Aplicaciones diodo pin

INTERRUPTORES DE RF Y MICROONDAS En inversa, un diodo PIN tiene una capacidad baja. La baja capacidad no deja pasar mucho de una seal de RF. En directa un diodo PIN tpico tendr una resistencia de RF de aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un buen conductor de RF. En consecuencia, el diodo PIN hace de un buen interruptor de RF. Aunque los rels de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy lentamente. Un interruptor de diodo PIN puede cambiar mucho ms rpidamente. Interruptores de diodos PIN se utilizan no slo para la seleccin de la seal, pero tambin se utilizan para la seleccin de componentes. Por ejemplo, algunos osciladores de bajo ruido de fase utilizan diodos PIN de inductores gama de interruptores.

 RF Y MICROONDAS ATENUADORES VARIABLES Al cambiar la corriente de polarizacin a travs de un diodo PIN, es posible cambiar rpidamente la resistencia RF. A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como un resistor cuya resistencia es una funcin inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo PIN se puede utilizar en algunos diseos como atenuador variable como moduladores de amplitud o circuitos de nivelacin de salida. LIMITADORES Diodos PIN veces se utilizan como dispositivos de proteccin de entrada para sondas de prueba de alta frecuencia. Si la seal de entrada est dentro del rango, el diodo PIN tiene poco impacto como una pequea capacidad. Si la seal es grande, entonces el diodo PIN se convierte en una resistencia que desva la mayor parte de la seal a tierra.

 CLULA FOTOELCTRICA Y FOTOVOLTAICA

Fotodiodos PIN se utilizan en las tarjetas de red de fibra ptica y los interruptores como un fotodetector. Un fotn entrar en la regin intrnseca libera un portador. El campo de polarizacin inversa barre el portador fuera de la regin y crea una corriente. Algunos detectores pueden usar la multiplicacin de avalancha. La clula fotovoltaica PIN funciona con el mismo mecanismo. En este caso, la ventaja de utilizar una estructura PIN por unin semiconductora convencional es la respuesta de longitud de onda ms larga de la primera. En caso de irradiacin de longitud de onda larga, los fotones penetran profundamente en la clula. Pero slo los pares electrn-hueco generados en y cerca de la regin de agotamiento contribuyen a la generacin actual. La regin de agotamiento de una estructura PIN extiende a travs de la regin intrnseca, profundamente en el dispositivo. Esta anchura agotamiento general permite la generacin de par electrn-hueco profundo en el dispositivo. Esto aumenta la eficiencia cuntica de la clula.

FOTODIODO PIN. El fotodiodo PIN es el detector ms utilizado en los sistemas de comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible con circuitos amplificadores de tensin. Adems es sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia. El diodo se polariza inversamente para acelerar las cargas presentes en esta zona intrnseca, que se dirigen a los electrodos, donde aparecen como corriente. El proceso es rpido y eficiente. Como no hay mecanismo de ganancia, la mxima eficiencia es la unidad y el producto ganancia por ancho de banda coincide con sta ltima. En la figura 2.4 se muestra el funcionamiento del fotodiodo PIN