AUTOTRONICA

TRANSISTORES MOSFET / IGBT

El transistor de Efecto de Campo Metal-xido-Semiconductor Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador

G S
D G S

Canal N

Conduccin debida a electrones

Canal P

Conduccin debida a huecos

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos

TRANSISTOR MOSFET Caractersticas

Fabricacin es simple.

Reducido tamao.
Se puede evitar el uso de resistencias. Reducido consumo de energa.

Pueden emplearse tanto en funciones analgicas

como .

Existen cuatro tipos de transistores MOS:

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de enriquecimiento
G

Se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste con el sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el MOS estar en corte.

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de enriquecimiento
G

Si aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P.

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de enriquecimiento

A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y mayor nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente.

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de empobrecimiento
G

En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de empobrecimiento
G

En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

PRINCIPIO DE OPERACION
NMOS de empobrecimiento
G

Tambin en este caso, la aplicacin de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situacin de corriente independiente de VDS.

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

ELECTRONICA ANALOGICA Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal). Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga.

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

ELECTRONICA DIGITAL Debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control, Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia. La cada de tensin en conduccin es muy pequea. La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

PRECAUCIONES EN EL USO DE TRANSISTORES MOSFET

S
N+ P-

D
N+
+

D G S

Substrato El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos. El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin. Existe un diodo entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento.

Encapsulados de MOSFET

TO 220

D 61

TO 247

TO 3

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura

Resistencia en conduccin
Corriente mxima

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Baja tensin 15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V Media tensin 100 V 150 V 200 V 400 V Alta tensin 500 V

600 V
800 V 1000 V

TRANSISTORES IGBT
LOS IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA) DISPOSITIVO ELECTRNICO. SE APLICA A CIRCUITOS DE POTENCIA CONMUTACIN EN SISTEMAS DE ALTA TENSIN. GATE (G) O PUERTA, COLECTOR (C) Y EMISOR (E)

La tensin de control de puerta 15V ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta

El IGBT se desarroll con la idea de aprovechar

simultneamente las ventajas de la baja resistencia de conduccin de los BJT y la elevada velocidad de conmutacin de los MOSFET. Coeficiente de temperatura positivo que les hace adecuados para funcionar en paralelo al sufrir una sobrecarga aumentan su resistencia de conduccin reduciendo su carga. En este dispositivo, se utiliza la tensin entre puerta y emisor para controlar el estado de funcionamiento.

 bloqueado, la curva v-i del dispositivo, la intensidad colectoremisor es nula, se comporta como un circuito abierto. Cuando se aplica una tensin positiva entre puerta y emisor el dispositivo pasa al estado de conduccin permitiendo el paso de corriente en el sentido colector emisor. EL IGBT requiere un valor lmite VGS (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones. Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW) Aplicaciones tpicas del IGBT. Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia.

Valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios, IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

CONCLUSIN
Segn el avance de la tecnologa siempre existir una

evolucin constante de todo dispositivo, en especial cuando se trata de dispositivos electrnicos tales como los transistores que permiten una gran versatilidad a la hora de controlar dispositivos electrnicos.