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Breve Resea Histrica

Tales de mileto: filosofo; Geometra, lgebra lineal,


Geometra del espacio y algunas ramas de la
Fsica, tales como la Esttica, Dinmica y ptica.
Demcrito de Abdera: tica, fsica, matemtica,
tcnica e incluso msica, fund la doctrina
atomista.
SIGLO XIX
En 1893, Maxwell
reuni las
investigaciones en
el
campo de la
electricidad y
magnetismo de
grandes
cientficos y
public las reglas
matemticas que
rigen las
interacciones
electromagnticas
Maxwell
Charles Augustin
de Coulomb
Andr-Marie
Ampre
Georg Simon
Ohm
Johann Carl
Friedrich Gauss
Michael Faraday
SIGLO XX
Sir John Ambrose Fleming
1904 Inventor de la vlvula electrnica diodo rectificadora de
corriente.
Vlvula electrnica diodo de Fleming
(A) Filamento de la lmpara incandescente en
funcin de ctodo. (B) Nuevo electrodo en funcin
de nodo. (1) Batera para el encendido y
calentamiento del filamento. (2) Batera de
alimentacin del circuito externo de la vlvula
diodo. (3) Corriente electrnica que se establece
desde el filamento (ctodo) hacia el nodo. (4)
Galvanmetro que detecta el paso de una corriente
elctrica a travs del circuito externo de la vlvula.
SIGLO XX
Lee De Forest
1906 invent el triodo : vlvula termoinica de tres electrodos
Estructura bsica y smbolo:

El primero es el filamento, que al
calentarse produce electrones. El segundo
es el nodo, que est cargado
positivamente y, por tanto, atrae a los
electrones. El tercero es la rejilla que se
situa entre el filamento y el nodo.
audin
amplificadores en cascada
amplificadores regenerativos
Osciladores
el receptor heterodino
SIGLO XX
La verdadera revolucin tecnolgica de la Electrnica surge con la
invencin de los dispositivos basados en semiconductores, y ms en
concreto, con la invencin del transistor.
SIGLO XX
SIGLO XX
SIGLO XX
SIGLO XX
XXI
Estructura del tomo
La historia de la electricidad comienza con el tomo, el
tomo es el elemento mas pequeo de cualquier
sustancia, cada tomo esta constituido de tres
partculas:
Neutrones
Electrones
Protones

El centro del tomo se llama ncleo y se forma por los
neutrones y los protones, orbitando el ncleo estn los
electrones los cuales giran tal como los planetas
alrededor del sol.
Cada uno de las particulas dentro del tomo ejercen
fuerza sobre las dems , esta fuerza se conoce como
carga elctrica , se dice que los protones tienen carga
positiva en tanto que los electrones tienen carga
negativa
Estructura del tomo
Los electrones pueden ser de dos tipos:
Electrones ligados al ncleo: orbitan capas
interiores del tomo, cerca de este y muy
difcilmente pueden escapar del mismo.
Electrones de valencia: orbitan en capas
exteriores del tomo, en niveles superiores de
energa y pueden escapar en determinadas
condiciones del tomo. Del mismo modo, el tomo
acepta en tales niveles electrones externos. Los
electrones de valencia determinan las
propiedades qumicas de los materiales.
Son los electrones de valencia los que determinan
tambin las propiedades elctricas de un material
Materiales
Materiales semiconductores
Los materiales semiconductores ms conocidos
son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales
poseen cuatro electrones de valencia en su
ltimo nivel.
Teora de bandas
Esta teora explica el comportamiento de los materiales
al paso de la corriente desde una perspectiva ms
cientfica.
Se define Banda de Valencia (BV) al conjunto de
energa que poseen los electrones de valencia.
Se define Banda de Conduccin (BC) al conjunto
de energa que poseen los electrones para
desligarse de sus tomos. Los electrones que estn
en esta banda pueden circular por el material si
existe una tensin elctrica que los empuje entre dos
puntos.
En base a estos dos conceptos se tienen tres casos:
Teora de bandas
Conductor: En este
caso la Energa de la
banda de valencia es
mayor que la de los
electrones de la banda
de conduccin. As
pues, las bandas se
superponen y muchos
electrones de valencia
se sitan sobre la de
conduccin con suma
facilidad y, por lo tanto
con opcin de circular
por el medio.
Teora de bandas
Aislante: En este caso la
energa de la banda de
conduccin es mucho
mayor que la energa de la
banda de valencia. En
este caso, existe una
brecha entre la banda de
valencia y la de
conduccin de modo que,
los electrones de valencia
no pueden acceder a la
banda de conduccin
que estar vaca. Es por
ello que el aislante no
conduce. Slo a
temperaturas muy altas,
estos materiales son
conductores
Teora de bandas
Semiconductores: En este
caso, la banda de
conduccin sigue siendo
mayor que la banda de
valencia, pero la brecha entre
ambas es mucho ms
pequea, de modo que, con
un incremento pequeo de
energa, lo electrones de
valencia saltan a la banda de
conduccin y puede circula
por el medio. Cuando un
electrn salta desde la banda
de valencia a la de
conduccin deja un hueco en
la banda de valencia que,
aunque parezca extrao,
tambin se considera
portador de corriente
elctrica.
Cristales de silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo
hacen formando una estructura ordenada llamada cristal, Cada
tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los
tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia, como se ve en la figura
Cristales de silicio
El aumento de la temperatura
hace que los tomos en un cristal
de silicio vibren dentro de l, a
mayor temperatura mayor ser la
vibracin. Con lo que un electrn
se puede liberar de su rbita, lo
que deja un hueco, que a su vez
atraer otro electrn, etc...
A 0 K, todos los electrones son
ligados. A 300 K o ms, aparecen
electrones libres.
en los semiconductores hay dos
tipos de portadores de corriente
elctrica:
- Los electrones: con carga
negativa
- Los huecos con carga positiva.
A los materiales semiconductores
puros se les conoce como
semiconductores intrnsecos.
Semiconductores extrnsecos o
Dopado de un semiconductor
Son materiales semiconductores puros
contaminados con impurezas en mnimas
proporciones (una partcula entre un milln).
A este proceso de contaminacin se le
denomina dopaje. Segn el tipo de dopaje
que se le realice al material existen dos
tipos:
Tipo N
Tipo P
Semiconductor extrnseco de tipo
N
En este caso se contamina el material con tomos de valencia
5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al
introducirlos, fuerzo al quinto electrn de este tomo a vagar por
el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable
en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama
electrones mayoritarios.
Al material tipo N se le denomina tambin donador de
electrones.
Semiconductor extrnseco de tipo
P
En este caso se contamina el material semiconductor con
tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In).
Si se introduce este tomo en el material, queda un hueco donde
debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la
estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este
caso, los huecos son portadores mayoritarios.
Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones).
El diodo
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no
tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de
tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de
tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy
tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si)
produce un electrn libre y se puede representar
como un signo "+" encerrado en un circulo y con un
punto relleno (que sera el electrn) al lado.


El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en
un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que
simbolizara un hueco).
El diodo
Entonces la representacin de un SC tipo n sera:


Y la de un SC tipo p:


La unin de las regiones p y n ser:
Al juntar las regiones tipo
p y tipo n se crea un
"Diodo de unin" o "Unin
pn".
El diodo
Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N
pasa al cristale tipo P, y parte de los huecos del tipo
P pasan al cristal tipo N. Crendose en la unin una
franja llamada zona de transicin o zona de
deplexin (W). que tiene un campo elctrico que se
comporta como una barrera que se opone al paso de
ms electrones desde la zona N hacia la zona P y de
huecos desde la zona P a la zona N
Polarizacin directa
En este caso se conecta el polo positivo al cristal
P y el polo negativo al cristal N. Esto hace que la
zona de transicin se haga mucho ms estrecha,
rompiendo la barrera y permitiendo libremente el
paso de la corriente. En este caso, el diodo
conduce.
Polarizacin inversa
En este caso el polo positivo se conecta al cristal N
y el polo negativo al cristal P. Esto hace que la zona
de transicin se haga mucho ms ancha, reforzando
la barrera que impide el paso de la corriente. En
este caso el diodo no conduce.

El diodo
En resumen: un diodo es tal que permite el
paso de la corriente en un sentido (cuando
tiene polarizacin directa) y no lo permite en
el otro sentido (polarizacin inversa).
Smbolo
El contacto que se corresponde con el cristal semiconductor tipo P se llama
nodo (terminal positivo) y se simboliza con un pequeo tringulo y el crista
semiconductor tipo N se llama ctodo (terminal negativo) y se simboliza con una
pequea lnea vertical. Los diodos vienen forrados de una cpsula de plstico
(normalmente negra) y un anillo de color blanco que indica el ctodo.
Curvas caractersticas
Cada modelo de diodo que da un fabricante tiene
asociada la llamada curva caracterstica, que mide la
intensidad de corriente que atraviesa el diodo en
funcin de la tensin que hay entre los dos extremos
de la misma. La curva presenta dos regiones:
La zona directa
Polarizacin directa (Tensin positiva): Se corresponde
con la zona derecha de la grfica segn el eje de
tensin (V). De entrada el diodo no empieza a
conducir, pero cuando alcanza cierto valor (de 0,3 Ge a
0,7V Si) conduce con facilidad, ofreciendo una
resistencia mnima al paso de la corriente. Esta tensin
a partir de la cual conduce el diodo en polarizacin
directa se llama tensin umbral (V). En la grfica V=
0,7 V.
La zona inversa
Polarizacin inversa (tensin negativa): En este
caso, ya se dijo que el diodo no deja pasar la
corriente. Se corresponde con la zona izquierda de
la grfica segn el eje de tensin (V). En realidad, si
la tensin es muy elevada, el diodo si deja pasar la
corriente. Este valor de tensin se llama tensin de
ruptura (Vr). Normalmente Vr= 50 V
Modelos equivalentes lineales
aproximados del diodo
Existen tres aproximaciones
muy usadas para los diodos
de silicio, y cada una de ellas
es til en ciertas condiciones.

1 Aproximacin (el diodo
ideal)

La exponencial se aproxima a
una vertical y una horizontal
que pasan por el origen
de coordenadas. Este diodo
ideal no existe en la realidad,
no se puede fabricar por eso
es ideal.
1 Aproximacin (el diodo
ideal)

1 Aproximacin (el diodo
ideal)

:Ejemplo
2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a
una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensin umbral para el
silicio, porque suponemos que el diodo es de
silicio, si fuera de germanio se tomara el
valor de 0,3 V).
2 Aproximacin
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad
polarizacin directa, pero como a efectos prcticos
no conduce, se toma como inversa. Con esta
segunda aproximacin el error es menor que en la
aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es equivalente a
una pila de 0,7 V.
2 Aproximacin
Polarizacin inversa: Es un interruptor
abierto
2 Aproximacin
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes
pero utilizando la segunda aproximacin que se ha
visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos
en polarizacin directa:
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta
que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente
cuyo valor es la inversa de la resistencia
interna.
3 Aproximacin
El estudio es muy parecido a los casos
anteriores, la diferencia es cuando se analiza
la polarizacin directa:
3 Aproximacin
EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3
aproximacin, tomamos 0,23 como valor de la
resistencia interna.
Tipos de diodos mas
usados
Diodo Zner: (de avalancha o ruptura): Es un diodo
especialmente diseado para trabajar siempre en
inversa. Se usa para estabilizar la tensin.
Diodo LED: diodo emisor de luz. El ctodo (+) es el
contacto de menor longitud que el nodo (-).
Fotodiodo: Al incidir luz sobre el diodo, se
incrementa la circulacin de corriente en inversa.