Ejercicios resueltos de tecnolog electrnica.

a o
Tema 3. Transistor bipolar. 29 de abril de 2008
Feb-96. En el circuito de la gura, determinar: a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la posicin 1, si ha permanecido en dicha posicin tiempo suciente para alcanzar las o o condiciones nales. b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la posicin 2, si ha permanecido en dicha posicin tiempo suciente para alcanzar las o o condiciones nales. c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor S pasa de la posicin 1 a la 2 despus de permanecer elevado tiempo en la 1. o e
VCC = +15V C = 1F RB = 2K 1 2 Vo

DZ

RE = 1K

VZ = 4,7V IZ min = 1mA DZ RZ = 0 V = 0,5V VBE = VBE SAT = 0,7V BJT VCESAT = 0V = 200 Solucin: o a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Rg. permanente) e

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VCC = +15V

RB = 2K

Vo

0,7V

DZ

RE = 1K

Vo = Vcc = 15V IRB = 15 4,7 = 5,15mA 2

VE = VB VBE = 4,7 0,7 = 4V IE = 4V = 4mA 1k

VCE = 14 4 = 11V IC IE IB = IC

IRB >> IB IRB IZ > 1mA b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Rg. est. perm.) e
VCC = +15V

RB = 2K

IB 0,7 IE RE = 1K

Vo

0,7V

IC = 0; BJT = sat VCE = VCE IE = IB = IRB 4,7 0,7 = 4mA 1 15 4,7 = = 5,15mA 2

SAT

= 0V

IZ = IRB IB = 5,15 4 = 1,15mA > IZ c) Vo para t =

min

1ms , si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1) 10seg. 2

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Vo |t=10s = . . . = 4V Vo = VE + VCE = 4V Sep-93. En el circuito de la gura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50 y 2 = 20, determinar: a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V . b) Valor m nimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V RE = 10K T2 R1 = 20K Vi T1 R2 = 80K Vo RC = 10K

Solucin: o

IC1 = 1 IB1 T1 = VBE1 = 0,7V IE1 = (1 + 1 )IB1 IC2 = 2 IB2 VBE2 = 0,7V T2 = IE2 = (1 + 2 )IB2 a) Pto. trabajo / Vi = 10V Thvenin en la base de T1 : e
R1 R2 RT = R1 VT = Vi R2 = 1600 = 16K 100

Vi

R2 80 = 10 = 8V R1 + R2 100

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VCC = 30V IE2 10K IC1 = IB2 T2 16 T1 IB1 IC2 Vo IE1 + IC2

Ecuacin malla base T1 o 0,8Vi = IB1 RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + 2 )IB1 + 2 1 IB1 )RC ((Es un montaje Darlington en el sentido de que = 1 2 )) Para Vi = 10V : 8 = IB1 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) 10 IB1 = 0,693A IC1 = 1 IB1 = 0,0346mA = IB2 IC2 = 2 IB2 = 0,693mA Malla de colector de T2 VCC = IE2 RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) RC VEC2 = . . . = 15,45V Activa. VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V Activa, suposicin correcta. o b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto. func. IC1 = IB1 T1 SAT VCE1 = 0,8V VBE1 = 0,8V

Malla colector T1 : VCE = (1 + 2 )1 IB1 RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + 1 )IB1 + 1 2 IB1 ] RC 30 = 21 50 IB1 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] 10

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IB1 = IB1 IC1

SAT

SAT

= 1,385A
SAT

= IB1

= 0,0692mA

IC2 = IB2 = 1,385mA VCE1 = VCE

SAT 1

= 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V 0,8Vi = IB1 RT + VBE1 Vi = 19,22V
SAT

+ (IB1 + IC2 ) RC

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