Chap 5

V.
Semiconducteurs l'quilibre
Matriaux semiconducteurs
Semiconducteurs intrinsques
Semiconducteurs extrinsques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matriaux
Matriaux semiconducteurs
Rsistivit
ln
Mtaux
< 10-4 cm
Isolants
> 1010 cm
Semiconducteurs 10-4 < < 1010 cm
SC pur
Grande influence :
- de la prparation des chantillons
- des perturbations extrieurs
SC impur
1/T
Quels sont les matriaux qui

prsentent ces comportements ?
Physique du Solide
Groupe
1A
1
1,008
GAZ
RARES
2
4,003
He
1s1
1 Hydrogne
3
6,939 4
1s2
2A
9,012
Li
Be
1s 22s1
1s 22s 2
numro atomique
4
19
9,012
Be
structure lectronique
Lithium
Beryllium
2 11
23,00 12
24,31
symbole
1s22s 2
nom
artificiel
4A
12,01 7
5A
14,01 8
6A
15,99 9
7A
Hlium
18,99 10
20,18
Ne
1s 22s 22p1
1s 22s 22p2
1s 22s22p3
1s22s 22p4
1s22s22p5
1s22s22p6
Bore
Carbone
Azote
Oxygne
Fluor
Non
13
26,98 14
28,09 15
30,97 16
32,06 17
36,45 18
39,95
Na
Mg
Al
Si
Cl
Ar
(Ne)3s1
(Ne)3s2
(Ne)3s 23p1
(Ne)3s23p2
(Ne)3s23p3
(Ne)3s 23p4
(Ne)3s23p5
(Ne)3s23p6
Sodium
Magnsium
39,10 20
40,08 21
3B
44,96 22
4B
47,90 23
5B
50,94 24
6B
52,00 25
7B
/------------------------8------------------------\
54,94 26
55,85 27
58,93 28
58,71 29
1B
63,55 30
2B
Aluminium
Silicium
Phosphore
Soufre
Chlore
Argon
65,38 31
69,72 32
72,59 33
74,92 34
78,96 35
79,91 36
83,80
Ca
Sc
Ti
Cr
Mn
Fe
Co
Ni
Cu
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
(Ar)4s1
(Ar)4s2
(Ar)3d14s 2
(Ar)3d24s 2
(Ar)3d34s 2
(Ar)3d54s 1
(Ar)3d54s2
(Ar)3d64s2
(Ar)3d74s 2
(Ar)3d84s2
(Ar)3d104s 1
(Ar)3d104s 2
(Ar)3d104s 24p1
(Ar)3d104s 24p2
(Ar)3d104s24p3
(Ar)3d104s 24p4
(Ar)3d104s 24p5
(Ar)3d104s24p6
Fer
Cobalt
Nickel
Cuivre
Zinc
Gallium
Germanium
Arsenic
Slnium
Brome
Krypton
101,1 45
102,9 46
106,4 47
107,9 48
112,4 49
114,8 50
118,7 51
121,8 52
127,6 53
126,9 54
131,3
Rb
Sr
Zr
Nb
Mo
Tc
Ru
Rh
Pd
Ag
Cd
In
Sn
Sb
Te
Xe
(Kr)5s1
(Kr)5s2
(Kr)4d15s2
(Kr)4d25s 2
(Kr)4d45s 1
(Kr)4d55s 1
(Kr)4d55s 2
(Kr)4d75s 1
(Kr)4d85s 1
(Kr)4d105s 0
(Kr)4d105s 1
(Kr)4d105s 2
(Kr)4d105s25p1
(Kr)4d105s25p2
(Kr)4d105s 25p3
(Kr)4d105s 25p4
(Kr)4d105s 25p5
(Kr)4d105s 25p6
Rubidium
Strontium
Yttrium
Zirconium
Niobium
Molybdne Techntium Ruthnium
Rhodium
Palladium
Argent
Cadmium
Indium
tain
Antimoine
Tellure
Iode
Xnon
55
132,9 56
137,3 57
198,9 72
178,5 73
180,9 74
183,9 75
186,2 76
190,2 77
192,2 78
195,1 79
197,0 80
200,6 81
204,4 82
207,2 83
209,0 84
210 85
210 86
222
6
87
Cs
Ba
La*
Hf
Ta
Re
Os
Ir
Pt
Au
Hg
(Xe)6s1
(Xe)6s2
(Xe)5d16s 2
(Xe)4f145d26s 2
(Xe)4f145d36s 2
(Xe)4f145d46s 2
(Xe)4f145d56s 2
(Xe)4f145d66s 2
(Xe)4f145d76s 2
(Xe)4f145d106s 0
(Xe)4f145d106s1
(Xe)4f145d106s 2
Tantale
Tungstne
Rhnium
Osmium
Iridium
Platine
Or
Mercure
Csium
Barium
Lanthane
223 88
226 89
227
Fr
7
solide
liquide
gaz
Beryllium
Calcium
Scandium
Titane
Vanadium
Chrome
Maganse
4 Potassium
37
85,47 38
87,62 39
88,91 40
91,22 41
92,91 42
95,94 43
98,91 44
3A
10,81 6
masse atomique
Tl
Pb
Bi
Po
At
Rn
(Xe)4f145d106s 26p1 (Xe)4f145d106s 26p2 (Xe)4f145d106s 26p3 (Xe)4f145d106s 26p4 (Xe)4f145d106s 26p5 (Xe)4f145d106s 26p6
Thalium
Plomb
Bismuth
Polonium
Astate
Radon
Ra Ac**
(Rn)7s1
(Rn)7s2
(Rn)6d17s 2
Francium
Radium
Actinium
* 58
Lanthanides
Actinides
140,9 60
144,24 61
Ce
Pr
Nd
(Xe)4f25d06s 2
(Xe)4f35d06s 2
(Xe)4f45d06s 2
**
140,1 59
90
145 62
150,35 63
Pm Sm
(Xe)4f55d06s2
(Xe)4f65d06s 2
152,0 64
157,3 65
158,9 66
162,5 67
164,9 68
167,3 69
168,9 70
173,0 71
175,0
Eu
Gd
Tb
Dy
Ho
Er
Tm
Yb
Lu
(Xe)4f75d06s2
(Xe)4f75d16s2
(Xe)4f95d06s 2
(Xe)4f105d06s 2
(Xe)4f115d06s 2
(Xe)4f125d06s 2
(Xe)4f135d06s 2
(Xe)4f145d06s 2
(Xe)4f145d16s 2
Crium
Prasodyme Nodyme Promthium Samarium
Europium
Gadolinium
Terbium
Dysprosium Holmium
Erbium
Thulium
Ytterbium
Luttium
232,0 91
231 92
238,0 93
237,1 94
244 95
243 96
247 97
247 98
251 99
254 100
257 101
256 102
254 103
257
Th
Pa
Np
Pu
Bk
Cf
(Rn)5f06d27s 2
(Rn)5f26d17s 2
(Rn)5f36d17s 2
(Rn)5f56d07s2
(Rn)5f66d07s 2
(Rn)5f76d07s2
Am Cm
(Rn)5f76d17s2
(Rn)5f76d27s 2
(Rn)5f96d17s 2
Thorium
Protactinium
Uranium
Neptunium
Plutonium
Amricium
Curium
Berklium
Californium
Es
Einsteinium
Fm Md
Fermium
Mendlviuml
No (Lw)
Noblium
Laurencium
Physique du Solide
Matriaux semiconducteurs :
Colonne IV : Si, Ge, C,

III - V
: GaAs, InSb
II - VI : CdTe,
Structure lectronique :
Si : (Ne)3s23p2 : 4 lectrons de valence
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 lectrons de valence
Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 lectrons de valence
As : (Ar)3d104s24p3 : 5 lectrons de valence
En moyenne
4 lectrons
de valence
Etc.
Physique du Solide
Structure cristallographique :
Structure diamant
Si,Ge,C
Structure Zincblende
GaAs, InSb
Structure cfc
4 plus proches voisins (ppv) avec une
coordination ttradrique
Quelques II-VI : structure wurtzite, NaCl
Physique du Solide
Si, cfc, a = 5,431
Atomes en (0;0;0)
et
(; ;)
Si : 4 lectrons de valence
8 lectrons / maille
Hybridation sp3
Les 4 lectrons de chaque Si forment
des liaisons covalentes avec les 4 ppv
Distance entre ppv : 2,33
4 lectrons de valence + structure cfc avec motif
Semiconducteur, Pourquoi ?
Physique du Solide
Rponse : Structure de bande
kz
1re Zone de Brillouin

d'une structure cfc
L
kx
ky
K
Point : Centre de zone

Point X : Bord de zone dans la direction 100
et quivalentes
Point L : Bord de zone dans la direction 111
et quivalentes
Point K : Bord de zone dans la direction 110
et quivalentes
Direction : Direction 100 et quivalentes
Physique du Solide
Structure de bandes de Ge, Si et GaAs
Physique du Solide
Ingnierie du gap : Alliages ternaires - quarternaires
Alliages de type AlxGa1-xAs
Variation du gap en , X et
en L pour un alliage
AlxGa1-xAs en fonction de x
Autres substitutions possibles
Physique du Solide
Composs III-V : paramtre de maille en fonction du gap
et de la longueur d'onde correspondante.
Physique du Solide
lectrons et Trous : Structure de bandes
Semiconducteur : 2 bandes spares par un gap
Bande de Valence (BV)
<=>
Bande de Conduction (BC)
Ordre de grandeur :
T=0K:
Si :
GaAs :
Eg = 1,12 eV
Eg = 1,42 eV
BV pleine, BC vide
g(E), f(E)
T=0K
EV EF EC
Physique du Solide
A T > 0 K, le taux d'occupation des tats est donn par la
distribution de Fermi-Dirac:
1
f E
E EF
Attention : Jargon !
1 exp
kBT
EF = !!!
Quelques lectrons passent de la BV la BC,
Ils sont thermiquement activs
g(E), f(E)
T>0K
EV EF EC
Physique du Solide
Pour les proprits de transport :
Quelques lectrons dans la BC
Quelques trous dans la BV
Les lectrons
Les trous
:
:
Leur nombre est trs infrieur

au nombre d'tats disponibles
en bas de la BC
en haut de la BV
Il faut connatre les masses effectives en bas de la BC

en haut de la BV
g(E), f(E)
T>0K
EV EF EC
Physique du Solide
Masse effective dans la BC : Matriau gap direct (ex. GaAs)
Le minimum est situ en
2E
2 est isotrope (ne dpend pas de la direction)
k
2 2
k
Dveloppement de E(k) autour de E EC
*
2 mC
, i.e. une loi de style lectrons libres caractriss
par une masse effective isotrope mC*
Surface E - EC = const.
Sphre centre en
2 mC*
de rayon
E EC
k
2
Physique du Solide
Masse effective dans la BC : Matriau gap indirect (ex. Si, Ge)
Le minimum n'est pas situ en
Pour Si : 0,85 X
Pour Ge : en L sur le bord de zone
Pour Si : 6 minima (6 * (100))
Pour Ge : 8 minima (8 * (111))
La masse effective n'est pas isotrope
Relation de dispersion :
2 2
E EC
k
* i
i1,2,3 2 mi
En principe 3 masses effectives mi*
Physique du Solide
(100)
Si
En ralit : pour des raisons de symtrie :

Pour Si : 1 masse longitudinale ml* suivant (100)
1 masse transverse mt* suivant deux directions
Pour Ge : 1 masse longitudinale ml* suivant (111)
1 masse transverse mt* suivant deux directions
Les surfaces E - EC = const. : ellipsodes de rotation
(111)
Ge
Physique du Solide
Masse effective dans la BV :
Le maximum est situ en
3 bandes se trouvent prs du maximum
La bande spin-orbite (SO) quelques
dizaines de meV en dessous de EV (ngligeable)
E
hh
lh
SO
2 bandes confondues en mais avec des courbures diffrentes

Une bande de trous lourds : mhh*
Une bande de trous lgers : mlh*
Les masses effectives sont presque isotropes
Physique du Solide
Densit d'tats et masse effective de densit
d'tats
3
1 2
Un lectron occupe un volume de
dans l'espace des k
2 L
(Conditions aux limites priodiques)
BC pour un matriau gap direct :
2 2
k
La relation de dispersion s'crit : E EC
*
2 mC
Dans une sphre de rayon k on peut placer N lectrons avec :

4 3
k
3
k
3
N 3
L
3
32
1 2
2 L
2mC*
2
N
1
ou n 3 2
L
3
E EC
Physique du Solide
Si E augmente de dE il y aura dn lectrons/unit de volume de plus
La densit d'tat est
dn
1
g E
2
dE 2
*
2mdC
2
E EC
mdC* : masse effective de densit d'tat = mC*

BC pour un matriau gap indirect
Pour un minimum :
2 2
E EC
k
* i
i1,2,3 2 mi
La surface E - EC = const. : ellipsode avec les trois axes :

2 mi*
ki
E EC
2
Physique du Solide
Le volume de l'ellipsode :
4
4
V ( E ) k1 k 2 k3 3 8 m1*m2*m3*
3
3
E E
1
Dans ce volume, on peut placer N lectrons avec :

n
N (E)
V (E)
4 3
V (E)
1 2
2 L
La densit d'tats pour un ellipsode est :

dn E
1
gE
2 3 8m1*m2*m3*
dE
2
1
2
1
EC 2
Avec M ellipsodes dans la 1re Zone de Brillouin,

la densit d'tats totale est :
M
g E 2 3 8m1*m2*m3*
2
1
2
1
EC 2
M : Multiplicit
(Multivalley)
Physique du Solide
Dfinition : Masse effective de densit d'tats
M
g E 2 3 8m1*m2*m3*
2
En consquence :
Exemples
1
2
*
mdC
1 !
EC 2
*
1 2 mdC
22 2
3
2
1
EC 2
1
M2m1*m2*m3* 3
1 masse longitudinale ml*

2 masses transverses mt*
6 ellipsodes : M = 6
*
mdC
Si
1
2
M2ml*mt* 3
ml* = 0,98 m0 mt* =0,19 m0

*
mdC
1,08 m0
Physique du Solide
1 masse longitudinale ml*
2 masses transverses mt*
8 demi - ellipsodes : M = 8/2 = 4
*
mdC
Ge
1
2
M2ml*mt* 3
ml* = 1,64 m0 mt* = 0,082 m0

*
mdC
0,56 m0
Remarque : Les masse effectives sont gnralement donnes

en units de la masse de l'lectron libre
m0 = 9,1093897 10-31 kg
Physique du Solide
BV - Combinaisons des trous lourds et des trous lgers
La densit d'tat est la somme des densits des 2 bandes :
3
*
* 3
1
2
m
2
m
1
hh 2
lh 2
g E ghh E glh E 2
2 EV E 2
2
2

1
! 1 2m * 3
dV 2
Dfinition de la masse
2
E
E
2
V
2 2
effective de densit d'tats
*
*
mdV
mhh
mlh*
2
3
Pour le Si : mhh* = 0,49 m0; mlh* = 0,16 m0

mdV* = 0,55 m0
Physique du Solide
En rsum :
BC gap direct
BC gap indirect
BV
Masse effective
1
2
*
2 En
m 2
k
mC* m*
mt*
ml*
*
mhh
mlh*
isotrope
M minima
trous lourds
trous lgers
Masse effective
de densit d'tats
*
mdC
mC*
*
mdC
1
2
M2ml*mt* 3
*
*
mdV
mhh
mlh*
2
3
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Semiconducteurs intrinsques
Dfinitions :
n = n(T) : Nombre des lectrons
dans la bande de conduction
temprature T
p = p(T) : Nombre des trous
dans la bande de valence
temprature T
EC
EV=0
Eg
k
EC :
nergie minimale de la BC (indpendante du nombre de minima)
EV :
nergie maximale de la BV
Physique du Solide

Concentration des porteurs : lectrons dans la BC
Avec la notion de la densit d'tats :
1
n T g E f E dE 2
2
E
C
*
2mdC
2
Changement de variable : x
*
1 2mdC
n T 2
2 2
EF EC
avec
kBT
3
2
3
2
1
EC 2 dE
EC 1 exp E EF
kT
B
EE
kBT
EC
Eg
EV=0
3
2
1
x 2 dx
kBT
1 exp x
0
F1 2
Intgrale de Fermi - Dirac

Pas de solution analytique mais 2 cas limites
Physique du Solide

EC EF
1
L'approximation de Boltzmann :
kBT
Signification : EF est beaucoup plus petit que EC et se situe
E EF
l'intrieur du gap
1
On a : x
kBT
F1 2
1
x 2 dx
1 exp x exp x
EF EC
exp
kBT
1
x 2 dx
1
e x x 2 dx
EF EC
exp
kBT 2
On obtient pour la concentration des lectrons :

EF EC
n NC exp
kBT
*
mdC
kBT
avec NC 2
2
2
3
2
Physique du Solide

EF EC
n NC exp
kBT
*
mdC
kBT
avec NC 2
2
2
NC : densit d'tats effective de la BC

En remplaant les constantes :
*
m
25
dC
3
2
3
2
3
2
T
3
NC 2,5 10
m
300
m
0
Exemples numriques :
Si :
NC = 2,8 1025 m-3
Ge :
NC = 1,04 1025 m-3
GaAs : NC = 4,7 1023 m-3

Physique du Solide

Interprtation de l'approximation de Boltzmann :
La statistique de Fermi - Dirac est remplace par la statistique
de Maxwell - Boltzmann
EF E
1
f E
exp
E EF
kBT
1 exp
kBT
Il y a tellement peu d'lectrons (<< 1025) par rapport la densit
d'tats (~ 1030), que le principe de Pauli ne se manifeste plus
Boltzmann
Fermi
EV EF EC
Physique du Solide

Approximation des lectrons libres :
EF EC
1
kBT
EF se situe l'intrieur de la BC :
Semiconducteur dgnr !
1
x 2 dx
Intgrale de Fermi - Dirac
2 2
F1 2

1 exp x 3
0
EF EC
1/2
1
n 2
3
3
2
2 2
EF EC
3 n
*
2 mdC
Mme rsultat que pour
les lectrons libres de masse mdC*
ou
*
2mdC
2
10
0.1
EF
Physique du Solide

Concentration des porteurs : trous dans la BV
Avec la notion de la densit d'tats :

EV
1
p T g E 1 f E dE 2
2
*
2mdV
2
3
E
2 V
EV E
3 kBT
Changement de variable : x
*
1 2mdV
p T 2
2 2
EV EF
avec
kBT
3
2
EV E
1
2 dE
EF E
exp
kBT
EC
EV=0
Eg
k
1
x 2 dx
kBT
1 exp x
0
F1 2
Intgrale de Fermi Dirac

Pas de solution analytique mais 2 cas limites
Physique du Solide

EF EV
1
L'approximation de Boltzmann :
kBT
Signification : EF est beaucoup plus grand que EV et se situe
l'intrieur du gap
EV EF
F1 2 exp
kBT 2
On obtient pour la concentration des trous :
*
mdV
kBT
EV EF
avec NV 2
p NV exp
2
kBT
2
3
2
Physique du Solide

EV EF
p NV exp
kBT
*
mdV
kBT
avec NV 2
2
2
NV : densit d'tats effective de la BV

En remplaant les constantes :
*
m
25
dV
3
2
3
2
3
2
T
3
NV 2,5 10
m
300
m
0
Exemples numriques :
Si :
NV = 1,04 1025 m-3
Physique du Solide

EV EF
1
kBT
Approximation des lectrons libres :
EF se situe l'intrieur de la BV :
Semiconducteur dgnr !
F1 2
ou
1
x 2 dx
3
2 2
1 exp x 3
1
p 2
3
*
2mdV
2
EV EF
3
2
2 2
EV EF
3
p
*
2 mdV
Mme rsultat que pour les "trous" libres de masse m dV*

Physique du Solide

Position du niveau de Fermi
Chaque lectron de la BC vient de la BV en laissant un trou
n=p
1.2
1.2
1.2
0.8
0.8
0.8
0.6
0.6
0.6
0.4
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0
-1.5 -1 -0.5 0
0.5
1.5
2.5
0
-1.5 -1 -0.5 0
0.5
1.5
2.5
0
-1.5 -1 -0.5 0
0.5
1.5
2.5
EF se situe vers le milieu du gap

L'approximation de Boltzmann s'applique
Physique du Solide

EF EC
n NC exp
kBT
EV EF
p NV exp
kBT
*
EC EV kBT NV EC EV 3kBT mdV
EF
ln
ln *
2
2
NC
2
4
mdC
Concentration des porteurs intrinsques :

Le produit
Eg ! 2
EV EC
np NCNv exp
NCNv exp
ni
kBT
kBT
ne dpend que de T, mais pas de EF
On appelle : concentration de porteurs intrinsque
Eg
n i NCNv exp
2 kBT
Physique du Solide

n i NCNv exp
Eg
2 kBT
Pour un SC intrinsque : n = p = ni
T = 300 K : pour Si : ni = 1,45 1016 m-3
pour GaAS : ni = 1,79 1012 m-3
Effet de compensation :
Pour une temprature donne :
n2i =np = const.
Si n augmente, p doit diminuer et vice versa !
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

Semiconducteurs extrinsques
Pour le Si : ni = 1,45 1016 m-3
Il y a ~ 5 1028 atomes/m3
Impossible !!!
Pour avoir un SC intrinsque,

il faut une purification du
cristal > 10-12
Il y a des impurets et des dfauts
Supposition : La densit de dfauts et d'impurets dans le SC

est suffisamment faible pour ne pas modifier la structure de
bandes du SC pur, mais ils donnent lieu des niveaux d'nergie
discrets.
Matriau parfait : SC intrinsque
Matriau avec impurets : SC extrinsque
Physique du Solide

Les niveaux extrinsques se situent dans le gap :
niveaux voisins des limites de bandes (shallow levels)
niveaux profonds proche du milieu du gap (deep levels)
niveaux donneurs
niveaux accepteurs
Les niveaux profonds seront trait ultrieurement !
Physique du Solide

Donneurs : (Dopage de type n)
Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome pentavalent :
As : 5 lectrons 4 lectrons sont pris dans les liaisons
Le 5me lectron gravite autour l'ion de As+
Schmatiquement :
Si
Si
Si
C'est l'quivalent d'un atome d'H
- - Si - - Si
- - As+ - - Si
- - Si - - Si
As+
Milieu dilectrique
Physique du Solide

1 e2
Le potentiel d'interaction s'crit : V
4 0 r
La solution de l'quation de Schrdinger pour ce genre de
systmes est connue !
e 4me*
nergie de liaison : Ed
2 4 0 2
"Rayon" de l'orbite :
Comparaison :
4 0 2
rB
me*e2
=1
me* = m0Ed = -13,6 eV
Si
= 12
me* = 0,4 m0
rB = 0,53
Ed = -0,04 eV
rB = 13
Physique du Solide

Chaque atome d'As ajoute un niveau d'impuret Ed
en-dessous de EC (Concentration ND)
E
T=0K
EC
ED
EV
BDC
Ed
BDV
Quelques nergies de liaison

EC-ED (meV)
As
Sb
Si
Ge
45
12
49
13
39
10
Physique du Solide

Accepteurs : (Dopage de type p)
Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome trivalent :
B : 3 lectrons
3 lectrons sont pris dans les liaisons

dans la 4me liaison il y a une place libre
Schmatiquement :
C'est l'quivalent d'un atome d'H invers
Si - + Si - Si - - B- - Si - - Si - -
Si
Si
-
+
B-
Si
Milieu dilectrique
Physique du Solide

Le calcul se fait de la mme manire que pour les donneurs
Chaque atome d'Al ajoute un niveau d'impuret E A
Au-dessus de EV (Concentration NA)
T=0K
E
EC
EA
EV
BDC
BDV
Quelques nergies de liaison

EA (meV)
Al
Ga
Si
Ge
45
11
57
10
65
10
Physique du Solide

Compensation :
SC avec ND Donneurs et NA Accepteurs
T=0K
E
EC
ED
EA
EV
BDC
Ed
BDV
Si ND > NA
==>
SC type n
Si NA > ND
==>
SC type p
Physique du Solide

Occupation des niveaux d'impurets T > 0 K
L'occupation des niveaux d'impurets suit la statistique de
Fermi - Dirac, mais il faut tenir compte de :
-
les diffrents tats de charge
les diffrents tats de spin
et les combinaisons possibles entre eux
Physique du Solide

Donneurs :
Concentration ND = ND0 + ND+
BDC
EC
ED
tat
neutre
tat
ionis
EV
Ed
BDV
Le nombre de niveaux de
donneurs neutres :
1
0
ND ND
ED EF
1
1 exp
gD
kBT
gD : facteur de dgnrescence (pour des donneurs monovalents

et deux tats de spin possible, gD = 2)
Nous cherchons ND+ parce que cela correspond au nombre
d'lectrons qui sont passs dans la BC
Physique du Solide

Nombre de donneurs ioniss :
ND
ND
EF ED
1 gD exp
kBT
ND ND0
Ln ND+
ND
ii)
i)
T2
T1 < T2
T1
ED
EF
Deux comportement limites :

EF ED
1
i)
kBT
ED EF
ND
ND
exp
gD
kBT
ii)
EF ED
1
kBT
ND ND
Physique du Solide

Accepteurs :
Nombre d'accepteurs ioniss NA= Nombre de trous dans la BV
BDC
EC
EA
EV
NA
tat
neutre
tat
ionis
BDV
Ln NA-
NA
EA EF
1 gA exp
kBT
gA : facteur de dgnrescence
(accepteurs monovalents, 2 tats
de spin et deux bandes : gA = 4)
NA
T2
T 1 < T2
T1
EA
EF
Physique du Solide

quation de neutralit lectrique : (ENE)
(Dtermination de la position du niveau de Fermi)
Bilan du nombre total des lectrons dans un semiconducteur dop :
On a :
N atomes du SC
==>
4N lectrons
ND atomes donneurs
==>
5ND lectrons
NA atomes accepteurs
==>
3NA lectrons
Au total :
4N + 5ND +3NA lectrons
Physique du Solide

4N 5ND 3NA
4N p
BV
3 NA NA
5ND ND
Accepteurs Accepteurs
neutres
ioniss
Donneurs
neutres
4NA
4ND
Donneurs
BC
ioniss
4N 3NA 5ND p NA ND n
p ND n NA
Remarque : les calculs de n et p du paragraphe prcdent restent
valables, c'est la position du niveau de Fermi
qui change.
Physique du Solide

Rsolution de l'quation de neutralit lectrique :
p ND n NA
On a :
ND
Avec :
EF ED
1 gD exp
kBT
Solution analytique
NA
NA
rigoureusement
EA EF
1 gA exp
impossible !
kBT
Si Boltzmann s'applique
mais on peut regarder
EF EC
n NC exp
ce qui se passe dans
kBT
des cas particuliers
EV EF
p NV exp
kBT
ND
Physique du Solide
1er exemple SC type n, i.e. NA = 0 : p ND n
1er cas : ND + = ND i.e. EF << ED

p ND n
pn ni2
Ionisation complte des donneurs
n2 nND ni2 0
ND ND2 4ni2
n
2ND
2 possibilits :
i)
ND >> ni
EF EC !
n NC exp
ND
kBT
n = ND ;
ni2
p
n
ND
EF EC kBT ln
NC
Tous les lectrons de la BC proviennent des donneurs
Rgime de saturation
Physique du Solide

ii)
ND << ni
n = p = ni
Comme pour un SC intrinsque

Eg
EC EV kBT NV
n i NCNv exp
EF
ln
2 kBT
2
2
NC
Rgime intrinsque
Temprature limite :
La transition entre les deux rgimes aura lieu pour T i dfinit par :
ND NCNv exp
Eg
2 kBTi
Attention : solution pas simple car NC, NV sont
donns en fonction de T
Physique du Solide

2me cas : ND + =/ ND i.e. EF ~ ED
Temprature limite par rapport au rgime prcdent :
NC
EF = E D
EC ED kBTg ln
ND
L'quation de neutralit lectrique s'crit :
ND
n ND
EF ED
1 gD exp
Si T << Tg, i.e. EF-ED >> kBT
kBT
EF EC
ED EF
ND

NC exp
exp
gD
kBT
kBT
ED EC kBT
ND
EF
ln
2
2
gDNC
NCND
EC ED
n
exp
gD
2kBT
Rgime du gel
Physique du Solide

En rsum :
Ln n
extrinsque
intrinsque
EC
ED
~Eg
saturation
gel
EF(T)
EFi
Ln ND
~(EC-ED)
EV
1/Ti
1/Tg
1/T
Tg
Ti
Physique du Solide

2me exemple SC type p, i.e. ND = 0 :
p n NA
On retrouve les mmes rgimes que pour un SC type n

-
Rgime intrinsque
EC EV kBT NV
EF
ln
2
2
NC
2 kBT
Rgime de saturation
NV
EF EV kBT ln
NA
p n n i NCNv exp
Eg
Rgime de gel
EV EA kBT gANV
EF
ln
2
2
NA
p = NA ;
ni2
n
p
NV NA
EA EV
p
exp
gA
2kBT
Physique du Solide

En rsum :
extrinsque
intrinsque
Ln p
E
EC
~Eg
saturation
gel
EFi
Ln NA
~(EA-EV)
1/Ti
1/Tg
1/T
EF(T)
EA
EV
Tg
Ti
Physique du Solide

Technique de solution de l'quation de neutralit lectrique :
solution graphique semiquantitative qui permet de voir quelles
sont les approximations qu'on peut faire
ND
ND
Diagramme de Schockley :
EF ED
1 gD exp
kBT
On considre EF comme variable,
N
A
NA
T comme paramtre et on trace
EA EF
les 4 fonctions dans un mme
1 gA exp
kBT
diagramme semi-log
EF EC
n NC exp
kBT
EV EF
p NV exp
kBT
Ensuite on construit les fonctions

p+ND+ et n+NA- et on trouve leur
intersection.
Physique du Solide

Exemple : SC type n
1,E+25
Matriau
GaAs
Gap d'nergie
1,42 eV
-3
NC (300K)
4,70E+23 m
-3
NV (300K)
7,00E+24 m
Temprature
1,E+24
1,E+23
1,E+22
300 K
1,E+21
EC -ED
gD
1,E+20
-3
1,00E+17 m
L'ENE :
p ND n
p+ND+
1,E+19
0,05 meV
p (m -3)
Donneurs
ND
1,E+18
1,E+17
EF
1,E+16
1,E+15
1,E+14
1,E+13
1,E+12
1,E+11
1,E+10
0
0,5
1
EF (eV)
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Rsume
Un semiconducteur est caractris par un gap dans sa structure de bandes entre les
tats occups T = 0K (Bandes de Valence) et les tats vides (Bande de conduction).
le gap peut tre direct (GaAs) ou indirect (Si).
A T > 0K, quelques lectrons peuvent tre activ thermiquement dans la BdC
partir de la BdV en y laissant des trous.
La masse effective de densit d'tats est la moyenne pondre des composantes du
tenseur de masse effective calcul partir de la structure de bandes, pour dcrire
la rpartition des porteurs dans les bandes.
Dans l'approximation de Boltzmann :
Pour un SC non dgnr, la concentration des lectrons dans la BdC est :
3
2
m* kBT
EF EC
avec NC 2 dC 2
n NC exp
2
kBT
Pour un SC non dgnr, la concentration des trous dans la BdV est :

E EF
p NV exp V
kBT
avec
m* kBT
NV 2 dV 2
2
3
2
Physique du Solide
La condition de neutralit lectrique s'crit : n = p et le niveau de Fermi se situe :
*
EC EV kBT NV EC EV 3kBT mdV
EF
ln
ln *
2
2
NC
2
4
mdC
La concentration de porteur intrinsque est donn par :
Eg ! 2
EV EC
np NCNv exp
NCNv exp
ni
kBT
kBT
n i NCNv exp
Eg
2 kBT
Semiconducteurs extrinsques :
Dopage type n : ajout de niveau donneurs proche du minimum de la BdC
Dopage type p : ajout de niveau accepteurs proche du maximum de la BdV
Nombre de donneurs ioniss :
ND
ND
E ED
1 gD exp F
kBT
Nombre d'accepteurs ioniss :

NA
NA
E EF
1 gA exp A
k
T
La position du niveau de Fermi est fix par la condition de neutralit lectrique :

p ND n NA
Physique du Solide
Exemples de solutions particulires :
extrinsque
type n
ND >> NA
gel
EC ED kBTg ln
NC
ND
saturation
ND NCNv exp
Eg
2 kBTi
intrinsque
type p
NA >> ND
NCND
EC ED
n
exp
gD
2kBT
EF
EF
ED EC kBT
N
ln D
2
2
gDNC
ni2
n ND p
n
N
EF EC kBT ln D
NC
n p ni
NVNA
EA EV
exp
gA
2kBT
EV EA kBT gANV
ln
2
2
NA
p NA
ni2
n
p
EF EV kBT ln
EF
n i NCNv exp
NV
NA
EC EV kBT NV
ln
2
2
NC
Eg
2 kBT
Physique du Solide

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V.

Quels sont les matriaux qui

Colonne IV : Si, Ge, C,

1re Zone de Brillouin

Point : Centre de zone

Autres substitutions possibles

Leur nombre est trs infrieur

Il faut connatre les masses effectives en bas de la BC

En ralit : pour des raisons de symtrie :

2 bandes confondues en mais avec des courbures diffrentes

Dans une sphre de rayon k on peut placer N lectrons avec :

mdC* : masse effective de densit d'tat = mC*

La surface E - EC = const. : ellipsode avec les trois axes :

Dans ce volume, on peut placer N lectrons avec :

La densit d'tats pour un ellipsode est :

Avec M ellipsodes dans la 1re Zone de Brillouin,

1 masse longitudinale ml*

ml* = 0,98 m0 mt* =0,19 m0

ml* = 1,64 m0 mt* = 0,082 m0

Remarque : Les masse effectives sont gnralement donnes

Pour le Si : mhh* = 0,49 m0; mlh* = 0,16 m0

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

nergie minimale de la BC (indpendante du nombre de minima)

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Avec la notion de la densit d'tats :

Intgrale de Fermi - Dirac

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

On obtient pour la concentration des lectrons :

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

NC : densit d'tats effective de la BC

NC = 2,8 1025 m-3

NC = 1,04 1025 m-3

GaAs : NC = 4,7 1023 m-3

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Intgrale de Fermi - Dirac

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Avec la notion de la densit d'tats :

Intgrale de Fermi Dirac

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

NV : densit d'tats effective de la BV

NV = 1,04 1025 m-3

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Approximation des lectrons libres :

Mme rsultat que pour les "trous" libres de masse m dV*

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

EF se situe vers le milieu du gap

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

Concentration des porteurs intrinsques :

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

Pour avoir un SC intrinsque,

Il y a des impurets et des dfauts

Supposition : La densit de dfauts et d'impurets dans le SC

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

niveaux voisins des limites de bandes (shallow levels)

niveaux profonds proche du milieu du gap (deep levels)

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

C'est l'quivalent d'un atome d'H

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

me* = m0Ed = -13,6 eV

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques