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Ingeniera de materiales
Solucin slida intersticial los tomos de soluto se ubican en los espacios entre los
tomos de disolvente (mayor proporcin)
Solubilidad determinada por
Ingeniera de materiales
Defectos puntuales
Discontinuidades en la red uno o ms tomos
Causan los efectos de difusin
Origen
Vacancia
A vacancia
B tomos intersticiales
C tomos extraos
Defecto Frenkel
Ingeniera de materiales
tomo sustitucional
Defecto Schottky
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Vacancias
Durante la solidificacin
n=f(T)
nv = n exp(-Q/RT)
Ejemplo A qu temperatura debiera calentarse el cobre para producir 1000 veces las
vacancias que normalmente estn presentes a temperatura ambiente, considerando que
para producir una vacancia en el cobre se requiere aproximadamente 20000 cal/mol
Defecto intersticial
tomo en posicin normalmente
desocupada (H, C)
Defecto sustitucional
tomo en reemplazo de otro
(impureza o elemento aleante)
Ingeniera de materiales
Defecto Frenkel
Intesticio-vacancia
in salta de un punto
normal de la red a un vacancia
sitio intersticial
Defecto Schottky
Faltan dos iones de Divacante aninica y
carga opuesta en un
catinica
material inico
Materiales
inicos
Divacante aninica y
catinica
vacancia
Ingeniera de materiales
Defectos lineales
Imperfecciones lineales en la red (almacenan energa)
Origen Durante la solidificacin
Durante la deformacin
Dislocacin de borde
semiplano extra
Vector de Burgers distancia del desplazamiento de los tomos
en el sentido horario se avanza un n igual de espaciamientos
atmicos en cada direccin
Vector b a la direccin de dislocacin
Vector b // a la direccin de deslizamiento
Ingeniera de materiales
Ingeniera de materiales
Defectos lineales
Imperfecciones lineales en la red (almacenan energa)
Origen Durante la solidificacin
Durante la deformacin
Dislocacin de tornillo
Esfuerzo de corte
En forma de espiral
Vector b // a la direccin de dislocacin
Vector b a la direccin de deslizamiento
Ingeniera de materiales
Ingeniera de materiales
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DEFECTOS
PLANARES
Superficie del material trmino abrupto de la red (tomos con distinto n de oordinacin)
Lmites de grano porcin del material con diferente orientacin de la estructura cristalina
Hall-Petch
+Kd-1/2
= esfuerzo de fluencia
, K= constantes del
material
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Ingeniera de materiales
100x100
N=n granos por pulg 2
n= tamao de grano ASTM
Restricciones grano polidrico
MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO
Endurecimiento por deformacin
dn rompen la perfeccin de la red
Se necesita un mayor esfuerzo para el
avance de la dn (AB)
A mayor densidad de dn mayor es la
resistencia del material
Endurecimiento por ss
Alteracin de la red por un defecto puntual
Se necesita un mayor esfuerzo para el
avance de la dn
tomos sustitucionales o instersticiales