INTRODUCCIN DE SEMICONDUCTOR Y MATERIALES

SEMICONDUCTORES
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, un ejemplo es el campo elctrico
o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos
semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla 1.1.

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el
germanio.




SEMICONDUCTOR INTRNSECOS
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa
trmica.

En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque
la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa
trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay
tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

En esta grafica podemos ver en que direccin
se mueven los electrones y los huecos en un
semiconductor intrnseco.
ESTRUCTURA CRISTALINA EN UN
SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Compuesta por tomos de silicio
(Si) que forman una celosa. Como
se puede observar en la ilustracin,
los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la
ltima rbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces
covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo
slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se
comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.
DOS PRINCIPALES SEMICONDUCTORES SI , GE
Como vemos los
semiconductores se
caracterizan por tener una
parte interna con carga + 4 y 4
electrones de valencia.

DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Cuando a la estructura molecular
cristalina del silicio o del germanio se le
introduce cierta alteracin, esos
elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente elctrica por su
cuerpo en una sola direccin. Para hacer
posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los
tomos de silicio o de germanio con
pequeas cantidades de tomos de otros
elementos o "impurezas".

Para aumentar la conductividad en pocas
palabras que sea ms conductor de un
Semiconductor, se le suele dopar o
aadir tomos de impurezas a un
semiconductor intrnseco, este
semiconductor dopado es un
semiconductor extrnseco.
EJEMPLOS 1 DE DOPADO
Impurezas de valencia 5 (Arsnico,
Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal de
Silicio dopado con tomos de valencia 5.

Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de
ms, as con una temperatura no muy
elevada (a temperatura ambiente por
ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre.
Esto es, como solo se pueden tener 8
electrones en la rbita de valencia, el tomo
pentavalente suelta un electrn que ser
libre.
Siguen dndose las reacciones anteriores. Si
metemos 1000 tomos de impurezas
tendremos 1000 electrones ms los que se
hagan libres por generacin trmica (muy
pocos).
A estas impurezas se les llama "Impurezas
Donadoras". El nmero de electrones libres
se llama n (electrones libres/m
3
).
EJEMPLOS 2 DE DOPADO
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro,
Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado
con tomos de valencia 3.

Los tomo de valencia 3 tienen un electrn
de menos, entonces como nos falta un
electrn tenemos un hueco. Esto es, ese
tomo trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al tomo de valencia 3 se
le llama "tomo trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama "Impurezas
Aceptoras". Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3 y sigue habiendo
huecos de generacin trmica (muy pocos).
El nmero de huecos se llama p
(huecos/m
3
).
SEMICONDUCTORES TIPO N Y P
Hay dos tipos de semiconductores que estn
dopados, esto es que tienen impurezas y
dependen de que tipo de impurezas tengan.
SEMICONDUCTORES TIPO N
Es el que est impurificado con
impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre
de "portadores mayoritarios", mientras
que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".

Al aplicar una tensin al semiconductor
de la figura, los electrones libres dentro
del semiconductor se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. Cuando un hueco llega al
extremo derecho del cristal, uno de los
electrones del circuito externo entra al
semiconductor y se recombina con el
hueco.
Los electrones libres de la figura circulan
hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia
el positivo de la batera.
SEMICONDUCTORES TIPO P
Es el que est impurificado con
impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes. Como el nmero
de huecos supera el nmero de
electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones
libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensin, los electrones
libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la
figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con
los electrones libres del circuito externo.
En el circuito hay tambin un flujo
de portadores minoritarios. Los
electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha a
izquierda. Como hay muy pocos
portadores minoritarios, su efecto es
casi despreciable en este circuito.