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CRISTALINAS
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
-Defeitos de interface (gro e maclas)
-Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)
O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade:
na posio dos tomos
no tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIADEFEITOS
INTRODUO
SELETIVA
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais: associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
Defeitos lineares: uma dimenso
Defeitos planos ou interfaciais: (fronteiras) duas
dimenses
Defeitos volumtricos: trs dimenses
1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)
VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente
com a temperatura
INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio cristal)
Produz uma distoro no reticulado,
j que o tomo geralmente maior
que o espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na criao de
uma vacncia, por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia
INTERSTICIAIS
FRENKEL
Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio
SCHOTTKY
Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction
LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- etc.
A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas
< limite de solubilidade
Segunda fase > limite de solubilidade
A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza
Nomenclatura
Elemento de liga ou impureza:
soluto (< quantidade)
Matriz ou hospedeiro:
solvente (>quantidade)
SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas
podem ser:
- Intersticial
- Substitucional
Ordenada
Desordenada
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C
solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 oC (Fe CFC)
SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico
deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina
mesma
Eletronegatividade
prximas
Valncia
mesma ou maior que a
do
hospedeiro
so solveis em todas as
propores
Cu
Ni
Raio atmico
0,128nm=1,28 A
0,125 nm=1,25A
Estrutura
CFC
CFC
Eletronegatividade
1,9
1,8
Valncia
+1(asvezes+2)
+2
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Uma discordncia um defeito linear ou
unidimensional em torno do qual alguns
tomos esto desalinhados.
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:
- Aresta
- Espiral
- Mista
2.1- DISCORDNCIA EM
ARESTA
Envolve um SEMIplano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
DISCORDNCIAS EM
ARESTA
VETOR DE BURGER
D a magnitude e a direo de
distoro da rede
Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor
da discordncia
DISCORDNCIAS EM
ARESTA
2.2- DISCORDNCIA EM
ESPIRAL
2.2- DISCORDNCIA EM
ESPIRAL
OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS
Diretamente: Transmission Electron
Microscope (TEM) ou HRTEM (High
Resolution)
Indiretamente: Microscopia Eletrnica
de Varredura (MEV) e microscopia
ptica (aps ataque qumico seletivo)
DISCORDNCIAS NO TEM
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem
ser controlados pelo grau de deformao (conformao
mecnica) e/ou por tratamentos trmicos.
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas.
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno
das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas.
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Monocristal e Policristal
Monocristal:Materialcomapenasumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmapenasumgro
Policristal:Materialcommaisdeumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmvriosgros
LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO
GRO
A forma do gro controlada:
controlada
- pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado
- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos
materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres
ASTM
ou
ABNT
DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X
N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada
quadrada
n= tamanho de gro
CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so
imagens especulares
dos tomos do outro
lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
So introduzidas no
processamento do material e/ou
na fabricao do componente
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses
- Precipitados
Impurezas estranhas
so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases
- Porosidade
formao de gases
Incluses
Incluses
Porosidade
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150oC, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO
EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso