CERMICO BASADO EN SnO2 CON CARACTERSTICAS NO HMICAS PARA APLICACIONES ELECTRNICAS

INTRODUCCION EL VARISTOR
Los varistores son materiales cermicos policristalinos, los cuales estn caracterizados por un comportamiento no hmico alto en la relacin corriente-voltaje. Estos materiales son comnmente utilizados para absorber sobretensiones y cambios bruscos en la intensidad de voltaje en circuitos elctricos y sistemas elctricos. Cuando un equipo se somete a voltajes transitorios, el varistor cambia su impedancia varios rdenes de magnitud desde un estado de casi circuito abierto (resistencia muy elevada) a un nivel altamente conductor. Una vez eliminada la amenaza, el voltaje regresa a su valor habitual y el material recupera su estado altamente resistivo, evitando prdidas innecesarias de corriente. En ausencia de picos de tensin el varistor acta como un elemento pasivo que no influye en el funcionamiento normal del equipo que protege.

INTRODUCCION
Hoy en da, las nuevas tecnologas, la nanotecnologa y la tecnologa planar, requieren de varistores con voltaje de operacin muy bajos, de respuesta rpida y alta confiabilidad en servicio.
Actualmente, un arduo trabajo se ha llevado a cabo con el objeto de optimizar la formulacin de la composicin del varistor y de aportar un mayor conocimiento sobre los distintos mecanismos que se esconden tras la adicin de cada dopante. Tomando en consideracin lo anteriormente expresado, es importante apostar sobre el desarrollo de formulaciones de varistores, an y cuando implique el estudio de un complejo sistema multicomponente constituido por un conjunto de xidos con propiedades fsico-qumicas muy diferentes.

INTRODUCCION
Entro los parmetros principales utilizado para describir el comportamiento no hmico de un varistor es el coeficiente elctrico de no linealidad , o simplemente coeficiente no lineal, el cual est definido por:

(Ec. 1)

Otros parmetros importantes son el voltaje de ruptura y la capacidad de absorcin energtica.

Comportamiento ideal campo elctrico-densidad de corriente de un varistor

ANTECEDENTES
xido de Cinc. Los varistores ms utilizados comercialmente han sido los de xido de cinc (ZnO). Los cuales fueron introducidos en 1971 a partir de los trabajos del investigador Michio Matsuoka. Desde entonces estos cermicos estn disponibles y se comercializan para proteger componentes elctricos y electrnicos. Las ventajas de los varistores basados en ZnO son sus altos coeficientes de no linealidad (de 30 a 80), as como su capacidad de absorcin de energa que supera a los diodos Zener. Sin embargo, sus voltajes de ruptura son muy altos (3.2 V por lmite de grano), lo cual los limita en aplicaciones de bajo voltaje. Otros xidos con propiedades varistoras: TiO2 BaTiO3 WO3 SnO2

ANTECEDENTES
xido de Estao. El dixido de estao es un semiconductor del tipo n con una estructura tipo Rutilo. Tiene propiedades fsicas interesantes que se adaptan al uso de varias aplicaciones. Por ms de una dcada el dixido de estao de alta densidad ha atrado la atencin para ser utilizado en aplicaciones de varistores cermicos. El problema que tiene el dixido de estao es su densificacin la cual ha sido atacada utilizando diferentes enfoques, entre ellos, mecnicos (por ejemplo, utilizando el prensado isosttico en caliente) y qumicos (con el uso de dopantes los cuales mejoran la sinterizacin).

Representacin de la celda unitaria del Sn02, la cual presenta una estructura tipo Rutilo

OBJETIVOS
Objetivo principal: Determinar las caractersticas microestructurales y propiedades elctricas presentes en el sistema SnO2-Co3O4-Cr2O3 cuando a este se le agregan los xidos: Nb2O5, Sb2O5 y Ta2O5.

Objetivos cientficos: Obtener un coeficiente de no linealidad alto y campo elctrico de ruptura bajo, en el sistema cermico varistor en base xido de estao. Establecer la temperatura ptima de sinterizacin para la elaboracin del cermico varistor en a base de SnO2. Establecer los contenidos de dopantes ptimos para lograr las mejores propiedades varistoras en el cermico a elaborar. Evaluar la dependencia funcional existente entre las caractersticas microestructurales del sistema SnO2 y sus propiedades elctricas. Fortalecer una metodologa cientfica para estudios posteriores relacionados con los distintos mecanismos que se esconden tras la adicin de agentes dopantes sobre las propiedades elctricas de varistores en base xido de estao.

HIPTESIS
Mediante las interacciones qumicas y microestructurales entre los xidos de SnO2, Nb2O5 con variaciones en la adicin de Co2O3 y la utilizacin de diferentes dopantes (In2O3, Cr2O3, Al2O3 y Fe2O3) es posible la obtencin de cermicos con propiedades varistoras.

METODOLOGA
1.1 Revisin bibliogrfica actualizada del 1.7 Obtencin de probetas cermicas varistoras: comportamiento de diferentes dopantes sobre el Uso de un conformado por medio de presin sistema cermico varistor basado en SnO2. uniaxial. Sinterizacin en un horno tubular a 1350C. El estudio puede ser complementado con la 1.2 Anlisis exhaustivo de la informacin variacin de temperatura. adquirida. 1.8 Caracterizacin de las probetas cermicas 1.3 Adquisicin de materias primas (xidos 1.8.1 Propiedades elctricas. dopantes). 1.8.2 Difraccin de rayos-X. 1.8.3 Microscopia Electrnica de Barrido (SEM). 1.4 Caracterizacin de materias primas. 1.9 Caracterizacin de propiedades fsicas del 1.5. Desarrollo del diseo de experimentos cuerpo cermico varistor A partir de una matriz SnO2-Co3O4-Cr2O3: 1.9.1 Determinacin de densidad. Con variaciones en adicin de: 1.9.2 Determinacin de porosidad. Nb2O5 1.10 Anlisis y discusin de resultados. Sb2O5 Ta2O5 1.6 Determinacin de medios para homogenizar y establecimiento de la ruta de homogenizacin (va sol-gel o mecnica a travs del uso de mortero de gata por va hmeda), as como la definicin de tiempos de mezclado.

Diseo del experimento

METODOLOGA

Mezcla de xidos

Molienda

Secado

Prensado

Sinterizacin

Caracterizacin

Anlisis Microestructural

Medicin de la densidad

Mediciones elctricas

DRX

MEB

EDS

Curvas I-V

Constante de no linealidad

Anlisis de resultados

Reporte final