Microelectrnica y Fotnica

Prctica 2. Efecto Hall en semiconductores.

PRCTICA 2

Medidas de efecto Hall en una muestra de germanio

Temas tratados: semiconductores, teora de bandas, banda de energa prohibida (band gap), fuerza de Lorentz, efecto Hall, concentracin y tipo de portadores, movilidad.

Objetivo: medir el voltaje Hall en una muestra rectangular de germanio en funcin de la intensidad de corriente, intensidad de campo magntico y temperatura. Deducir a partir de dichas medidas el tipo de portadores de carga (electrones o huecos), su concentracin y su movilidad.

Procedimiento: .- Se medir el voltaje Hall en funcin de tres parmetros distintos. Primero en funcin de la intensidad de corriente que circula por la muestra, manteniendo el campo magntico y la temperatura constantes. A partir del signo del voltaje Hall podremos saber si la muestra es tipo p o tipo n. Despus realizaremos la misma medida en funcin del campo magntico, manteniendo la corriente y la temperatura constantes, y calcularemos la concentracin de portadores y su movilidad. Finalmente las medidas en funcin de la temperatura nos permitirn comprobar la inversin del signo de la tensin Hall como consecuencia de la transicin de la regin de conductividad extrnseca a la zona intrnseca.

Precauciones: .- No sobrepasar nunca el lmite de 50 mA de corriente a travs del germanio. .- No sobrepasar nunca la temperatura de 150 C. Para ello no aplicar ms de 6 V a.c. al termocoil que calienta la muestra. .- Retirar la sonda Hall durante el calentamiento.

Introduccin: La resistividad de un semiconductor est relacionada con las concentraciones y movilidades de portadores a travs de la expresin: 1 = = q (p p + n n ), (1)

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donde las movilidades, para campos no elevados, son independientes del campo elctrico aplicado. En el caso de que el semiconductor se pueda suponer unipolar (dopado tipo p o tipo n) la expresin anterior se reduce a: 1 = = q p p (tipo p), o bien 1 = = q n n (tipo n). (2) (3)

Si un semiconductor por el que circula una corriente elctrica I se somete a la accin de un campo magntico B perpendicular a la corriente se origina una separacin espacial de las cargas en direccin perpendicular a I y a B debido a la accin de la fuerza de Lorentz sobre dichas cargas: F = q(v B ) . Surge por tanto un campo elctrico y ello da lugar a la aparicin de una diferencia de potencial VH en la direccin perpendicular a la corriente, llamada tensin Hall. La tensin Hall viene dada por: VH = RH IB , d (4)

donde d es el espesor de la muestra y RH es la constante Hall, cuya expresin es:

2 2 r p p n n RH = , q (p p + n n )2

(5)

siendo r es un factor que depende del tipo de conduccin y cuyo valor est muy prximo a 1. A partir de medidas de VH frente a la corriente o frente al campo magntico podemos determinar el valor de la constante Hall, pero su expresin no permite calcular ningn parmetro del semiconductor (concentraciones o movilidades) a menos que se pueda hacer alguna hiptesis simplificadora. As, por ejemplo, si la conductividad del semiconductor estuviera dominada por electrones (n>p) y n /p >1 (usualmente la movilidad de electrones es mayor que la de huecos en la mayora de los semiconductores), entonces: RH r 1 , qn (6) 1 ), permitira determinar tanto qn n

lo cual unido al valor de la resistividad, en este caso (

el valor de n como el de n, salvo por el factor r que tendramos que suponer igual a 1. Anlogamente, para un semiconductor tipo p suficientemente dopado tendramos: RH r 1 , qp (7)

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y junto al valor de la resistividad (

1 ) podramos calcular p y p suponiendo r=1. qp p

Dada una direccin de la corriente elctrica I, los portadores con carga positiva (huecos) y negativa (electrones) se mueven en direcciones opuestas, por lo que el vector q v que aparece en la ecuacin de la ley de Lorentz tiene la misma direccin (la de la corriente elctrica) para ambos tipos de portadores. Esto significa que ambos se veran desviados hacia el mismo lado por la accin de la fuerza de Lorentz, y al tener signos opuestos daran lugar a un voltaje Hall de opuesta polaridad. Por consiguiente el signo de la tensin Hall nos servir para saber el tipo de portador dominante en el semiconductor. En la figura 1 se ilustra esta idea.

qv
+

F I
Figura 1. Ilustracin de la fuerza de Lorentz y la tensin Hall en una muestra de semiconductor. Con el sentido de la corriente y campo elctrico que se muestra en esta figura, los portadores son desviados hacia la parte frontal de la muestra, por lo que el signo de la tensin Hall (segn el criterio de signos adoptado en el dibujo) ser positivo si dichos portadores son huecos y negativo si son electrones.

La muestra que vamos a utilizar es un trozo de germanio pegado a una placa de circuito impreso que permite hacer contacto en cuatro puntos del Ge para introducir corriente por dos de ellos y medir la tensin Hall en los otros dos. En la figura 2 se muestra el esquema general del experimento. Utilizaremos la salida de continua de la fuente para alimentar las bobinas del electroimn que crear el campo magntico, mientras que las dos salidas de alterna sern utilizadas una para calentar la muestra (salida de 6 V a.c.) y la otra para introducir corriente a la muestra (salida de 12 V a.c.). Con este ltimo fin ser necesario rectificar dicha tensin de alterna y convertirla en continua, para lo cual usaremos un puente de diodos y un condensador de filtro. El potencimetro nos permitir variar la corriente que hacemos pasar por el semiconductor, mientras que la resistencia de 330 limita el valor mximo permitido de dicha corriente para proteger la muestra.

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Corriente para el calentamiento de la muestra (6 V a.c.).

Figura 2. Esquema general del montaje experimental. Conectaremos la fuente de alimentacin entre los puntos A y B cuando queramos variar la intensidad de corriente, mientras que usaremos los puntos A y C cuando queramos que acte el circuito regulador situado entre B y C. En este ltimo caso eliminaremos la resistencia de 330 , pues deja de ser necesaria y puede afectar al funcionamiento del circuito regulador debido a la cada de tensin que se produce en ella.

Para las medidas a corriente constante y campo magntico o temperatura variables interesa mantener el valor de la corriente elctrica independiente de la variacin que la resistividad del semiconductor tiene con cualquiera de esos dos parmetros. Esto lo podemos lograr con ayuda de un circuito de control de la intensidad de corriente situado entre los puntos B y C de la placa. Cuando queramos variar la corriente manualmente haremos contacto en la muestra entre los puntos A y B, con lo que el circuito de control estar inactivo. Por el contrario, si queremos que el circuito regulador mantenga la corriente constante utilizaremos los contactos A y C. En este caso eliminaremos la resistencia de 330 , pues la cada de tensin en ella puede ser suficientemente significativa como para afectar al funcionamiento del circuito regulador. El esquema de este circuito se muestra en la figura 3. El funcionamiento del circuito de control de la intensidad de corriente es simple. El regulador de tensin mantiene un voltaje constante de 5 V entre su salida y su tierra, siempre que el voltaje en su entrada sea como mnimo unos 2 V mayor que ese valor. Por consiguiente la resistencia variable de 500 y la resistencia de 100 establecen el valor de la corriente que va a circular por l, y que necesariamente tendr que circular tambin por la muestra. Esa corriente estar comprendida entre 30 mA y unos 8 mA, segn el valor de la resistencia variable. El diodo evita el flujo de corriente en la direccin contraria y por tanto protege al circuito en caso de que la alimentacin fuera introducida al revs por equivocacin. Las resistencias de 3.9 k y el potencimetro de 4.3 k proporcionan un camino alternativo a la

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corriente desde los contactos destinados a medir la tensin Hall. Este camino alternativo est diseado con una impedancia suficientemente elevada como para derivar poca corriente en comparacin con la corriente total que circula por la muestra, pero la suficiente como para que regulando el potencimetro de 4.3 k se pueda compensar la pequea diferencia de tensin que puede surgir entre los dos contactos Hall en ausencia de campo magntico. Esta pequea tensin parsita que se superpondra al voltaje Hall puede estar causada por una pequea falta de alineamiento entre los dos contactos (cuando ambos no se encuentran exactamente sobre la misma lnea equipotencial correspondiente a la corriente que circula por la muestra).
R3

V_Hall 3.9k

A +

B Ge
D1N4148
1

LM7805C IN GND OUT 2

R1

R2

R5

4.3K 500 100

C
R4

V_Hall 3.9k

12V.....30V

Figura 3. Esquema del circuito de control de la intensidad de corriente. La resistencia variable R 1 permite fijar la corriente que circular por el regulador de tensin de 5 V. Esta corriente tendr que pasar tambin por la muestra. Por otro lado, el potencimetro R5 permite compensar la diferencia de tensin parsita que puede surgir entre los dos contactos destinados a medir el voltaje Hall.

(A).- Tensin Hall a temperatura ambiente y campo magntico constante. Como se ha comentado anteriormente, la corriente por la muestra se obtendr de la salida de alterna (12 V a.c.) de la fuente de alimentacin. Esta tensin se conectar a un puente de diodos y un condensador de filtro para ser convertida en una tensin de continua. Para poder variar el valor de la corriente se utilizar un potencimetro en serie con una resistencia de proteccin que limita el valor mximo a unos 50 mA. En este apartado el cristal de germanio se conectar a la alimentacin a travs de los conectores A y B, como se muestra en la figura 2. Por consiguiente tanto el circuito de estabilizacin como el mecanismo de compensacin del voltaje Hall estn inactivos.

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El campo magntico se producir mediante un electroimn con ncleo magntico y dos bobinas que se alimentan de la salida de tensin continua de la fuente de alimentacin. Con este fin se recomienda hacer funcionar esta salida como una fuente de corriente en lugar de como una fuente de tensin. Para ello ajuste el mando de control de la corriente al mnimo y el del voltaje al mximo. De esta forma el factor limitador ser el control de corriente, y varindolo podemos ajustar la corriente que queremos que circule por la muestra. As se logra que los cambios de resistencia en las bobinas causados por el calentamiento de stas no tenga ningn efecto en la intensidad del campo magntico. El valor de la induccin magntica se medir con ayuda del teslmetro. Este instrumento dispone de una sonda tangencial adecuada para medir la densidad de flujo magntico en la direccin perpendicular al portasondas. El principio de funcionamiento de esta sonda est basado, precisamente, en el efecto Hall. En el extremo de la sonda hay una pequea muestra de un semiconductor ( aAs) por el que se hace circular una corriente, G detectndose el voltaje Hall causado por el campo magntico que se quiere medir. El instrumento est calibrado para convertir esas lecturas de voltaje Hall en valores de induccin magntica. Para evitar daos a la sonda es importante cubrirla con el tubo protector cuando no se est utilizando y evitar cogerla por la barra plana de plstico donde se encuentra el sensor. Para mediciones de campo continuo, como las que se van a hacer aqu, es necesario ajustar el cero antes de hacer las medidas. Asegrese de que el conmutador de seleccin del modo de medida se encuentre en la posicin de campo continuo y realice el ajuste de cero en la escala ms sensible (la de 20 mT). Para ello se dispone de un tornillo de ajuste grueso (situado bajo el mando de seleccin de escala) y un control de ajuste fino (situado a la derecha). Una vez efectuado el ajuste en la escala ms pequea, no ser necesario repetirlo al cambiar a las escalas mayores. Para la realizacin de las medidas conmute a la escala de 2000 T y site la sonda Hall en el entrehierro del electroimn, preferentemente por la parte de atrs de la placa que contiene la muestra para evitar tocar la superficie del germanio. No ser necesario retirar la sonda durante este apartado y el siguiente, pero s cuando calentemos la muestra en el ltimo apartado, pues el calor podra daarla. Ajuste la corriente que circula por las bobinas hasta obtener un campo magntico de 250 mT. A continuacin vare la corriente que circula por la muestra entre 0 y 30 mA en ambos sentidos y mida el voltaje Hall con ayuda de un multmetro. Realice una grfica de VH frente a I. Se deber obtener una dependencia lineal como la que se muestra en la figura 4, indicando que se verifica la ecuacin (4). Podramos intentar calcular el coeficiente Hall a partir de estas medidas, pero al no haber efectuado una compensacin del voltaje Hall parsito
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el resultado podra estar afectado de un error significativo. Recurdese que este voltaje Hall parsito est causado en gran parte por la posible falta de alineamiento de los dos contactos sobre la misma equipotencial, y por tanto es proporcional al valor de la intensidad de corriente que circula por la muestra. Los resultados que obtengamos en el prximo apartado en funcin del campo magntico sern ms adecuados para calcular RH, ya que mantendremos I constante y realizaremos una compensacin de la tensin Hall parsita. De momento, los resultados obtenidos en este apartado ya nos pueden servir para deducir el tipo de portadores (p o n) a partir del signo del voltaje Hall.

60 40 20

B=250 mT

VHall (mV)

0 -20 -40 -60 -30 -20 -10 0 10 20 30

I (mA)
Figura 4.

(B).- Tensin Hall a temperatura ambiente y corriente constante. En este apartado mediremos el voltaje Hall frente al campo magntico. El primer paso es regular la corriente y compensar el voltaje Hall parsito. Para este ltimo fin es necesario desconectar el campo magntico, lo cual requerir retirar momentneamente las dos piezas polares del electroimn (debido a la remanencia del ncleo magntico no basta con poner a cero la corriente elctrica que circula por las bobinas). Para que acten el circuito de regulacin de la corriente y el mecanismo de compensacin del voltaje Hall es necesario conectar la muestra a la alimentacin usando los puntos A y C de la figura 2. Para una corriente de 30 mA la cada de tensin en la resistencia de 330 sera de 9.9 V, lo que unido a la cada de tensin en la muestra hara que el voltaje a la entrada del regulador (figura 3) fuera inferior a los 7 V necesarios para su funcionamiento
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correcto. Por este motivo es necesario puentear o eliminar dicha resistencia, conectando directamente la salida del potencimetro de 560 al punto A (figura 2). Ajuste este potencimetro al mximo y utilice la resistencia variable del circuito de regulacin situado en la parte de atrs de la placa (R1 en la figura 3) para fijar un valor de corriente de 30 mA. A continuacin mida la diferencia de tensin entre los dos contactos Hall y llvela a 0 con ayuda del potencimetro de compensacin (R5 en la figura 3, al que se tiene acceso mediante un tornillo en la parte frontal de la placa). Una vez realizados estos ajustes ya estamos en condiciones de medir el voltaje Hall frente al campo magntico, libres de la principal causa de error. Vuelva a colocar las piezas polares del electroimn en su sitio y realice las medidas para valores de campo magntico entre 0 y 300 mT en ambos sentidos (para invertir la polaridad del campo magntico simplemente invierta las conexiones entre el circuito que alimenta las bobinas y la fuente de tensin de continua (cambiando el ms por el menos y viceversa). Deber obtener un resultado como el que se muestra en la figura 5.

60 40 20 0 -20 -40 -60

I=30 mA

UHall (mV)

-300

-200

-100

100

200

300

B (mT)
Figura 5.

Mediante un ajuste lineal de la grfica obtenida y teniendo en cuenta la ecuacin (4) calcule el coeficiente Hall (tome d=1 mm como espesor de la muestra). Se define la movilidad Hall como: H = RH , (8)

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donde es la conductividad. Si una muestra est dopada tipo p o tipo n, de modo que sean aplicables las simplificaciones dadas por las ecuaciones (2) o (3) para la conductividad y (6) o (7) para el coeficiente Hall, entones la movilidad Hall coincide con la movilidad de huecos p o electrones n , respectivamente (suponiendo r=1). Teniendo en cuenta estas consideraciones calcule la concentracin de portadores y su movilidad a partir del valor del coeficiente Hall. Necesitar para ello el valor de la conductividad de la muestra, que puede calcular a partir de su resistencia y conociendo las dimensiones geomtricas de la misma (20101 mm). La resistencia debe determinarse midiendo con un voltmetro la cada de tensin en la muestra (entre los puntos A y B) para una corriente dada, y esta medida debe hacerse en ausencia de campo magntico. El campo magntico provoca una reduccin en el recorrido libre medio de los portadores de carga y por tanto un aumento de la resistencia. Se obtendr un valor entorno a R=49 . (C).- Tensin Hall a temperatura variable. Antes de empezar a calentar la muestra fijaremos el campo magntico en 200 mT, tras lo cual retiraremos la sonda del teslmetro para protegerla del calor. Como valor de intensidad de corriente utilizaremos los 30 mA que habamos ajustado en el apartado anterior. Para calentar el semiconductor disponemos de una pelcula resistiva en forma de zigzag por dentro de la placa sobre la que se encuentra pegada la muestra. Al conectar esta resistencia trmica a la salida de 6 V de alterna de la fuente empezar a calentarse. Para medir la temperatura contamos con un termopar tipo T ( u/CuNi) pegado al germanio y cuyo C coeficiente termoelctrico es 40 V/K. Por consiguiente, por cada Kelvin o C que aumente la temperatura de la unin del termopar por encima de la temperatura ambiente obtendremos un incremento de tensin de 40 V. Midiendo con un voltmetro el voltaje proporcionado por el termopar y sabiendo la temperatura ambiente podemos convertir las lecturas del voltmetro en temperatura. Tngase siempre presente la precaucin de no sobrepasar la mxima temperatura permitida (150 C, o lo que es igual, unos 5 mV de tensin en el termopar). De esta forma mediremos el voltaje Hall frente a la temperatura y representaremos los resultados en una grfica como se muestra en la figura 6. Obsrvese que la tensin Hall disminuye al aumentar la temperatura y termina por cambiar de signo. Puesto que las medidas se han hecho a corriente y campo magntico constantes, se deduce que esta disminucin es debida a un incremento en el nmero de portadores de carga y la consiguiente reduccin en la

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velocidad de arrastre. Ntese que igual corriente con mayor nmero de portadores de carga implica una menor velocidad de arrastre, como se deduce de la ecuacin: I = A ( qnv n + qpv p ) , (9)

y a su vez una menor velocidad de arrastre est relacionada con un menor voltaje Hall a travs de la ley de fuerza de Lorentz. A medida que aumenta la generacin de portadores a causa de la temperatura el semiconductor va entrando en zona intrnseca (cuando empiezan a predominar los portadores generados trmicamente sobre los introducidos por el dopado). Entonces la concentracin de electrones se hace prcticamente igual a la de huecos, por lo que el signo de la tensin Hall depender de cules producen la mayor contribucin al efecto Hall. Al ser sus concentraciones iguales predominar la contribucin de aqullos que tengan mayor velocidad, o lo que es equivalente, mayor movilidad (v=E). En casi todos los semiconductores la movilidad de electrones es mayor que la de los huecos, por lo que al entrar en zona intrnseca predomina el efecto Hall causado por los electrones. Puesto que nuestra muestra de semiconductor es tipo p esto significa una inversin en el signo del voltaje Hall.

40

I=30 mA B=200 mT

30

VHall (mV)

20

10

-10 20 40 60 80 100 120 140 160

Temperatura (C)
Figura 6

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