Circuito amplificador

de potencia con T2n3055

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Per, Decana de amrica

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica

E.A.P. Ingeniera de Telecomunicaciones

Datos:

CIRCUITOS ELECTRNICOS I
ING. CELSO GERNIMO
PERALTA BUSTILLOS JAZMN DAYANA
13190240

OBJETIVO

Una buena comprensin de los fundamentos bsicos

de la amplificacin de potencia.

INTRODUCCIN

En la mayora de los sistemas electrnicos la

amplificacin de seales es indispensable, los
requerimientos para este proceso que parece
contradecir a la arbitraria Ley de la Conservacin de
la Energa se centran en un elemento que es bsico y
fundamental para todo proceso cuyo propsito sea
obtener una ganancia de potencia, el transistor.

Figura 1 - Amplificacin de seal

MARCO TERICO

A continuacin presentaremos una variedad de

conceptos que abarcan el tema de nuestro trabajo:


EL TRANSISTOR (Transistor Bipolar o Transistor
Electrnico)

Inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici

una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier
previsin inicial.

Son elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de

circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad
de control.

Figura 2 - Partes de
un transistor

Figura 3 Corrientes de un
transistor


Tipos de transistores
Los transistores estn formados por la unin de tres cristales
semiconductores, dos del tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien
dos del tipo N y uno del P (transistores NPN).

Figura 4 Tipos de
transistores


Funciones
Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:
- Como Interruptor.
-Como un ELEMENTO AMPLIFICADOR DE SEALES.
*

Tambin:

amplificador,

oscilador,

conmutador

rectificador.


Funcionamiento
Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un
circuito:
- En activa: deja pasar ms o menos corriente.
- En corte: no deja pasar la corriente.
- En saturacin: deja pasar toda la corriente.


AMPLIFICADOR DE POTENCIA
(amplificador de audio, etapa de potencia, o etapa de ganancia )

Es un circuito capaz de aumentar el nivel de una seal.

Trabaja con corriente continua, cuya potencia se transfiere a la de la
corriente o seal alterna de salida.
Es fundamental la refrigeracin del mismo pues durante el proceso se
disipa gran cantidad de calor.
Fsicamente, un amplificador es un equipo en el que habitualmente,
slo hay un botn: el de encendido/apagado.


Caractersticas tcnicas
Determinan la calidad del amplificador:

Impedancia.
Factor de amortiguamiento.
Potencia de salida.
Relacin seal ruido.
Acoplamiento.
Respuesta en frecuencia.
Respuesta de fase.
Ganancia.
Sensibilidad.
Distorsin.
Diafona.

Figura 5 Amplificador
de potencia


Tipos de los amplificadores de potencia
La tipologa de los amplificadores est basada en la forma de la seal de
salida.
Entre las diferentes tipologas de etapas de potencia encontramos:


Amplificador de Clase A

La corriente de salida circula durante todo el ciclo de la seal de

entrada.
La corriente de polarizacin del transistor de salida es alta y constante.
La distorsin introducida es muy baja, pero el rendimiento tambin,
siempre por debajo del 25%.

Figura 6 Amplificador de clase A


Amplificador clase B
De positivo, hay seal; a negativo, no hay seal.
No circula corriente a travs de los transistores de salida cuando no
hay seal de audio.
La distorsin introducida es muy elevada.
El rendimiento mejora notablemente respecto a la clase A, aunque
inferior al 80%.
La calidad es muy pobre.

Figura 7 Amplificador de clase B


Amplificador clase AB
La corriente circula entre medio ciclo y el ciclo completo de la seal de
entrada.
Como en la clase A, hay una corriente de polarizacin constante, pero
relativamente baja, evitando la distorsin de cruce.
Son los de ms calidad.
Es una mejora de la clase B para evitar la distorsin excesiva.
Su rendimiento es mejor que el de la A, pero inferior a la B.

Figura 8 Amplificador de clase AB


Amplificador de clase C
La corriente solo circula durante menos de medio ciclo de la seal de
entrada.
Trabaja para una banda de frecuencias estrecha.
Resulta muy apropiado en equipos de radiofrecuencia.

Figura 9 Amplificador de clase C


ANLISIS DE UN AMPLIFICADOR
MEDIANTE SU ASIMILACIN A UN
CUADRIPOLO (red de dos puertas)

Permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros

relativamente simples que nos proporcionan informacin sobre
su comportamiento.
De esta forma podemos definir los siguientes parmetros:


Ganancia de tensin (normalmente en decibelios):
Av = Vo / Vi
Impedancia de entrada (ohmnios):
Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida (ohmnios):
Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
Ganancia de corriente (normalmente en decibelios):
Ai = Io / Ii
Ganancia de potencia (normalmente en decibelios):
Ap = Po / Pi

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y

menor sea su impedancia de entrada y salida.

Figura 10 Amplificador como

cuadripolo


RENDIMIENTO DE UN
AMPLIFICADOR

En un amplificador de potencia es muy importante que la potencia que

entrega la fuente sea aprovechada al mximo para conseguir la mayor
potencia de seal de salida.
Es decir, que el rendimiento de un amplificador se determina
mediante, la siguiente relacin:


EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE
POTENCIA

La amplificacin de potencia de seales es una funcin importante del transistor. Pero

tambin existen tipos de circuitos integrados (CI) aptos para esta funcin. Debido a su
gran slida estructura, son del uso general para la fabricacin de sistemas
electrnicos.
Los transistores bipolares de potencia se pueden emplear tanto en aplicaciones
lineales como en conmutacin.
Normalmente se los emplea en configuracin Darlington, debido a que la ganancia de
corriente es pequea, .
El montaje ms tpico del transistor bipolar como amplificador de potencia, es el de
emisor comn (EC).


Caractersticas
Recta de carga para seal
La recta de carga para seal tiene una mayor pendiente que la recta de carga para continua si la resistencia de
colector para seal es menor que la resistencia de colector para continua.
Lmites para la excursin de seal
La mxima excursin de seal se conseguir cuando se logre ubicar el punto de operacin del transistor en la
mitad de la recta de carga AC, permitiendo al punto de operacin moverse en iguales proporciones durante el
ciclo positivo y negativo de la seal de entrada, entre 0 y K*Vcc . Al conseguir esto, se entiende que al provocarse
saturacin en la salida con un de los hemiciclos de la seal de entrada, se generar tambin saturacin en el
hemiciclo contrario.
Limitacin de potencia para un transistor
La temperatura en la unin del transistor limita la potencia que un transistor puede disipar sin que se destruya.
La temperatura del encapsulado se halla entre la temperatura de la unin y la temperatura ambiente. Los
disipadores de calor permiten que el calor escape con mayor facilidad de un transistor, lo que hace que
disminuya la temperatura de la unin.


EL TRANSISTOR 2N3055

Es un transistor NPN de potencia .

Fue introducido en la dcada de 1960 por la firma
estadounidense RCA usando el proceso hometaxial para
transistores de potencia, que luego pas a una base epitaxial en
la dcada de 1970.
Su numeracin sigue el estndar JEDEC.2.

Figura 11 Transistor
2N3055


Especificaciones
Bsicos
Es un cepillador epitaxial de base de silicio que posee una carcasa metlica Jedec TO-3. Entre los transistores de este tipo se
encuentran St Microelectronics, Siemens, Motorola, Microsemi y Central Semiconductor Corporation.
Valores
Posee un colector base de voltaje mximo de 100 voltios, un colector-emisor de voltaje VCER mximo de 70 voltios y un colectoremisor de voltaje mximo de 60 voltios. El emisor base VEBO de voltaje del dispositivo es de 7. Posee un colector de corriente con
capacidad mxima de 15 amps y una capacidad base de corriente de 7 amps. El 2N3055 posee una disipacin total de 115 vatios.
Especificaciones trmicas
Posee una temperatura mxima de empalme operativo de 200 grados centgrados o 392 grados Fahrenheit. Puede almacenarse a
temperaturas que oscilen entre los menos 65 y los 200 grados Celsius. La resistencia trmica de la cubierta de unin del
dispositivo es de 1.5 grados centgrados por vatio, la medida de capacidad del transistor para la transferencia de calor.
Especificaciones elctricas
Bajo condiciones de prueba de 100 voltios, tiene un colector ICEX de corte de 1 mega-amp y una tasa de corriente de 5 mA. En 30
voltios, su colector ICEO de corte cae a un mximo de 0,7 mA. El transistor posee un emisor-colector de voltaje sostenido VCEO
mnimo de 60 voltios, una ganancia mxima de corriente continua de 70 voltios, una frecuencia de transicin de 3 mega Hertz y un
segundo colector de desglose de corriente de 2,87 amps.

AMPLIFICADOR DE
POTENCIA CON T-2N3055

Se tiene el diseo de un amplificador de potencia para una entrada de 12

V.
Par realizar el montaje completo del amplificador hemos utilizado el
programa de diseo Orcad en su versin 16.3.

Orcad
Este programa nos permite la captura de esquemas (Orcad Capture) con el
que realizamos todo el montaje del circuito. Para ello se dispone de varios
cientos de componentes electrnicos agrupados en distintas libreras de
las que podemos hacer uso para colocar en el esquema lo componentes
necesarios.


ESQUEMA ELCTRICO

El esquema elctrico realizado con Orcad qued como se ve a

continuacin:

Figura 11 - Esquema utilizado por Orcad para confeccionar el circuito


REALIZACIN DE LA PLACA DE CIRCUITO
IMPRESO

El circuito impreso finalizado con el Programa Orcad nos ha quedado

como se muestra en la figura 12.
Las pistas indican todos los caminos que puede tomar la corriente
elctrica, tambin se puede observar la ubicacin exacta que tomar
cada dispositivo electrnico.

Figura 12 - Presentacin de Orcad de las pistas del circuito impreso


Imagen de la placa final del circuito impreso
Tambin podemos observar cmo quedar la placa de
nuestro circuito impreso, es decir la imagen de solo las
pistas del circuito.

Figura3 Circuito Impreso


Componentes
Los componentes o dispositivos utilizados son los que se ven en la
siguiente imagen de Orcad.

IMGENES DE MI TRABAJO