IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

(Transistor Bipolar de Puerta Aislada)

ALUMNO: - Daniel Marcos Flores Flores

Nuevo Chimbote, 2012

INDICE
1. 2. 3. 4. 5.

6.
5. 6.

INTRODUCCION DEFINICION SIMBOLOGIA CURVA CARACTERISTICA IGBT FUNCIONAMIENTO APLICACIONES DE IGBT CONCLUSIONES BIBLIOGRAFIA

1. INTRODUCCION
Durante muchos aos se ha buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo suficientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas, pero han surgido nuevas ideas con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un TBJ de dispositivo de potencia y de esta forma se llego a la invencin del IGBT el cual ser expuesto en el siguiente documento.

2. DEFINICION
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. C
MOSFET Bipolar

G E

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

3. SIMBOLOGIA
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente

4. CURVA CARACTERISTICA IGBT

6. FUNCIONAMIENTO
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es

aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V.

7. APLICACIONES DE IGBT
Sus aplicaciones principales se centran en los sectores de: control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos. Dichos transistores IGBT son la ltima generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin que combina los atributos del BJT y del MOSFET. La combinacin de una puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar tensiones y corrientes mucho mayores. El flujo de corriente se controla a travs de una fuente de tensin de alta impedancia que

permite que se puedan controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy baja. De hecho, uno de los xitos de IGBT es su baja necesidad de energa de control para pasar del modo conduccin al modo bloqueo y viceversa Aplicacin: Para variar la velocidad de los motores de corriente alterna, por ejemplo los que llevan incorporados algunos electrodomsticos, lo que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que mueven los arrollamientos de dicho motor. Es decir, el motor girar con la misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos IGBT interconectados

 Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de

potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano. Esta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigorficos, lavavajillas, ect., en los que los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten. La mayor parte de los ruidos de los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado rpidos y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas. Pero las aplicaciones de IGBT van mucho ms all del control de motores. Algunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los estn utilizando para mejorar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades. Por ejemplo, una de las ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los telfonos mviles para dotar a sus cmaras de un flash de xenon realmente potente. Esto ha sido posible gracias a que los IGBT han reducido enormemente sus dimensiones

8. CONCLUSIONES
El IGBT es un semiconductor ampliamente utilizado hoy en da en la

electrnica de potencia, cuya tecnologa se encuentra en estos momentos en pleno apogeo por tanto, en constante evolucin. Las nuevas generaciones de IGBT tienden hacia una disminucin de prdidas a travs de la reduccin tanto de los tiempos de conmutacin como de la tensin de saturacin. En definitiva, un buen diseo trmico es la clave para una utilizacin ptima del IGBT

9. BIBLIOGRAFIA
Principios de Electrnica Malvino. 5ta Edicin Circuitos Electrnicos. Schilling-Belove. 2da Edicin

http://www.aicox.com/UserFiles/File/industrial/IGBT.pdf