INTRODUCCIN

El transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, es un dispositivo de tres terminales.

Sin ninguna duda, el transistor es uno de esos grandes inventos que han marcado un punto de inflexin en la historia de la Humanidad, como en su da lo fueron el descubrimiento del fuego, la invencin de la rueda o la mquina de vapor entre otros. El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la era de la electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de penetracin en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo sera la vida sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisin, etc., y ha sido, precisamente, el descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin tecnolgica.

CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un transistor npn.

Figura 1. Estructura del Transistor BJT

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector).

La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.

La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

SMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS

Figura 2. Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del transistor de unin bipolar. Para las corrientes se han representado los sentidos reales de circulacin de las mismas.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO Cuando hablamos de la unin pn en temas anteriores, veamos que tenamos dos posibilidades de polarizacin de la misma, de tal forma que el diodo tena dos posibles estados o zonas de trabajo: en directa y en inversa. Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unin entre las zonas de emisor y base (que denominaremos a partir de ahora unin de emisor JE) y otra unin entre las zonas de base y colector (de que denominaremos unin de colector JC), cada una de las cuales puede ser polarizada en las dos formas mencionadas anteriormente. As, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de polarizacin de las dos uniones.

De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa.

Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en

primer lugar son las ms interesantes desde el punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona puramente terica y sin inters prctico.

Figura 3.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.

Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa sin referirnos al signo de la tensin aplicada a dicha unin, ya que el mismo depender del tipo de transistor npn o pnp en cuestin.

CORRIENTES EN LA ZONA ACTIVA Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la unin de emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa. En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor en directa habr que aplicar una tensin positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo una tensin VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unin de colector en inversa hay que aplicar una tensin VCB negativa. Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est polarizada en directa y que la unin de colector est sin polarizar (figura 4a). En este caso estamos ante una unin pn (la formada por el emisor y la base) idntica a la que analizamos en el captulo 2 al abordar la polarizacin de la unin pn. En este caso, aparece un campo elctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y a los electrones de la base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el sentido de la zona p hacia la zona n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho ms ancho que la base y adems su nivel de dopado es muy superior, la cantidad de huecos en el emisor ser muy superior a la de los electrones en la base,

con lo que el trmino de corriente predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la corriente tendr dos trminos, uno debido a los electrones y otro debido a los huecos, siendo predominante el segundo sobre el primero.

Figura 4.- Polarizacin (por separado) de las uniones de emisor y colector en un BJT.

A continuacin vamos a analizar la unin de colector suponiendo que est polarizada en inversa y que la unin de emisor est en circuito abierto (figura 4b). Al igual que en el caso anterior este caso fue analizado en el captulo 2 al tratar la polarizacin inversa de la unin pn. Ahora aparece un campo elctrico de la zona n hacia la zona p (de la base hacia el colector) que aleja a los portadores mayoritarios en las respectivas zonas de la unin. Sin embargo, se establece una corriente debida a los portadores minoritarios de cada una de las zonas, los huecos de la base (por ser zona n) y los electrones del colector (zona p). De esta forma se establece una corriente en el sentido de la base hacia el colector denominada ICO y que corresponde a la corriente inversa de saturacin de la unin de colector.

Analicemos ahora la polarizacin simultnea de ambas zonas (figura 5), en este caso, los huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente IpE) al llegar a la base, y a travs de un proceso de difusin, tendern a ir hacia el colector. En el momento que dichos huecos alcancen la unin de colector, el campo elctrico que tenemos debido a la polarizacin inversa de la unin de colector atrapar a los huecos transportndolos hacia el colector (corriente IpC). Es decir, este campo elctrico se encarga de recolectar los huecos inyectados por el emisor, evidentemente no todos los huecos inyectados por el emisor conseguirn alcanzar el colector, ya que tienen que atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se

recombinarn en la zona de base dando lugar a la corriente IpE IpC). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE debida a los electrones que van de la base al emisor por efecto de la polarizacin directa de la unin de emisor. Y en la zona de colector tendremos la corriente I CO por estar la unin de colector polarizada en inversa.

Figura 5.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.

Por tanto desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor, y teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos: Si tenemos en cuenta que I pE >> InE , tendremos que E pE I I .

Por otra parte podemos expresar

, donde representa la fraccin de

portadores que inyectados por el emisor alcanzan el colector.

Con lo que podemos expresar la corriente de colector en la forma

De la expresin anterior podemos deducir

A partir de la cual podemos dar otra definicin de : Es la relacin entre el incremento de la corriente de colector desde el corte (IC = ICO) y la variacin de la corriente de emisor desde el corte (IE = 0). El parmetro es conocido como ganancia de corriente en continua. En los transistores comerciales, el valor real de dicho parmetro suele estar comprendido entre 0,9 y 0,998 y, en la mayora de los casos, ms cerca del segundo valor.

ECUACIN DE EBBERS-MLL. La expresin (4,1) slo es vlida en la regin activa (JE en directa y JC en inversa). Donde la corriente de colector IC es independiente de la tensin de colector VCB y depende nicamente de IE. Si expresamos la corriente de emisor en funcin de la tensin VBE

Si llamamos IC a la corriente que tendramos en el colector si el emisor estuviera en circuito abierto

Donde ICS es la corriente inversa de saturacin o corriente de fugas de la unin de colector

Figura 6.- Sentidos de las variables de la ecuacin de Ebbers-Mll.

En temas anteriores, al estudiar la unin pn, veamos como para poder fijar el punto de funcionamiento del diodo (VD e ID) necesitbamos un circuito de polarizacin. En el caso que nos ocupa, tenemos dos uniones, lo que implica dos circuitos de polarizacin. Dado que el transistor nicamente tiene tres terminales, estos dos circuitos de polarizacin debern compartir un terminal, esto dar lugar a las configuraciones de base comn, emisor comn y colector comn, en funcin de quien sea el terminal que comparten ambos circuitos de polarizacin.

Figura 7.- Configuraciones del BJT.

Por otra parte, en el estudio de la unin pn slo tenamos dos variables (V D e ID) relacionadas con la ecuacin de Shockley, es decir, tenamos una nica curva. En el caso del transistor tenemos hasta 6 variables involucradas (3 tensiones y 3 corrientes) siendo la representacin grfica de las mismas no tan evidente como en el caso del diodo. As, para representarlas grficamente, las variables se agrupan para formar lo que se denomina curvas caractersticas de entrada y curvas caractersticas de salida.

Adems, estas curvas dependern del tipo de configuracin del transistor (base, emisor o colector comn), con lo que a priori existirn 6 tipos de familias de curvas distintas: Curvas caractersticas de entrada en base comn. Curvas caractersticas de salida en base comn. Curvas caractersticas de entrada en emisor comn.

Curvas caractersticas de salida en emisor comn. Curvas caractersticas de entrada en colector comn. Curvas caractersticas de salida en colector comn. CURVAS CARACTERSTICAS EN BASE COMN

Curvas caractersticas de entrada.

Vamos a ver las curvas caractersticas de entrada para un transistor BJT pnp. Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los representados en la figura 8.

Figura 8.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT pnp en base comn.

En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa

Estas curvas aparecen representadas en la figura 4.8. En principio, si observamos, es como si tuvisemos la curva caracterstica correspondiente a la unin de emisor [IE = f(VEB)], sin embargo, la relacin entre estas dos variables se ve influenciada por la tensin que tenemos a la salida (VCB). As, no tenemos una nica curva, sino que tenemos una familia de curvas en funcin de la tensin VCB,. El origen de este desdoblamiento de curvas est en lo que se denomina Efecto Early.

Figura 9.- Curvas Caractersticas de Entrada en Base Comn en un BJT pnp.

Efecto Early

El efecto Early es tambin conocido como efecto de modulacin de anchura de la base. Y es que al aumentar la polarizacin inversa de la unin de colector, la zona de carga espacial correspondiente aumenta, por lo que la anchura efectiva de la base (la zona n en un transistor pnp) disminuye. O al contrario, es decir, si la polarizacin inversa de la unin de colector disminuye, la anchura efectiva de la base aumenta. En resumen, vemos que hay una variacin de la anchura de la base con la tensin inversa aplicada a la unin de colector.

Figura 10.- Modulacin de la anchura efectiva de la base por efecto Early .

Efecto Early en la caracterstica de entrada en base comn. En la curva caracterstica de entrada en base comn, al disminuir la anchura de la base, el gradiente de la concentracin de huecos en la base aumenta, con lo que la corriente de difusin aumentar.

Figura 11.- Efecto Early. Aumento de la corriente de emisor.

De ah que, para una VEB dada, cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la unin de colector, mayor ser IE.

Figura 12.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.

Curvas caractersticas de salida.

Figura 13.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en un BJT pnp en base comn

En las curvas caractersticas de salida en base comn se representa:

Los sentidos positivos de tensiones y corrientes aparecen en la figura 12.

Figura 14.- Curvas caractersticas de salida en Base comn en un BJT pnp.

En estas curvas aparecen claramente diferenciadas las tres zonas de inters prctico del transistor: corte, saturacin y activa.

Regin de corte: Est delimitada por la curva con IE = 0

Figura 15.- Corrientes en un BJT en Base Comn en la zona de corte.

Si el emisor est en circuito abierto (IE = 0). La nica corriente que tendremos en el transistor ser la que hemos llamado ICO debida a la polarizacin inversa de la unin de colector.

Como ICO es del orden de unos pocos A o incluso de los nA, aparece pegado a eje.

ICBO es la notacin usada ms frecuentemente en la hojas de caractersticas (data sheets) que proporcionan los fabricantes. ICBO es despreciable para transistores de propsito general, pero es muy sensible con la temperatura, por lo que habr que tenerlo presente segn que aplicaciones.

La corriente IE ser 0 cuando el emisor est en circuito abierto, aunque si la unin de emisor est en inversa (o incluso aun estando en directa pero con tensiones inferiores a la tensin de codo), estaremos en una situacin donde IE es prcticamente 0, por lo que las corriente por los tres terminales del transistor son nulas a efectos prcticos.

En resumen cuando las dos uniones estn polarizadas en inversa no hay corrientes por el transistor, por eso se dice que estamos en la zona de corte.

Zona activa: El transistor trabaja en esta zona cuando la unin de emisor est polarizada en directa y la unin de colector lo est en inversa.

Figura 16.- Polarizacin del BJT pnp en la zona activa.

En esta zona se cumple

Podemos despreciar ICO frente a

Por lo que Por tanto en la zona activa vemos como la corriente IC es igual a IE e independiente de VCB. Efecto Early en la caracterstica de salida en base comn

En realidad s que hay un pequeo aumento de la corriente de colector a medida que aumenta (en valor absoluto) la tensin VCB. Es decir, las curvas no son perfectamente horizontales sino que tienen una pequea pendiente positiva. Esto se debe al efecto Early o de modulacin de anchura de la base.

Al aumentar el mdulo de la tensin VCB (recordemos que es positiva del lado del colector para un transistor pnp) estamos aumentando la polarizacin inversa de la unin de colector. Esto har que la zona de carga espacial correspondiente a esta unin aumente, por lo que la anchura efectiva de la base (donde existen portadores) disminuir. Esta disminucin de la anchura efectiva de la base tendr como consecuencia que los portadores inyectados por el emisor van a tenerlo ms fcil a la hora de atravesar la misma. Es decir, aumentar en nmero de portadores que llegarn al colector o, lo que es lo mismo, aumentar . Si aumenta y si tenemos en cuenta que IC = IE . Para un determinado valor de IE, a medida que aumenta VCB aumenta y por lo tanto aumenta IC.

Figura 17.- Efecto Early en las caractersticas de salida.

No obstante, esta dependencia de IC con VCB es apenas apreciable ya que aunque, efectivamente se produzca un aumento de , el valor del mismo siempre ser muy prximo a la unidad por lo que se seguir cumpliendo que IC IE . De ah que las curvas, en la zona activa, incluso considerando el efecto Early sean prcticamente horizontales, es decir, el dispositivo, en esta zona se comporta como una fuente de corriente.

Regin de saturacin: En esta zona de trabajo las dos uniones del transistor estn polarizadas en directa

Figura 18.- Polarizacin del BJT pnp en la zona de saturacin.

En esta zona las dos uniones estn polarizadas en directa, anulndose la corriente de colector en apenas 0,2 V.

Manteniendo la polarizacin directa de la unin de emisor, es decir, para una corriente de emisor dada, para tensiones negativas de VCB o incluso positivas por debajo de la tensin de codo (menores de 0,6 V aproximadamente) estamos en la situacin de zona activa (curvas horizontales).

A medida que polarizamos en directa la unin de colector, en dicha unin aparece una corriente (que crece exponencialmente con la tensin aplicada) que se opone a la debida a los portadores que vienen desde el emisor atravesando la base. Si adems tenemos en cuenta que al polarizar la unin de colector en directa estamos aplicando un campo elctrico que tambin se opone a la llegada de portadores desde la base, tenemos como resultado que en apenas unas pocas dcimas de voltio la tensin por el terminal de colector cae a 0.

Figura 19.- Detalle de corrientes en la zona de saturacin.

CURVAS CARACTERSTICAS EN EMISOR COMN.

Curvas caractersticas de entrada.

En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes positivas que se han tenido en cuenta para representar las distintas curvas. Ntese que a diferencia del caso anterior ahora vamos a trabajar con un transistor npn.

Figura 20.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT npn en emisor comn

En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa

Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione IB con VBE, sino que hay una familia de curvas en funcin de VCE. De nuevo, al igual que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.

Figura 21.- Curvas Caractersticas de Entrada en Emsior Comn para un BJT npn.

Efecto Early en la caracterstica de entrada en emisor comn

Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la tensin VBE es positiva, con lo que la unin de emisor estar polarizada en directa. Por otra parte, la tensin VCE tambin es positiva. Si observamos en el tringulo de tensiones en los terminales del transistor, podemos obtener la tensin entre colector y base, que es precisamente la que nos dice el estado de polarizacin de la unin de colector.

Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones VCE > VBE, tendremos que la tensin VCB ser positiva y por tanto la unin de colector estar polarizada en inversa, es decir, estaremos en la zona activa.

Figura 22.- Tringulo de tensiones en un BJT.

De la misma expresin se deduce que si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un aumento de la tensin VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una mayor polarizacin inversa a la unin de colector, lo que lleva implcito (como ya se ha descrito anteriormente) una disminucin de la anchura efectiva de la base. Es decir, el parmetro disminuye (habr menos portadores que se recombinan en la base).

Si tenemos en cuenta que InC =

InE ,

tendremos que

de donde deducimos que si aumenta, IB disminuye. De ah que no tengamos una nica curva de entrada, sino que la relacin entre IB y VBE depende de la tensin VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor es la corriente IB.

Figura 23.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.

Curvas caractersticas de salida.

Figura 24.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor comn en un BJT npn.

En las caractersticas de salida en emisor comn se representa

Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen representados en la figura 20

Figura 25.- Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn .

Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqu de la forma de las curvas en cada una de las zonas de inters:

Zona activa:

Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva IB = 0 y para tensiones VCE superiores a 0,2 V.

En la zona activa se sigue cumpliendo

Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvas son IC e IB, eliminamos la variable IE sabiendo que IE= I B + I C , transformamos la expresin 4,1 en:

Si denominamos

la expresin anterior se transforma en

Si despreciamos el valor de ICO Tenemos que IC no depende de la tensin VCE y depende nicamente del valor de IB. As, las curvas en la zona activa deberan ser perfectamente horizontales. Esto sera cierto si fuera constante, pero como vimos en el caso anterior, el parmetro depende de la tensin VCE debido al efecto Early

Efecto Early en la caracterstica de salida en emisor comn.

Anteriormente se analiz que un aumento de la polarizacin inversa de la unin de colector (en este caso mediante un aumento de la tensin VCE) trae consigo una disminucin de la anchura efectiva de la base, lo que se traduce en un aumento del del transistor. En las curvas de salida en base comn las corrientes implicadas eran IC e IE que estaban relacionadas precisamente mediante (IC = IE). Sin embargo, debido a que mantiene sus valores muy prximos a la unidad, las variaciones del mismo no afectan significativamente a las curvas de salida, por eso en la zona activa las curvas eran horizontales a todos los efectos. En el caso que nos ocupa, las corrientes estn relacionadas a travs de , no de como en el caso anterior. As, mientras los valores de estn comprendidos tpicamente entre 0,9 y 0,998, los valores de correspondientes variarn entre 9 y 499. Lo cual nos viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes cambios de . Por ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn sensiblemente ms inclinadas que las de base comn.

Figura 26.- Efecto Early en las caractersticas de salida.

En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de del 0,1 % implica un incremento en el valor de del 25 %

Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual dentro de las misma familia, esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del mismo fabricante, en principio, exactamente iguales) pueden tener valores de completamente dispares.

Figura 27.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

Figura 28.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es la ganancia de corriente en continua (hFE)

Por otra parte, de la expresin (4,2) podemos obtener el valor de

Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y no son exactamente lo mismo, aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares (debido al pequeo valor de ICO). Es por ello que en la prctica se habla indistintamente de hFE o sin hacer distinciones

Regin de Corte:

Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el lmite entre las zonas activa y de corte.

Figura 29.- Corrientes en un BJT en Emisor Comn en la zona de corte.

Para IB = 0, segn la ecuacin

Pero , segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos indica que a pesar de tener la entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente entre el colector y el emisor de 500 ICO. Y si bien el valor ICO, suele ser muy pequeo, en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio, etc.) y al estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia relativa. Es por esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente ms separada del eje horizontal que en el caso de las curvas en base comn.

Regin de Saturacin:

Razonando de forma anloga a como lo hicimos en las caractersticas de salida en base comn. Vemos como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente de colector cae a 0 debido a que al estar las dos uniones polarizadas en directa, las corrientes se anulan entre s.

Figura 30.- Cada de las corrientes en la zona de saturacin.

CURVAS CARACTERSTICAS EN COLECTOR COMN.

Desde el punto de vista de diseo de un circuito con un transistor en la configuracin colector comn, se utilizan las caractersticas de emisor comn.

En el caso de las caractersticas de entrada, en colector comn tendramos que seran muy similares a las de emisor comn. Respecto a las caractersticas de salida, en emisor comn seran . Teniendo en cuenta que debido a que

por tanto las caractersticas en colector comn seran casi idnticas a la de emisor comn. Es por ello, como se ha dicho anteriormente, para el diseo de circuitos de transistores en colector comn, se utilizan las caractersticas en emisor comn.

CURVA DE PUNTOS CARACTERSTICOS

Como se ha visto con anterioridad, la corriente de colector depende de la corriente presente en el terminal de base, que a su vez depende principalmente de la tensin aplicada a la unin emisor-base. Con el fin de delimitar las distintas zonas de funcionamiento del transistor, y en consecuencia conseguir la polarizacin adecuada segn las distintas aplicaciones que se quiera realizar del mismo, resulta til representar la corriente I C frente a la tensin VBE. El resultado obtenido es la grfica de la figura 31. Teniendo en mente el circuito en emisor comn que aparece en la figura anterior, para valores negativos de V BE el transistor se encuentra en corte, por lo que la corriente IC toma un valor muy pequeo, prximo a IC0. Lo mismo sucede para tensiones positiva que se encuentran por debajo de la tensin de codo o tensin umbral de la unin emisor base (figura 23) ya que para esas tensiones la corriente de base es prcticamente cero, y por lo tanto tambin lo ser IC. Una vez superada la tensin umbral, la corriente de base crece exponencialmente con la tensin VBE, obtenindose valores muy altos de la corriente de colector, hasta que se alcanza la saturacin. En la figura 31 se muestran valores caractersticos que se obtienen a partir de esta grfica y que servirn de referencia para desarrollar los modelos equivalentes del transistor trabajando en gran seal.

Figura 31.- Grfica de la corriente de colector en funcin de la tensin base-emisor. En la tabla se muestran los valores ms caractersticos de dicha grfica para transistores de Silicio y germanio.

PUNTO DE FUNCIONAMIENTO.

Figura 32.- Circuito para la polarizacin de un BJT.

Analizando las tensiones de la malla de entrada

Esta expresin en el plano de las caractersticas de entrada es una recta, cuya interseccin con la curva VCE correspondiente nos dara el par de valores IB, VBE del punto de funcionamiento. Sin embargo, no conocemos VCE, para calcularla tenemos que analizar la malla de salida.

Ahora la interseccin de esta recta con la curva de IB correspondiente nos proporciona el punto IC, VCE de polarizacin. Pero desconocemos IB, y para calcular IB necesitamos VCE y para alcular IB hay que saber VCE. Estamos, aparentemente, en un punto sin salida. Para resolver este problema necesitamos el uso de mtodos numricos iterativos.

En primer lugar agrupamos todas las curvas caractersticas de entrada en una nica.

Encontramos la interseccin con la recta (4,5) con dicha curva procediendo de forma anloga a como hicimos en el captulo 2 para obtener el punto de funcionamiento en la unin pn (mtodo iterativo partiendo de una solucin inicial). De esta forma obtenemos una solucin inicial I B1. Con este valor podemos ir a las caractersticas de salida y obtener I C1 y VCE1. Si ahora suponemos el valor VCE1 calculado anteriormente podemos volver a las caractersticas de entrada y calcular el nuevo IB2 y VBE2. De forma que ahora la nueva corriente de base es IB2 con lo que tenemos un nuevo punto IC2, VCE2. As seguiramos iterando hasta que la solucin converja en un punto, de forma que tendramos determinado el punto de funcionamiento. Vemos como la obtencin del punto de funcionamiento, o punto de polarizacin del transistor, necesita de mtodos de clculo relativamente complejos, abordables nicamente con el empleo de potentes calculadoras, o en su defecto, ordenadores personales. Es, por tanto, evidente la necesidad del empleo de simplificaciones para calcular el punto de funcionamiento.

Figura 33.- Obtencin del punto Q de funcionamiento en las curvas caractersticas de entrada (a) y en las de salida (b).

Teniendo en cuenta los puntos ms representativos de la caracterstica tensin corriente I C-VBE, indicados en la tabla de la figura 4.31, podemos suponer que no hay corriente de base hasta que la tensin emisor-base supera la tensin umbral, punto a partir del cual la corriente IC, y por tanto IB, crecen de forma brusca. As, a efectos prcticos, podemos sustituir las caractersticas de entrada y de salida de la configuracin en emisor comn por las representadas en la figura 34

Figura 34.- Aproximacin de las caractersticas de entrada y de salida de un transistor en la configuracin de emisor comn cuando se trabaja en gran seal.

En el caso de las caractersticas de entrada, consideraremos una nica curva, como se ha comentado anteriormente, y adems supondremos que no hay corriente por el terminal de base

hasta que no se supere la tensin umbral de 0,7V. A partir de este punto, por el terminal de base puede circular cualquier corriente, valor que estar limitado por el circuito de polarizacin. En cuanto a las caractersticas de salida, para cualquier valor de la corriente de base, el transistor se comporta como una fuente de corriente, manteniendo el valor de IC constante hasta que la tensin VCE cae por debajo de los 0,2V, momento en que se corta la corriente por el terminal de colector, ya que el valor de VBE es inferior a la tensin umbral. Concretando:

Esta aproximacin la utilizaremos siempre que trabajemos con el transistor como amplificador para seales de entrada por encima de algunos cientos de mV y tambin en las aplicaciones como interruptor.

La polarizacin del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la regin de funcionamiento adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia de la seal de entrada. Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona dnde tenga un comportamiento ms o menos lineal. Como ya se ha visto en la curva de puntos caractersticos del transistor, este comportamiento se puede apreciar en la zona activa, tal y como muestra la figura 35. Aplicando una seal variable a la unin base-emisor (VBE) obtenemos una corriente de salida, en este caso IC, de forma muy semejante a la seal aplicada. Si lo que se pretende es que el transistor se comporte como un circuito abierto, situaremos el punto de funcionamiento en la regin de corte. En esta regin para cualquier variacin de la tensin V BE, obtendremos la misma corriente IC, cuyo valor es tan pequeo que se puede considerar cero. De igual modo, si lo que se busca es el comportamiento como cortocircuito, nos situaremos en la zona de saturacin, dnde podemos obtener cualquier valor de IC sin cambios apreciables en la tensin VBE. Una vez elegida la zona de funcionamiento, hay que procurar que el punto de trabajo sea

lo ms estable posible, con el fin de asegurar su correcto funcionamiento para un amplio rango de seales de entrada.

Figura 35.- Ilustracin del comportamiento aproximadamente lineal del transistor en la zona activa.

La polarizacin del transistor se logra a travs de los circuitos de polarizacin que fijan sus corrientes y tensiones. En la figura 4.36 se muestran los circuitos de polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin. La eleccin de un circuito u otro depender de la aplicacin y del grado de estabilidad que se desea del punto de polarizacin.

Figura 36.- Diferentes circuitos empleados en la polarizacin de un transistor

Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija).

Como punto de partida en el anlisis de la estabilidad del punto de polarizacin segn el circuito de polarizacin seleccionado, nos fijaremos en el circuito de polarizacin fija. En la

figura 37 se indican los sentidos de las corrientes y tensiones reales cuando se encuentra el transistor trabajando en la zona activa.

Tomando como punto de partida para el anlisis de dicho circuito la malla de entrada:

Planteando la expresin de la malla de salida:

Figura 37.- Sentidos de las corrientes y tensiones en el circuito de polarizacin fija trabajando en la zona activa..

Si representamos dicha expresin sobre las curvas caractersticas del transistor en la configuracin en emisor comn obtenemos la recta de carga esttica de dicho circuito, cuya interseccin con la curva de IB, obtenida a travs de la expresin (4,5), nos fija el punto de polarizacin. En esta figura 4,38 se han indicado los valores mximos y mnimos de la tensin VCE para la zona activa en funcin del valor fijado para IB.

Figura 38.- Representacin de la recta de carga esttica de un circuito de polarizacin fija sobre las caractersticas de salida en emisor comn.

Dependencia con

Tomando un valor de IB que nos sita el punto de trabajo en la zona intermedia de la zona activa, analizaremos la estabilidad de dicho punto ante posibles variaciones, tanto de los parmetros internos del transistor, como de las variables externas. Como es sabido, un incremento en la temperatura provoca un incremento en la del transistor, efecto que se ve representado en la figura 39. Si en un principio se ha fijado el punto de trabajo en la posicin Q1 para una IB constante establecida por el circuito de entrada, un incremento de la temperatura de T1 a T2 nos llevar a una nueva del transistor de forma que el nuevo valor 2 > 1. Si aumenta la , permaneciendo constante la IB, se obtienen mayores valores de la corriente IC, ya que IC IB, por lo que el punto de trabajo se ha trasladado a la posicin Q2, caracterizado por los nuevos valores de IC2 y VCE2.

De forma analtica:

Dnde podemos confirmar la dependencia directa de la corriente IC con la del transistor.

Figura 39.- Modificaciones del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen variaciones en la temperatura (T2 >T1)

Influencia de VCC La inestabilidad del punto de trabajo con la temperatura se ve acentuada con el incremento en la tensin de alimentacin del circuito, tal y como se muestra en la figura 40. Cuanto mayor sea VCC, mayor ser el desplazamiento del punto Q ante una variacin de .

Figura 40.- Desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen variaciones en la temperatura e incrementos en la tensin de alimentacin VCC.

Influencia de RC Los desplazamientos en el punto Q se pueden compensar, en cierta medida, modificando algunos elementos del circuito. Como se aprecia en la figura 41, cuanto mayor sea RC menor ser el desplazamiento del punto Q ante una variacin de .

Figura 41.- Compensacin del desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija a medida que aumenta RC.

Influencia de RB En cambio, si se intenta compensar estas variaciones modificando el valor de RB se corre el riesgo de entrar en la regin de saturacin. Por ejemplo, si se toma el valor de R B = RC nos encontramos en el lmite con dicha regin (figura 42)

Para valores de RB < RC se garantiza que llevamos el transistor a saturacin

Figura 42.- Riesgo de llevar el transistor a la zona de saturacin al intentar compensar las variaciones del punto Q modificando RB.

Efecto de RE. El problema del desplazamiento del punto Q con las variaciones de que acabamos de analizar, se puede compensar aadiendo una resistencia en el terminal de emisor, tal y como se muestra en la figura 43

Figura 43.- Polarizacin de base con resistencia de emisor

Partiendo de la malla de entrada

Por otro lado tenemos:

Por lo tanto, si aumenta, aumenta la corriente IC, y en consecuencia la IE.

Debido a este aumento de IE, aumentar la cada de tensin en la resistencia de emisor R EIE. Si tenemos en cuenta la expresin (4,6), en la que podemos considerar constante la tensin V BE, el razonamiento anterior nos lleva a que la cada de tensin en la resistencia de base debe disminuir (RBIB), por lo tanto, debe disminuir la corriente IB. Si disminuye IB, disminuye IC, compensando de esta manera el incremento que dicha corriente ha experimentado debido al aumento de . En definitiva, la resistencia de emisor origina una tensin que contrarresta las variaciones de . En otras palabras, podemos decir que el circuito reacciona oponindose a la causa que ha originado la perturbacin.

En la figura 44 se ha comparado ambos tipos de circuito de polarizacin de base, sin y con resistencia de emisor. En el caso de tener RE (figura 43), la nueva recta de carga esttica ser:

Cuya pendiente ser -1/(RC+RE), menor que en el caso de polarizacin de base sin resistencia de emisor (-1/RC)

La curva indicada por IB2(T2) se corresponde con la nueva corriente de base debida a la compensacin realizada por la RE. A pesar de la perdida en la tensin VCE del punto de polarizacin se ve claramente la disminucin en las variaciones del punto Q, que son incluso menores que las que se produciran en el caso de modificar la I B al mismo valor en el caso de polarizacin de base sin RE.

Figura 44.- Correccin de la variacin del punto Q debido al efecto opuesto de la resistencia de emisor.

El valor de la RE no puede ser cualquiera, como es lgico, sino aquel que nos haga el punto Q estable frente a las variaciones de . Teniendo en cuenta la expresin (4,6):

, la expresin anterior se puede simplificar

, lo que convierte al circuito insensible a las variaciones de . En este

caso se dice que el circuito es estable.

El anlisis realizado se puede llevar a cabo para el resto de circuitos representados en la figura 36, observndose que unos circuitos son ms estables que otros debido a su configuracin.

Circuito de polarizacin por divisor de tensin.

Uno de los circuitos ms empleados en amplificacin es el que utiliza polarizacin por divisor de tensin, que ya ha sido presentado en la figura 36, y en el cual el valor de R 1 y R2 determinan la ubicacin del punto Q. El motivo de su utilizacin es la mejora que se obtiene en la estabilidad del punto de polarizacin. La razn fsica de esta mejora tambin se encuentra en la resistencia de emisor RE. Si IC tiende a aumentar como consecuencia del aumento de la del transistor, se produce un aumento de la cada de tensin en la R E, y por tanto una disminucin de la tensin en la unin emisor-base. Al disminuir VBE, si tenemos en cuenta las caractersticas de entrada en la configuracin de emisor comn, disminuye IB, por lo tanto, IC aumentar menos de lo que lo hara de no haberse instalado la resistencia RE. Con el fin de analizar este circuito, una herramienta muy prctica es la simplificacin del circuito de base empleando el teorema de Thvenin, como se muestra en la figura 45.

Figura 45.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin: (a) sentidos de las corrientes y tensiones trabajando en la zona activa. (b) Puntos de referencia para realizar la simplificacin mediante el teorema de Thvenin. (c)Circuito resultante.

Tomando como referencia los puntos A y B de la figura 4.45b se obtiene un circuito de dos mallas, dnde la tensin y resistencia efectiva vista desde el terminal de la base son:

Es necesario determinar R1 y R2 para establecer el punto de polarizacin requerido, as como lograr la mxima estabilidad posible del mismo. Analizando el circuito equivalente resultante:

Si en esta expresin hacemos que simplificar a

, se puede

Consiguindose un circuito estable frente a las variaciones de .

Segn lo comentado anteriormente, si se eligen R1 y R2 de tal forma que

habremos conseguido lo que se denomina un Circuito Estable, pero en ciertas aplicaciones interesan valores de RTH mayores, por lo que es habitual obtenindose lo que se conoce como Divisor Firme. considerar ,

A partir de la condicin de estabilidad tambin podemos calcular R1 y R2. Una vez obtenido el valor de RTH,

En la mayora de las aplicaciones R1 >R2, por lo tanto:

Para el caso de un circuito estable: firme: .

, y en el caso de un divisor

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.

Atendiendo a las condiciones de estabilidad del punto Q, el circuito sta completamente especificado. Se conocen los valores de RE, R1 y R2 que satisfacen esta condicin, pero tal vez el punto de polarizacin no est colocado de manera ptima y, de hecho, se puede descubrir que el transistor se encuentra en la zona de corte o de saturacin. Si la aplicacin que se persigue es como amplificador de una seal, tenemos que colocar el punto de trabajo en una posicin que me permita la mxima amplitud y la mnima distorsin en la seal de salida. En el circuito de la figura 46a, a parte de la tensin de polarizacin V BB se ha introducido una seal variable vb, que es la seal que se quiere amplificar. Si sobre la caracterstica de entrada trazamos la recta que representa al circuito de entrada, considerando vb = 0

obtenemos la posicin del punto Q (figura. 46b).

Figura 46.- Circuito amplificador, (a) sentido de las corrientes y tensiones, (b) caracterstica de entrada con la situacin del punto Q, (c)Tensin total aplicada a la entrada, (c)variacin en la corriente de base segn el valor de vBB.

Para cualquier otro valor de la tensin vb, el punto de trabajo de mover hacia arriba y hacia abajo a lo largo de la curva caracterstica, tal y como se indica en la figura 46b (v BB =VBB+vb). Como esa parte de la caracterstica de entrada se puede considerar lineal, la corriente i B = IB+ib adquirir una forma similar a la seal de entrada.

Trasladando el punto de trabajo a las caractersticas de salida, y teniendo en cuenta que iC iB, la seal que se obtiene a la salida, vCE, es similar a la de la entrada pero amplificada (figura. 47). Si queremos obtener la mxima excursin (amplitud de la seal sin distorsin) de vce, el punto Q lo hemos de situar en el centro de la recta de carga, de esta manera aseguramos la mxima distancia hacia corte y hacia saturacin.

Figura 47.- Desplazamiento del punto Q a lo largo de la recta de carga segn la seal de entrada y tensin vCE que se obtiene a la salida

Si el punto de trabajo lo situamos cerca de la zona de corte, para el mismo valor de pico de la seal de entrada anterior, se corre el riesgo de que la seal de salida salga recortada (distorsionada) por alcanzar dicha regin (distorsin por corte) (fig. 48a). Lo mismo ocurre si situamos el punto Q cerca de la zona de saturacin, siendo, por consiguiente, la distorsin es por saturacin (fig.48b)

Figura 48.- Distorsin de la seal de salida, (a) por corte, (b) por saturacin

Si, por otra parte, la seal de entrada es pequea, el punto Q se puede situar en valores ms bajos de IB, y por tanto de IC, obteniendo as una seal de salida sin distorsin con una menor disipacin de potencia en condicin esttica.

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.

La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es que, por lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones de saturacin y corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensin prxima a la de alimentacin (valor alto de tensin) y tambin prxima a cero (valor bajo de tensin). Dicho de otra manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado en la regin de saturacin o corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a un segundo plano. En la figura 49a se muestra un esquema de polarizacin de base al cual se le aplica una tensin vi que puede tomar valores muy altos, prximos a VCC, o bien prximos a cero. Si en dicho circuito se hace que vi = 0, la tensin en la unin emisor-base no ser suficiente para que haya una corriente de base apreciable, por lo que se puede considerar que IB = 0, y en consecuencia IC = 0.

Figura 49.- Circuito de polarizacin de base. (a) esquema de circuito apto para funcionar como interruptor. (b) puntos de trabajo de dicho circuito sobre las caractersticas de salida .

En esta situacin, la cada de tensin en la resistencia de colector ser nula, y toda la tensin de alimentacin, VCC, la tenemos en los terminales de colector y emisor, por tanto, a la salida, V 0 = VCC. Esta situacin se corresponde con el punto de trabajo Q1 mostrado en la fig. 49b. Por el contrario, si vi = VCC, la corriente de base ser muy elevada, al igual que I C, llevando el transistor a la zona de saturacin, posicin representada por Q 2. En esta zona VCE 0,2V, valor que se puede considerar cero en comparacin con las tensiones que estamos manejando y, por

tanto, V0 = 0. En la figura 50 se han representado los circuitos equivalentes del transistor trabajando en ambas situaciones. Si vi = 0 el transistor se comporta como un circuito abierto (50a) y si vi = VCC se puede considerar al transistor como un cortocircuito (50b).

Figura 50.- Circuito equivalente del transistor, (a) trabajando en la zona de corte, (b) trabajando en saturacin

CONCLUSIONES

1. BJT (Bipolar Junction Transistor). 2. Los transistores de unin bipolar son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de circuito de conmutacin y procesado de seal. 3. El transistor se ha convertido en el dispositivo ms utilizado en electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas con gran fiabilidad (no existe desgaste por partes mviles). 4. Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales. 5. El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado 9transfer resistor). 6. En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos de transistores: NPN y PNP. 7. La unin correspondiente a la base-emisor se polariza en directa y la base-colector en inversa, as por la unin base-colector circula una corriente inversa. 8. En NPN la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unin base-emisor en directa y la base-colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base con mucho menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el colector con alto contenido de impurezas. 9. El transistor bipolar NPN est formado por una capa fina tipo P entre dos capas N, contenidas dentro de un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas: Emisor, Base y Colector. 10. El transistor bipolar PNP est formado por un cristal semiconductor, con tres regiones definidas por el tipo de impurezas. 11. Aunque el transistor posea solo tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es comn a la entrada y salida: Base Comn, Emisor Comn, Colector Comn. 12. El transistor BJT trabaja en modos: Activo-Directo, Corte, Saturacin y ActivoInverso (no tiene utilidad en amplificacin).

BIBLIOGRAFA Ocw.um.es/yde/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf Ocw.um.es/yde/tema-4.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf

ANEXOS