UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA

REA DE LA ENERGA, LAS INDUSTRIAS Y LOS

RECURSOS NATURALES NO RENOVABLES

CARRERA DE INGENIERA EN ELECTRNICA Y
TELECOMUNICACIONES

MDULO III



Integrantes: Angelica Chamba
Andrea Gordillo
Cristian Arevalo

Docente: Ing. Pabel Merino

Transistores de Efecto de Campo
Transistores de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo (FET), es un dispositivo de tres terminales que se
utiliza para diversas aplicaciones similares al del BJT. Aunque existen algunas
diferencias, la principal diferencia entre los tipos de transistores es que el BJT es un
dispositivo bipolar controlado por corriente, mientras que el FET es un dispositivo
unipolar controlado por voltaje y depende nicamente de la conduccin de electrones
(canal-n) o de huecos (canal-p). Algunas de las caractersticas ms importantes de los
FETs, es su alta impedancia de entrada y su mayor estabilidad a la temperatura que
los BJTs.
Clasificacin de los FETs
El transistor de efecto de campo de
unin (JFET)

Transistor de efecto de campo metal-
xido-semiconductor (MOSFET)

Construccin y caractersticas de los JFETs
En la construccin bsica del JFET de canal-n la mayor
parte de la estructura es el material de tipo n que forma
el canal entre las capas integradas de tipo p.
La parte superior del canal de tipo n se encentra
conectada por medio de un contacto hmico referida
como drenaje(D), mientras que el extremo inferior del
mismo material se conecta por medio de un contacto
hmico referida como fuente (S). Los materiales de tipo
p se encuentran conectados entre s y tambin con la
terminal de compuerta (G). La regin de agotamiento es
aquella regin que no presenta portadores libres y es
incapaz de soportar la conduccin a travs de ella.

Dispositivos de canal-n
La corriente mxima (I
DSS
) ocurre cuando V
GS
=0V y V
DS
|V
p
|,
mientras que la corriente mnima ocurre en el estrechamiento
cuando V
GS
=V
P
.


El nivel de V
GS
que resulta cuando I
D
=0mA se encuentra definido por V
GS
=V
P
,
siendo V
P
un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo
para los JFETs de canal-p.
La regin a la izquierda del sitio de
estrechamiento en la figura es
conocida como regin hmica o de
resistencia controlada por voltaje y
est expresada por la siguiente
ecuacin:

2

rd=resistencia en un nivel particular de VGS
ro=resistencia cuando VGS=0V

Dispositivos de canal-p
El JFET de canal-p est construido de la misma forma que el dispositivo de
canal-n pero invirtiendo los materiales tipo p y tipo n, as mismo las direcciones
de corrientes definidas y las polaridades reales de los voltajes V
GS
y V
DS
estn
invertidos.
En la figura el crecimiento vertical es una indicacin que ha
sucedido una ruptura y que la corriente a travs del canal ahora est
limitada solo por el circuito externo.
Smbolos de los JFETs
Canal-p Canal-n
Caractersticas de transferencia
No existe una relacin lineal entre la entrada y la salida en un FET, la relacin
entre I
D
y V
GS
se define por la ecuacin de Shockley:

2

Las caractersticas

de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley no
resultan afectadas por la red en la cual se emplea el dispositivo.
Aplicacin de la ecuacin de Shockley
La curva de transferencia tambin puede obtenerse directamente a partir de la ecuacin de
Shockley, simplemente dando valores a I
DS
y
VP
. Estos niveles definen los lmites de la curva
sobre ambos ejes y solo deja la necesidad de encontrar unos cuantos puntos intermedios.

(1

)
2

=0

(1

)
2

= 0|

Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia, es muy
ventajoso contar con un mtodo abreviado:

(1

)
2

4
|

/2

0.3

/2

V
GS
en funcin de I
D

V
GS
I
D

0V
0.3 V
P

0.5 V
P

V
P

I
DSS

I
DSS
/2
I
DSS
/4
0mA
EJERCICIO
Trazar la curva de transferencia definida por I
DS
=12mA y V
P
=-6V

Dos puntos de la grfica estn definidos por:
I
DSS
=12mA y V
GS
=0V

I
DSS
=0mA y V
GS
=V
P



Los otros dos puntos de la grfica son:
V
GS
= V
P
/2= -6/2=-3V
I
D
=12mA/4=3mA

I
D
=12mA/2=6mA
V
GS
0.3 (-6V)=-1.8V
Hoja de especificaciones
Relaciones Importantes
En la hoja de especificaciones encontramos todas las caractersticas de un transistor en especfico,
permitiendo conocer los valores nominales mximos, las caractersticas elctricas, identificar las
terminales y conocer la regin de operacin de dicho transistor. Con lo cual nos aseguramos el
correcto funcionamiento del transistor. Existe una hoja de especificaciones para cada tipo de
transistor JFET.
Para el JFET I
G
=0A es el punto de partida para el anlisis de esta configuracin, V
GS
es por lo
general el primer parmetro que debe determinarse.
Clasificacin del MOSFET
MOSFET de Tipo Decremental

MOSFET de Tipo Incremental


La construccin bsica del MOSFET de tipo decremental de
canal-n se basa en un bloque de material tipo p, que est
formado a partir de una base de silicio a la que se le conoce
como sustrato (SS), y es la base sobre la que se construye el
dispositivo. Las terminales de fuente y compuerta estn
conectadas por medio de contactos metlicos a las regiones
dopadas-n unidas por un canal-n la compuerta se encuentra
tambin conectada a una superficie de contacto metlico, pero
permanece aislada del canal-n por medio de una capa muy
delgada de dixido de silicio (SiO
2
).

No existe conexin dielctrica directa entre la terminal de la
compuerta y el canal de un MOSFET. Debido a la presencia del
aislante SiO
2,
el MOSFET presenta una alta impedancia de
entrada del dispositivo.

MOSFET de Tipo Decremental
MOSFET de Tipo Decremental de canal-n
Operaciones bsicas y caractersticas
El voltaje compuerta-fuente se establece en cero volts mediante la conexin
directa de una terminal a la otra, y se aplica un voltaje V
DS
a travs de las
terminales de drenaje y la fuente. El resultado es una atraccin del potencial
positivo en el drenaje por los electrones libres del canal-n, y una corriente
similar a la establecida a travs del canal del JFET.
MOSFET de Tipo Decremental de canal-p
La base sobre la que se construye el dispositivo es de tipo n (sustrato), y el
canal es de tipo p, teniendo en cuenta que las intensidades y voltajes se
invierten.
Smbolos de los MOSFET
de Tipo Decremental
Canal-p Canal-n
MOSFET de Tipo Incremental
MOSFET de tipo incremental de canal-n
La construccin de un MOSFET de tipo
incremental de canal-n, es muy similar a
la de un MOSFET de tipo decremental,
excepto por la ausencia de un canal entre
las terminales de drenaje y la fuente
Operaciones bsicas y caractersticas
Las caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental
no se encuentran definidas por la ecuacin de Shockley sino ms bien,
por una ecuacin no lineal controlada por el voltaje compuerta-fuente, el
voltaje de umbral y por una constante k definida para el dispositivo que
se emplea. La grfica resultante de I
D
en funcin de V
GS
es aquella que
crece exponencialmente ante valores crecientes de V
GS
.

= (

)
2

=

()

()

2

MOSFET de tipo incremental de canal-p
La construccin es exactamente la inversa de la tipo
incremental de canal-n, teniendo en cuenta que las
corrientes y voltajes invierten sus polaridades.
Smbolos de los MOSFET
de Tipo Incremental
Canal-p
Canal-n
Manejo de los MOSFET
Siempre es necesario tener cuidado adicional al manejar MOSFETs debido a la electricidad
esttica que puede existir en los lugares menos pensados. No elimine ningn mecanismo de
circuito cerrado entre las terminales del dispositivo hasta que ste se instale.
VMOS
Una de las desventajas del MOSFET tpico son los bajos niveles de manejos de potencia por lo
general, menos de un 1W en comparacin con los BJT. Para superar este inconveniente de los
MOSFET, se realiza un cambio en la forma de construccin dndole al canal una forma vertical por
lo que toma una apariencia de un corte en V en la base del semiconductor.
Las caractersticas ms importantes del VMOS,
son:
Poseen niveles reducidos de resistencia en el
canal y mayores valores nominales, de corriente
y de potencia.
Poseen un coeficiente positivo de temperatura
que contrarrestar la posibilidad de una
avalancha trmica.
Tiempos de conmutacin ms rpidos por los
niveles reducidos de almacenamiento de carga.
CMOS
Un CMOS (MOSFET complementario) es aquel que utiliza una combinacin
nica de un MOSFET de canal-p con uno de canal-n mediante un solo conjunto
de terminales externas. Posee la ventaja de una muy alta impedancia de entrada,
velocidades de conmutacin rpidas y bajos niveles de potencia de operacin,
todo lo cual, hace que sea muy til para los circuitos lgicos.