4.2 MICROONDAS.

4.2.1 Conceptos de Microondas.

El trmino Microondas (mO) se refiere a
seales de radio cuya longitud de onda est
en el orden de los centmetros a los
milmetros, es decir, que corresponde a
frecuencias de 1 a 300 GHz.
Por debajo de 1 GHz se considera como
ondas de radio frecuencia, R.F.
En ambos casos de trata de Ondas
Electromagnticas (OEM).
Aplicaciones de las Microondas
Radio astronoma.
Comunicaciones (TV directa al hogar, telefona,
enlaces satelitales, telefona celular, etc.).
Navegacin espacial.
Sistemas de radar.
Equipo mdico.
Aplicaciones militares (Gua de misiles, etc.).
Electrodomsticos (Horno de Microondas).
Industria.
ETC.
FIG. 4.2.1-1
Red de
Monitoreo
de Agua por
microondas.
FIG. 4.2.1-2
Red de
Monitoreo
de Sensores
por
microondas.
FIG. 4.2.1-3
Aplicaciones
varias de las
microondas.
El espectro electromagntico es un recurso natural
finito, que conforme aumenta el uso de los
sistemas de comunicaciones por radio se est
saturando, obligando a utilizar frecuencias de
portadora cada vez ms altas.
Estas frecuencias ms altas, de 1 GHz en adelante,
son las seales de microondas.
El ancho de banda de transmisin de los sistemas
de microondas es enorme, comparado con los
sistemas convencionales de R.F. (HF, VHF y
UHF)
Las dos siguientes figuras muestran la divisin del
espectro electromagntico para las seales u
ondas de radio, R.F. y Microondas.
FIG. 4.2.1-4 Bandas de Frecuencias.
FIG. 4.2.1-5 Bandas de Frecuencias (Continuacin)
Factores que afectan a los Sistemas de
Comunicaciones de Microondas:
ANCHO DE BANDA : se refiere al intervalo de
frecuencias en el cual el sistema de
comunicaciones por microondas debe de operar
dentro de ciertos lmites de atenuacin.
RUIDO ELECTRICO: son todas aquellas
seales naturales y artificiales ajenas al sistema de
comunicacin de microondas y que afectan su
operacin.
DISTORSION: afectacin de la seal de
informacin debida al mal diseo o inadecuado
funcionamiento del sistema de microondas.
ANCHO DE BANDA : llamado tambin canal,
es el resultado de la modulacin de la seal de
portadora de microondas mediante la seal de
informacin y que ocupa un cierto espacio en el
espectro electromagntico.
En EUA la FCC (Comisin Federal de
Comunicaciones) y en Mxico la Secretara de
Comunicaciones son las encargadas de regular el
uso del espectro electromagntico.
El avance de la tecnologa (Electrnica) a
permitido usar frecuencias de microondas cada
vez mas altas, lo cual resulta en anchos de banda
de transmisin cada vez ms grandes o bien
utilizar los ya existentes de manera ms eficiente.
Multicanalizacin en Frecuencia : la cual
permite enviar varias seales de manera
simultnea por un mismo canal de
comunicacin de microondas, es decir,
permite usar el mismo ancho de banda
asignado para enviar varias seales.
Otras tcnicas como la modulacin en
banda lateral nica (BLU), la modulacin
por corrimiento de fase (PSK), etc. han
permitido hacer ms eficiente el uso del
ancho de banda de transmisin asignado, en
los sistemas de microondas.
Entre mayor es la frecuencia de la portadora de
microondas, mayor es el ancho de banda de transmisin, lo
cual permite:
Utilizar un gran ancho de banda para enviar varias seales
multicanalizadas por el mismo canal de microondas.
Utilizar un cierto espacio del espectro electromagntico para
tener cientos o miles de canales de transmisin.
La principal limitante de las microondas es la respuesta en
frecuencia de los dispositivos involucrados en la
generacin, modulacin, amplificacin y filtrado de las
seales de microondas.
El anlisis de circuitos para muy altas frecuencias es
demasiado complicado, ya que debe usarse la teora
electromagntica, donde se analiza el comportamiento de
las seales electromagnticas generadas por los
dispositivos de microondas.
Los componentes pasivos de los circuitos elctricos como
una simple resistencia se comportan como reactancias a
frecuencias de microondas, es decir, la resistencia a
frecuencias de microondas se comporta como un circuito
LCR y lo mismo sucede con un capacitor o un inductor.
Disear circuitos resonantes de microondas con
componentes pasivos comunes se hace muy difcil, porque
el tamao fsico de estos componentes deben ser cada vez
ms pequeos.
Los dispositivos semiconductores convencionales tambin
estn limitados en su operacin a frecuencias de
microondas.
Esto es debido a las capacitancias e inductancias parsitas
de la unin semiconductora.
El tiempo de trnsito de los electrones o de los huecos, que
es el tiempo que le toma al portador moverse a travs del
dispositivo semiconductor, es muy significativo a
frecuencias de microondas.
El Silicio (Si) y el Germanio (Ge) poseen tiempos
de trnsito muy grandes, para frecuencias de
microondas.
Para disminuir estos tiempos de trnsito, al Si y al
Ge se les deben agregar ciertas impurezas que
mejoren este aspecto.
El GaAs (Arseniuro de Galio) posee tiempos de
trnsito ms pequeos, por lo que es mayormente
utilizado en dispositivos semiconductores para
sistemas de mO.
Inicialmente se usaron tubos de vaco o gas
(bulbos) para generar y amplificar seales de
microondas y se siguen utilizando, sobre todo para
sistemas de muy alta frecuencia y de alta potencia.
Actualmente se han utilizado algunos dispositivos
semiconductores especiales y otros que provienen
de los bulbos.
Otra limitante de las microondas es que son
ondas electromagnticas que, al igual que la luz,
se propagan de forma rectilnea, llamndose a
este tipo de propagacin Lnea de Vista, LOS
( por sus siglas en ingls). Vea la siguiente figura.
Se usan antenas especiales : parablicas,
semiparablicas, tipo cuerno o dipolos muy
pequeos, como en la telefona celular.
Como su longitud de onda es muy pequea, se
reflejan con facilidad en obstculos grandes y
pequeos.
Las que estn por arriba de 10 GHz son afectadas
por la lluvia, la nieve, la nieblas, etc.
FIG. 4.2.1-6 Propagacin de las OEM, segn su frecuencia.
mO
(UHF, SHF)
R.F.
(HF, VHF)
R.F.
(VLF, LF, MF )
Los radioenlaces punto a punto de microondas tienen
muchas aplicaciones en diversos sistemas de
comunicaciones como en :
Enlaces de las estaciones de radio y televisin con
unidades mviles, utilizadas en sitios remotos como en
estadios, eventos especiales lejanos a las estaciones, etc.
Enlaces entre estaciones terrenas y satlites de
comunicaciones, entre los satlites, o de satlites hacia
los receptores de TV de los hogares (conocida como TV
directa al hogar).
Redes de comunicaciones de larga distancia para
telefona.
Enlaces entre sitios de clulas de telefona mvil.
Redes de comunicaciones de datos.
Estaciones repetidoras, como respaldo a enlaces de fibra
ptica o enlaces satelitales.
Etc.
Los enlaces de comunicaciones mediante fibra ptica (FO)
se estn utilizando cada vez ms en lugar de los
radioenlaces de microondas, debido a que requieren menor
mantenimiento y poseen anchos de banda mucho ms
grandes.
Sin embargo, los radioenlaces de microondas se siguen
utilizando sobre todo cuando la topografa dificulta el
tendido de la FO.
Ya que, en general, se requieren repetidores de microondas
cada 40 Km. haciendo ms fcil su instalacin en terrenos
difciles de accesar, como en zonas montaosas o reas
despobladas muy extensas .
Los sistemas de microondas pueden ser punto a punto de un
solo enlace o salto, o bien de multisalto que usan
repetidores para ampliar el enlace ms all del alcance de la
Lnea de Vista (LOS, por sus siglas en ingls).
FIG. 4.2.1-7 Sistema de Comunicacin por microondas.
(Un solo Salto)
(Multisalto)
El sistema de microondas ideal es aquel que solo utiliza un
solo enlace, por lo que se recomienda usar la menor
cantidad de repetidores posible.
Lo anterior es con la finalidad de disminuir las
probabilidades de que el sistema deje de operar por la falla
de alguno de los componentes del enlace, por lo que a
mayor cantidad de componentes mayor es la probabilidad
de falla.
Vale mencionar que los radioenlaces de microondas son
bastante confiables, con una tasa del 99.99 % en los
sistemas actuales.
Se utilizan esquemas de modulacin analgica y digital,
aunque en la actualidad casi todos los sistemas de
microondas son digitales.
Se utiliza modulacin digital QPSK o QAM, aunque
algunos sistemas muy sencillos y econmicos utilizan
modulacin analgica en frecuencia.
DISTANCIA MXIMA ENTRE ESTACIONES DE mO.
La distancia mxima entre dos estaciones de un sistema de
microondas depende de la altura tanto de la antena de
transmisin como la de recepcin, y est dada por la siguiente
frmula.
d = 17h
T
+ 17h
R
Ec. 1


donde : d = distancia mxima en kilmetros.
h
T
= altura de la antena transmisora en metros.
h
R
= altura de la antena receptora en metros.

Por ejemplo, si las torres que soportan las antenas del transmisor y del
receptor tienen la misma altura h, cual deber ser sta si la distancia
entre ellas es de 40 Km?
Como: h
T
= h
R
= h , de la ecuacin anterior se tiene:
d = 2 17h , y despejando h, se tiene que :
h = d
2
/68 = 40
2
/68 = 23.5 m
DIFRACCION
Como las mO son OEM, estn sujetas a los mismos
fenmenos, como la Difraccin, la cual consiste en que
parte del haz de mO es desviado por algn obstculo.
En el receptor (o repetidor) se reciben dos haces de mO, uno
directo y el otro difractado (o desviado).
Si ambos haces llegan en fase sucede la interferencia
constructiva, las seales se suman en fase, siendo esto algo
positivo.
Si ambos haces llegan defasados, sucede la interferencia
destructiva, atenuando la seal recibida o inclusive puede
desaparecer del todo, produciendo en el receptor el
conocido como desvanecimiento (Fading).
Las reas donde la interferencia es constructiva se conoce
como Zonas de Freznel. Vea la siguiente figura:

FIG. 4.2.1-8 Interferencia debida a la Difraccin.
Entre mayor sea la distancia entre el obstculo que desva el
haz y la trayectoria directa, menor ser la interferencia.
La distancia de un obstculo a cualquier zona de Freznel en
direccin de ngulos rectos con respecto a la trayectoria de
propagacin est dada por:
Rn = 17.3 nd
1
d
2
f(d
1
+ d
2
)

donde : Rn = distancia a la e-nsima zona de Freznel, en metros.
n = nmero de la zona de Freznel.
f = frecuencia en gigahertz.
d
1
= distancia a la antena ms prxima al obstculo, en Km.
d
2
= distancia a la antena ms lejana al obstculo, en Km.
Como regla general, es suficiente eliminar los obstculos para una
distancia correspondiente al 60% de la primera zona de Freznel,
quedando la ecuacin as : R = 10.4 d
1
d
2
f(d
1
+ d
2
)
Ec. 2
Ec. 3
Por ejemplo, si se tiene un radioenlace de microondas con
lnea de vista que opera a una frecuencia de 6 GHz que
tiene una separacin de 40 Km. entre antenas; si en la
trayectoria se tiene un obstculo a 10 Km. de la antena
transmisora a que distancia deber pasar el haz de
microondas del obstculo?
De la ecuacin 3 :
R = 10.4 10 x 30
6(10 + 30)
R = 11.6 m

Es decir, que al disear la trayectoria del haz de microondas
se deber considerar la orografa del terreno que est entre
las estaciones de transmisin y recepcin, ya sea que se
trate de un enlace sencillo o con repetidores; se debern
considerar los obstculos existentes para disminuir los
efectos de la difraccin.
RELACION DE POTENCIAS TRANSMITIDA Y
RECIBIDA EN UN SISTEMA DE MICROONDAS.
Se debe asegurar que la potencia de la seal recibida es
suficiente para cumplir los requerimientos de la relacin
seal a ruido, S / N (Signal to Noise).
Se debern considerar los tres siguientes aspectos:
POTENCIA DEL TRANSMISOR.
CIFRA DE RUIDO DEL RECEPTOR.
GANANCIA DE LAS RESPECTIVAS ANTENAS.
La densidad de potencia de una seal que se propaga en el
espacio libre (el aire) es :
P
D
= EIRP
4pr
2
con: P
D
= densidad de potencia en watts por metro cuadrado.
EIRP = potencia radiada isotrpica efectiva en watts.
r = distancia desde la antena en metros.

Ec. 4
Otra versin de la ecuacin anterior, considerando otros
parmetros es la siguiente:

P
R
(dB) = G
T
(dBi) + G
R
(dBi) (32.44+20log d+20log f)
P
T
donde : P
R
/ P
T
(dB) = razn de potencia recibida a
transmitida, en decibeles.
G
T
(dBi) = ganancia de la antena transmisora en
decibeles con respecto a un radiador isotrpico.
G
R
(dBi) = ganancia de la antena receptora en
decibeles con respecto a un radiador isotrpico.
d = distancia entre el transmisor y el receptor en Km.
f = frecuencia en megahertz.
Ec. 5
Por ejemplo, un transmisor y un receptor que operan a 6 GHz
estn separados por 40 Km. cunta potencia (en dBm) se
entrega al receptor si el transmisor tiene una potencia de
salida de 2 W, la antena de transmisin posee una ganancia
de 20 dBi y la antena receptora tiene una ganancia de 25
dBi?
De la ecuacin 5 se tiene:
P
R
(dB) = G
T
(dBi) + G
R
(dBi) (32.44 + 20log d + 20log f)
P
T
P
R
(dB) = 20 + 25 (32.44 + 20log 40 + 20log 6000) = - 95 dB
P
T
P
T
(dBm) = 10log P
T
(W) = 10log 2 W = 33 dBm
1 mW 1 mW
P
R
(dBm) = P
T
(dBm) + P
R
/ P
T
= 33 dBm 95 dB = - 62 dBm
P
R
(W)=1mW[antilog(P
dBm
/10)=1x10
-3
[antilog(-62/10)=630 pW
RELACION DE PORTADORA A RUIDO (C/N)
Se debe conocer la potencia de la seal recibida con
respecto al ruido del sistema de microondas, para
determinar si ste posee un desempeo satisfactorio.
Para los sistema de microondas que son analgicos dicho
desempeo se define como la relacin portadora a ruido
(carrier to noise ratio), que se excede en un determinado
nmero de decibeles.
Esta es la relacin seal a ruido medida antes de demodular
la seal recibida, es decir, mientras todava se tiene una
portadora.
Para determinar esta relacin se debe conocer :
La potencia de la seal.
La potencia del ruido.
La potencia de la seal se determina con la ecuacin 5.
La potencia del ruido consiste principalmente en ruido
trmico recibido por la antena (ruido espacial), el generado
por la misma antena, el generado por la lnea de transmisin
de la antena al receptor y el ruido del mismo receptor
(principalmente por los componentes semiconductores).
Una forma de conocer lo anterior es encontrar la
temperatura de ruido correspondiente para cada una de las
fuentes sealadas anteriormente y usar la ecuacin :
P
N
= kTB donde: P
N
= potencia de ruido en watts
k = constante de Boltzman (1.38 x 10
-23
J/K).
T = temperatura absoluta en K.
B = ancho de banda de la potencia de ruido en Hz.
Las temperaturas de ruido equivalente de cada uno de los
factores involucrados se obtienen con las siguientes
relaciones:

Temperatura de ruido efectiva de la antena y de la lnea de
alimentacin : T
a
= (L 1)290 + T
ionosf
L
donde: T
a
= temperatura de ruido efectiva de la antena y de la lnea de
alimentacin o de transmisin en K
L = prdida en la lnea de alimentacin y la antena como una
razn entre la potencia de entrada y salida (no en dB).
T
ionosf
= temperatura efectiva ionosfrica en K.
Temperatura de ruido del receptor: T
eq
=290(NF 1)
donde: T
eq
= temperatura de ruido equivalente en K.
NF = cifra de ruido del receptor como una razn (no en dB).
La temperatura de ruido del sistema se obtiene sumando las
dos contribuciones anteriores : T
N
= T
a
+ T
eq
donde: T
N
= temperatura de ruido del sistema en K.
T
a
= temperatura de ruido efectiva de la antena y de la lnea de
transmisin en K.
T
eq
= temperatura de ruido equivalente del receptor en K.
Por ejemplo, si se tiene un sistema receptor analgico de
microondas con los siguientes datos:
T
ionosf
= 120 K
La lnea de alimentacin tiene una prdida de 2 dB.
El receptor tiene una cifra de ruido de 2 dB.
Ancho de Banda del receptor (B) = 20 MHz.
Calcular : T
a
, T
eq
, T
N
, P
N
(W), P
N
(dBm) y C/N, si la potencia
recibida en el receptor es: P
R
= 62 dBm (del ejemplo anterior)
Se debe cambiar la prdida de lnea de alimentacin en una razn de potencia:
L = antilog (2/10) = 1.58
T
a
= (L -1)290 + T
ionosf
= (1.58 1)290 + 120 = 182 K
L 1.58
Se debe convertir la cifra de ruido (NF) a una razn (no en dB):
NF = antilog (2/10) = 1.58
T
eq
= 290(NF 1) = 290(1.58 1) = 168 K
T
N
(sistema) = T
a
+ T
eq
= 182 K + 168 K = 350 K
P
N
(W) = kTB = (1.38 x 10
-23
J/K)(350 K)(20 x 10
6
Hz) = 96.6 x 10
-15
W
P
N
(dBm) = 10 log (96.6 x 10
-15
/ 1 mW) = - 100 dBm
C/N
dB
= P
R
(dBm) P
N
(dBm) = - 62 (- 100) = 38 dB
C/N
W
= 630.96x10
-12
/ 96.6x10
-15
=6531.677 en dBm: 10log(6531.677)=38
En los sistemas digitales de microondas el desempeo se
especifica en trminos de la razn, en dB, entre la energa
por bit de informacin recibida y la densidad de ruido, es
decir: E
b
/ N
o
donde: E
b
= energa por bit en Joules.
N
o
= densidad de potencia de ruido en W/Hz

E
b
es la energa recibida en el tiempo que toma transmitir
un bit, la potencia de seal recibida multiplicada por el
periodo de cada bit o dividida entre la frecuencia y se
obtiene as: E
b
= P
R
/ f
b

donde: P
R
= potencia de seal recibida en W.
f
b
= tasa de bits por segundo.
N
o
es la densidad de potencia de ruido que est dada por:
N
o
= kT donde: k = constante de Boltzman (1.38 x 10
-23
J/K).
T = temperatura en grados Kelvin.

Por ejemplo, suponga que el sistema anteriormente
analizado opera de forma digital con una tasa de bits de
40 Mb/s Cual es la razn de energa por bit a densidad de
ruido, en dB?
En ese caso se tena una P
R
= - 62 dBm
los cuales hay que convertir a watts :
P
R
(W) = antilog (-62/10) mW = 631 pW
E
b
= P
R
/ f
b
= 631 pW / 40 Mb/s = 15.8 x 10
-18
J
La densidad de potencia de ruido se obtiene as:
N
o
= kT = (1.38 x 10
-23
)(350) = 4.83 x 10
-21
W/Hz
La razn de energa por bit a densidad de ruido, en dB, es:
E
b
= 10 log 15.8 x 10
-18
= 35.1 dB
N
o
4.83 x 10
-21
DESVANECIMIENTO (Fading)
Es una reduccin de la intensidad de seal por debajo de su nivel
nominal y que puede deberse a:
Recepcin multitrayectoria, donde la seal directa se cancela parcialmente
por las reflexiones desde tierra, el agua o por otros obstculos, produciendo
la interferencia destructiva.
Atenuacin debida a la lluvia, niebla, nieve, etc. sobre todo por arriba de
10 GHz.
Canalizacin, que es la desviacin de los haces de microondas debido a
variaciones de las capas de temperatura y humedad de la atmsfera.
Envejecimiento o falla parcial del equipo transmisor o receptor del sistema.
Las formas de disminuir el efecto del desvanecimiento pueden incluir:
Aumentar la potencia del transmisor, las ganancias de las antenas y la
sensibilidad del receptor.
Mediante la diversidad de frecuencia, es decir, usar dos o ms frecuencias
de portadora, ya que en la mayora de los casos, al variar la frecuencia de
operacin se est variando la longitud de onda, disminuyendo los efectos
de los haces multitrayectoria.
Mediante la diversidad de espacio, lo cual significa mover ligeramente las
antenas o usar varias antenas en la misma torre.
FIG. 4.2.1-9 a) Desvanecimiento por Multitrayectoria.
b) Diversidad de frecuencia.
c) Diversidad de espacio
(a)
(b)
(c)
ENLACES FIJOS POR MICROONDAS
Como ya se mencion anteriormente, existen en la
actualidad enlaces de microondas analgicos, usando
modulacin FM y AM-BLU, as como digitales usando,
principalmente, modulacin digital PSK y QAM.
ENLACES DE mO DE FM
En los sistemas analgicos de FM se utiliza:
FM de banda angosta.
Frecuencia Intermedia (IF) de 70 MHz.
El Ancho de Banda de Transmisin es un poco ms del doble que el
de la seal de banda base.
La seal de banda base puede ser: una seal de TV con calidad de
radiodifusin (TV comercial), o varias seales de voz de telefona
combinadas mediante el uso de FDM, etc.
Por ejemplo, hay sistemas de mO de FM de 6 GHz de frecuencia de
portadora, que llevan de 300 a 600 canales telefnicos de voz o
sistemas de 12 GHz de frecuencia de portadora que llevan de 1800 a
2400 canales telefnicos de voz. Vea la siguiente figura:
FIG. 4.2.1-10 Enlace de microondas de FM

La seal de banda base (informacin) se modula en FM a una
frecuencia de R.F. y en el mezclador se obtiene, a partir del oscilador
de mO, la frecuencia de portadora a la que ser transmitida la seal.
El oscilador de mO es un dispositivo de baja potencia (un Klystron
Reflex, un diodo Gunn, un FET o transistor de mO, etc.)
La etapa de salida de potencia puede usar un amplificador de mO a base
de un Tubo de Onda Viajera (TWT, por sus siglas en ingls) o
amplificadores de estado slido con MOSFET o MESFET de potencia.
Modulador
de FM
(Filtrado)
Amplificador de
mO de bajo
ruido (LNA)
Todo esto montado en la antena
70MHz
mO
mO
70MHz
mO
mO
En el receptor de la figura anterior se observa lo siguiente:
Un amplificador de bajo ruido (LNA, por sus siglas en ingls), un
mezclador y un oscilador local, que bajan la frecuencia de mO
de la portadora a una IF de 70 MHz y que en algunos sistemas
estn colocados en la antena de mO.
Lo anterior se hace con la finalidad de que la lnea de transmisin
de la antena al receptor, donde se encuentra el demodulador de
FM, se haga mediante un cable coaxial de baja prdida que opere
eficientemente a esta frecuencia intermedia.
El LNA es de estado slido mediante transistores FET, MOSFET o
MESFET de Arseniuro de Galio (GaAs).
El ancho de banda del LNA, del Mezclador y del Amplificador de
IF depende del ancho de banda de la seal de banda base.
Por ejemplo, si el receptor del sistema anterior posee una
frecuencia de portadora de 6870 MHz y la IF es de 70
MHz, la frecuencia del oscilador local ser:
f
LO
= f
C
f
IF
= 6870 70 = 6800 MHz = 6.8 GHz

ENLACES DE mO DE AM-BLU
Debido a que los sistema de BLU (SSB, por sus siglas en
ingls) utilizan un ancho de banda de transmisin igual al
ancho de banda base, lo cual permite el envo de ms
informacin (ms canales de voz, por ejemplo) comparado
con el sistema de FM.
El sistema telefnico de BLU con una portadora de mO de 6
GHz permite enviar 6000 canales de voz multicanalizados
en frecuencia (FDM), comparados con los 2400 del sistema
de FM.
En este caso la IF es de 74.13 MHz.
Como es modulacin en amplitud se deben usar
amplificadores lineales para las etapas de potencia, para
evitar la distorsin de la seal de banda base (informacin).
Para las etapas de potencia se usan amplificadores con
TWT o con MOSFET y MESFET de GaAs.

ENLACES DE mO DIGITALES
Los radioenlaces de mO digitales tienen dos ventajas muy
importantes con respecto a los analgicos:
Se puede regenerar las seal en cada repetidor, reduciendo
enormemente el ruido en el sistema.
Se puede usar FDM, TDM y CDM en un mismo sistema, y con
ellos aumentar la capacidad del canal de comunicacin.
Las desventajas son:
Aumenta el ancho de banda.
Aumenta la complejidad y el costo del sistema.
En los repetidores se debe demodular y decodificar la seal,
y luego, para retransmitirla volver a codificar, modular,
amplificar y filtrar, usando otra frecuencia de portadora.
Lo anterior puede ser una ventaja ya que en los repetidores
se pueden extraer o agregar seales a la seal de banda
base.
Para reducir el uso de ancho de banda excesivo, se utilizan
complejos algoritmos de compresin digital.
La informacin (voz, video o datos) se comprime con
tcnicas cada vez ms avanzadas.
Se utilizan, principalmente dos esquemas de modulacin
digital:
PSK (Modulacin por Corrimiento de Fase), con alguna de sus
variantes: QPSK, DQPSK, PSK-Gaussiana, etc.
QAM (Modulacin de amplitud en cuadratura), la cual consiste en
enviar la informacin codificada como variaciones de amplitud y
fase, teniendo muchas variantes: QAM
16
, QAM
64
, QAM
128
,
QAM
256
, QAM
1024
, etc.
En estos sistemas se utilizan varios bits por smbolo,
recordando que al aumentar la cantidad de bits por smbolo
aumenta la probabilidad de error.
Sin embargo se obtiene la gran ventaja de aprovechar mejor
el ancho de banda, ya sea reducindolo o introduciendo
mayor cantidad de informacin en el mismo canal.
FIG. 4.2.1-11 Repetidor regenerativo de
un radioenlace de mO digital.

Este se encarga de restablecer a su estado original a la seal de
informacin y que el ruido y la distorsin se encargaron de modificar.
Usar QAM tiene la desventaja de que se requieren amplificadores de
potencia lineales, por tratarse de una modulacin en amplitud. Pero
este esquema de modulacin digital posee mayor inmunidad al ruido
que el de PSK.
PSK o sus variantes no requieren amplificadores lineales, puesto que
la informacin no se encuentra en la amplitud. Sin embargo este
esquema de modulacin requiere circuitos mucho ms complejos ya
que la informacin se transmite como variaciones de fase o diferencias
de fase entre smbolos enviados.
REPETIDORES DE MICROONDAS
Los enlaces de mO que requieren del uso de repetidores,
con la finalidad de salvar grandes distancias, generalmente
ms de 40 Km, utilizan frecuencias diferentes para recibir y
para retransmitir.
Lo anterior para evitar interferencia entre las portadoras
producida por retroalimentacin de una antena a otra.
Como la mayora de los enlaces de mO son bidireccionales,
esto requiere el uso de dos receptores y dos transmisores en
cada repetidor, esto obligara a usar cuatro frecuencias
distintas.
Para evitarlo, se pueden usar solo dos frecuencias, pero
teniendo cuidado de colocar fsicamente de manera
adecuada las antenas, como se muestra en la siguiente
figura:
FIG. 4.2.1-12 Repetidor de mO bidireccional.
FIG. 4.2.1-13 Dos tipos de repetidores de mO.
(a) En este repetidor no se demodula la seal de banda base, solo se
hace el cambio de frecuencias.
(b) En este repetidor si se demodula la seal de banda base, con la
finalidad de agregar o extraer informacin de la seal de banda base,
adems de hacerse el cambio de frecuencia.
f
1
f
2
f
1
f
2
SISTEMA LOCALES DE DISTRIBUCION DE mO


Los sistemas de distribucin multipunto locales (Local
Multipoint Distribution Sistems, LMDS) utilizan la
transmisin de mO terrestres para distribuir varios
servicios como TV, Telefona, Internet, etc. a hogares,
negocios, escuelas, oficinas gubernamentales, etc.
Se utilizan frecuencias especiales (como por ejemplo de
28 GHz), asignadas por las autoridades.
Existe una variante de este sistema, el MMDS
(Multichanel Multipoint Distribution System Sistema
de Distribucin Multipunto Multicanal) con
frecuencias de operacin del orden de los 2 GHz.
MMDS
Este sistema inici siendo analgico, pero en la actualidad
se utilizan sistemas digitales de mO.
Surgi como una alternativa para la TV por cable,
conocindose como cable inalmbrico (wireless cable).
En la siguiente figura se muestra este sistema donde las
seales de TV provenientes de las estaciones locales y de
las recibidas por satlite se introducen a la cabeza de red.
La cabeza de red es el sistema de la empresa que distribuye
la seal, la cual se encarga de enviar, mediante el
transmisor y la antena de mO, la seal de video y/o de
Internet hacia las antenas receptoras de mO colocadas en las
paredes, azoteas o en pequeas torres de los usuarios.
Las seales de video se transmiten en formato digital
conocido como MPEG (Motion Picture Experts Group).
El alcance mximo de estos sistemas es de aprox. 50 Km,
con lnea de vista y dependiendo de la altura de las antenas.
FIG. 4.2.1-14 Sistema MMDS.

Las seales que llegan al receptor se dividen, el video hacia el televisor
y los datos van hacia un MODEM de RF y de ste a la computadora.
Como el enlace es unidireccional, los datos de regreso (por ejemplo si
se desea subir informacin a Internet o si el usuario desea solicitar
informacin adicional a la empresa ) requerir un enlace adicional va
telefnica.
LMDS
Este es una alternativa al MMDS, que utiliza una frecuencia
mucho ms alta: 28 GHz.
Esta frecuencia permite un mayor ancho de banda de
transmisin.
Pero tiene la desventaja que a estas frecuencias la lluvia,
nieve, etc. le afectan por lo que el alcance mximo es de
unos 5 Km, obligando a la empresa, ya sea a aumentar la
potencia del transmisor o bien a reducir el tamao de las
clulas retransmisoras.
La gran ventaja de este sistema es que es bidireccional,
permitiendo el acceso a Internet e incluso a usarlo para
telefona bsica.
Se pueden transmitir datos a velocidades de hasta 48 Mbps.
Y aunque es un sistema de lnea de vista, se pueden
aprovechar las seales reflejadas en los edificios para
permitir la transmisin en zonas densamente pobladas por
contracciones y edificios muy altos.

FIG. 4.2.1-15

a) Sistema LMDS.
b) Propagacin
multitrayectoria
del sistema
LMDS.
(a)
(b)
Los primeros dispositivos de RF y de Microondas
fueron los tubos de vaco o de gas, llamados
bulbos.

Los bulbos son dispositivos formados por dos o
ms electrodos dentro de una ampolla o cubierta
de vidrio, al vaci o con un gas inerte en su
interior, como el Argn o el Xenn.

Utilizan el principio de la Emisin Termoinica,
que es la emisin de electrones desde un
filamento o ctodo.
4.2.2 Amplificadores y
Osciladores de Microondas.
DIODO (2 elementos)
nodo (+)


Ctodo (-)
Cubierta de
Vidrio

Emisin
Termoinica
FIG. 4.2.2-1 Diodo con vlvulas de vaco (bulbos)
DIODO
El ctodo se calienta (directa o indirectamente mediante un
filamento calefactor) con la finalidad de desprender
electrones, creando una nube de electrones llamada
emisin termoinica.
El nodo, polarizado positivamente mediante un alto
voltaje proveniente de una fuente de voltaje directo, atrae a
los electrones.
Entonces se forma una corriente de electrones entre el
ctodo y el nodo, que es controlada solo por la
polarizacin del nodo.
La aplicacin del diodo es como un rectificador, ya que
solo habr corriente en un solo sentido, como es de
esperarse en un diodo.
Este diodo con bulbos dio origen al diodo semiconductor.
TRIODO (3 elementos)
nodo
Reja o rejilla
de control
Ctodo
FIG. 4.2.2-2 Triodo con vlvulas de vaco (bulbos)

TRIODO
El triodo posee, adems del nodo y del ctodo del diodo, un
elemento extra llamada reja o rejilla de control.
La funcin de este elemento es la de controlar el paso de
electrones del ctodo hacia el nodo (tal y como lo hace la base
en un transistor).
Si la reja de control es muy positiva, atraer todos los electrones
y no llegarn al nodo, la corriente ser cero.
Si la reja de control es muy positiva, todos los electrones se
desviarn hacia ella, dndose tambin una corriente cero en el
nodo.
Por lo tanto la reja de control deber polarizarse ms o menos
positiva (o negativa) con la finalidad de controlar el paso de
electrones a travs de ella y as controlar la corriente generada en
el nodo.
La carga se conecta al nodo ya que ser quien consuma la
potencia generada por el triodo.
La seal que ser amplificada se introduce a travs de la reja de
control.
FIG. 4.2.2-3 Circuito del Trodo y su circuito equivalente.

La seal que se desea amplificar se aplica en V
in
a la reja de
control, el ctodo est a tierra y la seal de salida, V
o
, se
toma en el nodo.
L
K
es la inductancia parsita que aparece en la conexin del
ctodo. El circuito RLC es el equivalente de las reactancias
parsitas que aparecen entre el ctodo y el nodo.
PENTODO (5 elementos)
nodo
Ctodo
Filamento
calefactor
Reja de Control
Reja
Pantalla
Reja
Supresora
FIG. 4.2.2-4 Pentodo con vlvulas de vaco (Bulbos).
PENTODO
Para mejorar las caractersticas y aumentar la ganancia y
manejo de potencia del triodo, se agregaron otros elementos
para dar origen al Tetrodo y finalmente al Pentodo.
Como el tetrodo (4 elementos) presenta algunas
deficiencias en su funcionamiento en la prctica no se
utiliza.
El Pentodo (5 elementos) posee dos rejas o rejillas ms que
el triodo: la reja pantalla y la reja supresora.
La reja pantalla acelera a los electrones que perdieron algo
de su energa cintica en la reja de control, con la finalidad
de aumentar su eficiencia.
La reja supresora, se polariza negativamente (ligeramente)
para regresar (rechazndolos) a los electrones que llegaron
con excesiva energa cintica al nodo.
La ganancia aumenta considerablemente, as como la
capacidad de manejo de muy altas potencias.
La principal limitante de los bulbos para las frecuencias de
RF y de Microondas son las CAPACI TANCI AS
I NTERLELCTRODI CAS que aparecen entre los elementos
del tubo, ya que actan como filtros pasa banda limitadores
de la frecuencia de operacin.
La velocidad de trnsito de los electrones desde el Ctodo
hacia el nodo se ve afectada por estas capacitancias.
Los bulbos presentan ciertas limitaciones a frecuencias de
mO, por ello se crearon dispositivos especialmente
diseados para operar a mO.
Estos dispositivos basan su funcionamiento en el de los
bulbos, pero con ciertas variantes, como el uso de cavidades
resonantes, muy similares a las guas de onda en su
funcionamiento.
Hay una gran cantidad de dispositivos generadores y
amplificadores para mO, aqu solo analizaremos tres de
ellos, debido a que son los ms utilizados y por lo tanto ms
representativos: el Klystron, el Magnetrn y el TWT (Tubo
de Onda Viajera).
TUBOS DE MICROONDAS
Son dispositivos, que al igual que los transistores,
se utilizan para controlar seales grandes
mediante seales ms pequeas con el fin de
producir amplificacin, oscilacin, conmutacin,
etc.
El CRT (Cathode Ray Tube - Tubo de Rayos
Catdicos) utilizado en monitores de TV,
osciloscopios y otros dispositivos de
visualizacin es una especie de bulbo o tubo al
vaco.
Actualmente los tubos de vaco o gas, bulbos, se
utilizan para frecuencias muy altas, microondas y
para potencias muy elevadas.
Actualmente existen semiconductores que operan
a frecuencias de microondas, pero la potencia de
salida mxima es del orden de las decenas o
algunos cientos de Watts. Hay aplicaciones donde
se requieren potencias de salida ms elevadas.
Estos tubos especiales se utilizan en estaciones
terrenas satelitales y de televisin, equipos
militares, radar, etc.
Las siguientes dos tablas muestran la clasificacin
de los tubos especiales para microondas que
existen en el mercado: Tubos de Haz Lineal (Tipo
O) y Tubos de Campo Transversal (Tipo M).
Tabla 1: Tubos de Haz Lineal (Tipo O)
Tabla 2: Tubos de Campo Transversal (Tipo M)
De la clasificacin anterior,
los tubos ms utilizados
son:

- KLYSTRON

- MAGNETRON

-TUBO DE ONDA VIAJERA (TWT)
KLYSTRON
Es un tubo al vaco que utiliza cavidades
resonantes para producir MODULACION
DE VELOCIDAD de un haz de electrones y
as obtener amplificacin.
El filamento calienta al Ctodo, este emite
electrones (emisin termoinica) los cuales
son atrados por un nodo o placa
polarizado positivamente.
Se establece un flujo de electrones entre al
Ctodo y el nodo.
FIG.
4.2.2-5

Diagrama
bsico
del
Klystron.
Los elementos de enfoque conducen el haz
de electrones hacia el nodo mediante
campos electrostticos (con placas) y
electromagnticos (con bobinas).
En una de las cavidades resonantes se hace
incidir una seal de microonda que se va a
amplificar, proveniente tal vez de un
oscilador de microondas mediante
dispositivos semiconductores de baja
potencia. Se utiliza una zonda en forma de
aro para ingresar la seal al tubo.
Esta seal provoca que el haz de electrones
se acelere o desacelere, conocida como
MODULACION DE VELOCIDAD.
El haz de electrones, modulado en
velocidad, entra en la segunda cavidad
llamada receptora, la cual empieza a
resonar a su frecuencia de resonancia.
El haz de electrones, inicialmente de CD,
se conviertes en un haz de mO amplificado
en potencia
La seal de mO de salida se toma mediante
una zonda en forma de aro.
Se pueden utilizar varias cavidades para
generar mayor amplificacin.
Poseen una Q (factor de calidad) muy alta.
Su ancho de banda es relativamente
limitado.
Agregando cavidades intermedias se
disminuye la Q y se aumenta el ancho de
banda.
Se utilizan para frecuencias desde UHF
hasta microondas (100 GHz).
Su potencia de salida va de algunos
miliwatts hasta varios miles de watts.
FIG. 4.2.2-6 Diagramas de funcionamiento del Klystron.
FIG. 4.2.2-7
Similitud del
funcionamiento del
Klystron con una flauta.
KLYSTRON REFLEX
Es un Klystron especial de una sola cavidad que
se utiliza como oscilador de microondas.
Opera de manera muy similar al Klystron
amplificador, el haz de electrones es modulado en
velocidad por la cavidad resonante.
La seal de salida se toma mediante una zonda en
forma de aro en la nica cavidad.
Generan seales de mO de baja potencia, de 100
mW hasta varios watts de potencia.

FIG. 4.2.2-8 Esquemas de: a) Klystron de 3 cavidades y
b) Klystron Reflex, de una cavidad.
(a) (b)
FIG. 4.2.2-9 Imgenes de varios Klystron.
FIG. 4.2.2-10 Imgenes varias de Klystrons.
MAGNETRON
Es un oscilador de mO de forma circular con
varias cavidades resonantes con un imn muy
potente alrededor de ellas.
El dimetro de cada cavidad es de media longitud
de onda de la frecuencia de resonancia.
El nodo se conecta a una fuente de alto voltaje de
CD, el ctodo emite electrones que son acelerados
por el campo magntico del imn y al entrar a las
cavidades se produce una seal de microondas que
sale a travs de la zonda en forma de aro.
FIG. 4.2.2-11 Esquema del Magnetrn.
FIG. 4.2.2-12
Estructura
interna del
Magnetrn.
FIG. 4.2.2-13
Estructura interna del
Magnetrn.
CAVIDADES RESONANTES ANODO
CATODO
FILAMENTOS
SONDA
FIG. 4.2.2-14 Trayectoria de los electrones dentro
de la estructura interna del Magnetrn.
FIG. 4.2.2-15 Trayectoria Circular de los
electrones dentro de la estructura
interna del Magnetrn.
FIG. 4.2.2-16
Trayectoria Circular de los electrones dentro de la
estructura interna del Magnetrn.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UNA
CAVIDAD RESONANTE
FIG. 4.2.2-17 Formas de extraer la seal generada por el
Magnetrn cuando opera como oscilador de microondas; de la
misma manera se puede hacer para ingresar la seal de
microondas que se desea amplificar por medio del Magnetrn.
La potencia de salida del Magnetrn va de
cientos de watts a miles de watts.
Si trabaja en forma pulsada, el magnetrn
puede generar megawatts a frecuencias de
microondas.
Una aplicacin del magnetrn trabajando en
forma pulsada es el RADAR.
Una aplicacin del magnetrn trabajando en
forma continua para calentamiento es en el
Horno de Microondas.
FIG. 4.2.2-18 Imgenes Magnetrones comerciales.
MAGNETRON DE 700W MAGNETRON DE 3KW
TWT (Traveling Wave Tube -
Tubo de Onda Viajera)
Posee un ancho de banda muy grande.
Amplifica seales de mO con potencias de
salida de cientos a miles de watts.
No es resonante a una sola frecuencia.
Posee un filamento calefactor que calienta
al ctodo, ste emite un haz de electrones,
el cual es acelerado por un nodo de
aceleracin.
TWT
FIG. 4.2.2-19 Esquema del Tubo de Onda Viajera - TWT
Los electrones son atrados por una placa
colectora, polarizada positivamente por un
alto voltaje de CD.
La longitud del tubo es de varias longitudes
de onda de la seal a amplificar.
Al tubo lo rodean varios imanes
permanentes o electroimanes, que
mantienen enfocado el haz de electrones.
La seal de mO se inyecta a una estructura
helicoidal que rodea al tubo.

El haz de electrones se acelera y desacelera
(de manera similar al Klystron)
produciendo la MODULACION DE
VELOCIDAD del haz de electrones.
Se obtiene una seal de mO, a la salida de
la estructura de hlice, pero de varios
cientos o miles de watts.
Se puede usar en modo continuo o pulsado.
Una aplicacin muy comn del TWT es
como amplificador de potencia en los
satlites de comunicaciones.
FIG. 4.2.2-20
a) Diagrama
de
operacin
del TWT
b) Esquema
del Tubo
de Onda
Viajera -
TWT
FIG. 4.2.2-21 Imagen de un TWT comercial.

Al TWT tambin se le conoce como TWTA (Traveling
Wave Tube Amplifier Tubo Amplificador de Onda
Viajera)
4.2.3 Guas de Onda y cavidades
resonantes.
El cable coaxial puede usarse para seales de
microondas, pero su eficiencia es muy baja,
debido a una elevada atenuacin por las altas
frecuencias de las microondas.
Se pueden utilizar cables coaxiales especialmente
diseados para microondas, solo para distancias
muy cortas, para enviar seales entre dispositivos
muy cercanos, algunos centmetros o metros y a
frecuencias por debajo de los 10 GHz.
Para mayores distancias y/o frecuencias ms altas
es necesario usar otros elementos especiales.
Estos elementos especiales son las Guas de Onda, que son
tubos metlicos, rectangulares o circulares, que permiten
la propagacin de las ondas electromagnticas de manera
muy similar a como lo hace la fibra ptica.
Se utilizan para enviar la seal de un transmisor a la antena o
de la antena al receptor.
Se fabrican de cobre , aluminio o de latn. Algunas veces
con una cubierta interna de plata para mejorar la
propagacin.
Como se trata de una OEM, sta posee campos elctrico y
magntico, perpendiculares entre s y ambos perpendiculares
al vector de propagacin.
Considerando solo el campo elctrico (E), se analiza como
ste viaja dentro de la gua de onda, llamndosele MODO
ELECTRICO TRANSVERSAL (TE).
Existen varios modos de propagacin TE, siendo el ms
conocido el TE
10
.
FIG. 4.2.3-1
f
co
es la
freceunciade corte
y est en MHz
Ejemplo :
Una gua de onda que tiene un ancho a de 0.8 pulg. cul
es la frecuencia de corte, f
co
?
a se convierte a metros multiplicando por 2.54 y se divide
por 100 :
a = 0.8 pulg = 0.02032 m
f
co
= 300 / 2(0.02032) = 7 382 MHz = 7.382 GHz
La altura b de la gua de onda se hace igual a la mitad de
a, en este caso 0.4 pulg. Esto es porque a es la mitad de
la longitud de onda ms baja a propagarse, siendo esta
frecuencia la de corte; por debajo de esta frecuencia la gua
de onda no propaga OEM .

FIG. 4.2.3-2
Los campos elctrico y magntico rebotan en las paredes interiores de la gua de
onda y de sa manera se propaga sin radiar la energa hacia el exterior.
Tambin existen modos de propagacin MAGNETICO
TRANSVERSAL, TM.
En la siguiente figura se muestran dos modos de
propagacin en una Gua de Onda Circular:
FIG. 4.2.3-3 Modos de propagacin en una gua de
onda circular, donde las flechas indican la
direccin del campo elctrico.
Para ingresar (o extraer) la seal a (de) una Gua de
Onda se utiliza una sonda.
Puede ser circular (Aro), semicircular o un pequeo
dipolo, que a manera de antena, recibe la seal
elctrica del transmisor y la convierte en una onda
electromagntica que se propaga a travs de la gua
de onda o viceversa.
FIG. 4.2.3-4 Sondas para ingresar o extraer una seal de
una Gua de Onda.
VELOCIDAD DE GRUPO Y FASE
La OEM dentro de la gua de onda viaja a la velocidad de la
luz en el vaco (3 x 10
8
m/s), sin embargo el recorrido no es
rectilneo, sino que la OEM viaja mediante reflexiones en
las paredes internas de la gua de onda.
Esto hace suponer que la velocidad real de propagacin no
sea la de la luz en el vaco viajando en forma rectilnea.
La velocidad real de la OEM dentro de la gua se llama.
Velocidad de Grupo, siendo mucho menor a la de la luz.
En una gua de onda rectangular, la velocidad de grupo es:

v
g
= c 1 (l/2a)
2

donde: v
g
= velocidad de grupo
l = longitud de onda en el espacio libre.
a = dimensin ms grande de la seccin transversal
interior de la gua de onda.
c= velocidad de la luz en el vaco (3 x 10
8
m/s)
Una variante de la ecuacin anterior, en base a la frecuencia
de corte, f
co
, y a la frecuencia de operacin, f, es:

v
g
= c 1 (f
co
/ f)
2

En la ecuacin anterior se observa claramente que si la
frecuencia de operacin es igual a la frecuencia de corte, la
velocidad de grupo se hace cero.
Tambin se observa que no puede haber una frecuencia de
operacin menor a la frecuencia de corte, ya que la OEM
no se propaga bajo estas condiciones.
Cuando se tienen varias seales propagndose por la gua
de onda, la de mayor frecuencia tendr una mayor
velocidad de propagacin, llegando antes que la de menor
frecuencia.
Lo anterior deber tomarse en cuenta para seales
multicanalizadas en frecuencia o con bandas laterales.
VELOCIDAD DE FASE
Como en cualquier lnea de transmisin, la fase viene
siendo un factor muy importante en la propagacin de la
seal.
Es evidente que la fase tambin vara al propagarse en la
gua de onda, generando un factor de variacin de la fase
con respecto a la distancia recorrida por la seal.
Esta variacin se conoce como Velocidad de Fase, v
p
:
v
p
= c
2

v
g

Y de acuerdo a las ecuaciones de v
g
se tiene:
v
p
= c = c
1 (l/2a)
2
1 (f
co
/ f)
2
IMPEDANCIA EN GUIAS DE ONDA
La impedancia de la gua de onda es una funcin de la
frecuencia y sabiendo que la impedancia caracterstica del
espacio libre es Z
o
= 377 W, se tiene que:

Z
o
= 377 W = 377 W
1 (l/2a)
2
1 (f
co
/ f)
2

LONGITUD DE ONDA EN GUIAS DE ONDA
La longitud de onda de la seal que se propaga en un gua
de onda es diferente a la longitud de onda en el espacio
libre, por lo que se deber calcular en base a la velocidad de
fase, v
p
, de acuerdo a la siguiente relacin:
l
g
= v
p
/ f
Componentes Pasivos de Guas de Onda.
Los componentes pasivos para las guas de onda difieren de
los utilizados en lneas de transmisin coaxiales, como
puede verse en las siguientes figuras:
FIG. 4.2.3-5 Componentes pasivos de Guas de Onda.
T para lnea coaxial
T para gua de onda
Gua de onda flexible
FIG. 4.2.3-6
a) Secciones curvas
de Guas de Onda
para dar vueltas a 90
b) Secciones para
cambiar la
polarizacin de la
propagacin de la
OEM, de vertical a
horizontal o
viceversa.
CAVIDADES RESONANTES
Si la seal de mO se ingresa a una cavidad resonante, la
cual consiste en una seccin de gua de onda del tamao
exacto de l, las ondas se reflejaran en vaivn de un
extremo a otro.
Es decir, se producir la resonancia, donde la seal
incidente estar en fase con la seal reflejada y habr
acumulacin de campo dentro de ella.
En una cavidad resonante ideal, sin prdidas, esto se
repetir indefinidamente, an en ausencia de la seal de
entrada.
La Q de este tipo de cavidades es extremadamente alta, del
orden de varios miles.
La frecuencia de resonancia depende de las dimensiones
fsicas de la cavidad y puede ser ajustada mediante un
dispositivo que modifique dichas dimensiones: un tornillo
de ajuste o una placa deslizable, etc.
Hay cavidades resonantes rectangulares, circulares,
semicirculares, etc. Como se observa en la siguiente figura:

FIG. 4.2.3-7 Cavidades Resonantes de varios tipos.
Rectangular
4.2.4 Semiconductores para
Microondas
La mayora de los diodos y transistores
convencionales no operan en las frecuencias de
microondas.
Las terminales y conexiones internas de estos
dispositivos presentan efectos reactivos que
limitan su respuesta en frecuencia.
Los tiempos de trnsito son considerables y no
alcanzan a responder a los tiempos de
conmutacin tan rpidos de las seales de
microondas.
Factores de los semiconductores
a frecuencias de microondas:
Movilidad de portadores.
Temperatura.
Humedad.
Contenido de impurezas.
Constante dielctrica relativa, e
R
.
Ancho de la banda prohibida, Eg.
Mxima potencia de salida.
Tabla 1: Semiconductores para microondas.
Tabla 2: Semiconductores para microondas,
aplicaciones y caractersticas.
DIODOS de mO
Tunel
Varactor
Gunn
LSA (Limit Space-charge Acumulation)
CdTe (Telurio de Cadmio)
Schottky
IMPATT (IMPact Avalanche and Transit Time)
TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche Triggered
Transit)
BARIT (BARrier Injected Transit-time)
Restablecimiento abrupto.
Diodo de punta de contacto.
Etc.
Estos diodos de mO tienen como
caracterstica que el rea del material
semiconductor es extremadamente pequea,
con la finalidad de disminuir las
capacitancias parsitas al mnimo.

Algunos de ellos utilizan el principio de
resistencia negativa, el cual consiste en que
a cierto voltaje de polarizacin la corriente
ya no aumenta, sino al contrario disminuye,
y de acuerdo a la Ley de Ohm esto
representa una zona de resistencia negativa,
lo cual produce oscilaciones de mO.

V
I
Regin de Resistencia Negativa
FIG. 4.2.4-1 Curva de Resistencia Negativa.
Resistencia Negativa : V = I (-R)
Diodo Tunel: Es un diodo cuyo funcionamiento se explica
mediante la teora cuntica del efecto tnel, la cual
establece que el comportamiento anmalo de las
caractersticas de este diodo, conocida como resistencia
negativa, lo hacen oscilar a frecuencias de microondas.
FIG. 4.2.4-2 Diodo Tunel: curva caracterstica
(resistencia negativa) y circuito equivalente.
Sus caractersticas tpicas de microondas para una corriente
pico de polarizacin I
p
de 10 mA son:
-R
n
= - 30 W R
s
= 1 W L
s
= 5 nH C = 20 pF

Z
in
= R
s
- R
n
+ j wL
s
- wR
n
2
C
1 + (wR
n
C)
2
1 + (wR
n
C)
2

f
r
= 1 R
n
2
C - 1
2pR
n
C L
s


R
n
= Resistencia negativa del Diodo Tunel.
R
s
= Resistencia del encapsulado.
L
s
= Inductancia del encapsulado.
C = Capacitancia de la unin del diodo.
Z
in
= Impedancia de entrada que ve el circuito anterior.
f
r
= Frecuencia de resonancia.
Diodo de punta de contacto : es una pequea pieza de
material semiconductor, Ge o Si tipo P (nodo), y un
alambre muy fino de tungsteno (ctodo) que hace contacto
con el material semiconductor, produciendo una
capacitancia de contacto extremadamente pequea. La
corriente fluye del ctodo al nodo con mucha facilidad y
con tiempos de trnsito muy pequeos.
Se utilizan para generar seales de microonda con
potencias muy bajas y son muy delicados.
FIG. 4.2.4-3
Esquema del diodo de
punta de contacto.
Diodo Varactor : es un dispositivo semiconductor que
opera en base al efecto VVC (capacitor controlado por
voltaje), donde el voltaje inverso aplicado a las terminales
del diodo determina la capacitancia.
Se fabrican de GaAs (Arseniuro de Galio) y se utilizan
principalmente como mezcladores o como
multiplicadores de frecuencia. Se obtienen seales de
microonda de baja potencia a frecuencias de hasta 100
GHz.
FIG. 4.2.4-4 Diagrama de conexiones del Diodo
Varactor.
Diodo Gunn : Es una delgada pieza semiconductora de
GaAs o de InP (fosfuro de indio) tipo N, el cual presenta el
efecto de resistencia negativa en donde el dispositivo se
vuelve inestable y por lo tanto comienza a oscilar a
frecuencias de mO.
Se utiliza principalmente como oscilador de mO de muy
baja potencia.
Se generan frecuencias de hasta 50 GHz del orden de
miliwatts y a frecuencias menores la potencia puede ser de
algunos cuantos watts.
FIG. 4.2.4-5 Esquema y circuito del Diodo Gunn.
Diodo Schottky : se forma de un material
semiconductor, Ge o Si tipo N (ctodo), con
una delgada capa de metal depositada
(nodo) sobre el semiconductor. El metal
puede ser nquel, cromo, aluminio, oro, etc.
El rea efectiva del dispositivo es muy
pequea, lo cual produce capacitancias de
unin extremadamente pequeas, pero esto
limita la potencia de salida a miliwatts o a
algunos watts.
Otros dispositivos que utilizan el efecto
de resistencia negativa son :
Diodo IMPATT (IMPact Avalanche and Transit Time
Tiempo de trnsito del impacto de avalancha)





Diodo TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche Triggered
Transit)
Ambos dispositivos operan en la regin de avalancha o de
ruptura en polarizacin inversa.
Las potencias de salida pueden ser de varios watts.
FIG. 4.2.4-6
Diodo IMPATT
FIG. 4.2.4-7

Estructura y
curva
caracterstica
del diodo
TRAPATT.

Tabla 5: Caractersticas del Diodo TRAPATT.
TRANSISTORES de mO
MESFET (MOSFET metlico)
HBT (Transistor Bipolar de Heterounin).
PHEMT (Transistor de electrn de alta
movilidad pseudomrfico).
Transistor de Si-Ge.
MOSFET de Potencia.
Etc.
Existen transistores bipolares (BJT) y transistores de efecto
de campo (FET) especialmente diseados para operar en
microondas, hasta 40 GHz.
Poseen ndices de ruido del orden de 2 a 3 dB.
FIG. 4.2.4-8
Transistor BJT de
microondas
( c ) Circuito equivalente, donde se
muestran las reactancias parsitas.
En la figura anterior se observa, en (c), el circuito
equivalente del transistor a frecuencias de mO, donde las
terminales tienen reactancias inductivas y capacitivas, las
cuales limitan la frecuencia de operacin del transistor.
En (a) se muestra un transistor de mO, donde las terminales
de alambre se han sustituido por cintas metlicas que se
conectan directamente a la estructura interna del transistor
con la finalidad de reducir los efectos reactivos.
En (b) se muestra la estructura interna del transistor, donde
se observa la forma interdigital en la que se distribuyen el
emisor y la base, para reducir al mnimo las capacitancias
parsitas. El colector se forma a partir del sustrato,
mostrado en la misma figura.
En general, los electrones se mueven ms rpido que los
huecos, por ello la preponderancia de los dispositivos del
tipo NPN, para los bipolares y canal N para los FETs.
Los MESFET son FET de unin (JFET)
metlico de GaAs, conocido tambin como
GaAsFET poseen un mejor rendimiento que
los BJT o FET a frecuencias por arriba de 1
GHz y con ndices de ruido menores a 2 dB.
Los MESFET y MOSFET de mO pueden
operar como amplificadores clase A AB
con potencias de salida de hasta 15 W a
frecuencias de 3 GHz.
En clase C, pulsada, pueden operar con
potencias de salida de hasta 300 W.
Para potencias mayores, se deben usar tubos
de microondas.
FIG. 4.2.4-9 MESFET de GaAs y su Estructura interna.

Fabricado en una estructura interdigital sobre un sustrato
semiaislante de GaAs, utilizando un material semiconductor
tipo N epitaxial de GaAs.
La mxima frecuencia de resonancia (oscilacin) para este
tipo de transistor es : f
max
= f
co
R
d

Hz
2 R
s
+ R
g

Donde : f
co
= frecuencia de corte.

f
co
= 1
2pt t = tiempo de trnsito.
R
d
= resistencia de drenaje.
R
s
= resistencia de fuente a compuerta.
R
g
= resistencia de la metalizacin de la compuerta.
FIG. 4.2.4-10 Circuito equivalente del MESFET.
Existen circuitos integrados para mO que contienen algunos
de los dispositivos anteriores dentro de un encapsulado de
CI.
Se llaman MIC (circuitos integrados para microondas).
Se utilizan para amplificacin de seales pequeas y
conversin de frecuencias o mezcladores.
Operan a frecuencias de 10 GHz como mximo con
ganancias de 10 dB y potencias de salida de 100 mW.

FIG. 4.2.4-11
C.I. de
Microondas.
FIG. 4.2.4-12 C.I. de Microondas: (1) Circuito discreto.
(2) Circuito Integrado.
FIG. 4.2.4-13 C.I. de microondas: a) Circuito Integrado de mO.
b) Circuito equivalente.

Se utilizan materiales muy especiales tanto para reducir los efectos
reactivos como para mejorar la conductividad y reducir las prdidas por la
resistencia interna.
En el substrato se utiliza: Alumina (Al
2
O
3
), Berilio, GaAs, Rutilo, Zafiro,
vidrio, etc.
En los conductores internos se utiliza: oro, plata, cobre, aluminio,
Wilframio, Cromo, etc.
En los films dielctricos se utiliza: SiO, SiO
2
, Si
3
N
4
, Al
2
O
3
,
Ta
2
O
5
. Se usan como aislantes, capacitores o para acoplar
estructuras de lneas.
En los films resistivos se utiliza: Cromo (Cr), NiCr, Ta, Cr-
SiO, Ti. Se usan en redes de polarizacin, terminales y
atenuadores.
Se fabrican con tcnicas monolticas o hbridas.
En la tcnica monoltica (MMIC) se utiliza un substrato
semiconductor y los dems elementos se van depositando o
se agregan por crecimiento.
En la tcnica hbrida (HMIC) los dispositivos activos se
conectan al resto de los elementos pasivos, que pueden ser
de vidrio, cermica o de substrato.