Eldiodo

Tecnologa Electrnica
Universidad de La Laguna
EL DIODO
INTRODUCCION El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
Resistencia nula
Resistencia nula
DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito.
Formacin de la unin PN
Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N.
Zona P > tomos del grupo III ( Boro ). Zona N > tomos del grupo V ( Fsforo ). Mecanismo de difusin: Consiste en llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N.
Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P
Aparece un campo elctrico desde la zona N a la zona P que se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores.Finalmente:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia RN. Zona de agotamiento (depleccin): No conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.
Polarizacin directa:
Polarizacin directa (II):
El potencial aumenta por encima del de barrera desaparece la zona de depleccin. 1. 2. Electrones y huecos se dirigen a la unin. En la unin se recombinan.
La tensin aplicada se emplea en: 1. Vencer la barrera de potencial. 2. Mover los portadores de carga.
Polarizacin inversa Tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Aumenta la anchura de la zona de depleccin. Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la unin crea una corriente, aunque muy pequea.
Si aumenta mucho la tensin inversa, se produce la rotura por avalancha por ruptura de la zona de depleccin. No significa la ruptura del componente.
Caracterstica tensin-corriente La figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.
Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). Regin de corte en polarizacin inversa (PI). Regin de conduccin en polarizacin inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON est sobre los 0,7 V.
Principales caractersticas comerciales

1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao. Tres lmites: Corriente mxima continua (IFM). Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico. Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico. 2. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 3. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 5. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.
MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

Modelos para seales continuas Vlido tanto para seales contnuas como para de muy baja frecuencia.
n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:
R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos. IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
Modelo ideal del diodo de unin PN Factor de idealidad como la unidad, n=1. La resistencia interna del diodo es muy pequea. la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en la unin PN.
Modelo lineal por tramos En inversa, la corriente a travs de la unin es nula. En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio. El potencial trmico a esa temperatura (25 C) es VT=25.7 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:
Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V.
Estado Modelo Condicin
BIESTADO
Conduccin Corte
Conduccin o Polarizacin Directa "On. La tensin es VON para cualquier valor de corriente. Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensin menor que VON. Modelo para pequeas seales de alterna Se aplica: La corriente:
Modelo para pequeas seales de alterna Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera:
Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la Figura
Modelo para pequeas seales de alterna
A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:
Aproximacin de Shockley
Aproximacin vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.
DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensin inversa de ruptura mediante el control de los niveles de dopado. Se consiguen tensiones de ruptura de 2 200 Voltios y potencias mximas de entre 0.5 W y 50 W. El diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ). Estabilizacin de tensiones Corriente mxima en inversa
Tensin Zener
Estado Conduccin P.D. Corte Conduccin P.I. Modelo V=VON I=0 V=VZ Condicin I>0 VZ<V<VON I<0
EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. En ocasiones es necesario una tensin contnua.
Esquema general de la rectificacin.
Vi: tensin de entrada. Vo:tensin de salida. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.
ESQUEMA BSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA
VO = Vi -VON
Para Vi< 0 el diodo est en corte = no existe corriente
Se intenta que esta onda de salida se parezca lo ms posible a una lnea horizontal. Siempre existe desviacin de la ideal. Se cuantifica por el rizado de la onda de salida
EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES
Funcionamiento en vaco
VD 0. El diodo nunca conducir > C no descarga.
Funcionamiento en carga I de carga del Condensador (muy pequea).
Para vi entre 0<wt</2

I de la resistencia
Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.
Descarga de C a travs de RL
Rectificador onda completa
En semiciclo positivo de la seal: VA es mayor que VC: D1 y D3 no conducen
Circuito equivalente
Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos Mejora con filtrado por condensador

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Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

Polarizacin directa (II):

Principales caractersticas comerciales

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

Modelo para pequeas seales de alterna

Aproximacin vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

Esquema general de la rectificacin.

ESQUEMA BSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA

EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES

VD 0. El diodo nunca conducir > C no descarga.

Funcionamiento en carga I de carga del Condensador (muy pequea).

Para vi entre 0<wt</2

Rectificador onda completa

En semiciclo positivo de la seal: VA es mayor que VC: D1 y D3 no conducen

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