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BIPOLARES
TRANSISTORES
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
N P N
C E
Emisor (E)
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.
SMBOLO
B
C NP B N+ E
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.
= 100
2000 1000
20 10 0 VCE
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A = 100
12 V 36 W
I
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
IC
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VCE 12 V PF (OFF)
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
40 mA I
= 100 3A 12 V 36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VEC 12 V PF (OFF)
Activa
IB
VCE = 0 VCE1 VCE2
IC I
IB6 IB5
CMax
Avalancha Secundaria
Saturacin
IB3 IB2 IB1
IB4
VBE
IB= 0
Caracterstica de Entrada
1V Corte
VCEMax
VCE
Caracterstica de Salida
IC
IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin ICMAX B
E
PMAX
SOAR
HFE
Ganancia
VCE-MAX
VCE
TRANSISTOR BIPOLARES
TOSHIBA
UNIN
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
TRANSISTORES MOSFET (MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
Substrato (Substrate)
N P Canal (Channel)
SECCIN
VISTA SUPERIOR
Substrato
N P NOTAR:
Substrato
Substrato G S
ID
UGS[V]
+15 +10 +5 0
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
S N
Substrato
P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales
Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Substrato S
P D D D
G S
G S
ID
UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V
VDS
D ID
- 30 V
+ 30 V
VGS
G S
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A
12 V 36 W
I
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)
ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!
4A PF (ON) 3 A ON
UGS= 12 V OFF
VDS 12 V PF (OFF)
C G
E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia
COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo
C NP N+
Cada punto representa un MOSFET
MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")
B E BIPOLAR DE POTENCIA