CIRCUITO DE DISPARO CON

AISLAMIENTO
CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES
PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS
El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte
integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la
forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutacin
(tiristores), es una funcin directa del proceso de cmo se desarrolla la conmutacin.


Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los
rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El
circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito
conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito
aislador y finalmente el circuito de proteccin de la compuerta del tiristor. El
diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Interrelacin de estos
componentes:




METODOS Y CIRCUITO DE DISPARO
TIRISTORES
Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo
con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ngulo (respecto al cruce por
cero de la tensin de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos.

Entrada seal de control: Esta seal es la que determina el retraso del ngulo de disparo,
seal generada en forma manual o a travs de un sistema realimentado. Para este ultimo
caso, la seal se genera por la interaccin de la seal de referencia, la seal realimentada y
el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.).

Generacin de los pulsos de disparo: Para la generacin de los pulsos, se disponen de
muchas variantes de circuitos, con aplicacin de transistores bipolares o mediante
semiconductores especficos, que generan, cortos pulsos de disparo.



Transistor unijuntura (UJT)

Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,
denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n)
denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un punto
determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura didica que se
conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). El grafico muestra la caracterstica V-I del
emisor respecto a la base1 (B1), el smbolo del UJT y su circuito equivalente:


Smbolo del UJT circuito equivalente de un transistor
unin tipo N
Cuando se polariza el transistor la barra acta como
un divisor de tensin apareciendo una VEB1 de 0.4 a
0.8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce
notablemente observando el circuito siguiente

Sincronizacin de los osciladores de relajacin
El periodo de oscilacin T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que
resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precisin.
Existen varios mtodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa
en B2 para reducir la tensin inter base, reduciendo as la tensin de disparo
y obligar al UJT a dispararse.
Control manual de potencia elctrica para un convertidor CA a CC (rectificador
controlado)

Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnolgicamente hablando, tiene importancia
del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase
y la importancia de la sincronizacin con la frecuencia de red. En el circuito la sincronizacin
se logra rectificando la tensin alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de
disparo. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo
(alimentado con tensin de +24 Volt)respecto a la tensin de alimentacin de la carga (220 V
ca)


Mtodos y circuito disparo tiristores.
En la prxima figura se grafican las formas de ondas del circuito, as como la variacinde la
potencia en la carga en funcin del porcentaje del valor de RE.
Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de
la potencia controlada sobre la carga.


Control pedestal
Este mtodo de control, consiste en cargar en forma rpida (cte RC bajo) al
capacitor exponencialmente hasta la tensin de disparo Vp. De esta forma, la
tensin de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de
potencimetro, como muestra el circuito:

Diseo prctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal, control cosenoidal
Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior, remitindonos al clculo de los
componentes del circuito de disparo, segn la figura:

1) Los valores de Rs., RB1, RB2
2) El potencimetro que fija la tensin de pedestal se fija en forma practica en 5K y si
adoptamos CE = 0,1 F, entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensin pedestal
es de : t = Rp.CE = 5K.0,1 F = 0,5 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5%
del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.
3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensin de pedestal de cero volt y un pulso de
disparo en 180 o sea en 10 mseg. Como la carga del condensador es cosenoidal, entonces
obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos
wt ).
Para el caso V1 = 0 , cos 180 = -1 , Vc =.Vz = 0,6. 20 Reemplazando estos valores en la
formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . 2) / ( Vz . . CE. W) = 1,56 M El
diodo D1 se adopta estndar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por
el mismo es mnima lo mismo su tensin inversa.

Transistor unijuntura programable PUT
Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la
relacin intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo. A pesar
de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de
puerta G se toma del lado del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor pnp)


La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (A) de la
siguiente figura

El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta
siendo: VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT
determinada y mientras VAA < VT, la corriente de nodo IA es prcticamente
despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una cantidad "
Vp" , se produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado por el
Terminal del nodo y compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que
provoca el estado de conduccin de PUT entre el nodo y el ctodo.
La siguiente figura, muestra un circuito de disparo con PUT con control
exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1, Rp) y
su fuente de alimentacin (D1, C1).