+

-
La fuerza de Lorentz
(en magnitud, q = v
x
B
z
)
Acumulacin de
carga positiva
V
H
+
-
Tipo p
2.4.2.4. El efecto Hall.
Mtodo para medir directamente la
concentracin de portadores en un
semiconductor. La medida puede decirnos
directamente el tipo de portador.
Campo
de Hall
Voltaje
de Hall
A partir del coeficiente de Hall, se puede hallar la concentracin
de portadores.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N siguiendo un
tratamiento anlogo se tendra:
El signo de R
H
nos indica el tipo de portadores.
En un semiconductor de tipo P, R
H
> 0 por lo que V
H
> 0,
En un semiconductor de tipo N, R
H
< 0 por lo que V
H
< 0.
V
H
tambin nos indica el tipo de portador
En la prctica, la concentracin de portadores para un
semiconductor de tipo P en funcin de parmetros medibles es:
2.4.3. Inyeccin de portadores.
Portadores en exceso
Equilibrio trmico: n p = n
i
2

Excitacin ptica
Caso de una unin p-n
directamente polarizada
Inyeccin de portadores
Fuera del equilibrio: n p > n
i
2

Se aplica radiacin
y genera 10
12
cm
-3

portadores,

Grado o nivel de inyeccin.
Concentraciones de portadores en un semiconductor de Si de tipo N dopado con
una concentracin de impurezas dadoras de 10
15
cm
-3
(a) en equilibrio trmico
(b) bajo condiciones de baja inyeccin
(c) bajo condiciones de alta inyeccin.
Condiciones de equilibrio: G = R
Se cumple la ley de accin de masas p n = n
i
2

Procesos de generacin-recombinacin de
portadores
Movimiento de portadores: difusin y arrastre.
Tercera categora: procesos de generacin y recombinacin.
Son procesos independientes simultneos, cuyas velocidades
son iguales nicamente en equilibrio trmico.
Recombinacin de portadores: desaparicin de un par
electrn-hueco.
Generacin de portadores: aparicin de un par
electrn-hueco.
Cuando se rompe la situacin de equilibrio trmico, la
tendencia de los sistemas es retornar a la situacin de
equilibrio.
Ejemplo, cuando se produce una inyeccin de portadores
minoritarios en exceso en un extremo de una barra
semiconductora, n y p tendern n
o
y p
o
causando que
v
R
> v
G
.
Fuera de equilibrio V
G
V
R
, causando que la concentracin
de un tipo de portador de carga exceda su valor de equilibrio.
Procesos de
generacin-
recombinacin
Procesos directos o de banda a banda
Procesos indirectos o a travs de
centros intermedios (en el volumen y
en la superficie del cristal)
Procesos de generacin-recombinacin directa o entre bandas.
G
th
= R
th
para que se cumpla p n = n
i
2
Proceso de generacin-recombinacin directa de pares electrn-
hueco en equilibrio trmico
Procesos de generacin-recombinacin directa o entre bandas.
Proceso de generacin-recombinacin directa de pares electrn-
hueco bajo condiciones de iluminacin.
Cuando se introduce un exceso de portadores en el semiconductor,
hay una alta probabilidad de que los electrones y huecos se
recombinen directamente.
R = n p
b = constante de proporcionalidad.
G
th
= R
th
= n
no
p
no
Para un semiconductor de tipo N, en equilibrio trmico :
n
no
y p
no
son las concentraciones respectivas de electrones y
huecos en el semiconductor de tipo N en el equilibrio trmico.
G = G
L
+G
th
Supongamos que se produce un exceso de portadores por
iluminacin.
El proceso de generacin-recombinacin acta para
reducir la concentracin de los portadores en exceso
causando que V
R
> V
G
Esto es R
L
> G
L
Pero tambin:
Por el exceso de portadores, las poblaciones en las dos bandas
quedarn alteradas, (n
no
+n) y (p
no
+p)
R = (n
no
+ n) ( p
no
+ n)
La nueva velocidad de recombinacin ser:
n y p: concentraciones en exceso de portadores introducidas
Se cumple que n = p (conservacin de la neutralidad de cargas).
Habr un proceso de variacin de dicha concentracin p
n
con el
tiempo hasta llegar al caso estacionario
Si suponemos bajo nivel de inyeccin
la concentracin de electrones a penas se ver variada frente a la
de en equilibrio trmino n
no
Podemos centrarnos en lo que sucede para los portadores
minoritarios.
U es la velocidad de recombinacin neta.
Velocidad de recombinacin de los portadores minoritarios
inyectados en exceso hasta alcanzar de nuevo el valor de
concentracin p
no

Siguiendo en este estado estable, y sustituyendo R y G
th
por sus
expresiones se obtiene:
donde se ha hecho uso de la condicin n = p
Despreciamos trminos de segundo orden en p (pp0)
Admitimos bajo nivel de inyeccin p, es decir n
no
>> p
Es un semiconductor de tipo N por lo que n
no
>> p
no
se tiene que:
Consideraciones:
Velocidad
de
Recombina
cin Neta

Exceso de
portadores
minoritarios
Es el tiempo de vida media
p
de
los portadores minoritarios en
exceso
Obviamente, en condiciones de equilibrio trmico, la velocidad
de recombinacin neta U ser igual a cero al no haber portadores
en exceso.
La vida media est relacionada con el tiempo
medio en que un portador minoritario (hueco
en este caso) permanece libre antes de
recombinarse con el de la carga contraria
(electrn). Su valor vara entre s y ms.
La velocidad de recombinacin neta representa la velocidad a la
que los portadores minoritarios en exceso se recombinan para
restablecer las concentraciones de portadores de carga existentes
inicialmente en equilibrio trmico.
Para un semiconductor de tipo P:
Se generan pares electrn-hueco forma uniforme con velocidad de
generacin G
L
cumplindose que:
Significado fsico del tiempo de vida media
tipo N
Cuando se alcanza el estado
estacionario:
O, dicho de otra forma:
En t = 0, la luz es apagada. La variacin que experimenta la
concentracin de huecos ser (G
L
=0):
Dos condiciones de contorno:
t=0 p
n
(t = 0) = p
no
+
p
G
L

t p
n
(t ) = p
no

y la solucin ser:
Esquema del montaje utilizado para la medida de la vida media de
los portadores minoritarios.