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TIRISTORES e RETIFICADORES CONTROLADOS Fonte: Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao - UNICAMP 1 O Tiristor O nome tiristor engloba uma famlia

de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqncia P-N-PN, apresentando um funcionamento biestvel. O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente a mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS). 1.1 Princpios de Funcionamento O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente P-N-P-N, possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais a corrente conduzida, e porta (ou gate) que, ao receber uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 1 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo. Se entre anodo e catodo aplicar-se uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso Vak atinja um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2 [1].

Figura 1 Funcionamento bsico do tiristor Havendo uma tenso Vgk positiva, circular atravs de J3 uma corrente com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por caractersticas de construo, a camada P ligada porta suficientemente estreita para que parte dos eltrons que cruzam J3 possuam energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo. Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da corrente de porta. Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Assim, o tiristor bloquear o fluxo de portadores enquanto no for superada a tenso de ruptura das duas junes. comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 2.

Figura 2 Analogia entre tiristor e transistores Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik aumentaro. Como Ic2 = Ib1, T1 conduzir e temse Ib2=Ic1 + Ig, aumentando Ic2 e levando o dispositivo a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem maiores que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching". Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente conduzida por ele fique abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante o desligamento. Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos GTOs, como se ver adiante.

Figura 3 Caracterstica esttica do tiristor. 1.2 Maneiras de disparar um tiristor Pode-se considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduo:

a) Tenso Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, conseqentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a criao de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo. b) Taxa de crescimento da tenso direta Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:

Onde Cj a capacitncia da juno. Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo. Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tm a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo. Como se ver adiante utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles. c) Temperatura A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno PN reversamente polarizada aumenta proporcionalmente a temperatura. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo. d) Ao da corrente positiva de porta o mtodo usual de disparo do SCR, j tendo sido descrito anteriormente. Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de disparo do tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a corrente Ig, como mostrados na figura 4.

O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada. O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao. A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura. Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tenso, corrente e potncia mximas). e) Energia radiante Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal, produz considervel quantidade de pares eltrons-lacunas, aumentando a corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.

Figura 4 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta. 1.3 Parmetros bsicos de tiristores Apresenta-se a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam condies limites para sua operao [2]. Alguns j foram apresentados e comentados anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui. a) Tenso direta de ruptura (VBO). b) Mxima tenso reversa (VBR). c) Mxima corrente de anodo (Ia max): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou instantneo. d) Mxima temperatura de operao (Tj max): temperatura acima da qual pode haver destruio do cristal. e) Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo. f) Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt).

g) Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada, fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, como por exemplo, 'interdigitando o gate. A figura 5 ilustra este fenmeno.

Figura 5 Expanso da rea de conduo do SCR a partir das vizinhanas da regio de gate. h) Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria para manter o tiristor em conduo. i) Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de porta. j) Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a plena conduo. l) Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material semicondutor. m) Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno. A figura 6 ilustra algumas destas caractersticas.

Figura 6: Caractersticas do tiristor

1.4 Circuitos para comando de disparo e desligamento de tiristores a) Disparo Conforme visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada pela figura 6. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que fornea uma tenso Vgk de 6V com impedncia de sada 12 ohms adequado. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir IL quando, ento, pode ser retirada. b) Desligamento Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode dizer de sua comutao. Lembra-se que a condio de desligamento que a corrente de anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer, juntamente com a aplicao de uma tenso reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente. No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle, sendo necessrio algum arranjo ao nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal. b.1) Comutao Natural utilizada em sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente conduo. A figura 7 mostra um circuito de um controlador de tenso CA, alimentando uma carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.

Figura 7 Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas.

b.2) Comutao por ressonncia da carga Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto CA quanto CC. A figura 8 ilustra tal comportamento em um circuito com entrada e sadas unidirecionais. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t) igual tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso imposta pela carga ressonante.

Figura 8 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga. b.3) Comutao forada Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorre comutao natural ou pela carga. Atualmente este um tema praticamente obsoleto. utilizada em circuitos com alimentao CC e nos quais no ocorre reverso no sentido da corrente de anodo. A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o. A figura 9 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda tpicas. A figura 10 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao. Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao, Df. A tenso sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada. Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por S p, Cr, D1 e Lr, a qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre C r e Lr, levando inverso na polaridade da tenso do

capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp. Quando o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida atravs do caminho formado por L r, Sa e Cr, levando a corrente por S p a zero, ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo. Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual corrente da carga, fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo indutor L r, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso VCC na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.

Figura 9 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.

Figura 10 Detalhes das formas de onda durante comutao. 1.5 Redes Amaciadoras O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e di/dt, conforme descrito anteriormente. a) O problema di/dt Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea condutora.

Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo. Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada no chaveamento, pois, quando a corrente de anodo crescer , a tenso Vak ser reduzida pela queda sobre a indutncia. O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo do tiristor. b) O problema do dv/dt A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 11.

Figura 11: Circuitos amaciadores para dv/dt No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado a tenso V ak segue a dinmica dada por RC que, alm disso, desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado pelo valor de R. No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os processos de carga e descarga de C. No caso (c), o pico limitado por L. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga. A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de descarga. 1.5.1 Circuito de disparo Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos. a) Transformador de pulso Neste caso, tm-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microssegundos), perodo aps o qual o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixa no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobre-tenses.

Quando se usa transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir consideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com a porta para evitar que um tiristor com menor impedncia de porta drene o sinal de disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente. b) Acoplamento luminoso O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV. A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o circuito emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e uma outra para o lado do receptor. Eventualmente a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de conduo [3].

Figura 12: Rede de equalizao e circuitos de acionamento de pulso 2 Referncias Bibliogrficas [1] SCR Manual Grafham, D.R. e Golden, F.b., editors General Electric, 6o ed., 1979, USA. [2] SCR Designers Handbook Rice, L.R., editor Westinghouse Electric Co., 1970, USA [3] Firing System and Overvoltage Protection for Thyristor Valves in Static VAR Compensators Hausles, M. e outros Brown Boveri Review, 4-1987, pp. 206-212