3.5 CARGA ALMACENADA Y CAPACITANCIA EN LA UNION.

CONCEPTOS
Capacitancia o capacidad es la propiedad de un circuito que se opone a cualquier cambio en el voltaje. Se tiene un condensador cuando se sita 2 conductores prximos entre s, pero separados por un aislante (dielctrico). Capacitor: dispositivo elctrico formado por dos electrodos separados por un dielctrico. Carga: Cantidad de portadores positivos o negativos.

CAPACITANCIA INTERNA DE LA UNION P-N

a) Campo elctrico de la unin pn en pol. Inversa.

b) Campo elctrico de un capacitor.

 Ecuacin bsica de un condensador: C = A/d Donde: = permitividad del dielctrico (aislador) A=rea de las placas d=distancia entre las placas

CAPACITANCIA DEL DIODO

La capacitancia del diodo surge de 2 distintas regiones de carga: 1)La capacitancia de la unin surge de la regin de agotamiento donde hay un dipolo de carga fija positiva y negativa. 2)La capacitancia de difusin es debida a la regin externa a la regin de agotamiento.

 Bajo condiciones de pol. Inversa, prcticamente no hay portadores inyectados y domina la capacitancia de la unin, de regin de agotamiento o de transicin CT La capacitancia de difusin CD o de almacenamiento debida a portadores inyectados domina bajo condiciones de pol. Directa. La capacitancia es dependiente del voltaje aplicado.

CAPACITANCIA INTERNA DEL DIODO

La unin p-n presenta una capacitancia no despreciable bajo condiciones de pol. directa e inversa. Para el capacitor de la fig.(b) las cargas en las placas son iguales a: Q+ = CV y Q- = -CV donde: C = Capacitancia total de la placa. Q+ = Q - = Q
Para la unin pn con pol. inversa: Q+ = qNDWNA y Q- = -qNAWPA donde: Q+ = carga positiva total y Q-= carga negativa total

 El diodo tiene una capacitancia anloga a la de una estructura de capacitor. Para el capacitor como para el diodo, un cambio en el voltaje aplicado causa un cambio en Q+ = Q- .Cuando V aumente por v, las cargas Q = C v fluirn a las placas del capacitor y el campo elctrico entre ellas se incrementar en proporcin directa. Cuando el voltaje aplicado al diodo con pol. inversa queda incrementado en vD, el incremento en Q+ y Q- se debe a un mayor nmero de ncleos inicos donantes y aceptores cargados, lo que produce un ensanchamiento de la regin de agotamiento y un incremento en el campo elctrico de la regin de agotamiento. La capacitancia de la unin con pol. inversa en pequea seal se conoce como capacitancia de agotamiento.

 El diodo en pol. directa con un voltaje aplicado vD la capacitancia de agotamiento est presente, pero otra capacitancia interna, llamada capacitancia de almacenamiento de carga o de difusin, es ms significativa. El origen de la capacitancia de difusin se debe al flujo de corriente a travs de la unin.
El flujo de corriente ocurre cuando se inyectan los huecos del lado p hacia el lado n y los electrones son inyectados del lado n al lado p. Estas cargas inyectadas generan concentraciones de portadores, que se van reduciendo en la regin de agotamiento y causan el flujo de una corriente de difusin.

 Si el voltaje aplicado al diodo se incrementa de vD a vD + vD, deber fluir un incremento de carga Q por las terminales externas del dispositivo. CD = Q / vD La capacitancia presente de manera natural en la estructura bsica de los diodos, a menudo afecta el comportamiento de un circuito.

APLICACIONES DE LOS DIODOS

ELECTRONICA
CIRCUITOS LGICOS. 1. Lgica diodo transistor (DTL). 2. Fijadores de voltaje para evitar oscilaciones en el voltaje.
RECTIFICADORES PARA FORMA DE ONDA. DIODOS VARACTORES PARA CIRCUITOS DE SINTONA. DIODOS DE EFECTO TNEL. DIODOS DE MICROONDAS.

OPTOELECTRNICA

DETECTORES.
FOTODETECTORES DE AVALANCHA. MODULADORES. DIODOS EMISOR DE LUZ. LSERES DE SEMICONDUCTOR.