Facultad de Ingeniera

Ingeniera de materiales
Unidad II. Enlaces y estructura cristalina

Profesor: M. C. Gerardo Alonzo Medina

Indice de la clase
1. Objetivos 2. La estructura de los materiales: Relevancia tecnolgica 3. La estructura del tomo 4. La estructura electrnica del tomo 5. La Tabla peridica 6. Enlaces atmicos 7. Energa de enlace y espaciamiento Interatmico
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Objetivos de la clase
La meta de este captulo es describir los conceptos fsicos relacionados con la estructura de la materia Estudiar las relaciones entre la estructura y las propiedades de los tomos-enlaces Aprender sobre los diferentes niveles estructurales, por ejemplo: la estructura atmica, nanoestructura, microestructura y macroestructura.

1. La estructura de los Materiales: Relevancia Tecnolgica

Nanotecnologa Micro-electromechanical (MEMS) systems. Sensores de una bolsa de aire Nanoestructuras

(a) MEMS. (b) imagen de la nanoestructura de un MEMS
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Tabla 1. Niveles de estructura

Nivel de estructura Ejemplo de Tecnologias

Estructura atmica

Herramienta de cortediamante

Arreglos- Atmicos: Titanato de circonio-plomo Orden Largo alcance [Pb(Zrx Ti1-x )] or PZT (LRO) encendedores de gas

Arreglos atmicos: Corto alcance (SRO)

fibra de silicio amorfo comuniciones pticas

Table 1. (Continued)
Nivel de estructura Ejemplo de Tecnologias

Nanoestructura

Nanoparticulas de xido hierro ferrofluidos

Microestructura Esfuerzos Mecanicos de metales y aleaciones

Macroestructura

Pinturas para automviles resistentes a la corrosin

Figures 2.5 2.7
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2. La Estructura de el tomo

El nmero atmico de un elemento es igual al numero de electrones o protones en cada atomo. La masa atmica de un elemento es igual al numero promedio de protones y neutrones en el atomo. el nmero de Avogadro de un elemento es el numero de atomos o moleculas en un mol. La unidad de masa atmica de un elemento es la masa de un atomo expresada como 1/12 de la masa de un tomo de carbono 12.

Ejemplo 2.1 Clculo del Nmero de tomos de plata

Calcula el nmero de tomos en 100 g de plata.

Ejemplo 2.1 SOLUCIN

Ejemplo 2.2 Nanopartculas de Hierro-Platino para almacenamiento de Informacin

Los cientficos estan considerando el uso de nanopartculas de materiales magnticos como el hierro-platino como medio de almacenamiento de datos con densidades ultraaltas. Los arreglos de esas partculas tienen el potencial de almacenar billones de bits de datos por pulgada cuadrada, capacidad que ser de 10 a 100 veces mayor que la de cualquier otro dispositivo, como puede ser un disco duro de PC. Si se utilizan partculas de hierro de 3 nm de dimetro, cul serala cantidad de tomos en una de esas partculas?

Ejemplo 2.3 Concentracin dopantes en Cristales de silicio

Los monocristales de silicio se utilizan mucho para hacer los chips de computadora. Calcule la concentracin de tomos de silicio en silicio, o el nmero de tomos de silicio por unidad de volumen de silicio. Durante el crecimiento de los monocristales de silicio a menudo se introducen deliberadamente los tomos de otros elementos (conocidos como dopantes) para controlar y para cambiar la conductividad elctrica y otras caractersticas elctricas del silicio. El fsforo (P) es un dopante que se agrega para hacer cristales semiconductores tipo-n de silicio. Asuma que la concentracin de tomos de P requeridos en un cristal de silicio es 1017 atomos/cm3. Compare las concentraciones de tomos en silicio y la concentracin de tomos de P. qu importancia de estos nmeros desde un punto de vista tecnolgico? Asuma que la densidad del silicio es 2.33 g/cm3.
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de

3. La estructura electrnica del tomo

Nmeros cunticos: son los nmeros que asignan electrones en un tomo a los niveles de energa discretos. nmero cuntico principal n, el nmero cuntico azimutal l, el nmero cuntico magntico ml, y el nmero cuntico espn o giro ms. Capa cuntica es un sistema de niveles de energa fijos a los cuales pertenecen cada electrn Principio de exclusin de Pauli especifica que en un orbital dos electrones no pueden tener los mismos nmeros cunticos. La valencia es el nmero de electrones en un tomo que participan en el enlace o en reacciones qumicas. Electronegatividad describe la tenedencia de un tomo a ganar un electrn.

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Figure 2.8 The atomic structure of sodium, atomic number 11, showing the electrons in the K, L, and M quantum shells

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Figura 2.9 conjunto completo de nmeros cunticos para cada uno de los 11 electrones del sodio.
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Figura 2.10 las electronegatividades de elementos seleccionados de acuerdo a la posicin en la tabla periodica
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Ejemplo 2.4.Comparacin Electronegatividades

de

Usando las estructuras electrnicas, compare los electronegativities del calcio y del bromo.

Ejemplo 2.4 SOLUCIN:

Estructuras electronicas, obtenidas del Apndice C: Ca: 1s22s22p63s23p6 Br: 1s22s22p63s23p63d10 4s 2 4s 2 4p 5

El calcio tiene dos electrones en su orbital externo 4s y el bromo tiene siete electrones en su orbital externo 4s4p. El calcio, con un electronegatividad de 1.0, tiende a donar electrones y tiene baja electronegatividad, pero el bromo, con una electronegatividad de 2.8, tiende a aceptar electrones y es fuertemente electronegativo. Esta diferencia en valores de la electronegatividad sugiere que estos elementos puedan reaccionar fcilmente para formar un compuesto.
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4. La Tabla Peridica
Contiene informacin valiosa acerca de elementos especficos. Puede ayudar a identificar tendencias en tamao de los tomos, puntos de fusin, reactividad qumica y otras propiedades. Las filas en la tabla peridica corresponden a capas cunticas o nmero cunticos principales. Las columnas indican la cantidad de electrones en los niveles s y p externos de energa y corresponden a la valencia ms comn

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4. La Tabla Peridica
Semiconductor III-V es un semiconductor basado en elementos del grupo 3B y 5B (e.g. GaAs). Semiconductor II-VI es un semiconductor basado en elementos del grupo 2B y 6B (e.g. CdSe). Elementos de Transicin: Son los elementos cuyas configuraciones electrnicas son tales que sus niveles internos d y f comienzan a llenarse. Elemento Electropositivo: es un elemento cuyos tomos quieren participar en interacciones qumicas donando electrones y es por lo tanto altamente reactivo.

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Figura 2.11 (a) and (b) Periodic Table of Elements

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5. Enlace Atomico
Hay cuatro mecanismos por los cuales los tomos se enlazan: Enlace Metalico Enlace Covalente Enlace Ionico Enlace de van der Waals Ductilidad: se refiere a la capacidad de los materiales de ser estirado o doblado sin la fractura Componente Intermetlico es un componente como Al3V formado por dos o mas tomos metlicos
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Enlace metlico

Los elementos metlicos tienen tomos electropositivos, los cuales donan o ceden sus electrones de valencia para formar un mar o nube de electrones que rodea a esos tomos. El enlace se da por atraccin electrosttica entre el mar y los ncleos.

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Figure 2.12 El enlace metlico se forma cuando los tomos ceden sus electrones de valencia, que pasan a formar un mar de electrones. Los ncleos cargados positivamente quedan enlazados por atraccin mutua a los electrones cargados negativamente

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Figure 2.13 When voltage is applied to a metal, the electrons in the electron sea can easily move and carry a current
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Ejemplo 2.5 Calculo de la Conductividad de la Ag

Calcula el nmero de electrones que son capaces de conducir carga elctrica en 10 cm3 de Ag. Ejemplo 2.5 SOLUCIN La valencia de la plata es 1, y solamente se espera que los electrones de valencia conduzcan la carga elctrica. Del apndice A, encontramos que la densidad de la plata es 10.49 g/cm3. La masa atmica de la plata es 107.868 g/mol.

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Enlace covalente
Los materiales con enlace covalente se caracterizan por que los enlaces se forman compartiendo electrones de valencia entre dos o ms tomos. Los materiales con enlace covalente como el diamante, SiC, Si3N4 y el BN, tienen las siguientes propiedades:

Son muy duros y resistentes

Tienen puntos de fusin muy altos (aplicaciones de alta T) Poco ductiles(direccionalidad del enlace covalente) Conductividad elctrica baja (los electrones estan fijos)

Figura 2.14. El enlace covalente requiere que los electrones se compartan entre los tomos, de forma tal que cada tomo tenga lleno su orbital externo sp. En el silicio con una valencia de 4, se deben formar cuatro enlaces covalentes.
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Figura 2.15. los enlaces covalentes son direccionales. En el silicio se forma una estructura tetadrica con ngulos de 109.5 que se requieren entre cada enlace covalente.
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Ejemplo 2.6 Cmo se unen los tomos de Si y O para formar la slice(SiO2)?

Suponiendo que la silice (SiO2) tiene enlace 100% covalente , describa cmo el oxgeno y los tomos de silicio en la silice (SiO2) se unen

Ejemplo 2.6 SOLUCIN:

Si tiene valencia 4 cumple su octeto con 4 tomos de O O Tiene valencia 6 cumple su octeto con 2 tomos de Si
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Figura 2.16. Estrucutura tetradrica de la SiO2 que contiene enlaces covalentes entre los tomos de Si y de O.

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Enlace inico
Cuando en un material esta presente ms de una clase de tomos, uno puede donar sus electrones de valencia a otros distintos, para llenar la capa externa de energa de la segunda clase de tomos Catin. El que aporta electrones Anin. El que acepta electrones

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Figura 2.18. Un enlace inico se forma entre dos tomos diferentes con distintas electronegatividades. Cuando el Na cede su electrn de valencia al Cl, ambos se transforman en iones; se desarrolla una atraccin y se forma un enlace inico.
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Ejemplo 2.8 Descripcin del enlace inico entre Mg y Cl

Describe el enlace ionico entre el Mg y el Cl. Ejemplo 2.8 SOLUCIN Las Estructuras electronicas y valencias son: Mg: 1s22s22p6 3s 2 valencia = 2

Cl: 1s22s22p6 3s23p5 valencia = 7 Cada tomo de magnesio dona sus 2 electrones de valencia, convirtindose en un ion de Mg2+. Cada tomo de cloro acepta un electrn, convirtindose en un in Cl-. Para satisfacer el enlazamiento inico, debe haber el doble de iones de cloruro que de iones magnesio presentes, y se forma el compuesto, MgCl2.
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 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning Figura 2.19. Cuando se aplica un voltaje a un material inico, se deben mover los iones completos para que la corriente pueda pasar, el movimiento de los iones es lento y por lo tanto la conductividad elctrica es pobre.

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Ejemplo 2.9 Determine si la Silice esta enlazada Inicamente o Covalentemente

En un ejemplo anterior, utilizamos la silice (SiO2) como ejemplo de un material covalente consolidado. En realidad, la silicona tiene enlaces inicos y covalentes. Qu fraccin de la vinculacin es covalente? D los ejemplos de los usos en los cuales se utiliza la silicona.
Ejemplo 2.9 SOLUCIN

Algunos ejemplos: Fabricacin de vidrios y de fibras pticas.

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Enlace de van der Waals

El origen de las fuerzas de van der Waals entre tomos y molculas tiene que ver con la mecnica cuntica. Son tres: Fuerzas de London: Interaccin entre dipolos inducidos.CCl4 Fuerzas de Debye: Interaccin dipolo inducido-dipolo permanente.. Interaccin entre H2O y CCl4.

Fuerzas de Keesom: Interaccin entre moleculas con dipolos permanentes. H2O con H2O (puente de hidrogeno).

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Figura 2.20. Ilustracin de las fuerzas de London, que son una clase de fuerza de van der waals

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Figura 2.21. Las interacciones de Keesom se Publishing forman como 2003 Brooks/Cole / Thomson Learning resultado de la polarizacin de molculas o de grupos de tomos. En el agua, los electrones del oxgeno tienden a concentrarse en un lugar alejado del hidrgeno. La diferencia de carga que resulta permite que la molcula se una debilmente con otras moleculas de agua
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Figura 2.22 (a)En el cloruro de polivinilo (PVC) los tomos de cloro fijos a la cadena polimrica tienen una carga negativa; los de hidrogeno tienen una carga positiva. Las cadenas estan unidas debilmente por enlaces de van der waals. Esta unin adicional hace que el PVC sea ms rgido, (b) Cuando se aplica una fuerza al polmero, los enlaces de van der waals se rompen y las cadenas se deslizan entre si.
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6. Energa de enlace y espaciamiento interatmico

El espaciamiento interatmico es el espaciamiento de equilibrio entre los centros de dos tomos. La energa de enlace es la energa requerida para separar dos tomos, o sea, romper su enlace. El mdulo de elasticidad es la pendiente de la curva de esfuerzo-deformacin en la regin elstica, tambin se le llama modulo de Young. El esfuerzo de cedencia es el nivel de tensin sobre el cual un material comienza a deformarse. El coeficiente de dilatacin termica (CTE) es la cantidad por la cual se dan cambios en las dimensiones del material cuando se dan cambios de temperatura.
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Figura 2.23. Los tomos o iones estan separados por una distancia de equilibrio que corresponde a la energa interatmica mnima de un par de tomos o iones(cuando la fuerza que atrae o repele a los tomos o iones es cero)

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Figura 2.24. curva fuerza-distancia para dos materiales, donde se observa la relacin entre enlazamiento atmico y mdulo de elasticidad. Una pendiente df/da muy pronunciada determina un mdulo de Young grande.
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Figura 2.25. curva de energa interatmica (IAE) en funcin de la distancia entre dos tomos. Los materiales que tienen una curva pronunciada con un valle hondo tienen bajos coeficientes de dilatacin trmica lineal.
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Resumen y conclusiones
Tanto la composicin como la estructura de un material tiene influencia en sus propiedades. La estructura de los materiales se puede comprender en varios niveles segn la aplicacin tecnolgica. (estructura atmica, arreglos atmicos de corto y largo alcance, nanoestructura, microestructura y macroestructura. ) La estructura electrnica queda descrita por los 4 nmero cunticos. Los enlaces atmicos se determinan en cierta medida por la forma de interactuar de los electrones de valencia. Los enlaces pueden ser metlicos,covalentes, inicos y de van der waals

Resumen y conclusiones
La energa del enlace se relaciona con la resistencia o fuerza de los enlaces y es alta en especial con los enlaces inicos y covalentes. Los materiales con energas de enlace altas tienen altos puntos de fusin, modulos de Young grandes y coeficientes de dilatacin pequeos.
Al disear materiales para componentes, se debe de tomar muy en cuenta la microestructura del material.