SEMICONDUCTORES

Modelo atmico de Bohr.

La descripcin ms bsica
de la materia supone la
existencia de cargas
positivas y negativas
constituyendo el tomo.

PROTONES: Cargas positiva.
NEUTRONES: Sin carga.
ELECTRONES: Cargas
negativas.
SEMICONDUCTORES
Modelo de Bohr.
Nmero atmico: es igual al
nmero de protones en el
ncleo.
tomo elctricamente
balanceado: nmero de
protones= nmero de
electrones.
Nmero de electrones en
cada capa:


SEMICONDUCTORES
2
2
e
N n
Modelo de Bohr.
Electrones de valencia
Son los electrones que se encuentran en la capa ms externa de
un tomo.
Tienen un alto nivel de energa.
Estn relativamente enlazados con el ncleo.
Capa de Valencia: capa donde se encuentran los
electrones de valencia.
La valencia es una medida del nmero de enlaces
qumicos formados por tomos de un determinado
elemento.
Ionizacin /ion positivo
Si y Ge tienen una valencia de 4.
SEMICONDUCTORES
tomos y electrones.
La Electrnica est basada fundamentalmente en
el silicio.
El Si es una sustancia con estructura
tetravalente, cada tomo se encuentra rodeado
por cuatro vecinos unidos mediante enlaces
covalentes de dos electrones.
SEMICONDUCTORES
tomos y electrones.
Si T baja, no hay conduccin (los e
-
estn ligados a
los enlaces).
Si T aumenta, la agitacin trmica hace que
algunos electrones se escapen de los enlaces
covalentes y se conviertan en portadores.
SEMICONDUCTORES
Banda
prohibida
tomos y electrones.
Muchos electrones pasan de
la parte superior de la banda
de valencia a la parte inferior
de la banda de conduccin
electrones quasi libres.
Se crea as un par electrn
hueco.
A mayor temperatura, ms
electrones libres y, por tanto,
ms conductividad (menor
resistencia)
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES
tomos y electrones.
Si se aplica un campo elctrico al semiconductor,
los electrones se desplazan hacia el polo
positivo.
Los huecos se comportan como partculas de
carga igual a la del electrn pero con signo
positivo
A mayor temperatura, ms electrones (y huecos)
ms corriente y menos resistencia del
semiconductor.
A temperaturas muy bajas la conductividad es
muy baja tambin.
En los metales no hay huecos porque los
electrones estn libres sin necesidad de que se
produzca la ruptura de enlaces.
tomos y electrones.
SEMICONDUCTORES
A un semiconductor puro se le llama
semiconductor intrnseco.
Un semiconductor extrnseco es aquel que tiene
impurezas o sustancias dopantes de tipo P o N.

Tipo N: aade sustancia dopante con ms e
-

libres.
Tipo P: aade sustancia dopante con ms h+
libres.

SEMICONDUCTORES
tomos y electrones.
Son semiconductores
intrnsecos a los que se les ha
aadido una pequea
cantidad de sustancia
pentavalente (cinco electrones
en la capa de valencia,
llamada impureza).
El nmero de electrones es
mayor que el de huecos.
Arsnico(As), fsforo (P),
bismuto (Bi) y antimonio (Sb)
SEMICONDUCTORES
Semiconductores tipo N
Son semiconductores
intrnsecos a los que se les ha
aadido una pequea
cantidad de sustancia
trivalente (tres electrones en la
capa de valencia).
A temperatura ambiente hay
ms huecos que electrones y
la conduccin se produce
principalmente por medio de
huecos.
SEMICONDUCTORES
Semiconductores tipo P
En el bloque P hay muchos huecos y en el bloque N
hay muchos electrones.
Cuando se realiza la unin de los dos bloques, los
electrones del bloque N empiezan a difundirse a
travs de la unin hacia el bloque P.
La unin se recombina (neutraliza) la carga zona de
agotamiento o regin de empobrecimiento.

DIODOS
Unin P-N
El potencial de barrera : Es la cantidad de voltaje
requerido para mover electrones a travs del
campo elctrico.
El potencial de barrera depende de varios
factores:
Material semiconductor
Cantidad de dopado
Temperatura.
Silicio: 0.7V a 25C
Germanio:0.3V a 25C
DIODOS
Unin P-N
Una unin P-N polarizada externamente es
capaz de conducir solamente en un sentido, tiene
propiedades rectificadoras y se conoce como
diodo.



Existen dos tipos posibles de polarizacin:
Directa e inversa.
DIODOS
Polarizacin
Hay tres posibles estados:
Equilibrio: hay que suministrar
energa para que un e
-
(h
+
) pase
a un nivel mayor (menor) de
energa.
Polarizacin directa: el e
-
puede
pasar por la unin y combinarse
con un hueco.
Polarizacin inversa: La parte N
se hace ms negativa y por tanto
ms difcil la conduccin.
DIODOS
Polarizacin
Es la condicin que permite la circulacin de
corriente a travs de la unin p-n.




El voltaje de polarizacin debe ser ms grande
que el potencial de barrera.
Los electrones repelen el lado negativo y se
produce un flujo hacia el la regin p del diodo,
esto se denomina corriente de electrones.
DIODOS
Polarizacin directa
Condicin que en esencia evita la circulacin de corriente
a travs del diodo.




La corriente en inversa es muy pequea, casi
despreciable, pero si el voltaje de polarizacin en inversa
externo se incrementa a un valor llamado voltaje de
ruptura, la corriente en inversa se incrementar
drsticamente.

DIODOS
Polarizacin inversa
DIODOS
Curva caracterstica V-I.
DIODOS
Efectos de temperatura
En directa: El potencial
de barrera se reduce 2mV
por cada grado de
incremento de
temperatura.
La regin n se llama ctodo
La regin p se denomina nodo




La flecha en el smbolo apunta en la direccin de
la corriente convencional (opuesta al flujo de
electrones).
DIODOS
Simbologa
DIODOS
Conexin de polarizacin en directa y
en inversa
DIODOS
Ejemplo:
Determinar los estados de los diodos de los circuitos
mostrados en las siguientes figuras, suponer que los
diodos son ideales
DIODOS
Construccin de la lnea de Carga.
DIODOS
Ejemplo: Si el circuito de la figura siguiente tiene
Vss=2V, R=1k , y un diodo con la curva caracterstica
mostrada, encontrar la corriente y la tensin en el punto
de trabajo.









2
ss D D
D
D
D
V Ri v
Vss v
i
R
i mA

Modelo ideal de un diodo.

Un diodo ideal ser aquel con dos nicos estados (ON/OFF) en
funcin del tipo de tensin aplicada a sus extremos(positiva o
negativa).
Es la menos precisa.
DIODOS
Aproximaciones del diodo (modelos)
Modelo ideal de un diodo.

DIODOS
Aproximaciones del diodo
El voltaje de polarizacin y la
resistencia limitadora
determinan la corriente de
polarizacin en directa
POLARIZACIN
0 .
F
F
LIMITADOR
V V
V
I
R

El voltaje de polarizacin
en inversa es igual al
voltaje de polarizacin
POLARIZACIN
0
R
R
V V
I A

Modelo prctico de un diodo o aproximacin de

forma lineal.
Incluye el potencial de barrera.

DIODOS
Aproximaciones del diodo (modelos)
Modelo prctico de un diodo o aproximacin de
forma lineal.

DIODOS
Aproximaciones del diodo.
0.7
F
F
POLARIZACIN
F
LIMITADOR
V V
V V
I
R

POLARIZACIN
0
R
R
V V
I A

Modelo completo del diodo.

Aproximacin ms precisa.
Incluye:
Potencial de barrera
Resistencia dinmica en polarizacin en directa.
Resistencia interna de polarizacin en inversa.
DIODOS
Aproximaciones del diodo (modelos)
Modelo completo del diodo.

DIODOS
Aproximaciones del diodo.
0.7
0.7
F F d
POLARIZACIN
F
LIMITADOR d
V V I r
V V
I
R r

LIMITADOR
LIMITADOR
R R
POLARIZACIN
R
R
LIMITADOR
V V V
V
I
R

BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Robert L. Boylestad
Pearson Educacion. 2009.

Dispositivos electrnicos
Thomas L. Floyd
Pearson Prentice-Hall. 2008

Amplificadores operacionales y circuitos integrados lineales.
Robert F. Couglhin
Prentice Hall. 2009

Electrnica analgica integrada.
Pindado, Rafael
Marcombo