Transistor IGBT

Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada.

Principio de funcionamiento
El IGBT tiene las propiedades de un transistor bipolar BJT y un mosfet, ya que en su compuerta (gate) se activa con un voltaje y no una corriente como en el BJT, la corriente que pasa por las terminales C (colector) y E (emisor) es la que tu carga esta consumiendo, al contrario del BJT que su corriente de colector depende de la corriente de base. El IGBT esta diseado para soportar voltajes grandes, son ideales para la construccin de circuitos de potencia como lo son los inversores de voltaje o para la multiplicacin de voltaje, su funcionamiento es sencillo, solo requieres encontrara el data sheet del numero de parte del IGBT que quieres utilizar.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta

Caractersticas.
IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en paralelo fcilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan: GATE (G) o puerta. COLECTOR (C). EMISOR (E).

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGB