxygne et leau), absorbes la surface, peuvent intensivement interagir avec le polymre et entraner une raction chimique linterface. Il a t dcouvert que ces tats de surface, ainsi que certaines couches isolantes, rduisent le potentiel ncessaire pour que llectroluminescence dbute. En effet, le champ appliqu sur l'lectrode se propage dans l'isolant et rduit l'paisseur de la barrire mtal-isolant. Les lectrons du mtal peuvent alors traverser cette barrire par effet tunnel, du niveau de Fermi du mtal vers le bas de la bande de conduction de l'isolant, et remplir tous les tats de surfaces non occups l'interface isolant-semi-conducteur. La prsence de charges dans l'isolant induit une courbure de bande aux interfaces, et un abaissement de la barrire Schottky.

2.2

Transport de charges

Le transport de charges dpend de la mobilit et de la densit des porteurs injects. Le transport des porteurs est donc une proprit intrinsque des couches organiques alors que linjection des porteurs dpend des proprits de linterface polymre lectrode. Sous linfluence du champ lectrique, les lectrodes injectent les porteurs de charges dans le polymre ; ce qui entrane une dformation du rseau. Comme expliqu dans la premire partie, la combinaison de ces deux effets forment des polarons qui se dplacent ensuite sous leffet du champ lectrique. Dans la suite de ce chapitre, tout dplacement de charge fera rfrence un dplacement de polarons, mais pour des questions de facilit, on continuera parler de transport de trous et dlectrons. A. Limitation du transport des porteurs de charges : a) Limitation de la densit de porteurs pour une barrire de potentiel suprieure 0.3 eV : Lorsque la barrire de potentiel linterface est suprieure 0.3 eV, le courant est dit contact-limit . En effet, pour des barrires de potentiel croissantes et suprieures 0.3 eV, le nombre de porteurs injects et donc le courant diminuent progressivement. b) Limitation de la mobilit : Comme expliqu longuement dans lintroduction, la conduction se fait par un mcanisme de hopping. Diffrents paramtres dj expliqus plus haut peuvent altrer la mobilit. A ces facteurs, il faut rajouter dans le cas du PPV une certaine distributions de piges qui emprisonnent les lectrons et nuisent ainsi la mobilit des lectrons au sein du polymre.

25

c) Limitation du courant par ses propres charges spatiales : Lorsque la densit de porteurs injects par les lectrodes est trs importante, le courant est limit par ses propres charges (Space Charge Limited Current (SCLC)). En effet, Dyke et Trolan ont montr que, pour une densit trs leve de courant, les points exprimentaux s'cartaient de la reprsentation linaire de Fowler-Nordheim pour une densit de courant proche de 109 A/m2, ce qui correspond un champ 6.5 109 V/m pour un travail de sortie = 4.5 eV. Dans le vide, la charge spatiale des lectrons peut non seulement crer un champ transversal qui tend faire diverger le faisceau, mais aussi un champ longitudinal qui tend modifier le potentiel sur l'axe d'mission et s'opposer au champ d'extraction. Ce qui n'est pas le cas dans un conducteur o les lectrons en mouvement ne donnent pas d'effet lectrostatique. En effet, dans la matire, ils sont juxtaposs partout aux ions positifs des noyaux immobiles donnant un champ lectrique oppos au leur, mais sans contribution sur le courant. Dans le cas dune densit de porteurs injects trs leve, les charges ne se trouvent plus compenses par les ions positifs et on peut montrer quen prsence dun champ constant acclrateur pour les lectrons, le potentiel en prsence d'une charge d'espace n'est plus une fonction linaire de la distance la cathode. Il convient alors de rsoudre l'quation de Poisson :

o , la densit de charge est associe la densit de courant J par :

avec v la vitesse des lectrons. La rsolution de l'quation de Poisson exprime avec J et V, le potentiel, conduit moyennant certaines hypothses l'expression du courant limit par la charge d'espace de Child:

Enonce sous cette forme, elle montre que la charge cre par une densit de courant J sur une distance z fait chuter le potentiel de V. Autrement dit, si l'on veut extraire une densit de courant J sur une distance z, il faut appliquer une tension au moins gale V. Les courants de trous et llectrons dans le PPV illustrent bien ces deux dernires limitations puisque : le courant dlectrons injects par lanode tant trs sensible aux piges du polymres, sera limit trap limited dans le rgime de tension applique. le courant de trous dans le PPV sera Space Charge Limited

26

Limportance relative de linjection de charges par rapport au transport de charges comme facteur limitatif de lefficacit des LEDs est vivement discute dans de nombreuses publications. Il est en effet difficile de dissocier ces deux phnomnes sur base des caractristiques lectriques de la cellule et cette distinction na pas encore t lucide clairement dans la littrature.

B. Optimisation : Une structure multi-couches de matriaux qui minimisent les diffrences dnergie entre les niveaux HOMO et LUMO successifs permet damliorer le transport des charges travers la diode. La diffrence dnergie recherche entre les niveaux est de lordre de 0.2 V. Ceci est illustr sur la figure ci-dessous :

Figure 2.12 : Dispositif multi-couches19

2.3. A.

Electroluminescence : Principes de llectroluminescence

La lectroluminescence est la radiation optique qui peut tre mise lorsquune forme excite lectriquement (lectron, exciton, ) dun matriau retournent son tat fondamental. Dans le cadre des LEDs organiques, lorsque les deux radicaux (un anion et un cation) se recombinent, il y a formation d'un tat excit neutre, appel lexciton. Celui-ci est dit singulet si les spins des deux lectrons clibataires sont antiparallles, triplet s'ils sont parallles. On parle d' "exciton" singulet ou triplet.

Figure 2.13 : Recombinaison et lectroluminescence

19

www.public.iastate.edu/~physics/REU/REU2001/Projects/reinig.pdf

27

Puisque toute transition radiative partir de ltat triplet est interdite par les rgles de la physique quantique, seul l'exciton singulet peut se dsexciter de manire radiative. L'nergie du photon mis correspond l'cart nergtique entre les deux niveaux, liant et anti-liant, localiss l'intrieur du gap. Cet cart est trs voisin et directement reli la largeur de gap. Puisque que le triplet correspond un tat nergtique de loin infrieur celui du singulet, il est impossible pour un exciton de passer de ltat triplet ltat singulet. Des analyses statistiques montrent quun singulet et trois triplets sont obtenus pour quatre paires dlectrons trous injects. La limite thorique maximum defficacit est donc de 25%. Cette limite pourrait tre atteinte si tout exciton form dans un tat singulet donnait un photon et si toutes les paires dlectrons trous taient captures parfaitement. Il faut en effet exprimer lefficacit dun quantum dlectroluminescence, , en fonction de trois paramtres20 :

=r f
avec , le facteur de la double injection de charges, r , lefficacit de formation dun exciton ltat singulet partir de polarons positifs et ngatifs, f, lefficacit dun quantum de photoluminescence.

Lefficacit avec laquelle un singulet donne naissance un photon peut en effet tre dcrite par le facteur f , bien connu, sans commettre derreur puisque quaucune distinction nest possible entre un singulet form par la combinaison de polarons et un singulet form par photoexcitation. Le paramtre est dtermin par le processus dinjection de charges et sa valeur maximale est lunit lorsque le nombre de trous est balanc par le mme nombre dlectrons.

B. Optimisation de lefficacit dlectroluminescence. Beaucoup de recherches sont centres sur ltude de ces trois paramtres afin damliorer le rendement des LEDs organiques : : le facteur de la double injection de charges Un des problmes rsoudre rside dans le fait que linjection des lectrons est plus difficile que celle des trous et que leur mobilit est plus faible dans la majorit des polymres conjugus. Il en rsulte un dsquilibre dans le flux des charges de sorte quune fraction est perdue et que leur recombinaison seffectue proximit de la couche mtallique avec des pertes de rendement. Pour remdier ce problme des diodes multicouches ont t dveloppes pour favoriser le flux dlectrons et bloquer partiellement les trous de faon contrler les sites de recombinaison et les loigner de les lectrodes.

20

Semiconducting Polymers, G. Hadziioannou and P.F. van Huten, Wiley-VCH, Weinheim, 2000

28

r : efficacit de la formation dun exciton ltat singulet partir des polarons Luniversit de Princeton ou celle dArizona travaillent modifier le spin des lectrons afin de parer la limitation quantique defficacit maximum de 25% pour la recombinaison des trous - lectrons en singulet. Des rsultats de 43% ont t obtenu en bombardant du PPV avec des micro-ondes. En fait, les radiations modifient le spin des lectrons dans certains niveaux dnergie permettant une recombinaison des triplets en tat singulets excits. De plus, il a t observ que les rendements de photoluminescence sont affaiblis lorsque les interactions entre chanes sont importantes. A l'tat solide, la structure cristalline permet la formation d'excitons transverses entre deux chanes pouvant se dsexciter de manire non radiative. Un encombrement des chanes, par ajout de groupes latraux volumineux, est souhaitable de faon minimiser les interactions entre diffrents squelettes conjugus f, lefficacit dun quantum de photoluminescence : Il se peut que lexciton, mme si ses spins sont anti-parallles, ne se dsexcite pas de manire radiative. De nombreuses tudes ont t ralises pour comprendre et contrler ce processus. Actuellement, la majorit des matriaux utiliss dans les diodes lectroluminescentes organiques prsentent une efficacit de photoluminescence largement suprieure 80%.

III. Conclusion
Pour rsumer, les LEDs organiques prsentent les grands avantages suivants : a) il existe de nombreux composs fluorescents couvrant le spectre des couleurs visibles. b) il est peut-tre possible d'obtenir des dispositifs missifs flexibles, la fois lgers, de petite taille, consommant peu d'nergie, peu coteux et couvrant une surface tendue. Ces dispositifs missifs sont trs attrayants en raison de leur potentiel d'utilisation dans des crans d'affichage plats dont le march est trs vaste. Ces crans pourraient finir par remplacer l'encombrant tube cathodique. Mais jusqu' prsent, la dgradation des dispositifs organiques est particulirement problmatique. Leur manque de stabilit semble tre li la dgradation des lectrodes ou des changements touchant les couches organiques, ou aux deux. De nombreuses tudes sont menes pour parer ces problmes de stabilit en utilisant de nouveaux matriaux, la fois pour les lectrodes et pour les couches organiques.

29

Troisime partie : Organic Thin Film Transistors (OTFT)

Depuis plusieurs annes dj, diffrents laboratoires mnent des recherches sur des transistors utilisant des matriaux semi-conducteurs organiques. A l'inverse des semi-conducteurs minraux, les semi-conducteurs organiques peuvent tre dposs sous forme de film mince selon des techniques peu coteuses et sur des supports flexibles. Le dveloppement de ces transistors prsente un grand intrt en raison notamment de l'tendue de leurs champs d'application: circuits intgrs, dispositifs pour l'affichage (crans plats) ou encore en microlectronique logique. Dans le prsent article, nous traiterons principalement le cas de deux semi-conducteurs particuliers : le pentacne et le sexithiophne qui sont les deux semi-conducteurs organiques les plus utiliss ce jour. Il s'agit de deux molcules conjugues dont le mode d'assemblage dans l'tat solide conduit des matriaux trs ordonns pouvant aller jusqu'au monocristal. Les excellentes proprits de transport de ces molcules s'expliquent par le haut degr de cristallinit des films minces de ces deux composs semi-conducteurs.

I.

Description gnrale

A l'instar du transistor effet de champ conventionnel (MOSFET), l'OTFT se caractrise par une lectrode de grille isole du reste du dispositif. Cependant, ce dernier se diffrencie du premier par deux points fondamentaux. Le premier est que l'OTFT ne conduit pas le courant travers son substrat mais par une fine couche semi-conductrice, plus fine encore que l'isolant. Le second est que la source et le drain sont en contact ohmique de sorte que le canal conducteur n'est pas isol du reste du film semi-conducteur. Nanmoins, la minceur et la faible conductivit du film semi-conducteur entranent un courant de drain trs faible lorsque la tension de grille est nulle. Ds lors, le transistor travaille en rgime d'accumulation, en appliquant une tension de grille qui va induire un canal conducteur par attraction de charges l'interface semi-conducteur isolant. Il s'avre que le transistor peut galement fonctionner en rgime de dpltion.

Figure 921
21

reprinted from L. Torsi, N. Cioffi, C. Di Franco, L. Sabbatini, P.G. Zambonin, T. Bleve-Zacheo," Organicthin film transistors : from active matrials to novel applications," solid-state electronics, 45, 1479-1485 (2001).

30

L'OTFT peut se prsenter sous deux formes : "top-contact device" [parfois appel "inverted coplanar"] (illustr la figure 2. (a)22) - la source et le drain sont placs ultrieurement par rapport la dposition de la couche active semi-conductrice. "bottom-contact device" ["staggered"] (fig. 1 (b)) - le semi-conducteur organique est dpos sur les lectrodes prfabriqus.

Figure 10

Comme nous le verrons plus tard, la premire configuration est plus performante mais la seconde est plus rpandue pour des raisons de fabrication (minimisation de la couche active). Les caractristiques lectriques (I-V) des transistors organiques sont modlisables de manire semblable celles des transistors effet de champ conventionnels. Par ailleurs, la majorit des semi-conducteurs organiques prsentent un comportement de type p (porteurs libres sont des trous positifs). Nous pouvons, ds lors, distinguer deux modes de fonctionnement en fonction de la polaristion du transistor : grille polarise positivement (VG>0) grille polarise ngativement (VG<0) mode de dpltion mode d'accumulation

En mode d'accumulation, nous pouvons distinguer deux plages de rgime : rgime linaire (VD faible en valeur absolue) : WCi V ID = VG VT D VD L 2 satur (VD lev) : WC i 2 ID = ( G VT ) V 2L

22

reprinted from C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro, "Organic thin-film transistors : A review of recent advances," IBM J. RES. & DEV. 45, 15 (2001).

31

A titre d'illustration voici les courbes obtenues pour un TFT organique utilisant du dihexil-hexathiophene (DH6T)23 :

Figure 11

Deux proprits importantes des dispositifs sont, d'une part, la mobilit des porteurs et, d'autre part, le rapport Ion/Ioff. La premire renseigne sur la grandeur du courant de drain en fonction de la polarisation ainsi que sur la vitesse de switching du transistor dans la plage oprationnelle de celui-ci. Elle peut tre value soit dans le rgime linaire, par l'intermdiaire de la transconductance, I WCi gm = D = VD , V L G V =const
D

en approximant linairement la relation (VG, ID), pour une faible valeur de VD [ pente = gm ] :

Figure 12

23

C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro, idem, p. 16.

32

soit en rgime satur, par la relation WC i 2 ID = ( G VT ) , V 2L et les mesures exprimentales mises sous la forme VG , I D

1/ 2

):

Figure 13

Des diffrences entre ces deux mesures de la mme grandeur thorique peuvent tre observes. En effet, dans la rgion linaire, la valeur de peut tre affecte par une rsistance de contact provoquant une sous-estimation de la mobilit. En outre, dans la rgion de saturation, des erreurs peuvent tre induites pour des dispositifs dont la longueur du canal est comparable (ou lgrement suprieure) l'paisseur de la couche isolante entre la grille et le semi-conducteur. La valeur obtenue alors est suprieure la grandeur relle de 24.

II.

Mcanismes de conduction

En ce qui concerne les mcanismes de conduction, nous constatons que les tudes ralises permettent de dgager un certains nombre phnomnes y participant. Cependant, il serait inexact de dire que ceux-ci sont parfaitement connus. Nous pouvons, de manire gnrale, dgager trois facteurs principaux influenant la mobilit des porteurs : la temprature, le degr de cristallinit et la concentration des porteurs. Il est utile de noter que les oligomres tudis (pentacne et oligothiophnes) peuvent se prsenter la fois sous la forme monocristalline, polycristalline et amorphe; celle-ci dpendant de la temprature du substrat lors de la dposition et degr de puret de l'chantillon.

24

C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro, idem, p. 17.

33

Horowitz a analys l'influence de la taille des grains sur la mobilit dans les polycristaux. Alors que les premires mesures sur des semi-conducteurs polycristallins rvlaient une mobilit active thermiquement (La figure 6 illustre la situation de deux chantillons de sexitiophne (6T) polycristallins.), celle-ci tait interprte comme la preuve d'un transport par hopping.

Figure 14

Cependant, la mobilit dans les monocristaux basse temprature, comme dcrit dans lintroduction, est proche de celle des semi-conducteurs conventionnels (transport par bandes dlocalises). Afin de concilier ces deux observations, Horowitz et Hajlaoui25 ont dvelopp un nouveau modle : le "multiple trapping and thermal release (MTR)". Celui-ci considre que le transport de charges s'effectue dans des tats tendus, mais que la plupart des porteurs injects dans le canal conducteur sont pigs en des tats localiss dans la bande interdite. Ces piges atteignent des niveaux profonds dans le cas d'impurets dans l'chantillon et sont superficiels (proches de la bande de conduction) s'il sont causs par du dsordre26. Les charges piges peuvent tre libres par une augmentation de la temprature. Le modle inclut, ds lors, une activation thermique de la mobilit. De plus, il intgre galement la dpendance de la mobilit de la polarisation de grille. Cela est d au fait que si la tension de grille augmente, le niveau de Fermi l'interface semi-conducteur / isolant monte en direction du bord de la bande la plus proche, menant un remplissage des piges et une augmentation de la concentration de charges mobiles. Dans un premier temps, nous considrons que les piges sont rpartis uniformment dans le solide. Une notion capitale de ce modle est la densit d'tats localiss (DOS). Les rsultats exprimentaux, sur la figure de la page suivante, montrent une relation quasiment exponentielle entre cette distribution et la tension de grille.
25

G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, "Grain size dependent mobility in polycristalline organic field-effect transistors," Synthetic Metals, 122 (2001), pp. 185-189. 26 J. H. Schn, B. Batlogg, "Trapping in organic field-effect transistors," Journal of Applied Physics, 89, pp. 336342 (2001)

34

Figure 15

Il a alors tabli que :

E E Nt0 , exp C kTc kTC avec Nt0 = densit totale de trous, TC = temprature caractristique qui dtermine la pente de la courbe, k = constante de Boltzmann et EC = nergie au bord de la bande de conduction. La mobilit, selon Horowitz, est alors donne par : (Tc T ) T N C C iV g = 0 . N t 0 qN t 0 N t (E ) =

Cependant, le modle explicit jusqu' prsent ne peut expliquer l'invariance de la mobilit, pour des polycristaux dont la taille des grains est significative, en fonction de la temprature lorsque celle-ci est basse. La figure suivante illustre cette invariance pour du sexithiophne et octithiophne polycristallins (notons au passage l'activation thermique de en deux tapes) 27.

Figure 16

27

G. Horowitz, R. Hajlaoui, R. Bourguiga, M. Hajlaoui, "Theory of the field-effect transistor," Synthetic Metals 101, pp. 401-404 (1999).

35

Afin de palier ce manque, Horowitz et Hajlaoui ont dvelopp un second modle bas sur le premier tel que les piges sont localiss, nergtiquement, prs du bord des bandes et, gographiquement, aux joints de grain du polycristal. Les grains sont considrs comme pratiquement vides de tout pige. On divise alors le milieu en domaines de conductivit leve (grains) et faible (joints de grain). Comme les grains et joints de grain sont connects en srie, la mobilit globale est gale la moyenne harmonique de la mobilit de chaque domaine : 1 1 1 = + , g b o les indices "g" et "b" font rfrence au grain et joint de grain. Dans le cas gnral o g << b , la mobilit globale ne dpend que du transfert de charge au travers du joint. On suppose qu'une barrire Schottky "dos--dos" se forme dans la rgion entre deux grains, comme illustr la figure suivante :

Figure 17

Le transport de charge aux travers de joints dpend principalement de la comparaison entre la longueur du grain l et la longueur de Debye LD. Pour rappel,

S kT , q2 N o s est la permitivit du semi-conducteur, q la charge de l'lectron et N le niveau de dopage. Si l>2LD, la hauteur de la barrire ne dpend que de la distribution localise des piges dans les joints de grain. D'autre part, lorsque l<LD, la barrire se rduit considrablement et le milieu se comporte comme si les piges taient distribus uniformment sur le solide, il est dcrit par le modle prcdent.
LD =

En fonction de la temprature, plusieurs mcanismes de transfert de charge au travers de la barrire de Schottky peuvent tre voqus. A haute temprature, le courant est limit par mission thermoonique et la mobilit est donne par :

qvl

E exp b , 8 kT kT

o <v> est la vitesse moyenne de l'lectron. Cette relation prdit que la mobilit varie linairement avec la taille des grains, ce qui est vrifi par l'exprience :

36

Figure 18

Lorsque la temprature diminue, le transfert par effet tunnel finit par prdominer l'mission thermoonique (active thermiquement). Celui-ci tant indpendant de la temprature, il devient possible d'expliquer l'invariance de la mobilit aux basses tempratures. Dans le cas o le semi-conducteur est l'tat amorphe, le modle de pigeage tel qu'expliqu ici n'est plus valide. Cela est d l'importance du dsordre qui empche toute hypothse de dlocalisation d'tat, quelle qu'en soit la longueur. Dans ce cas, on peut considrer que le transport se fait uniquement par mcanisme de hopping. Comme nous l'avons dj annonc, le transistor dans sa configuration "bottom-contact" est intrinsquement moins performant que sous la forme "top-contact". Deux interprtations diffrentes sont donnes de cette constatation. La premire, par Dimitrakopoulos28, consiste dire que la mobilit des porteurs est limite par la prsence de trs petits cristaux(et donc de joints de grain) nettement plus importante au bord de l'lectrode. Ces dfauts morphologiques entranent la formation de piges des niveaux nergtiques situs dans la bande interdite. Afin de palier ce handicap, il utilise une couche auto-assemblante (1-hexadcne thiol) pour modifier la distribution nergtique la surface de l'lectrode (en or). Le rsultat de cette application amne des performances gales voire mme suprieures celles du "top-contact". La seconde interprtation, du Jackson's Electronic Research Group29, tient simplement compte de la gomtrie du problme. En effet, nous constatons que le canal conducteur d la polarisation est nettement moins expos au champ lectrique de l'lectrode de grille.

Figure 19

C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro, idem, p. 20. T. N. Jackson, Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, H. Klauk, S. F. Nelson, "Organic Thin Film Transistors", 1997 International Semiconductor Device Research Symposium Proceedings, pp. 409-412.
29

28

37

III.

Procds de fabrication

Comme annonc dans lintroduction, il existe un grand nombre de procds de fabrication envisags pour les transistors organiques. Ici nous nous contenterons de dcrire le procd le plus pratiqu pour les petites molcules telles que le pentacne ou le sexithiophne, il sagit de lvaporation sous vide30. Sur base d'un wafer en silicium, pouvant servir de grille, une partie de l'paisseur du wafer est oxyde haute temprature, formant l'isolant entre le semi-conducteur et la grille. Ensuite, dans le cas des dispositifs "bottom-contact", les lectrodes de source et de drain sont placs par photolithographie ou par vaporation travers un masque. Cette tape pralable la dposition du semi-conducteur a l'avantage de prserver ce dernier de l'attaque acide des solvants servant graver le mtal. L'vaporation sous vide consiste chauffer le matriau plac dans un rcipient mtallique. Cet chauffement peut se faire soit par effet joule, soit l'aide d'un canon lectrons. Le substrat est dpos quelques centimtres de ce rcipient et le semi-conducteur se condense son contact. Cette technique prsente l'avantage de permettre un contrle facile de l'paisseur et de la puret du film. En particulier, elle permet la ralisation de films hautement ordonns par le choix de la vitesse de dposition et la temprature du substrat. Malheureusement, cela n'est rendu possible qu'au prix de l'installation d'une infrastructure vide ainsi que d'une instrumentation sophistique, en comparaison avec les autres techniques voques dans l'introduction concernant les dispositifs bass sur des polymres semi-conducteurs.

IV. Optimisation des performances

En dpit d'indniables qualits, les TFT organiques souffrent d'un point faible particulirement proccupant : leurs performances. Depuis les annes 80', des efforts sont fournis afin d'amliorer la mobilit effet de champ des semi-conducteurs carbons. La figure 12 sur la page suivante tmoigne de ces efforts et, par l, de la diversit des composs semi-conducteurs tudis :

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G. Horowitz, "Physics of Organic Field-Effect Transistors," Semiconducting polymers, G. Hadziioannou and P.F. van Hutten, Eds. WILEY-VCH (2000)

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Figure 20

Dans son article, Dimitrakopoulos prsente la dmarche d'optimisation comme tant un processus en deux tapes. La premire est la synthse d'un nouveau semi-conducteur organique; et la seconde consiste optimiser tous paramtres de ce compos prcis.31 Cas du pentacne l'Universit de Pennsylvanie A titre d'information, nous pouvons suivre l'exemple prcis du pentacne tel qu'il a t pratiqu par le Jackson's Electronic Research Group. Comme point de dpart, prenons un dispositif tel que celui ralis dans leur laboratoire . Ses caractristiques lectriques sont illustres aux figures suivantes.

Figure 17
31

Figure 18

C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro, idem, p. 12.

39

La premire exigence se situe au niveau de la mobilit des porteurs de charge. Comme nous l'avons vu, la difficult des porteurs passer d'une molcule l'autre tait due au dsordre, au dfaut et aux impurets chimiques. L'amlioration de la mobilit passe, ds lors, par l'augmentation de la qualit de dposition de la couche active. A cette fin, il est possible de contrler la temprature du substrat ainsi que la vitesse de dposition. Le groupe Jackson a notamment enregistr des valeurs de 0,2 cm2/V.s pour une temprature de substrat entre 20 et 120C ainsi qu'une vitesse de dposition comprise entre 2 et 8 /s. Cependant, avec une vitesse plus lente (1-3 /s) et des conditions de temprature identiques, la mobilit obtenue a t de 0,7 cm2/V.s. Pourtant, une mobilit leve n'est pas une condition suffisante pour utiliser un dispositif dans des applications gnrales. Il est par ailleurs tout aussi important de pouvoir dbiter un courant suffisant ainsi que de prsenter un rapport on/off favorable. Ce dernier est extrmement sensible la puret du film. Les pentacnes commerciaux prsentent une puret de 97% environ. En pratiquant une opration de purification supplmentaire, le laboratoire a fait progresser le rapport de courant on/off de 104 108 . Aussi, pour tirer avantage de ce rapport lev, il est ncessaire de l'obtenir sur un intervalle de VG le plus faible possible. De ce fait, la pente dVG/dID doit tre minimale. A ce propos, nous pouvons inspecter la figure suivante qui illustre le problme :

Figure 21

Afin de diminuer cette pente, le laboratoire a analys la disposition molculaire du film semiconducteur.

40

A ce titre, la figure suivante nous montre une image AFM (Atomic Force Microscopy) d'un film de pentacne de 7nm dpos sur du SiO2 maintenu 60 :

Figure 22

Figure 23

Cette image reprsente les courbes de niveau de la surface du semi-conducteur. Nous y voyons une srie de terrasses dont les marches ont une hauteur de 15 qui correspond bien la longueur molculaire du pentacne. Il s'avre en ralit que le pentacne prsente une structure cristallographique diffrente l'interface substrat-film par rapport sa structure propre. De plus, l'exprience a montr que l'interaction cristallographique entre le pentacne et son support ne se manifeste qu l'interface. Le groupe Jackson's a pu, par l'insertion d'une couche d'octadecyltrichlorosilane, modifier la pente sous le seuil, sans affecter la mobilit. Nous pouvons apprcier le rsultat sur le diagramme suivant :

Figure 24

41

En effet, nous observons une pente de 1,64 V/dec. la place de 4,8 V/dec. obtenue prcdemment (sans traitement au octadecyltrichlorosilane). Sur ce dernier dispositif, il subsiste un problme majeur: sa tension de seuil. En effet, celle-ci est leve et positive. Cela signifie que le transistor est naturellement passant et une tension de grille positive est ncessaire pour le bloquer, c'est--dire pour enlever les porteurs prsents dans la rgion du canal tension nulle. Cette constatation est surprenante en ce sens que le pentacne macroscopique prsente habituellement une forte rsistivit (1015ohm/cm), ce qui veut dire que le pentacne l'tat libre n'accumule pas de porteurs. Des expriences ont permis de montrer que la tension de seuil positive n'tait pas due la dpltion ncessaire des porteurs pour annuler le courant mais provenait plutt d'une couche d'accumulation initiale l'interface pentacne-dilectrique. Le laboratoire a, ensuite, ralis un dispositif dans lequel SiO2 a t prtrait, cette fois, au phenyltriethoxilane. Cette manipulation a amen un OTFT dont les caractristiques sont reprsentes dans le diagramme suivant :

Figure 25

Ce dispositif prsente cette fois toutes les proprits ncessaires une utilisation travers de nombreuses applications. Par cette dmarche nous avons voulu montrer que par quelques manipulations il tait possible de modifier en profondeur le comportement dun dispositif. De mme, elle nous a fait apparatre l'influence des tats d'interface. Ceux-ci jouent la fois sur la tension de seuil et sur les caractristiques sous le seuil (pente)32.

32

J. H. Schn, B. Batlogg, "Trapping in organic field-effect transistors," Journal of Applied Physics, 89, pp. 336342 (2001)

42

V.

Conclusion

Nous savons que les transistors organiques n'ont absolument pas la capacit de remplacer les technologies minrales hautes performances. Cependant, il apparat, l'examen du tableau suivant, que les OTFT, tels que ceux utilisant le pentacne, entrent en concurrence directe avec les transistors au silicium amorphe.

mobility (cm_/v.s) ION/IOFF subthreshold slope (V/dec.) Processing temperature (C)

silicium amorphe hydrogn 1 108 0.3 - 1.5 350

pentacne 0.7 - 1.6 104 - 108 4.8 - 1.64 120

En plus de performances similaires, les OTFT prsentent des caractristiques qu'ils sont seuls offrir tels qu'un cot de production modr, la flexibilit, la transparence et le faible poids. Bon nombre d'articles de presse prsentent ces "vertus" comme tant la base d'une vritable rvolution au niveau des applications des transistors et leur intgration dans notre vie quotidienne. La technologie relative aux oligomres semble donc trs prometteuse. Toutefois, l'amlioration des performances des transistors utilisant des polymres semiconducteurs ne doit pas tre nglige. Ceux-ci pourront certainement surpasser la technologie au pentacne ds lors qu'ils seront comptitifs aux niveau des performances et de la robustesse. De tels dispositifs pourront tre fabriqus en utilisant des procds novateurs (p. ex. solution processing) permettant de rellement rduire les cots. La recherche en ce domaine avance rapidement et les donnes sont constamment modifies, tant au niveau des performances enregistres qu'en ce qui concerne certaines observations telles que l'ambipolarit de certains composs (dont le pentacne). Ces notes n'ont prsent qu'une partie de ce vaste domaine. De mme, les modles prsents ici sont concurrencs par d'autres et toute la lumire n'est pas faite sur les phnomnes physiques rgissant le comportement des transistors organiques. Il en reste donc une large part dcouvrir.

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Quatrime partie : les crans plastiques

Les principaux intrts des composants organiques tels que les PLEDs et OTFTs par rapport leurs homologues inorganiques sont leur faible cot et la possibilit d'tre mis en uvre basse temprature. Ces derniers avantages rendent donc possible la fabrication de circuits lectroniques sur des substrats peu coteux comme le plastique. Les crans plats plastiques sont une des applications possibles. Traditionnellement, les crans plats taient fabriqus sur des substrats en verre. Dans ce domaine, les principaux concurrents aux crans lectroluminescents organiques sont les crans cristaux liquides (LCD : liquid crystal display). Contrairement ces derniers, les crans lectroluminescents sont auto-lumineux et ne ncessitent aucun rtro-clairage. De plus, les crans lectroluminescents organiques offrent un plus grand angle de vision (jusqu 160), mme en pleine lumire. Leur consommation lectrique, comprise entre 2 et 10 volts, permet enfin un maximum defficacit en rduisant la chaleur et les interfrences lectriques dans les appareils lectroniques. L'introduction de matriaux missifs trs lumineux , flexibles, lgers.. offre l'opportunit de dvelopper de nouveaux produits.33 On envisage ainsi de pouvoir rouler ou mouler les crans sur des contours varis. Les couches actives et leurs supports plastiques sont si lgers que le poids dun cran dordinateur pourrait, en thorie, tre rduit une centaine de grammes. Pour linstant, lcran le plus grand mesure 12,5 centimtres de diagonale, mais, en raison du faible cot des matriaux utiliss, on peut imaginer un mur recouvert dun cran organique gant.34

I. Principe
L'affichage consiste en un tableau d'lments images: les pixels. Ce tableau est reprsent sur le substrat par une matrice dlectrodes lignes et colonnes. Plac l'intersection de celles-ci, chaque pixel est constitu d'une diode organique. L'adressage de la matrice peut tre de deux types: -Passif : Dans ce cas, pour illuminer un pixel en particulier, un signal lectrique doit tre appliqu la fois la ligne et la colonne correspondantes. Les lignes sont actives tour tour et les colonnes donnent linformation la pixel correspondante dans la ligne. La luminosit de la diode pixel est fonction du courant appliqu. Si le systme comporte N lignes, chacune est en service pour 1/N du cycle. Il faut un courant N fois plus lev pour donner lintensit lumineuse voulue sur le cycle. Ce nest donc pas trs efficace. -Actif : Dans cette configuration, un pixel consiste en une diode en srie avec un transistor. Ce dernier est une sorte d'interrupteur qui contrle l'intensit du courant qui passe travers la diode. Pour tre plus prcis, un PLED demande au moins deux transistors (figure). Le premier est utilis pour dterminer le voltage stock par la capacit, ce qui dtermine si le second transistor en srie avec la diode est ouvert ou ferm. Pour un pixel en particulier, lorsque la ligne courante ( la grille de T1) est active, linformation quand ouvrir ou fermer linterrupteur est envoy par la colonne.
33 34

Universal display corporation: creating innovative display technology, http://www.universaldisplay.com http://www.utc.fr/dess/gti/acceuil/05_techno_cles/ecrans_plats/ecranplat.htm#1

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Dans le cas dune matrice active, la diode a le mme rgime de fonctionnement durant tout le cycle ce qui vite davoir recours des courants importants comme dans le cas dune matrice passive. colonne

T2 ligne T1

Figure 24: pixel isol (gauche), matrice de pixels (droite)

35

II. Ecrans couleurs

Les PLEDs sont capables de produire de la lumire dans tout le spectre visible. Ceci dpend de la longueur donde la recombinaison. (Du band gap du matriau utilis). Jusqu prsent, diffrentes techniques ont t proposes afin de mettre sur pied un affichage qui mette les trois couleurs primaires RGB (red-green-blue). La technique la plus simple consiste dposer les pixels cte cte (side by side). Malheureusement, il y a encore des efforts faire pour obtenir une rsolution raisonnable lors du dpt des couches. Les petites molcules qui donnent le meilleur rsultat point de vue mobilit sont dposes par vaporation sous vide travers un masque ce qui empche les pixels de descendre en dessous de 100 microns . Des filtres optiques peuvent galement tre utiliss. Les pixels OLEDs mettent alors de la lumire blanche qui est filtre sparment travers des filtres qui laissent passer le bleu, le rouge et le vert. Cette dernire technique nest pas trs efficace puisque environ 2/3 de la lumire blanche mise est absorbe. Un alternative qui suit le mme principe est dmettre de la lumire bleu avant de la filtre. Il est galement possible empiler les trois structures mettrices. Il est vident que les lectrodes du milieu doivent alors tre transparentes. Lintrt dune telle structure est

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C.. Sheraw, An organic thin film transistor backplane for flexible liquid crystal displays, http://jerg.ee.psu.edu:84/Publications/2000/Sheraw-2000-1

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que laffichage peut atteindre une luminosit jusqu trois fois plus importante et que les problmes lis la rsolution disparaissent en partie.. Du ct dsavantages, outre le fait quil faut dposer trois fois plus de couches, le circuit lectrique quant lui a affaire quatre lectrodes.

Figure 25: Diffrentes configurations possibles.

46

Conclusion

La comparaison des performances organiques/ inorganiques amne envisager llectronique organique non pas comme un concurrent la technologie actuelle mais plutt comme son complment. Le type dapplication dterminera lemploi de lune ou lautre technologie. De part son cot plus faible, lintrt de llectronique organique se manifeste dans des applications moins exigeantes au niveau performances. De plus, grce aux proprits intressantes de ces plastiques, telles que transparence et flexibilit, de nouveaux types dapplications (irralisables en Si) sont galement envisageables. Les socits prives, attires par le ct sensationnel de ces nouvelles perspectives, mettent dailleurs la pression.

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