El tomo est compuesto de ncleo

(protones y neutrones) y electrones.

Entre los electrones y protones se ejercen
fuerzas de atraccin.
Las fuerzas se deben a una propiedad
denominada carga elctrica.
Las cargas del electrn y del protn
tienen el mismo valor, pero de signo
opuesto:
Electrn: carga negativa (-)
Protn: carga positiva (+)
En la regin del espacio donde se
manifiestan las fuerzas sobre las
cargas elctricas, decimos que hay
un CAMPO ELCTRICO E.
Es la regin o zona del espacio
donde se manifiestan acciones de
tipo elctrico (cargas elctricas).
Cada carga elctrica con su
presencia modifica las propiedades
del espacio que la rodea.
La intensidad del campo elctrico
en un punto es la fuerza que acta
sobre una unidad de carga positiva
situada en ese punto.
La intensidad del campo es una
magnitud vectorial.
El campo elctrico es un campo
vectorial.
La corriente elctrica es debida al arrastre de
electrones en presencia de un campo E.

El flujo de corriente depende de:
La Intensidad del campo elctrico
Cantidad (concentracin) de electrones libres en el material
Movilidad de los electrones en ese material.

Michael Faraday, visualizo el campo
elctrico como haces de energa,
representados como innumerables
lneas rectas que salen radialmente en
todas las direcciones desde el centro de
la carga.
Las llamo Lneas de Fuerza
Elctrica.
Esas lneas tienen fuerza natural que
actan en un sentido determinado, pues
son salientes en el protn y entrantes
en el electrn.
Del estudio del Campo elctrico se
derivan:
Las leyes de atraccin y repulsin
de cargas (Ley de Cargas)
Llamada tambin:
Zona de Deplexin,
Barrera Interna de Potencial,
Zona de Carga Espacial,
Zona de Agotamiento o Empobrecimiento,
Zona de Vaciado, etc.

Zona de la unin de los semiconductores tipo p y tipo n.
Debido a difusin, los electrones libres y los huecos se recombinan
en la unin.
As se crean los pares de iones con cargas opuestas a ambos lados
de la unin.
Esta zona carece de electrones libres y huecos.

Z. V.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos.
Al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de
portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".
Zona P: Semiconductora, con una Zona de Carga negativa ( - )
Zona N: Semiconductora, con una Zona de Carga positiva ( + )
Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres.
Ley de Cargas
La carga elctrica es un propiedad caractersticas de algunas partculas
subatmicas, la cual se manifiesta mediante atracciones y repulsiones.
Carga elctrica: Interacciones entre cargas de igual y distinta naturaleza.
Cargas de igual tipo se repelen o rechazan, :
Un Protn (+) repele a otro Protn (+).
Un Electrn (-) repele a otro Electrn (-)
Cargas Opuestas se Atraen, :
Un Protn (+) atrae a un Electrn (-)


Un Semiconductor Tipo N
tiene ms electrones libres que
huecos
Un Semiconductor Tipo P tiene
ms huecos que electrones.
Las cargas en exceso se denominan portadores mayoritarios y las
cargas en deficiencia portadores minoritarios.
A la temperatura de 0 K los portadores de carga, electrones libres en
la zona n y huecos en la zona p, estn ligados a sus respectivos
tomos.
A temperatura ambiente los dos tipos de portadores estn libres para
la conduccin elctrica.
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion
positivo, y por cada hueco hay un ion negativo.
La corriente por un conductor es un flujo de cargas elctricas.
Si un capacitor es conectado a una fuente de corriente continua, recibe carga elctrica.

El valor de la carga almacenada se obtiene multiplicando la corriente entregada por la
fuente por el tiempo durante el cual la fuente estuvo conectada
Entonces: Q = I x t (carga = corriente x tiempo)
Donde:
Q: est en coulombios
I: est en amperios
t: est es segundos

La carga almacenada es directamente proporcional al voltaje aplicado entre sus
terminales.
Entonces: Q = C x V (carga = capacidad x voltaje)
Donde:
Q: est en coulombios
C: est en faradios
V: est en voltios
Igualando la ltima ecuacin con la primera se tiene que: Q = I x t = C x V
Despejando: V = I x t / C.
Si se mantiene el valor de la corriente "I" constante y como el valor de "C" tambin es
constante, el voltaje "V" es proporcional al tiempo
2.3.5 Capacitancia de transicin o
de agotamiento.

En la regin de polarizacin inversa existe una
regin de agotamiento (libre de portadores) que
se comporta como un aislante entre las capas
de carga opuesta. Debido a que el ancho de
esta regin (d) se incrementara mediante el
aumento del potencial de polarizacin inversa,
la capacitancia de transicin que resulta
disminuir.
Capacitancia de difusin o de
almacenamiento.
El efecto tambin se encuentra en la regin
de polarizacin directa, pero este es mucho
menor que un efecto de capacitancia
directamente dependiente de la velocidad a
la que la carga es inyectada hacia las
regiones justo fuera de la regin de
agotamiento. El resultado es que niveles
crecientes de corriente resultaran niveles
crecientes de la capacitancia de difusin.
C(pF)
Polarizacin directa (CD)
Polarizacin inversa
(CT)
10
15
5
0 0.
5
0.25 -25 -20 -
15
-
10
-5
(V)
Capacitancia de transicin y de
difusin en funcin de la polarizacin.