Componentes Semi Condutores

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INTRODUO AO ESTUDO DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES
INTRODUO O material bsico utilizado na construo de dispositivos eletrnicos semicondutores, no um bom condutor, nem um bom isolante. Compare no quadro abaixo vrios materiais classificados quanto condutividade.
A resistncia eltrica de um material, mantido a uma certa temperatura e determinada pela segunda lei de ohm:
R= . l / A
onde, R- resistncia eltrica, medida em ohms [] l - comprimento do material em metros [m] A - rea do material em metros ao quadrado [m2] - resistividade do material [ . m2] / [m]. material Cobre Ferro Silcio Germnio mbar Resistncia especfica (.cm) 10-6 10-4 entre 1 e 107 entre 1 e 108 maior que 1016
O silcio e o germnio, pertencentes ao grupo IV da tabela peridica so muito utilizados na construo de dispositivos eletrnicos. O silcio e o mais utilizado, devido as suas caractersticas serem melhores em comparao ao germnio e tambm por ser mais abundante na face da terra. III IV V B C N Al Si P Ga Ge As In Sn Sb
1 http://www.li.facens.br/eletronica
Em comparao com os metais os isolantes, as propriedades eltricas dos semicondutores so afetadas por variao de temperatura, exposio a luz e acrscimos de impurezas. Os materiais, silcio e germnio tm a forma monocristalina e so utilizados com elevado grau de pureza. O progresso tecnolgico de fabricao tem reduzido os nveis de impureza at a uma parte para dez bilhes (1:1010), de impurezas do tipo adequado pode mudar a condutividade do material utilizado. Os tomos de ambos os materiais, silcio e germnio, formam um modelo muito definido que constitui uma estrutura chamada monocristal. MODELOS ATMICOS DE BOHR O tomo constitudo por partculas elementares, as mais importantes para o nosso estudo so os eltrons, os prtons e os nutrons. Na estrutura atmica de BOH, os nutrons e os prtons constituem a parte central do tomo chamada de ncleo e os eltrons giram em torno desse ncleo, em vrios nveis energticos. Nas figuras abaixo esto representados os modelos atmicos de BOHR, para os tomos de silcio e germnio. A ltima camada eletrnica (nvel energtico) chamada camada de valncia. O silcio e o germnio so tomos tetravalentes, pois possuem quatro eltrons na camada de valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer um dos eltrons de valncia menor que o necessrio para remover qualquer outro da estrutura. Em um cristal de silcio ou germnio, puros (intrnsecos), estes quarto eltrons de valncia participam da ligao atmica com quatro eltrons dos tomos vizinhos, formando ligaes covalentes. Embora a ligao covalente implique numa ligao mais forte entre os eltrons de valncia, ainda assim possvel que possam assumir o estado livre. A figura abaixo mostra a estrutura planificada das ligaes covalentes dos tomos de silcio ou germnio.
Os eltrons de valncia podem absorver energia externa suficiente para se tornarem eltrons livres. A temperatura ambiente a aproximadamente 1,5.1010 portadores livres disponveis para a conduo de eletricidade em 1 centmetro cbico de silcio intrnseco, sendo que a mesma temperatura o germnio ter aproximadamente 1000 vezes mais portadores livres. Uma mudana na temperatura de uma material semicondutor pode alterar consideravelmente o nmero de portadores disponveis. Com a elevao da temperatura, os eltrons de valncia absorvem energia trmica suficiente para quebra das ligaes covalentes, contribuindo para o aumento da condutividade do material. A figura abaixo mostra a quebra de ligaes covalentes.
NIVEIS DE ENERGIA Na estrutura atmica isolada h nveis de energia discretos, associados a cada eltron em sua respectiva rbita. Entre esses nveis discretos nenhum eltron pode existir na estrutura atmica isolada. As figuras mostram nveis de energia, para um tomo isolado.
Os eltrons que ocupam a camada de valncia, tem um nvel energtico mais elevado do que qualquer outro eltron do tomo, contudo podem possuir um nvel mais elevado ainda quando torna se livre. Quando os tomos de silcio ou germnio formam o cristal, cada tomo da estrutura sofrendo a influencia de seus vizinhos fazem com que seus eltrons ocupem posies diferentes, dentro de uma mesma rbita, de um tomo vizinho. O resultado final uma expanso dos nveis discretos de energia possveis. A figura abaixo ilustra essa situao.
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao MATERIAIS EXTRINSECOS
A adio de certos tomos estranhos aos tomos de silcio ou germnio, chamados de tomos de impurezas, pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia de forma suficiente mudar as propriedades eltricas dos materiais intrnsecos. Um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de dopagem por impurezas e chamado de material extrnseco. H dois materiais extrnsecos de muita importncia para a fabricao de dispositivos semicondutores. Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P. MATERIAL DOPADO TIPO N Um mtodo de dopagem consiste na utilizao de elementos contendo cinco eltrons na camada de valncia (penta-valente), como o antimnio, arsnio e fsforo. O elemento penta-valente adicionado ao silcio ou germnio, intrnseco. Quatro ligaes covalentes sero estabelecidas. O quinto eltron, porm, fica desassociado de qualquer ligao. Esse eltron pode tornar-se livre mais facilmente que qualquer outro, podendo nessas condies vagar pelo cristal.
A figura mostra a estrutura planificada de um material do tipo N. Como o quinto eltron foi doado ao material pelo tomo penta-valente esse chamado de tomo doador. O nvel de dopagem da ordem de um tomo doador para 10 milhes de tomos do cristal de silcio ou germnio, (1:107). O efeito deste processo de dopagem mostrado no diagrama energtico a seguir:
O material tipo N resultante, e eletricamente neutro.
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao MATERIAL DOPADO TIPO P
O material tipo P formado pela dopagem do semicondutor intrnseco por tomos trivalentes como o boro, glio e ndio. H agora um nmero insuficiente de eltrons para completar as ligaes covalentes. A falta dessa ligao chamada de lacuna (buraco). Na figura, temos a estrutura planificada de um material tipo P: Como uma lacuna pode ser preenchida por um eltron, as impurezas trivalentes acrescentadas ao silcio ou germnio intrnseco, so chamados de tomos aceitadores ou receptores. O material tipo P resultante eletricamente neutro. Conduo devido s lacunas O eltron livre, devido quebra da ligao covalente pode vir a ocupar uma lacuna. Quando isso ocorrer, deixa no lugar que ocupava uma nova lacuna. A figura abaixo mostra essa situao:
No estado intrnseco, o nmero de eltrons livres no silcio ou germnio devido quebra de ligaes covalentes por fontes trmicas ou luminosas, gerando um nmero pequeno de lacunas. No material tipo N o nmero de lacunas, no muda significativamente com relao ao material intrnseco, sendo, portanto o eltron o portador majoritrio deste material e a lacuna, o portador minoritrio.
J no material tipo P, os eltrons so portadores minoritrios e as lacunas, portadores majoritrios.
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao O DIODO IDEAL
Antes de estudarmos as caractersticas de um dispositivo real, primeiro consideraremos o diodo ideal, de maneira a simplificar o entendimento do diodo semicondutor. O diodo ideal um elemento de circuito, que tem as seguintes caractersticas: - um curto circuito na regio de polarizao direta. - um circuito aberto na regio de polarizao inversa. Smbolo Resistncia direta: Vf = 0 If
Resistncia inversa: Vr = Ir Caracterstica volt ampre Circuitos equivalentes
O sentido convencional da corrente, e indicado pela ponta da flecha no smbolo.
RETIFICADOR BSICO COM DIODO IDEAL O processo de retificao consiste em se converter uma grandeza alternada com valor mdio zero, em uma grandeza com valor mdio maior ou menor que zero. O exemplo a seguir mostra o processo de retificao, num circuito retificador bsico. A variao do potencial estabelecida pelo gerador alternado tem o comportamento senoidal. Para valores da tenso nos terminais do gerador, de wt de 0 a a tenso nos terminais do diodo e tal que ele conduz, pois esta sob polarizao direta. De a 2, no conduz, pois est sob polarizao inversa.
O DIODO DE JUNO O diodo semicondutor e um dispositivo bsico numa grande variedade de circuitos que vo dos mais simples aos mais complexos. O diodo de juno semicondutor formado unindo os materiais do tipo N e P construdos a partir da mesma base de silcio ou germnio,
Os materiais do tipo N e do tipo P so eletricamente neutros. Quando so unidos formam um dispositivo chamado diodo de juno.
No instante em que os dois materiais so unidos, os eltrons e as lacunas prximos a juno, se combinaro, resultando numa regio sem portadores. Quando um eltron ou lacuna cruza a juno, penetra num meio onde ser minoritrio. Ao processo do eltron preencher uma lacuna, d-se o nome de recombinao.
A regio prxima a juno fica sem portadores associados, sendo chamada de regio de depleo ou regio de carga espacial (RCE). Com a movimentao dos portadores majoritrios de ambos os lados da juno, no processo de recombinao a regio de depleo cria uma barreira de potencial, favorecendo o processo de deriva que ir se opor ao processo de difuso.
A deriva possibilita que um portador minoritrio cruze a juno, porm h um instante em que as tendncias de deriva e difuso se equilibram, cessando a movimentao de cargas. A unio dos dois tipos de materiais permanece eletricamente neutra. A figura abaixo representa um diodo de juno j formado. CONSTRUO E CARACTERSTICAS
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao O Diodo de Juno Polarizado. Condio de Polarizao Inversa.
Sendo aplicado um potencial externo, reverso com relao s regies de material P e N, o nmero de cargas descobertas. sem portadores associados aumentar, at que se atinja uma nova situao de equilbrio, aumentando ainda mais a regio de depleo, favorecendo a movimentao de minoritrios. A figura abaixo mostra um diodo de juno polarizado inversamente.
A corrente pelo diodo de juno na condio de polarizao reversa chamada de corrente de saturao inversa, representada neste texto por Ir. Condio de Polarizao Direta A condio de polarizao direta estabelecida aplicando-se um potencial positivo (direto) com relao aos materiais P e N. O fluxo de minoritrios ainda existe, porm pequeno comparado ao fluxo de recombinao, devido a quebra do equilbrio inicial. A regio de depleo diminui, favorecendo a movimentao dos portadores majoritrios. A figura a seguir, mostra o diodo de juno polarizado diretamente.
O fluxo de portadores majoritrios aumentar exponencialmente com o aumento da polarizao direta.

Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao Portanto o fluxo total ser:
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ld = l - lr
Atravs da fsica do estado slido pode-se demonstrar que a corrente do diodo est relacionada com a temperatura (T) e a polarizao aplicada (V).
onde: q - carga do eltron V - tenso aplicada ao diodo K - constante de BOLTZMAN T - temperatura em KELVIN - constante emprica Ir - corrente de saturao reversa ld - corrente total no diodo A temperatura ambiente de 25C; ento T = 298 K e q / k = 11600
ld = Ir ( q . V - 1) e..k.T
T = Tc + 273
O valor de varia de 1 a 2 para o silcio e vale a para o germnio. Curva Caracterstica terica. Note a semelhana da curva caracterstica terica para o diodo de juno com a analisada para o diodo ideal.
Curva caracterstica de um diodo real, a semelhana com a curva terica tambm muito grande. No diodo real, deve ser vencida a barreira de potencial do diodo para que possa conduzir. O potencial a ser vencido deve ser da ordem de 0,7volts para diodos de silcio e de 0,2volts para diodos de germnio.
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao FENMENOS DE RUPTURA
No diodo sem polarizao, j existe uma regio de depleo que cria uma barreira de potencial, representada na figura abaixo:
Quando aplicada a polarizao reversa, aumenta a largura da regio de depleo, aumentando tambm a velocidade com que os portadores minoritrios cruzam a juno. A figura abaixo mostra o diodo de juno com polarizao reversa.
A partir de um certo valor de tenso aplicada ao diodo, haver choques dos eltrons livres com eltrons das ligaes covalentes, com possvel retirada desses eltrons. Ocorrer um efeito multiplicativo, aumentando consideravelmente o nmero de eltrons disponveis para a conduo de corrente. Esse efeito, chamado avalanche, faz com que a corrente aumente rapidamente para qualquer novo acrscimo de tenso reversa aplicada ao diodo. Se ambos os lados da juno forem muito dopados, a regio de depleo ser estreita. Isso faz com que os eltrons no tenham condies de ganhar energia cintica suficiente para retirada de outros eltrons das ligaes covalentes. Porm o prprio campo eltrico pode retirar os eltrons, fazendo com que haja um aumento considervel da corrente para qualquer novo acrscimo de tenso. Esse mecanismo chama efeito ZENER. Existem diodos especiais que sustentam a conduo no sentido reverso sem se danificarem. Os diodos zener e de avalanche so exemplos desses dispositivos,
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao CAPACITNCIA EM DIODOS
Os diodos entre outros dispositivos de juno apresentam efeitos capacitivos. A regio de depleo que se forma num diodo polarizado reversamente, no possui portadores mveis associados aos tomos do material do tipo P e N. As regies P e N, fora da regio de carga espacial (RCE), possuem portadores, comportando-se como placas de um capacitor carregado, cujo dieltrico a prpria regio de depleo. A figura a seguir, mostra um diodo reversamente polarizado e um capacitor, para comparao. A esse efeito capacitivo, chamamos, capacitncia de transio ou de barreira. Em polarizao direta o diodo conduz bem, pois existe um processo contnuo de recombinao entre eltrons e lacunas. Mesmo diretamente polarizado, nas regies P e N existem portadores minoritrios que no recombinam. Subitamente quando invertida a polarizao, a corrente no diminui ao valor da corrente de saturao reversa, instantaneamente passando o diodo a conduzir por um determinado tempo no sentido reverso. O tempo necessrio para que se estabelea a corrente reversa em nveis normais ao tipo de diodo utilizado conhecida como tempo de recuperao reversa (trr). A esse efeito capacitivo chamamos de capacitncia de difuso ou de acumulao. A figura a seguir, mostra um circuito equivalente, com um capacitor em paralelo ao diodo.
O grfico a seguir, mostra a variao da capacitncia de um diodo em funo da polarizao.
As formas de onda a seguir mostram o efeito da capacitncia de difuso como medido o tempo de recuperao reversa.
A representao do efeito capacitivo em diodos pode ser feita utilizando o smbolo de um capacitor em paralelo com o smbolo do diodo.
Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao DIODOS ESPECIAIS
Diodo PIN A regio I tem alta resistncia que pode tornar-se com elevada condutividade sob polarizao direta. Em polarizao reversa praticamente no conduz, oferecendo uma alta tenso de ruptura, da ordem de centenas de volts atuando como um capacitor. Em polarizao direta comporta-se como uma resistncia varivel de baixo valor. Como resistor controlado pela corrente, atua como limitador em circuitos ou como atenuador em microondas. Dispositivo GUNN Consiste de um cristal homogneo de arsenieto de glio sem a juno PN, no sendo polarizado como os demais diodos devido a ausncia da juno. Basicamente formado por uma regio N, sobre uma base cristalina. O efeito GUNN foi apresentado em 1964 e refere-se a circulao de zonas de campo eltrico de valor elevado, chamados de domnios, que se movimentam atravs do cristal, quando o dispositivo convenientemente polarizado. Os domnios so agrupamentos de eltrons entre nodo e ctodo, resultando num ciclo de pulsos de corrente de transio, determinado pela Iargura da camada N. O valor da tenso aplicada, tambm tem influncia no ciclo de domnios. O dispositivo utilizado na gerao de oscilaes em torno de 40GHz. IMPATT (Impact Avalanche and Transit Time) Trabalhando em freqncias da ordem de 300GHz, tem um desempenho superior aos dispositivos GUNN, porm com tenses elevadas, da ordem de uma centena de volts. A tenso aplicada de modo reverso faz com que o diodo trabalhe na ruptura, resultando numa corrente de avalanche. So dispositivos de quatro camadas, sendo uma P e outra N, fortemente dopadas, uma N intermediria e uma camada intrnseca. A regio de depleo formada com a regio N e a camada intrnseca. Devido a alta tenso reversa, a dissipao de potncia muito elevada. TRAPPAT (Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit) So diodos IMPATT, que requerem altssimos campos eltricos aplicados quando usados com correntes externas convenientes, a ionizao se estende por toda a regio de depleo, ento ser desenvolvido um plasma e portadores. DIODO TUNNEL (ou ESAKI) Teve seu efeito explicado em 1958. Consiste em uma juno PN estreita altamente dopada, apresentando uma RCE muito estreita. Devido a largura RCE e a alta concentrao de portadores de ambos os lados da juno, uma pequena tenso direta aplicada, faz com que o dispositivo inicie a processo de conduo, atravs do tunelamento. A corrente aumenta rapidamente com o aumento da tenso at alcanar lp (corrente de pico). A partir desse ponto o dispositivo apresenta uma resistncia negativa, ou seja, com o aumento da
tenso a corrente, diminui at Iv (corrente de vale). A partir desse ponto, a corrente volta a crescer com o aumento da tenso aplicada. A figura a seguir, mostra a curva caracterstica de um diodo tunnel e seu smbolo. Os valores de Ip e Iv variam conforme a construo e a largura da barreira. DIODO SCHOTTKY Tambm chamado de diodo HCT (Hot carrier Diode.). Teve seu efeito explicado por SCHOTTKY em 1939, porm foi descoberto por BRAUN em 1874. Baseia-se na unio de um metal e um semicondutor. Devido as pequenas, dimenses em que pode ser construdo, muito utilizado na fabricao de circuitos integrados. So usados na fabricao do diodo SCHOTTKY, o silcio ou arsenieto de glio com forte dopagem como ctodos e ouro, prata ou alumnio como nodos. O funcionamento do dispositivo baseia-se no fato de que os nveis de energia so diferentes entre o semicondutor e o metal. Quando em polarizao direta, essa diferena provoca, o aparecimento de uma corrente no sentido do semicondutor para o metal. Em polarizao reversa o aumento da barreira de potencial impede a conduo de corrente. Devido aos eltrons, nicos portadores de carga, chamado de HCD. Devido a ausncia de portadores minoritrios, a resposta do SCHOTTKY muito rpida podendo trabalhar em freqncias da ordem de 70GHz. A tenso de incio de conduo depende dos materiais escolhidos na fabricao do diodo, podendo variar de 0,25 a 0,75volts. A figura a seguir, mostra a estrutura e o smbolo do diodo SCHOTTKY. DIODO VARICAP (VARACTOR) Em condies de polarizao reversa, todo diodo pode ser comparado a um capacitor, pois nessa condio as regies P e N comportam-se como as placas (armaduras) e a RCE como o dieltrico. Os VARICAPS so diodos otimizados para trabalharem em polarizao reversa, apresentando maiores variaes de capacitncia, em funo do potencial reverso aplicado. Para baixas freqncias so fabricados com silcio, sendo usado a arsenieto de glio para freqncias mais elevadas. A figura a seguir mostra o comportamento da capacitncia em funo da polarizao e o smbolo do diodo varicap. DIODO DE RECUPERAO EM DEGRAU O diodo de recuperao em degrau tem um nvel de dopagem que a medida que se aproxima da juno decresce de valor. Conduz com polarizao direta como qualquer diodo de silcio. Em polarizao reversa, conduz por um certo tempo, interrompendo o processo logo a seguir. Utilizado num circuito adequado a corrente pode ser filtrada produzindo freqncias mais elevadas. A figura a seguir mostra a estrutura bsica de um diodo de recuperao em degrau. DIODO DE RETAGUARDA (BACK DIODE) Diodo com elevado nvel de dopagem das regies P e N, que apresenta efeito ZENER em nveis de tenso reversa menores que 0,5volt. Os diodos de
retaguarda conduzem melhor no sentido reverso do que no sentido direto. A curva caracterstica de um diodo de retaguarda mostrada a seguir. LIGHT EMITTING DIODE (LED) O princpio da eletroluminescncia em semicondutores j tinha sido observado desde 1907, porm somente depois da utilizao do arsenieto de glio na construo desse tipo de dispositivo, e que se tornou eficiente a converso de corrente eltrica em luz. O funcionamento do LED baseia-se no fato de que um eltron se encontrando na camada de conduo, possui um alto nvel energtico adquirido pela absoro de energia externa. Quando o eltron volta para a camada de valncia, devolve ao meio a energia cedida e ftons so liberados, pois o eltron recombina e volta a preencher uma lacuna. Os eltrons so introduzidos na camada N, por uma fonte de corrente. Para cruzar a barreira de potencial, so levados a camada de conduo. Aps a passagem pela juno, os eltrons recombinam, preenchendo lacunas da camada de valncia e nesse processo liberam energia. A cor da luz emitida depende do material utilizado no cristal e tambm do nvel de dopagem. As figuras a seguir. Mostram o processo de recombinao, o smbolo e um tipo de encapsulamento bastante comum.
FOTODIODO A incidncia de energia luminosa numa juno PN libera eltrons da camada de valncia para a camada de conduo. A corrente reversa de um diodo devido a movimentao de portadores minoritrios que surgem em ambos os lados da juno. Num fotodiodo, a corrente reversa controlada atravs da incidncia da luz na juno, atravs de encapsulamentos especiais. A figura a seguir mostra o smbolo utilizado para um fotodiodo. OPTOACOPLADOR ELETRNICO (FOTOACOPLADOR) Existem diversos tipos de fotoacopladores. O mais simples utiliza um diodo emissor de luz (LED) e um fotodiodo num mesmo encapsulamento. A passagem de corrente no LED, produz radiao infravermelha, que absorvida pelo fotodiodo, produzindo corrente. O acoplador tico tem como caracterstica principal proporcionar a isolao entre dois circuitos. A figura a seguir mostra o smbolo de um tipo de fotoacoplador. DIODO DE CONTATO DE PONTO Uma pequena haste de metal pressionada contra uma regio do tipo N. Por um processo de fuso criada no ponto de contato uma regio do tipo P. A juno muito pequena entre as regies P e N criando capacitncias muito baixas. A utilizao desse dispositivo grande em circuitos de
freqncia elevada, porm com baixos nveis de potncia. A figura a seguir, mostra um diodo de contato de ponto. CONVENSES Basic symbol chart Whether the letters of the symbols are to be written in upper case or lower case letters can be taken from the following chart.
i, v, p Instantaneous component value of the Symbols I, V, P
a b c f r m av E B C F R M AV
variable RMS, average, and peak value of the variable component
GRANDEZAS ELTRICAS
IC DC value, no signal ICAV Average value of the total current (referred to zero) ICM Ic Peak value of the total current (referred to zero) ICRMS RMS value of the total current (referred to zero) Icav (Arithmetic) mean of the variable component superimposed on the closed circuit direct current Ic (referred to the DC no-signal value Ic) Ic Ierms RMS value of the variable component (referred to the average value Icav) Icm Ic Peak value of the variable component (referred to the arithmetic mean Icva) IC Instantaneous total value (refer to zero) Ic Instantaneous value of the variable component (referred to the arithmetic mean Icva)
Subscripts
Instantaneous total value (as referred to DC value, average, rms, and peak value (as zero) referred to zero)

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O material tipo N resultante, e eletricamente neutro.

Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao MATERIAL DOPADO TIPO P

J no material tipo P, os eltrons so portadores minoritrios e as lacunas, portadores majoritrios.

Eletricazine, a pgina da engenharia eltrica e computao O DIODO IDEAL

Resistncia inversa: Vr = Ir Caracterstica volt ampre Circuitos equivalentes

O sentido convencional da corrente, e indicado pela ponta da flecha no smbolo.

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O fluxo de portadores majoritrios aumentar exponencialmente com o aumento da polarizao direta.

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O grfico a seguir, mostra a variao da capacitncia de um diodo em funo da polarizao.

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