Circuitos logicosII

Universidad Tecnolgica de la Mixteca Electrnica Digital II
M.C. Arturo Pablo Sandoval Garca.
Instituto de Electrnica y Mecatrnica
IEM
Universidad Tecnolgica de la Mixteca
INDICE
Circuitos Combinacionales.
Diseo Combinacional. Circuitos Lgicos MSI . Circuitos Secuenciales.
IEM
Circuito Comparador. Un comprador es un dispositivo aritmtico que determina la magnitud relativa de dos nmeros binarios . Sean A = (A0) y B=(B0). Si F1 = (B>A),
F2= (A=B) F3 = (A>B) Entradas abilitacin
A0 0 0 1 1 B0 0 1 0 1 F1 0 1 0 0 F2 1 0 0 1 F3 0 0 1 0
Comparador de 1 bit
F1 F2 F3
Salida
Ejercicio. Disear un comprador es un dispositivo aritmtico que determina la magnitud relativa de dos nmeros binarios . Sean A = (A1A0) y B=(B1B0). Si F1 = (B>A), F2= (A=B) F3 = (A>B)
Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM
Decodificador. Estos dispositivos aceptan un cdigo de entrada y producen un alto (o un bajo) en una sola y slo una salida. Un decodificador identifica y reconoce o detecta un cdigo en particular. Un decodificador de n a 2n es una red lgica combinatoria de varias salidas, con n lineas de entradas y 2n seales de salida.
Entradas A B Decodificador de 2a4 D0 D1 D2 D3 Salida
Habilitacin H
A X 0 0 1 1
B Do D1 D2 D3 X 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1
Funciones Lgicas
D0 D1 D2 D3 H * A* B H * A* B H * A* B H * A* B
IEM
Tabla De Verdad
0 1 1 1 1
Ejemplo. Utilizando el 74Ls47, disee un decodificador de BCD a cdigo de 7 segmentos. Como se muestra en el siguiente diagrama a bloques
IEM
Lo que da por resultado
IEM
Codificador: Un codificador es un mdulo lgico combinatorio que asigna un cdigo de salida nico (un nmero binario) a cada seal de entrada aplicada al dispositivo. Tiene un nmero de lneas de entrada, de las cuales slo una se activa en un tiempo determinado y produce un cdigo de N bits, dependiendo de cual entrada se active.
A B Entradas C D H
H A x 1 0 0 0 B x 0 1 0 0 C x 0 0 1 0 D D1 D0 x 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1
IEM
Codificador de 2a4
D0 D1
Salida
Funciones Lgicas
D0 H * ( A * B * C * D ) H * ( A * B * C * D ) D1 H * ( A * B * C * D ) H * ( A * B * C * D )
Tabla De Verdad
0 1 1 1 1
Demultiplexor. Un decodificador puede con una entrada de habilitacin puede funcionar como un demultiplexor es un circuito que recibe informacin en una sola lnea y transmite esta informacin en una de 2n lneas de salida posibles.
H 0 1 1 1 1 1 In X E E E E E
Seleccin Salida
x X 0 0 1 1
y X 0 1 0 1
S0 0 I 0 0 0
S1 0 0 I 0 0
S2 0 0 0 I 0
S3 0 0 0 0 I
Funciones Lgicas
S0 S1 S2 S3 H *E* x* y H *E * x* y H *E* x* y H *E*x* y
IEM
La siguiente es una lista de los MUX de circuito integrado ms populares de la familia TTL: 74157: Cuatro mux de 2 a 1 con seal strobe 74158: Cuatro mux de 2 a 1 con seal strobe salidas invertidas 74153: Dos mux de 4 a 1 con strobe 74151: Un mux de 8 a 1 (salida invertida y sin invertir), con strobe 74152: Un mux de 8 a 1 (salida invertida) 74150: Un mux de 16 a 1 con strobe
ejemplo de la informacin que proporciona el fabricante sobre un multiplexor 74151.
Tabla de Verdad
IEM
Multiplexor La multiplexin significa transmitir un gran nmero de unidades de informacin sobre un nmero ms pequeo de canales o lneas. Un multiplexor es un selector de datos. La seleccin de una lnea particular de entrada est controlada por un conjunto de lneas de seleccin. En forma normal, hay 2n lneas de entrada y n lneas de seleccin cuyas combinaciones bit determinan cul entrada se selecciona.
Habilitacin Entradas H
0 1 1 1 1
X i0 i1 i2 i3
Seleccin X y x x 0 0 0 1 1 0 1 1
Salida O 0 i0 i1 i2 i3
Funcin Lgicas
O
H * io x y
H * i1x y
H * i2x y
H * i3xy
IEM
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Circuitos Sumadores
.
El circuito medio sumador tiene 2 entradas A,B y dos salidas la suma y el acarreo. Este circuito suma A y B de acuerdo con las reglas de la suma binaria y genera como salidas la suma y el acarreo
En trada A B 0 0 0 1 1 0 1 1 Sali das Suma Acarreo 0 0 1 0 1 0 0 1
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Circuito sumador Completo
IEM
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Algunos sumadores binarios en circuito integrado de la familia TTL son los siguientes.
7480 Sumador Completo de 1 bit. 7482 Sumador Completo de 2 bits. 7483 Sumador Completo de 4 bits. 74283 igual al 7483 pero con diagrama de pines diferente
IEM
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Tarea de simulacin. 1.-Generar un comparador de 8 bits, utilizando dos Comparador de 4bits. 2.-Hacer un restador completo y un medio restador. 3.- Utilizando muxtiplexores de 4 a 1 disear un multiplexor de 8 a 1. 4.- Disear un sumador binario de 8 bits. Con el circuito integrado 7483 5.- Realizar un sumador de 3 bits utilizando medio sumadores y sumadores completos.
IEM
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INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS LOGICOS PROGRAMABLES PLD
DEFINICION DE PLD
Son circuitos integrados que ofrecen a los diseadores en un slo chip, un arreglo de compuertas lgicas AND y OR y flip-flops, que pueden ser programados por el usuario para implementar funciones lgicas; y as, una manera ms sencilla de reemplazar varios circuitos integrados estndares o de funciones fijas. Son utilizados en muchas aplicaciones para reemplazar a los circuitos SSI y MSI.
IEM
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Ventajas de los PLDs. Los PLDs representan menor costo para los fabricantes. Pueden reemplazar funciones de otros dispositivos lgicos. Reduccin de espacio en las tarjetas de circuito impreso. Simplificacin del alambrado entre unos chips y otros. Disminucin en los requerimientos de potencia ( por consiguiente menor consumo de energa ) Realizacin de aplicaciones especiales no encontradas en circuitos integrados de funciones fijas. Puede reflejarse menor costo para el usuario al ver las ventajas de tener menor cantidad de circuitos integrados; por consiguiente, procesos de ensamblado ms rpidos, menor probabilidad de que puedan ocurrir fallas, as como menores procedimientos en la deteccin de fallas cuando estas se presenten.
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CLASIFICACION DE LOS PLDs
ROM.-Mask Read-Only Memory ( Memoria de Mscara Programable de Slo Lectura ). PROM.- Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable de Slo Lectura ). EPROM.-Erasable Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable y Borrable de Slo Lectura ).. EEPROM.-Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable y Borrable Elctricamente de Solo Lectura ) PLA.-Programmable Logic Array ( Arreglo Lgico Programable ). PAL.-Programmable Array Logic ( Lgica en un Arreglo Programable ). GAL.- Generic Array Logic ( Lgica en ArregloGenrico ).
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Elementos necesarios para su programacin
IEM
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GAL, LGICA DE MATRIZ GENRICAREFERENCIA ESTNDAR
GAL16V8
Arreglo Lgico Genrico 16 Entradas
Ocho salidas
Configuracin de salidas
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macrocelda OLMC
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Modo de Programar un PLD:
OPAL Este paquete de Software ofrece el soporte para algunos PLDs como son los dispositivos MAPLs, GALs y ECL PALs. Este paquete es capaz de interpretar Ecuaciones de Algebra de Boole, Mquinas de Estados y Tablas de Verdad para posteriormente en archivos individuales ensamblarlos y convertirlos en su correspondientes formatos JEDEC. WinCUPL es un software de Atmel que genera el archivo para programar PALs y GALS. Un programa en WinCUPL, consta de 3 bloques principales, que son: 1. Encabezado. Se indica el nombre del programa, el dispositivo a ser programado, el autor, la fecha y otros datos. 2. Asignacin de terminales. Se indican la asignacion de las terminales de entrada y salida del dispositivo. 3. Ecuaciones lgicas. Define la relacin entre las terminales asignadas.
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Algunos operadores para procesar una ecuacin.
Un programa en OPAL y en WINCUPL, consta de 3 bloques, como se muestra a continuacin.
1.- Bloque de Encabezado. 2.- Bloque de Declaraciones 3.- Bloque de Ecuaciones.

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Estructura en OPAL
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Ejercicio
Utilizando la Gal22V10 implante las siguientes funciones:
F1(A, B, C, D) F2(A, B, C, D, E) F3(A, B, C)
m(0,1,2,3,6,9,11)
A BD+BCD+A BCDE
AB C + A B C + A B C + A B C
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Ejercicios: 1.- Utilizando una Gal implante la siguiente funcines: F1 (A,B,C,D) = m ( 0, 1, 2 , 3, 6, 9 ,11) F2 (A,B,C,D,E) =A B E + BC D E F3(A,B,C,D,E) = A B D + B C D E + A B C D Represente las simulacin (o diagrama de tiempos) en OPAL. 3.- Disear un circuito Comparador de 2 Bits. Si A=A1A0 y B=B1B0. A>B, A=B, A<B; si A = A1A0 y B = A1A0
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En el siguiente ejemplo se proporciona un ejemplo de un codificador de 4 a 2 utilizando una GAL22V10D, utilizando truth_table.
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Ejercicios: 1.- Disee un decodificador de BCD a 7 segmentos.
2.-Disee un Demultiplexor de 1 a 8. 3.- Disee un Multiplexor de 8 a 1. 4.- Disee un codificador de DECIMAL a BCD.
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Estructura en WINCUPL
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Clasificacin de las memoria
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Segn el modo de acceso clasificamos las memorias segn la siguiente tabla.
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Memorias
Celda de memoria .- Dispositivo o circuito electrnico que se utiliza para almacenar un bit (0 o 1); ejemplo: latch.
Palabra de memoria .- Grupo de bits (celdas) es una memoria que representa instrucciones o datos de algn tipo. (8 flip flop) pueden considerarse como una memoria que almacena 8 bits. Capacidad .- Forma de especificar cuntos bits pueden almacenar en un dispositivo de memoria particular o bien en un sistema de memoria completo. Ejem: Una memoria que almacena 4096 palabras de 20 bits R= Se representa por una capacidad total = 81920 bits Densidad .- Otro trmino para la capacidad. Cuando se dice que un dispositivo de memoria tiene mayor densidad que otro, significa que puede almacenar ms bits en la misma cantidad de espacio.
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Direccin .- Nmero que identifica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada es un dispositivo de memoria o sistema de memoria tiene una direccin nica.
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Operacin de Lectura .- Es la operacin por medio de la cual la palabra binaria almacenada en una localidad (direccin) especifica de la memoria es captada y despus transferida a otro dispositivo. Operacin de Escritura .- Operacin por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria. Tambin es llamada operacin de almacenar. Tiempo de acceso.- Medida de la velocidad de operacin del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de lectura. De manera ms especifica, es el tiempo que transcurre entre la recepcin de una nueva direccin en la entrada de la memoria y la disposicin de los datos de salida.
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Memorias de acceso aleatorio: (Random access memory): Son memorias de acceso directo; esto es, cada una de los registros puede ser ledo o escrito de forma directa sin ms que presentar en las terminales de direccin el cdigo correspondiente de la posicin que ocupa dentro de la memoria. Memorias de acceso secuencial: En este tipo de memorias, el acceso a una posicin se consigue por desplazamiento hacia la salida de todas las informaciones almacenadas en las posiciones anteriores a la deseada. Su modo de acceso es similar al de una cinta magntica. En este caso, el tiempo de acceso depende de la posicin que ocupa cada dato. Memorias CAM (Content addressable memory): Estas memorias son direccionables por su contenido. La operacin de lectura no se realiza indicando una direccin y observando el contenido, sino que se suministra un dato y la memoria responde si dicho dato est almacenado o no. En caso afirmativo indica en qu posicin se encuentra.
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Memorias de slo lectura CMOS EPROM. Tericamente el proceso de grabado y borrado de una celda CMOS es reversible hasta el infinito. En la realidad las memorias EPROM empiezan a dar problemas a partir de los 1000 ciclos de programacin y borrado. (suficiente para las necesidades de la mayora de los usuarios). Sabemos que estas memorias son sensibles a los rayos UV (se borran mediante una exposicin a una fuente de luz ultravioleta de 10 a 20 minutos).
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MEMORIAS EEPROM Las memorias EEPROM (electrically erasable and reprogrammable ROM) o E2PROMs como son llamadas habitualmente, son memorias ms caras y ms rpidas que las EPROM (pueden tener tiempos de acceso alrededor de 35 ns) y una vida media en torno a los 10.000 ciclos de borrado/escritura. Se caracterizan por usar una nica tensin para su lectura y su escritura, coincidiendo con la tensin de + 5 v.
Memoria EEPROM serial. Memoria EEPROM paralelo

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Expansin de Memoria
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Aplicaciones de EEPROM de serie TELEVISION , VCRs, juegos de CD, cmaras, radios, y telemandos. fotocopiadoras, PCs, palm y COMPUTADORAS porttiles, unidades de disco y organizadores. Lectores de cdigo de Barra INDUSTRIALES, puntos de venta, tarjetas inteligentes, cerraduras de cajas fuertes, abridores de puerta de garaje y equipos mdicos. En TELECOMUNICACIONES los telfonos Celulares, inalmbricos, mdems, y receptores del satlite. En el parque AUTOMOTOR, el antibloqueo de los frenos, radios y entrada del teclado.
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Ejemplo de un decodificador de BCD a 7 segmentos

Se genera una tabla que represente entradas y salidas, como se muestra a continuacin:
ABCD 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 a 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 b 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 c 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 d 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 e 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 f 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 g 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 Formato Hexadecimal. 7E 30 6D 79 33 5B 5F 70 7F 73
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Familias Lgicas se puede definir como la estructura bsica a partir de la cual se pueden construir las puertas lgicas. clasificacin de estas familias, segn los dispositivos semiconductores en los que se basan es: Familias bipolares.- emplean transistores bipolares y diodos, es decir, dispositivos de unin. Las familias bipolares ms representativas son las familias TTL y ECL. Familias MOS.- emplean transistores MOSFET, es decir, transistores de efecto campo. La familias MOS ms representativas son las familias NMOS y CMOS.
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Familias lgicas TTL
Familia CMOS
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Las diferencias ms importantes entre ambas familias son: a) En la fabricacin de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el TTL y transistores MOSFET para la tecnologa CMOS. b) Los CMOS requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems debido a su alta densidad de integracin, los CMOS estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala, en LSI - memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores-, as como VLSI. c) Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que los TTL. d) Los CMOS son ms lentos en cuanto a velocidad de operacin que los TTL. e) Los CMOS tienen una mayor inmunidad al ruido que los TTL. f) Los CMOS presenta un mayor intervalo de voltaje y un factor de carga ms elevado que los TTL.
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Los principales parmetros de las familias lgicas son: Parmetros temporales. Retraso de propagacin de bajo a alto, tPLH.- tiempo transcurrido desde que la seal de entrada baja (pasa por el 50%) hasta que la seal de salida sube (pasa por el 50%).
Retraso de propagacin de alto a bajo, tPHL.- tiempo transcurrido desde que la seal de entrada sube (pasa por el 50%) hasta que la seal de salida baja (pasa por el 50%).
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El hecho de subida y bajada se debe a que las principales familias son negativas, es decir, la salida que obtenemos es el valor negado de dicha funcin. Retraso de propagacin.- valor medio de tPLH y tPHL. Tiempo de transicin de bajo a alto, tTLH.- tiempo transcurrido desde que la seal empieza a subir (pasa por el 10%) hasta que llega a un nivel alto (pasa por el 90%). Tiempo de transicin de alto a bajo, tTHL.- tiempo transcurrido desde que la seal empieza a bajar (pasa por el 90%) hasta que llega a un nivel bajo (pasa por el 10%).
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Se considera que una transicin se ha completado cuando pasamos de los umbrales del 10% y el 90%. Este hecho es debido a que la forma de onda a partir de esos valores cambia, pudiendo no llegar nunca a los valores del 0% o al 100%.
IEM
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Parmetros de tensin. Nivel alto de la salida (entrada), VOH (VIH).- nivel de tensin considerada como alto para la salida (entrada). Nivel bajo de la salida (entrada), VOL (VIL).- nivel de tensin considerada como alto para la salida (entrada Margen de ruido del nivel alto, VNSH.- la diferencia de tensin desde el nivel alto que se puede considerar como tal. Margen de ruido del nivel bajo, VNSL.- la diferencia de tensin desde el nivel bajo que se puede considerar como tal.
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Parmetros de intensidad
Fan-out.- nmero mximo de puertas que se pueden conectar a la salida sin que sedegrade la seal de salida. Fain-in.- nmero mximo de puertas que se pueden conectar a la entrada sin que se degrade la operacin de la puerta lgica.
Efectos de Carga Al sobre-cargar una salida ms all de su fan- out se producen los siguientes efectos: En el estado bajo, el voltaje de salida (VOL) puede incrementar ms all de (VOLMAX). EN el estado alto, el voltaje de salida (VOH) puede caer por debajo de (VOHMIN).
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Retardo de propagacin. Es el ligero retardo de tiempo entre el momento en que cambia la entrada y en que cambia la salida. Los tiempo de ascenso y descenso de salida pueden incrementarse. Temperatura de operacin. La temperatura del dispositivo puede incrementar, reduciendo con ello la confiabilidad del dispositivo y con el paso del tiempo la operacin de fallas. Disipacin de potencia. A medida que los retardos de propagacin disminuyen (aumenta la velocidad), el consumo de potencia y la generacin de calor aumentan.
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