Fabricacin de Chips

ndice
Introduccin. Descripcin del Chip. Popularidad de los Chip. Tipos de Chip. Clasificacin de los Chip.
Por nmero de componentes. Por funciones integradas.

Limitaciones de los Circuitos Integrados. Pasos necesarios para fabricar un chip. Procesos que pueden intervenir en la fabricacin de circuitos integrados

Introduccin
En Abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi (Siemens AG) completa la primera solicitud de patente para circuitos integrados como semiconductores amplificadores de dispositivos. Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no fue registrada. Ms tarde la integracin de circuitos fue concebida por un cientfico de radares Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), trabajando para Royal Radar Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, y publicado en Washington, D.C. en Mayo 7, 1952. A Dummer no le fue posible construir los circuitos en 1956.

Introduccin
El primer CI fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Jack Kilby justo meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase. En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa de la informacin.

Chip (Descripcin)
Un circuito integrado (CI) o chip, es una pastilla muy delgada en la que se encuentra una enorme cantidad (del orden de miles o millones) de dispositivos microelectrnicos interconectados, principalmente diodos y transistores, adems de componentes pasivos como resistencias o condensadores.

Chip (Descripcin)
Su rea es de tamao reducido, del orden de un cm o inferior. Algunos de los circuitos integrados ms avanzados son los microprocesadores, que son usados en mltiples artefactos, desde computadoras hasta electrodomsticos, pasando por los telfonos mviles. Otra familia importante de circuitos integrados la constituyen las memorias digitales.

Popularidad de los CI
Solo ha trascurrido medio siglo desde que se inici su desarrollo y los circuitos integrados se han vuelto casi omnipresentes. Computadoras, telfonos mviles y otras aplicaciones digitales son ahora partes inextricables de las sociedades modernas. La informtica, las comunicaciones, la manufactura y los sistemas de transporte, incluyendo Internet, todos dependen de la existencia de los circuitos integrados. De hecho, muchos estudiosos piensan que la revolucin digital causada por los circuitos integrados es uno de los sucesos ms significativos de la historia de la humanidad.

Tipos
Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.

Tipos
Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos, pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas.

Tipos
Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula (dices), transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, tanto en cpsulas plsticas como metlicas, dependiendo de la disipacin de potencia que necesiten.

Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los circuitos integrados se clasifican en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: inferior a 12 MSI (Medium Scale Integration) medio: 12 a 100 LSI (Large Scale Integration) grande: 100 a 1 000 VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10 000 a 99 999 ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: igual o superior a 100 000

 En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos: Circuitos integrados analgicos. Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos. Circuitos integrados digitales. Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O, NO) hasta los ms complicados microprocesadores.

Limitaciones de los circuitos integrados

Disipacin de potencia-Evacuacin del calor Capacidades y autoinducciones parsitas Lmites en los componentes Densidad de integracin

Disipacin de potencia Evacuacin del calor

Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento del dispositivo.

Capacidades y autoinducciones parsitas

Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip, la cpsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la autoinduccin de ellas.

Lmites en los componentes

Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de las de sus contrapartidas discretas.
Resistencias. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie. Por ello slo se usan valores reducidos. Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha superficie. Bobinas. Slo se usan en circuitos de radiofrecuencia, siendo hbridos muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integracin
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van acumulando los defectos, de modo que cierto nmero de componentes del circuito final no funcionan correctamente. Cuando el chip integra un nmero mayor de componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la proporcin de chips funcionales.

PASOS NECESARIOS PARA FABRICAR UN CHIP

PASO 1
Primero, se cortan pequeas tajadas (llamadas wafers) de un lingote de silicio cristalino de un 99,9999 por ciento de pureza. Recordemos que los tomos que componen el silicio en su estado solid se distribuyen en forma regular formando un cristal.

PASO 2

Se pule el wafer para eliminar impurezas o ralladuras superficiales, logrando una base casi perfecta para la fabricacin del chip.

PASO 3
Ciertas porciones del silicio son alteradas qumicamente para crear las regiones llamadas source y drain de los transistores, que controlan el flujo definido por la fotolitografita, donde el wafer es cubierto con un material sensible a la luz llamado photoresist. Luego, la luz es proyectada a travs de una mascara con un pattern (dise) sobre una seccin del wafer (del tamao del chip) -un proceso similar al utilizado para imprimir fotos de negativos. Una maquina llamada stepper repite este proceso para cada chip en el wafer.

PASO 4
Las reas expuestas del photoresist se endurecen. Durante el proceso de revelado, las partes no endurecidas del photoresist son lavadas.

PASO 5
tomos de un material llamado dopante (por ejemplo Boro o Arsnico) son forzados, mediante el bombardeo de iones, a penetrar en un rea especifica en un proceso llamado doping (dopaje), y son activados mediante un proceso trmico llamado annealing El material resistente evita que los dopantes penetren en reas en las que no deben ingresar. Luego de la implantacin de iones, se remueve la resistencia endurecida y se repite el proceso para otros tipos de dopantes implantados en diferentes reas. En los siguientes pasos se usa un proceso parecido al de usar patterns, pero el resist ahora acta como un etch mask

PASO 6
El gate del transistor se forma depositando y usando patterns, una capa de dixido de silicio (que forma el oxido del gate) y luego una capa de polysilicon que es luego dopada muy densamente. Este gate de polysilicon acta como un faucet (grifo) para activar el flujo de electrones entre el source y drain on/off.

PASO 7
El resto de los pasos para la fabricacin de un chip implican la formacin de wires (cables) que conectan el gate, source y drain de los transistores entre si y con el mundo exterior. Capas de dixido de silicio (que es un dielctrico o aislante) son depositadas sobre el wafer usando el proceso llamado chemical vapor deposition (CVD). Durante el proceso de CVD, gases que contienen tomos de materiales que deben ser depositados reaccionan en la superficie calentada del wafer, formando una fina pelcula de material solid. Los metales, principalmente el aluminio, son depositados en el wafer mediante el proceso llamado Physical Vapor Deposition (PVD). Durante el PVD (tambin llamado sputtering) iones en estado gaseoso son acelerados hacia el material target (blanco) que debe ser depositado. Los iones quitan los tomos del material target que caen y se acumulan en el wafer.

PASO 8
Los pasos 3, 4 y 5 se repiten para formar capas de dixido de silicio, metales, cada uno con su pattern correspondiente de modo de completar el diseo del circuito. Una capa de un metal conductor (usualmente aluminio) es depositada (CVD o PVD), expuesta (photolithography) y grabada (etched) para formar pequeas interconexiones metlicas. Los chips complejos requieren de varias capas de metal con conexiones verticales entre ellas llamadas vias.

PASO 9
El wafer es cortado, o diced, para formar los chips. Los chips se colocan en packages (envases) y el llamado wirebonder (conector de cables) conecta elctricamente los chips con los pines o leads correspondientes del package.

PROCESOS QUE PUEDEN INTERVENIR EN LA FABRICACIN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

EPITAXIA
O crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricacin de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o substrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este.

Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.

Oxidacin en semiconductores
La oxidacin es uno de los procesos bsicos en la fabricacin de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposicin de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el xido as generado es de ms calidad. Otra caracterstica de la oxidacin (u oxidacin trmica) es que slo puede utilizarse al principio del proceso de fabricacin cuando la oblea tiene an el silicio al descubierto.

La forma ms usada es la oxidacin trmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidacin puede ser: Si + 2H2O > SiO2 + 2H2 Si + O2 > SiO2 La primera es la oxidacin hmeda y la segunda oxidacin seca. La oxidacin hmeda se realiza a travs de vapor agua a una temperatura de 900C a 1000C. El crecimiento es ms rpido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidacin. La oxidacin seca se realizar con oxgeno puro a una temperatura de 1200C. Es un proceso ms lento pero por contra produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso.

Implantacin de iones
La implantacin de iones es un proceso propio de la ingeniera de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro slido, cambiando por tanto las propiedades fsicas de ste ltimo. La implantacin de iones es utilizada en la fabricacin de dispositivos semiconductores y en el revestimiento de algunos metales, as como en diversas aplicaciones orientadas a la investigacin en ciencia de materiales.

Los iones provocan, por una parte cambios qumicos en el objetivo, ya que pueden ser de un elemento distinto al que lo compone, y por otra un cambio estructural, puesto que la estructura cristalina del objetivo puede ser daada o incluso destruida.

DIFUSION EN ESTADO SLIDO

Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin de dopantes que disminuye montonamente.

DIFUSION EN ESTADO SLIDO

El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a travs de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del horno es de 800 a 1200C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000C para el GaAs (Arseniuro de galio).

Por concentracin constante en superficie: se mantiene constante la concentracin de impurezas en la superficie del semiconductor y desde ah son difundidas al interior.

TIPOS DE DIFUSION

Por concentracin constante total: se deposita la cantidad final de impurezas en la superficie de la oblea y desde ah se difunden.

DESCOMPOSICION EN SEMICONDUCTORES
La deposicin en semiconductores es el proceso por el cual se crea una nueva capa de un material sobre una oblea de semiconductor. La ventaja de esta tcnica es que al crear capas nuevas no se afecta mucho a las ya existentes.

DESCOMPOSICION EN SEMICONDUCTORES
MATERIAL DEPOSITADO

dielctricos xidos nitruros

Conductores metales polisilicio

Otros (por ejemplo fotoresina)

El proceso se suele realizar en un horno a alta temperatura y presin controlada. Por medio de los gases que se introducen en el horno se logra una reaccin qumica de la que se obtiene el nuevo material.

CONCLUSIONES
Los microprocesadores son elementos de uso masivo en los ltimos aos, gracias a al versatilidad de sus aplicaciones y a lo porttil de su almacenamiento. Mediante un conjunto de nueve pasos, y algunas sugerencias que influyen en su fabricacin, es que se logra seguir desarrollando esta industria que cada vez adquiere un valor mas pujante y de vanguardia. Los microprocesadores (CHIPS) son una parte muy interesante de aplicacin de los conocimientos de la Fsica Moderna, como el tema de los tomos dopantes.

BIBLIOGRAFIA
http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado#Intr oducci.C3.B3n#Introducci.C3.B3n http://www.intel.com/espanol/technology/magazin e/pix/hb_fig1.gif http://www.addlink.es/productos.asp?pid=566

GRACIAS X SU ATENCION!!!