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AULA 19

Propriedades Trmicas e Eltricas dos


Materiais
Profa. Kaline Melo de Souto Viana
Propriedades Trmicas
PROPRIEDADE TRMICA
a resposta de um material aplicao de calor.
Conforme um slido absorve energia na forma de
calor, a sua T e suas dimenses aumentam.

Propriedades trmicas mais usadas:

CAPACIDADE CALORFICA
EXPANSO TRMICA
CONDUTIVIDADE TRMICA
Importantssimas para
a utilizao prtica de
um slido
CAPACIDADE CALORFICA
Quando um slido aquecido aumento na T
absoro de energia

Capacidade calorfica a propriedade indicativa
da habilidade de um material absorver calor de sua
vizinhana externa.

Fisicamente: quantidade de energia necessria para
produzir um aumento unitrio na T.
CAPACIDADE CALORFICA
dQ a energia necessria para
produzir uma variao dT na
temperatura.
Unidades [J/mol-K]; [cal/mol-K]
Calor especfico (c) representa a capacidade calorfica por
unidade de massa.
Unidades [J/Kg-K]; [cal/g-K]
CAPACIDADE CALORFICA
Duas maneiras de ser medida:
C
V
capacidade calorfica a volume constante
C
P
capacidade calorfica a presso constante

Para a maioria dos materiais slidos: C
V
~ C
P
T s T
amb
Capacidade Calorfica Vibracional
Nos slidos a assimilao de energia trmica pelo
aumento da energia vibracional dos tomos.
Capacidade Calorfica Vibracional
(i) Essas vibraes
produzidas so coordenadas.

(ii) Produzem ondas que se
propagam pela rede
cristalina.
(iii) Essas ondas so consideradas elsticas ( - curtos; F
muito altas; propagao na velocidade do som)
Capacidade Calorfica Vibracional
A energia vibracional para um
material consiste de uma
srie dessas ondas elsticas.

Fnon quantum de energia
vibracional.
Transportador de energia trmica
Capacidade Calorfica e Temperatura
O valor de Cv = 0 em 0 K.
Aps isso, aumenta
rapidamente com a T.
habilidade das ondas
reticulares aumentar
a energia mdia com
a T.
Para baixas T :
A = cte.
independente da T
Capacidade Calorfica e Temperatura
Acima da temperatura de
Debye, u
D
, o valor de Cv se
estabiliza.
Torna-se praticamente
independente da T num
valor de 3R.
R cte. dos gases
Outras Contribuies para a Capacidade
Calorfica
H outras contribuies para a absoro de energia
trmica alm das vibraes reticulares.

CONTRIBUIO ELETRNICA eltrons livres, que
absorvem energia trmica pelo aumento da energia
cintica.
Significativa apenas para metais


EXPANSO TRMICA
A maioria dos slidos:

Expande aquecimento
Contrai resfriamento

Variao no comprimento funo da T:
l
0
comprimento inicial T
0
temperatura inicial
l
f
comprimento final T
f
temperatura final
o
l
coeficiente linear de expanso trmica
Unidades: [(C)
-1
; K
-1
ou (F)
-1
]
EXPANSO TRMICA
O aquecimento e o resfriamento afeta todas as
dimenses do slido.

Variao do volume em funo da T:


Em muitos materiais o valor de o
V
anisotrpico
(depende da direo cristalogrfica ao longo do qual
medido).
Materiais isotrpicos: o
V
~ o
l

AV variao no volume
V
0
volume original
o
V
coeficiente volumtrico de expanso trmica
CONDUTIVIDADE TRMICA
CONDUO TRMICA fenmeno pelo qual o calor
transportado das regies de alta T para as regies de baixa T em
uma substncia.

Condutividade trmica:
q fluxo ou transporte de calor por unidade de tempo ou de rea
Unidades: [W/m
2
]

k condutividade trmica
Unidades: [W/m-K]

dT/dx gradiente de temperatura atravs do meio de conduo
Mecanismos da Conduo de Calor
O calor transportado nos slidos tanto por meio das
vibraes da rede cristalina (fnons) quanto por eltrons
livres.

CONDUTIVIDADE TOTAL: k = k
r
+ k
e
k
r
condutividade trmica devido vibrao da rede
k
e
condutividade trmica devido aos eltrons livres

OBS: Uma ou outra ser predominante
Mecanismos da Conduo de Calor
METAIS:
O mecanismo eletrnico de transporte de calor muito mais
eficiente do que a contribuio dada pelos fnons.
Os eltrons so mais facilmente espalhados e mais velozes.
Inmeros eltrons livres participam da conduo trmica.
A conduo trmica nos metais varia entre 20 400 W/m-K.
Mecanismos da Conduo de Calor
CERMICAS:
Os fnons so os principais responsveis pela conduo
trmica nos materiais no metlicos.
Kr >>>> Ke.
A conduo trmica nas cermicas varia entre 2 50 W/m-K.
Vidros e cermicas amorfas possuem condutividade menor do
que as cermicas cristalinas pois o movimento dos fnons
dificultada pela estrutura altamente desordenada.
O aumento da porosidade influencia negativamente na
condutividade trmica das cermicas.
Mecanismos da Conduo de Calor
POLMEROS:
A conduo trmica nos polmeros so de aproximadamente
0,3 W/m-K.
A conduo trmica se d por meio da vibrao e da rotao
das molculas da cadeia.
A condutividade vai depender da cristalinidade da cadeia
um polmero com estrutura altamente cristalina e
ordenada ir apresentar uma condutividade maior do que
o material amorfo equivalente.
TENSES TRMICAS
So tenses introduzidas em um corpo como resultado de
variaes na T.
Tenses trmicas podem levar fratura ou a deformao
plstica indesejvel.
Podem ser originrias de trs tipos:

DA RESTRIO A EXPANSO E CONTRAO TRMICA
DE GRADIENTE DE TEMPERATURA
DE CHOQUE TRMICO DE MATERIAIS FRGEIS
TENSES RESULTANTES DA RESTRIO A EXPANSO E
CONTRAO TRMICA
ISOTRPICO
T
ISOTRPICO
T
A expanso ser
restringida!!!
No aquecimento tenso compressiva
No resfriamento tenso de trao
TENSES RESULTANTES DE GRADIENTES DE
TEMPERATURA


Anisotrpico


Anisotrpico

T
No aquecimento, o exterior da amostra mais quente
e, portanto, expande-se mais do que as regies internas.

tenses de compresso superfcie
Tenses de trao - interior
No resfriamento ser o inverso!
TENSES RESULTANTES DE CHOQUES TRMICOS DE
MATERIAIS FRGEIS
Para polmeros e metais dcteis o alvio das tenses
termicamente induzidas pode ocorrer por deformao plstica.
J para a cermicas, que no possuem ductilidade, aumenta a
possibilidade de fratura frgil devido a essas tenses.
O resfriamento rpido de um material frgil tem maior
facilidade de causar choque trmico do que o aquecimento.
Capacidade de um
material resistir ao
choque trmico
Propriedades Eltricas
PROPRIEDADE ELTRICA
a resposta de um material aplicao de um campo
eltrico.
Veremos:
CONDUO ELTRICA
MECANISMOS DE CONDUO ELETRNICA
BANDAS DE ENERGIA X CONDUO

CARACTERSTICAS DIELTRICAS DOS ISOLANTES
FERROELETRICIDADE E PIEZOELETRICIDADE
Metais
Semicondutores
isolantes
CONDUO ELTRICA
Uma das caractersticas eltricas mais importantes dos
materiais a sua facilidade de transmitir corrente eltrica.

LEI DE OHM:





R influenciada pela configurao da amostra e para muitos materiais
independente da corrente.
V voltagem aplicada
Unidade: [V volt (J/C)]

I corrente ou taxa de passagem de corrente
Unidade: [A ampre (C/s)]

R resistncia do material passagem de corrente eltrica
Unidade: [O - ohm (V/A)]
CONDUO ELTRICA
RESISTIVIDADE ()- independente da geometria da amostra.
A rea da seo transversal perpendicular direo da corrente
l distncia entre os dois pontos onde a voltagem medida

- resistividade eltrica
Unidade [O-m]
Representao esquemtica de um
sistema usado para medir a
resistividade eltrica
Condutividade Eltrica - o
usada para especificar a natureza eltrica de um material.
o inverso da resistividade.

Os materiais slidos possuem uma ampla faixa de condutividade eltrica
(27 ordens de grandezas).
Serve como um tipo de classificao dos materiais:

METAIS bons condutores, condutividade da ordem de 10
7
(O-m)
-1
ISOLANTES maus condutores, condutividade variando entre 10
-10
a 10
-20
(O-m)
-1
SEMICONDUTORES condutividade intermediria, variando entre 10
-6
a 10
4
(O-m)
-1

Conduo Eletrnica x Conduo Inica
Corrente eltrica o resultado do movimento de partculas
eletricamente carregadas em resposta a foras que atuam sobre elas a
partir de um campo eltrico externo aplicado.

Conduo eletrnica corrente eltrica originada a partir do
fluxo de eltrons.

Conduo inica - corrente eltrica resultante do movimento de
ons carregados.
Estruturas das Bandas de Energia nos Slidos
1 nico eltron
de valncia s
2 eltrons de
valncia s
E
f
energia de Fermi ltimo nvel de energia preenchido a 0 K
A conduo ocorre quando
um eltron livre levado
para um estado de energia
acima da E
f
Conduo e Bandas de Energia
Apenas os e- que possuem energia > E
f
(eltrons livres) que
participam do processo da conduo.

BURACO uma outra entidade eletrnica que participa da conduo
(nos isolantes e semicondutores), porm, possuem energia < E
f


A condutividade eltrica de um slido uma funo direta do seu nmero
de buracos e de eltrons livres.

o - condutividade eltrica
n nmero de eltrons livres ou de conduo por unidade de volume
|e| - magnitude absoluta da carga eltrica (1,6 x 10
-19
C)

e
mobilidade eletrnica (dependente do campo eltrico aplicado)
Conduo e Bandas de Energia - METAIS
Pouca energia necessria para que ocorra a conduo !!!
A energia fornecida por um campo eltrico suficiente para excitar um grande
nmero de eltrons.
Conduo e Bandas de Energia
ISOLANTES e SEMICONDUTORES
Para que ocorra a conduo, o e- deve ser excitado
por uma energia > Ee, para vencer a barreira
energtica do espaamento entre as bandas de
valncia e a de conduo
Geralmente essa energia de
excitao de fonte no-
eltrica (calor)
A distino entre
isolantes e
semicondutores est no
tamanho do
espaamento entre as
bandas
SEMICONDUTIVIDADE
A condutividade eltrica do materiais semicondutores no to
elevada quanto a dos metais.
A PROPRIEDADE ELTRICA dos SEMICONDUTORES fortemente
influenciada pela presena de impurezas.
Tipos:
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
aqueles nos quais o comportamento eltrico baseado na estrutura eletrnica
inerente ao metal puro.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
aqueles em que as caractersticas eltricas do ditadas pelos tomos de impureza.
Semiconduo Intrnseca
Os semicondutores intrnsecos so caracterizados pela
estrutura da banda eletrnica.
Semicondutores bsicos:
Silcio (Si) e Germnio (Ge) Grupo IVA da T.P.
Semicondutores compostos:
Arseneto de glio (GaAs)
Antimoneto de ndio (InSb)

Sulfeto de cdmio (CdS)
Telureto de zinco (ZnTe)
Grupo IIIA e VA
Grupo IIB e VIA
Semiconduo Intrnseca
BURACOS espao vazio
deixado pelo eltron que foi
excitado e pulou da banda de
valncia para a banda de conduo.
Conseqentemente outros e-
iram ocupar os buracos, gerando
outros, e assim promovendo um
movimento de buracos.
A ausncia de um eltron na banda
de valncia pode ser tratada como
uma partcula carregada
positivamente - buraco
O buraco tem uma carga de 1,6 x 10
-19
C.
Na presena de um campo eltrico,
os e- excitados e os buracos se
movem em direes opostas.
Semiconduo Intrnseca
Condutividade intrnseca
o - condutividade eltrica
n nmero de eltrons livres ou de conduo por unidade de volume
p nmero de buracos por unidade de volume
|e| - magnitude absoluta da carga eltrica (1,6 x 10
-19
C)

e
mobilidade eletrnica (dependente do campo eltrico aplicado)

p
mobilidade do buraco (dependente do campo eltrico aplicado)

p
<<<
e

Semiconduo Extrnseca
Os semicondutores extrnsecos so caracterizados pela presena de
impurezas.
A maioria dos semicondutores comerciais so extrnsecos.
Mesmo as impurezas estando presentes e quantidades mnimas,
fornecem um excesso de buracos ou de e-.
Exemplo:
uma concentrao de apenas 10
12
tomos de impurezas
presentes no Ge so suficientes para torn-lo extrnseco
T=amb !
Semiconduo Extrnseca do Tipo n
Tomando-se como base um semicondutor bsico como o Si, que possui 4
eltrons de valncia, e faz 4 ligaes covalentes com outros 4 Si vizinhos.
Ao ser adicionada uma impureza com valncia 5 (grupo VA da T.P., por ex,: P,
As, Sb), apenas 4 eltrons participaram das ligaes, sobrando 1 eltrons, que
por sua vez se torna eltron livre ou eltron de conduo.
Impureza do tipo doadora fornece eltrons extras
Semiconduo Extrnseca do Tipo p
O efeito contrrio observado quando adiciona-se por exemplo o Ge (valncia
3 Grupo IIIA ex.: Al, B, Ga)
Apenas 3 eltrons participaram das ligaes, faltando 1 eltron, o que gera
um BURACO, que por sua vez tende a ser preenchido pelos eltrons vizinhos,
promovendo movimento de e-.
Impureza do tipo receptora fornece buracos extras
Semiconduo
Extrnseca do
Tipo n
Semiconduo
Extrnseca do
Tipo p
CONDUO ELTRICA EM CERMICAS
INICAS E EM POLMEROS
Isolantes = Polmeros e maioria das cermicas
Espaamento entre bandas grande


Barreira da condutividade (T=amb.)


Aplicao como materiais de isolamento
Com T = isolantes apresentam da condutividade !!!

podendo ser semicondutores
Conduo em materiais inicos
Em materiais inicos, o movimento dos ons carregados gera uma
corrente eltrica adicional quela devida ao fluxo de e-.
Condutividade total de um material inico ser:


A contribuio inica aumenta com a T, mas mesmo com as duas
contribuies (inica e eletrnica), a maioria dos materiais inicos
permanece isolante.

Mobilidade das espcies inicas:
Qualquer uma dessas contribuies pode ser
predominante, dependendo do material, de sua
pureza e da T.
- mobilidade
n valncia
e carga eltrica
D coef. de difuso
k condutividade
T - temperatura
Propriedade eltrica dos polmeros
A maioria isolante devido falta de e- para a conduo.
Nos ltimos anos tm sido fabricados polmeros condutores.
Ex.: Poliacetileno, Poli-parafenileno, polipirrol e a aramida.



Adicionadas impurezas como o ido e compostos com flor (AsF
5
e
SbF
5
)
e- extras fornecidos pelas impurezas so compartilhados com os e-
associados ligaes = e
Promovendo fluxo e e- conduo semicondutores
EXERCCIO


1. Para o cobre, a capacidade calorfica a volume constante, Cv,
a 20K de 0,38 J/mol-K e a temperatura de Debye de
340K. Estime o calor especfico a (a) 40K e (b) 400K.

2. Um fio de cobre com 15m de comprimento resfriado desde
40C at -9C. Qual a variao de comprimento desse fio?
Dado o
l
= 17 x 10
-6
(C)
-1
.

3. Um basto de lato deve ser usado em uma aplicao que
requer que suas extremidades sejam mantidas rgidas. Se
Temperatura ambiente (20C) o basto est livre de tenses,
qual a temperatura mxima at a qual esse basto pode ser
aquecido sem que uma tenso de compresso de 172MPa
seja exercida? Considere o mdulo de elasticidade de 100GPa
para o lato. Dado o
l
= 20 x 10
-6
(C)
-1
.
EXERCCIO


4. tomos de arsnio na proporo de 10
23
m
-3
so adicionados
ao silcio de alta pureza.
(a) Esse material do tipo n ou p?
(b) Calcule a condutividade eltrica desse material na
temperatura ambiente, sabendo que a mobilidade dos
eltrons nessa temperatura de 0,07 m
2
/V-s.