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Corte Como se mencion, cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la regin de corte de su operacin. Esto se muestra en la figura 1 con la terminal de la base abierta, lo que produce una corriente de cero en la base. En esta condicin, existe una cantidad muy pequea de corriente de fuga en el colector, ICEO, debido principalmente a portadores producidos trmicamente. Como ICEO es extremadamente pequea, normalmente se omite en el anlisis de circuitos, de tal forma que VCE = VCC. En la regin de corte, ni la unin base-emisor ni la unin base-colector estn polarizadas en directa. El subndice CEO representa colector con respecto a emisor con la base abierto.
FIGURA 1
Saturacin Cuando la unin base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se incrementa, la corriente en el colector tambin lo hace (IC =CDIB) y VCE se reduce a consecuencia de ms cada a travs del resistor del colector (VCE = VCC - ICRC) (figura 2). Cuando VCE llega a su valor de saturacin, VCE(sat), la unin base-colector se polariza en directa e IC ya no puede incrementarse ms, incluso con un incremento continuo de IB. En el punto de saturacin, la relacin IC = CDIB ya no es vlida. VCE(sat) para un transistor ocurre en alguna parte debajo de la inflexin de las curvas de colector y normalmente es de slo unos cuantos dcimos de un volt.
FIGURA 2
Modos de Funcionamiento
UNIN B-E DIRECTA UNIN B-C INVERSA DENOMINACIN CARACTERSTICAS Ic elevada depende de Ib y no depende de Vcb Ic grande Vce = 02 v Ic baja Vce alto Ic muy baja Ie muy baja EMPLEO Amplificador electrnico analgico Conmutador electrnico digital Conmutador electrnico digital No se utiliza
ACTIVADIRECTA SATURACIN
DIRECTA
DIRECTA
INVERSA
INVERSA
CORTE
INVERSA
DIRECTA
ACTIVAINVERSA
VCB
I 0
VCE
NPN IB VBE
IC IE
I C 0
V 0
VCE VBE VCB 0
iB vBE iC vCE
En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB inyecta una corriente en la base, en conexin directa. Variando IBB y midiendo la variacin vBE se obtiene la grfica mostrada.
De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente en el colector. Esto adicionalmente a la variacin de iB. Se genera toda una familia de curvas, una para cada valor de iB.
Considere la configuracin del circuito de polarizacin de transistor bsico que aparece en la figura 4. Es posible identificar tres corrientes de cd y tres voltajes de cd.
EJEMPLO 1
Con un circuito como el mostrado en la figura 5(a) se puede generar un conjunto de curvas caractersticas del colector que muestren cmo vara la corriente en el colector, IC, con el voltaje en el colector con respecto al emisor, VCE, con valores especificados de corriente de base, IB. Observe en el diagrama del circuito que tanto VBB como VCC son fuentes de voltaje variable.
EJEMPLO 2
C RB B
RC IC VCE
VBB
IB
VBE
VCC
0,7 V
VBE
C RB B
RC IC VCE
IC (mA)
IB = 60 A IB = 40 A
VBB
IB
VBE
VCC
IB = 20 A
VCE (V)
VCE = VCC - IC RC
IC ( mA)
Regin de saturacin
RB
IB = 0 A
VBB
VBE
VCE
VCC
VCE (V)
En regin activa: unin EB con polarizacin directa, BC con polarizacin inversa. Aplicacin en amplificacin. En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente: circuito abierto. En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas directamente: cortocircuito.