Segn el modelo atmico de Bohr, los electrones de la

corteza giran alrededor del ncleo describiendo solo

determinadas rbitas circulares.
Ncleo
Electrones
tomo de
sodio (Na)
tomo de
fsforo (P)
tomo de
oxgeno (O)
POSTULADOS DE BHR.
El modelo atmico de Rutherford llevaba a unas
conclusiones que se contradecan claramente con los
datos experimentales.
Para evitar esto, Bhr plante unos postulados que no
estaban demostrados en principio, pero que despus
llevaban a unas conclusiones que s concidan con los
datos experimentales; (es decir, la justificacin
experimental de este modelo es a posteriori).
Primer postulado
El electrn gira alrededor del ncleo en
rbitas circulares sin emitir energa radiante.
Segundo postulado
Bohr dedujo las propiedades de las rbitas (energa, radio, etc.) a partir de sus
postulados y de leyes fsicas clsicas , las 2 principales propiedades son:
r = a
0
n
2

El electrn no puede estar a cualquier distancia del ncleo. Slo son posibles
algunas rbitas cuyo radio y energa vienen definidas por los valores posibles para
un parmetro que se denomina nmero cuntico principal, n.
a
0
=radio de bohr =
0.529 A
Radio:
E
0
=13,64eV
energa del 1 nivel del tomo de H
Energa:
(eV)
n
Z 13,64
- E
2
2
n
=
1eV=1,602 10
-19
J
5
Tercer Postulado
La energa liberada al caer el electrn desde una rbita a otra de menor energa se
emite en forma de fotn, cuya frecuencia viene dada por la ecuacin de Planck:
As, cuando el tomo absorbe (o emite) una
radiacin, el electrn pasa a una rbita de
mayor (o menor) energa, y la diferencia
entre ambas rbitas se corresponder con una
lnea del espectro de absorcin (o de emisin).
La frecuencia (el color) de la radiacin tiene
que cumplir la ecuacin anterior
(eV)
n
1
n
1
13,64 E - E E
2 1
n1 n2 n2 n1
|
|
.
|

\
|
= = A

hf = = A

E - E E
n1 n2 n2 n1


A partir de la dcada de 1950, los
dispositivos semiconductores,
remplazaron los tubos
electrnicos de la industria
tradicional.

- Enorme reduccin de los aparatos elctricos
- Poco consumo de energa
- Mayor durabilidad y confianza
- Mayor almacenamiento de datos
- Revolucionaron las Telecomunicaciones
Tienen una conductividad elctrica inferior a la de un
conductor metlico pero superior a la de un buen
aislante
El semiconductor ms
utilizado es el silicio, que
es uno de los elemento
ms abundante en la
naturaleza
Para mejorar la conductividad elctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas aadidas
voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado,
utilizndose dos tipos:
De un semiconductor dopado
con impurezas trivalentes se
dice que es de tipo P
De un semiconductor dopado
con impurezas pentavalentes
se dice que es de tipo N.
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+ -
Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin. Que acta como una barrera para
el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
-+
+
-
-
-
-
-
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay
circulacin de corriente.
P
N
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
-
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a circular
a partir de un cierto umbral de tensin directa.
P
N
+
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
-
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones en
la zona P disminuya al alejarse de la unin.
P
N
+
Concentracin de huecos
Concentracin de electrones
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de corriente
elctrica
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
Las aplicaciones de los semiconductores se dan en diodos,
transistores y termistores principalmente.
Pero mencionaremos tres que son :
Diodos Termistores Transistores
Un Tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn
con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los
interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o
bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno,
aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente
Las LDR (Light Dependent Resistor, o Resistor Dependiente de la Luz)
son, como su nombre lo indica, resistencias cuyo valor varia de acuerdo al
nivel de luz al que estn expuestas.

Si bien los valores que puede tomar una LDR en total oscuridad y a plena
luz puede variar un poco de un modelo a otro, en general oscilan entre
unos 50 a 1000 ohmios (1K) cuando estn iluminadas (por ejemplo, con
luz solar) y valores comprendidos entre 50K (50,000 Ohms) y varios
megohmios (millones de ohms) cuando est a oscura