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ASIGNATURA: Electrnica 1

Profesor: M. en C. Francisco Javier Ramrez Ruiz

UNIDAD TEMTICA TEMA: FUENTES DE ALIMENTACION NMERO DE PARTICIPANTES RECOMENDABLE: 4 LUGAR: Toluca Mxico Alumno(a): Rafael Garca Velzquez

-.INTRODUCCIN.Los tracs se comportan en general como los SCR, excepto en que los primeros pueden conducir corriente en ambas direcciones. Tanto los tracs como los SCR con miembros de la familia de los Tiristores. El trmino Tiristor incluye a todos los dispositivos semiconductores que presentan un comportamiento de encendido y apagado inherente, en oposicin a permitir un cambio gradual en la conduccin. Todos los tiristores son dispositivos de conmutacin regenerativa, y no pueden operar de una manera lineal. Por lo tanto, un transistor no es un tiristor porque, aun cuando puede operar en encendido y apagado, no es su naturaleza inherente. Existe la posibilidad de que un transistor opere de manera lineal. Algunos tiristores pueden ser castigados al estado de encendido, como en los SCR. Los tracs son iguales en este sentido. Otros tiristores no pueden castigarse en encendido, pero se encienden cuando el voltaje aplicado alcanza en cierto valor de transicin. Los diodos de cuatro capas y los dacs son ejemplos de este tipo de tiristor. Los tiristores pequeos, que no conmutan la carga principal de corriente, son llamados generalmente dispositivos de transicin conductiva y se usar dicho nombren este libro [Electronica Industrial Moderna-Timothy J. Maloney-Tercera Edicin]. Son uiles en los circuitos de disparo de compuerta de tiristores de conmutacin de grandes cargas de energa, como los tracs.

-.TEORA Y OPERACIN DE LOS TRACS.Un trac es un dispositivo de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. Un trac difiere de un SCR en que al encenderse puede conducir corriente en
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cualquier direccin. El smbolo esquemtico de un trac se muestra a continuacin, junto con los nombres y abreviaturas de sus terminales.

Cuando un trac es apagado, no puede fluir corriente entre las terminales principales, sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado. El trac, por tanto acta como interruptor abierto. Cuando el trac se enciende, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1. Cuando le voltaje es ms positivo en MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En ambos casos, el trac se comporta como un interruptor cerrado. La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el tac y la carga se representa la figura superior b). Un trac es colocado en serie con la carga, al igual que un SCR, como se muestra en la figura. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de un tiempo por ciclo que el trac permanece en el estado de encendido. Di est una parte pequea del tiempo en el estado de encendiudo, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser el pequeo. Si est en el estado de encendido durante una parte grande del ciclo de tiempo, la corriente promedio ser alta. Un trac no esta limitado a 180 de conduccin por cliclo. Con un arreglo adecuando del
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disparador, puede conducir durante el total de los 360 de ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. Los tracs tienen las mismas ventajas que los SCR y los transistores sobre los interruptores mecnicos. No tienen rebotes de contacto, no existen arcos entre los contactos parcialmente abiertos y operan con mucha mayor rapidez que los interruptores mecanicos, proporcionando por tanto un control de corriente ms preciso. -.FORMAS DE ONDA DE LOS TRACS.Las formas de ondas de los tracs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la imagen de abajo se muestran las formas de inda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del trac (a travs de las terminales principales) para tres condiciones diferentes. En la figura a), las formas de onda muestran apagado el trac durante los primeros 30 de cada semiciclo. Durante estos 30 el trac se comporta como un interruptor abierto. Durante este tiempo, el voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del trac o la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo de disparo, al igual que en los SCR. Continuando con la figura a), despus de trascurridos los 30, el trac se dispara, o enciende, y se vuelve como un interruptor cerrado. En este instante el trac comienza a conducir corriente a travs de sus principales y a travs de la carga, y contina conduciendo corriente de carga durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el trac est encendido se llama ngulo de conduccin. El ngulo de conduccin de la figura a) es de 150. Las formas de onda muestran que, durante el ngulo de conduccin, el voltaje total de la lnea es aplicado a la carga, apareciendo un voltaje cero a travs de las terminales principales del trac. En la figura b), se muestra las mismas formas de onda para un angulo de retardo de disparo mayor. En la figura b), el ngulo de retardo de disparo es de 120 y el ngulo de conduccin es de 60. Ya que, en este caso, el flujo de corriente ocurre durante una parte menor del total del cilo, la corriente promedio es menor de lo que era la condicin de la figura a). Por tanto, hay una transferencia de potencia menor entre la fuente y la carga. Los tracs, como los SCR y la mayora de los otros dispositivos semiconductores, presentan variaciones notablesen sus caractersticas elctricas. Este problema es especialmente evidente en lis tracs porque eb general ocurre que los requerimientos de disparo son diferentes para las dos polaridades distintas de la fuente de voltaje. En la figura c), se muestra formas de onda que ilustran este problema. La forma de onda del trac de la figura c) se muestra un ngulo de retardo de disparo menor para el semiciclo positivo que para el semiciclo negativo. En este caso, el angulo de retardo negativo sera menor. Algunas veces tal comportamiento de disparo inconsistente no es aceptable.

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-.ACTIVACIN DEL TIRISTOR.Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J2 tiene polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado. Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas: Trmica.- Si la temperatura de un tiristor es alta, habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin de regenerativa (2 )1 + puede tender a la unidad y el riristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita. Luz.- Si se permite que la Luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarn los pares electrnhueco pudindose activar el tiristor. Al activacin de tiristores por la luz se logra al permitir que sta llegue a los discos de silicio. Alto Voltaje.- Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo V BO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. dv/dt .- Si la velocidad de elevacin de voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor; por lo que el dispositivo debe protegerse contra un dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores. Corriente de Compuerta.- Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta y las terminales del ctodo activarn el tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta se reduce el bloqueo directo. -.TIPOS DE TIRISTORES.-

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Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y de desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras: 1.- Tiristores de Control de Fase (SCR). 2.- Tiristores de Conmutacin Rpida (SCR). 3.- Tiristores de Desactivacin por Compuerta (GTO). 4.- Tiristores de Triodo Bidireccional (TRIAC). 5.- Tiristores de Conduccin Inversa (RCT). 6.- Tiristores de Induccin Esttica (SITH). 7.- Rectificadores Controlados por Silicio Activados por Luz (LASCR). 8.- Tiristores Controlados por FET (FET-CIH). 9.- Tiristores Controlados por MOS (MCT). -.TIRISTORES DE CONTROL DE FASE.Este tipo de tiristor por lo general opera la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin natural. El tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100s. Esto es muy adecuado en especial para las aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como Tiristores convertidores. Dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado de silicio, tambin se conoce como un rectificador controlado de silicio (SCR). El voltaje en estado activo, VT, por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600V, hasta 2.5V para dispositivos de 4000-V; y para un tiristor de 5500-A 1200-V es tpicamente 1.25 V. Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un tiristor auxiliar TA, mediante una seal de compuerta, y de all a la salida amplificada de T A, se aplica como sean de compuerta al tiristor principal TM, La compuerta amplificadora permite caractersticas altamente dinmicas con dv/dt tpicas de 1000 V/ s y di/dt de 500 A/s, simplificando el diseos de los circuitos para reducir limitadamente di/dt y los circuitos de proteccin dv/dt.
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-.TIRISTORES DE CONMUTACION RAPIDA.Estos se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada (por ejemplo, pulsadores e inversores). Tienen un tiempo corto de desactivacin, por lo general de 5 a50s, dependiendo del rango de voltaje. La cada directa en estado activo varia aproximadamente en funcin inversa del tiempo de desactivacin tq. Este tipo de tiristor tambin se conoce como tiristor inversor. Estos tiristores tiene un dv/dt alto, tpicamente de 1000 V/s. La desactivacin rpida y el di/dt alto son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los componentes de conmutacin o reactivos del circuito. El voltaje en estado activo de un tiristor de 2200 A 1800 V es por lo comn 1.7 V. Los tiristores inversores con una muy limitada capacidad de bloqueo inverso, tpicamente de 10 V, y un tiempo de desactivacin muy corto, entre 3 y 5 s, se conoce comnmente como tiristores asimtricos (ASCR) -.TIRISTORES DE DESACTIVACION POR COMPUERTA.Al igual que un SCR, puede activarse mediante la aplicacin de una seal positiva de compuerta,
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Sin embargo, se puede desactivar mediante una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se puede construir con especificaciones de corriente y voltaje similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los GTO tienen varias ventajas sobre los SCR: La eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen. La reduccin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la conmutacin. Una desactivacin ms rpida, que permite frecuencias de conmutacin ms altas. Una eficiencia mejorada de los convertidores. En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transistores bipolares: Una ms alta capacidad de voltaje de bloqueo. Una relacin alta de corriente de pico controlable a corriente promedio. Una relacin alta de corriente de pulsaciones pico a corriente promedio, tpicamente de 10:1 Una ganancia alta en estado activo (Corriente del nodo dividido entre la corriente de la compuerta) tpicamente 600.

-.TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL.Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase de corriente alterna (Por ejemplo, controladores de voltaje de ca). S puede considerar como si fueran
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dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como anodo y catodo. Si la terminal MT2 es positiva cn respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede activar aplicando una seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal MT1, no es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la puerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta.

-.TIRISTORES DE CONDUCCIN INVERSA.Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerase como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporando, Un RCT se conoce tambin como un tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000 V y las especificaciones de corriente llegan hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo de terminado est preestablecida la relacin entre corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos. -.TIRISTORES DE INDUCCIN ESTTICA.Las caractersticas de un SITH son similares a las de un MOSFET, por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como tos tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta, Un SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje t corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la corriente esta limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin. Por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

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-.RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ.Este dispositivo se activa mediante la radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con la luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo LED). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Una LASCR ofrece un total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto tan alto como 4 kV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El di/dt tpico es 250 A/s e yl dv/dt puede ser tan alto como 2000 V/s. Un dispositivo FET-CTH combian un MOSFET y un tiristor en paralelo. Si a la compuerta del MOSSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servir en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin de convertidor de potencia.

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-.TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS.Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. La estructura NPN Q1 y un transistor PNP Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el anodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta, Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA.

-.Diac.Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

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La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

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-.CONCLUSIONES.Un tiristor es un dispositivo semiconductor de potencia, el cual se opera como conmutador biestable, pasando de un estado no conducotr a un estado conductor. Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J2 tiene polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado. La corriente de enganche IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta.

BIBLIOGRAFA -> www.unicrom.com -> http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:ATX_power_supply_interior -> N. MOHAN, T. M. UNDELAND and W. P. ROBBINS: Power Electronics: Converters, Applications and Design. New York, John Wiley and Sons, 1995. -> G. C. CHRYSSIS: High-Frequency Switching Power Supplies: Theory and Design. New York, McGraw-Hill, 1989. -> J. L. MUOZ y S. HERNNDEZ: Sistemas de alimentacin conmutados. Madrid, Paraninfo, 1997. -> K.H. BILLINGS: Switchmode Power Supply Handbook. New York, McGrawHill, 1989.

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