TRANSISTOR

BIPOLAR
DE JUNO


Estrutura
smbolo
estrutura
esquemtica
E
emissor
N+ N+ P-
B
base
C
coletor
TBJ NPN
E
C
B
estrutura
esquemtica
smbolo
E
emissor
P+ P+ N-
B
base
C
coletor
TBJ PNP
Emissor e coletor: regies fortemente dopadas do
mesmo tipo

Base: regio estreita e fracamente
dopada do tipo contrrio
estrutura real
E
C
B
E B C
Regimes de Operao
CORTE: junes E-B e B-C reversamente
polarizadas
no h corrente significativa
+ +
P P N
E C
B
+ +
N N P
E
C
B
SATURAO: junes E-B e B-C diretamente
polarizadas
O TBJ funciona como chave comutando entre os
regimes de corte e saturao
+ +
P P N
C E
B
+ +
N N P
C
E
B
REGIO ATIVA: juno E-B diretamente
polarizada e juno B-C
reversamente polarizada
O TBJ funciona como amplificador ou fonte de
corrente na regio ativa
+ +
N N P
E
C
B
+ +
P P N
C E
B
Regio Ativa
+ +
P+
P+ N-
E
C
B
Juno B-C
reversamente polarizada
Juno E-B
diretamente polarizada
I
E
I
B
I
C
I
E
= I
C
+ I
B
Corrente de emissor
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
I
EE
I
LE
corrente de lacunas em difuso do emissor
para a base
I
EE
corrente de eltrons em difuso da base
para o emissor
I
EE
<<
I
LE

LE EE LE E
I I I I
Corrente de coletor
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
oI
E
I
EE
I
C0
corrente de saturao reversa da juno B-C
oI
E
frao da corrente de emissor que alcana o
coletor
o = 0,900 a
0,995
0 C E C
I I I
I
C0
P+
P+ N-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
campo eltrico da juno B-C
Corrente de base
I
B
= I
EE
- I
C0
+I
REC
= (1-o)I
E
- I
C0
I
REC
frao das lacunas do emissor que se
recombinam com os eltrons da base
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
oI
E
I
EE I
C0
corrente de recombinao
P+
P+
Juno B-C
Juno E-B
N-
terminal
de base
I
B
recombinao
lacuna
eltron
Modulao da Largura da Base
Efeito Early
Juno B-C
Juno E-B
P+ P+ N-
largura
efetiva
P+ P+ N-
largura
efetiva
V
BC2
> V
BC1
V
BC1
P+ P+ N-
largura
efetiva
P+ P+ N-
largura
efetiva
V
BC2
> V
BC1
V
BC1
p
x
V
BC1
V
BC2
p
x
V
BC1
V
BC2
1 CB 2 CB
V V
dx
dp
dx
dp
Mdulo de V
CB
Largura da regio de transio
Largura efetiva da base
Recombinao na base
Frao o I
C
I
B
I
E
I
EL
= -qD
L
dp/dx
Ganhos de corrente para grandes sinais
0 I
I I
E
0 C C

= o
Ganho o:
I
C
no corte
I
E
no corte
Definio de corte:
I
E
= 0
I
C
= I
C0
I
B
= -I
C0
Varia com: geometria
tecnologia
temperatura
ponto de polarizao (V
CB
e I
E
)
0 C B
0 C C
I I
I I
+

= |
Ganho |:
I
C
no corte
I
B
no corte
Depende das mesmas variveis que o
1 I 1
I
E
E
1 + |
|
= o
parcela de I
E
que alcana o coletor
parcela de I
E
que no alcana o coletor
0 C B
0 C C
I I
I I
+

= |
Ganho |:
| depende das mesmas variveis que o
1 I 1
I
E
E
1 + |
|
= o
menor e prximo a 1
da ordem de centenas
Equaes das correntes na regio ativa
( )
( ) ( )
( )
0 C
V
S
0 C
0 C C
B
0 C
V
S 0 C
V
0 E C
V
0 E E
I
e I
I
I I
I
I e I I e I I
e I I
t EB
t EB t EB
t EB

|
=
|

=
+ = + o =
=
q|
q| q|
q|
Transistor PNP:
I
E
I
C
I
B
( )
( ) ( )
( )
0 C
V
S
0 C
0 C C
B
0 C
V
S 0 C
V
0 E C
V
0 E E
I
e I
I
I I
I
I e I I e I I
e I I
t BE
t BE t BE
t BE

|
=
|

=
+ = + o =
=
q|
q| q|
q|
Transistor NPN:
I
E
I
C
I
B
I
C
= |I
B
+ (|+1) I
C0
I
C
= |I
B
Modelo de Ebers-Moll para Grandes Sinais
Transistor PNP:
(vlido para todos os regimes)
I
E
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
oI
E0
= o
R
I
C0
Transistor PNP:
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
1 e I 1 e I I
t CB t EB
V
0 C
V
0 E C
1 e I 1 e I I
t CB t EB
V
0 C R
V
0 E E
1 e I I
1 e I I
t CB
t EB
V
0 C DC
V
0 E DE
=
=
q|
q|
Transistor NPN:
I
E
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
Transistor NPN:
1 e I 1 e I I
t BC t BE
V
0 C
V
0 E C
1 e I 1 e I I
t BC t BE
V
0 C R
V
0 E E
( )
( )
1 e I I
1 e I I
t BC
V
0 C DC
t BE
V
0 E DE
=
=
q|
q|
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
Caractersticas do TBJ
+ V
EB
- - V
CB
+
comum
entrada
sada
Configurao BASE COMUM
P P N
+ V
EB
- - V
CB
+
I
E
I
C
comum
entrada
sada
N N P
I
E
I
C
Entrada: emissor
Sada: coletor
Referncia: base
a) Caractersticas de entrada em BASE COMUM
V
CB1
V
CB2
V
CB3
I
E
V
EB
(PNP)
V
BE
(NPN)
1 CB 2 CB 3 CB
V V V
Efeito Early:
dependncia
de I
E
com V
CB
Corte (I
E
=
0)
b) Caractersticas de sada em BASE COMUM
Regio ativa: AI
E
/AV
CB
0 Efeito Early
Saturao
Regio ativa: I
C
= oI
E
+ I
C0

I
C
V
BC
(PNP)
V
CB
(NPN)
1 E 2 E 3 E
I I I
I
E3
I
E2
I
E1
I
E
= 0
I
C0
corte
I
E3
I
E2
I
E1
Configurao EMISSOR COMUM
sada
Entrada: base
Sada: coletor
Referncia: emissor
P
P
N
+
V
BE

-
I
B
I
C
comum
entrada
+

V
CE


-
N
N
P
+
V
BE

-
I
B
I
C
comum
entrada
+

V
CE


-
sada
a) Caractersticas de entrada em EMISSOR COMUM
V
CE3
V
CE2
V
CE1
I
B
V
EB
(PNP)
V
BE
(NPN)
1 CE 2 CE 3 CE
V V V
Efeito Early:
dependncia
de I
B
com V
CE
b) Caractersticas de sada em EMISSOR COMUM
Saturao
Regio ativa: I
C
= |I
B
+ (|+1)I
C0

I
C
V
EC
(PNP)
V
CE
(NPN)
1 B 2 B 3 B
I I I
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= -I
C0
Regio ativa: AI
C
/AV
CE
0 Efeito Early
corte
CESAT
V
Configurao COLETOR COMUM
sada
Entrada: base
Sada: emissor
Referncia: coletor
P
P
N
+
V
BC

-
I
B
I
E
comum
entrada
+

V
EC


-
N
N
P
+
V
BC

-
I
B
I
E
comum
entrada
+

V
EC


-
sada
a) Caractersticas de entrada em COLETOR COMUM
V
EC3
V
EC1
I
B
V
BC
(PNP)
V
CB
(NPN)
V
EC2
1 EC 2 EC 3 EC
V V V
b) Caractersticas de sada em COLETOR COMUM
Saturao
Regio ativa: I
E
= oI
C
= o||I
B
+ (|+1)I
C0
]
I
E
V
EC
(PNP)
V
CE
(NPN)
1 B 2 B 3 B
I I I
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= -I
C0
corte: I
E
= 0
ECSAT
V
Limites de Operao
V
EC
(PNP)
V
CE
(NPN)
I
C
P
mx
V
ECmx
V
CEmx
I
Cmx
avalanche ou
punch-through