CAPITULO V

DEFECTOS O IMPERFECCIONES
CRISTALINAS

1. GENERALIDADES.
No hay cristales perfectos debido a que hay
imperfecciones cristalinas, que afectan a muchas
de las propiedades fsicas y mecnicas
importantes de los metales y sus aleaciones;
entre ellas, desde el punto de vista de ingeniera
tenemos: capacidad de deformacin en fro,
conductividad elctrica, resistencia mecnica,
corrosin, velocidad de difusin, etc.

2. CLASES DE DEFECTOS O IMPERFECCIONES

ESTRUCTURALES.
Estn clasificados de acuerdo a su geometra y
forma, estos son:
a) Defectos puntuales, de dimensin cero.
b) Defectos de lnea o de una dimensin
(dislocacin).
c) Defectos de dos dimensiones, que incluyen
superficies externas y bordes de grano interno.

2.1. DEFECTOS PUNTUALES O CERO

DIMENSIONALES
Entre las cuales tenemos :

VACANTES.

INTERSTICIALES.

IMPUREZAS O INCLUSIONES.

A. VACANTES.
Son agujeros dejados por la prdida de
tomos que se encontraban en una posicin
reticular, estas se pueden producir durante el
proceso de solidificacin, por perturbaciones
locales en la red, durante el crecimiento del
grano, o por reordenamiento atmico en el
cristal, debido a la movilidad de los tomos. En
los metales la concentracin de huecos en
equilibrio, raramente excede de 1 entre 10000.

Fig. 5.1. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA.

B. INTERSTICIALES.
Este defecto se produce, cuando un tomo de la
red ocupa un lugar intersticial, entre los tomos que lo
rodean, en sitios atmicos normales.
Estos se
pueden producir en la estructura cristalina por
irradiacin con partculas energticas.
C. IMPUREZAS.
Constituidas por tomos extraos a la red
cristalina, los que pueden tener un dimetro mayor o
menor que los de la red. Estos estn presentes,
desde el inicio del proceso de los materiales y se
pueden ubicar en posiciones reticulares o
intersticiales.

Fig. 5.2. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA.

D. DEFECTO SCHOTTKY.
En cristales inicos, los defectos puntuales son
ms complejos, debido a la necesidad de mantener
la neutralidad elctrica de los mismos, cuando dos
iones de cargas opuestas se pierden en un cristal
inico, se
producen huecos anin - catin;
produciendo defectos Schottky.
E. DEFECTO FRENKEL.
En cristales inicos, cuando un catin se mueve a
una posicin intersticial, se produce una vacante en
la posicin del ion, a esta dualidad de vacante defecto intersticial, se le llama defecto Frenkel. La
presencia de estos defectos, en un material inico
incrementa su conductividad elctrica.

Fig. 5.3. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA DE MATERIALES

IONICOS.

Las vacantes adicionales, en un material

tambin puede producirse por:
a)Por enfriamiento rpido desde altas temperaturas
a bajas temperaturas.
b)Por deformacin plstica del metal.
c) Por bombardeo con partculas energticas.
d)En los compuestos qumicos, como una respuesta
a las impurezas qumicas y a las composiciones
no estequiomtricas.
Las vacantes no equilibradas, tienen tendencia
a unirse formando clsteres, las cuales pueden
cambiar de posicin con sus vecinas; este proceso
es importante en la difusin de tomos en estado
slido, sobre todo a altas temperaturas donde la
movilidad de tomos es mayor.

2.2. DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES O DE

UNA DIMENSION
Son defectos en los slidos cristalinos que
distorsionan la red alrededor de una lnea, estos se
crean por:
Por una deformacin plstica permanente.
Por condensacin de vacantes.
Por desajustes atmicos en disoluciones
slidas.
Durante la solidificacin.
Estos pueden ser :
De borde o de Taylor.
De tornillo o alabeo.

A. DISLOCACION DE BORDE.
Se generan por la insercin o ausencia de un
semiplano de tomos, en la red cristalina;
producido por esfuerzos de compresin o
traccin, provocando una distorsin local en la
red, a este tipo de dislocacin tambin se le
llama dislocacin de Taylor y su representacin
es una "" invertida para dislocacin positiva y
"T" en posicin normal para una dislocacin
negativa, dependiendo del plano de referencia
considerado para el anlisis.

Fig. 5.4. DEFECTOS LINEAL DE BORDE O DE TAYLOR EN LA RED CRISTALINA

La distancia del desplazamiento de los

tomos alrededor de una dislocacin se
denomina deslizamiento o vector "b" de
Burgers y para una dislocacin de borde este
vector de cierre es perpendicular a la
dislocacin y su magnitud estar dada por la
diferencia de segmentos entre los centros de
los tomos para el rea considerada o circuito
de Burgers.

Fig. 5.5. CIRCUITO DE BURGERS

B. DISLOCACION DE TORNILLO O ALABEO.

Las dislocaciones de tornillo se pueden formar en

una red cristalina, mediante la aplicacin de
esfuerzos cortantes o de cizallamiento, hacia arriba
y hacia abajo; estos esfuerzos introducen una zona
de distorsin en la red cristalina en forma de rampa
espiral o de tornillo; en este tipo de dislocacin el
vector de Burgers o vector de cierre es paralelo a la
lnea de accin de la fuerza.
NOTA: Las dislocaciones son defectos en
desequilibrio y almacenan energa en la regin
distorsionada de la red cristalina, alrededor de la
dislocacin.

Fig. 5.6. DISLOCACION DE TRONILLO

Fig. 5.6. DISLOCACION DE BORDE Y DE TRONILLO

2.3 DEFECTOS PLANARES DE BORDE DE GRANO.

Son
imperfecciones
de
los
materiales
policristalinos, que ocurren en la superficie que
separan los granos de diferentes orientaciones; se
crean durante la solidificacin, cuando estos se
forman a partir de diferentes ncleos y crecen
simultneamente, encontrndose unos a otros. El
borde de grano es una regin estrecha, de un ancho
aproximado de 2 a 5 dimetros atmicos, pudiendo
definirse como una regin de tomos mal
emparejados entre los granos adyacentes.
La
deformacin plstica en los granos ocasiona un
aumento significativo de las dislocaciones, una
orientacin predominante o preferente en los granos,
por efecto de la deformacin plstica se denomina
TEXTURA.

Fig. 5.8. DEFECTOS PLANARES DE BORDE DE GRANO

Fig. 5.9. FRONTERA DE GRANO ZONA DE ATOMOS DESEMPAREJADOS

 Puesto que de un grano a otro cambia la

orientacin de la red cristalina, los bordes de

grano son zonas de alto desorden

Fig. 5.9. LIMITES DE GRANO OBSERVABLES EN UNA

MICROFOTOGRAFIA CON EL MICROSCOPIO METALOGRAFICO

3. DEFECTOS ESTRUCTURALES Y DEFORMACIN

PLASTICA.
En los metales al solidificarse se crean gran
nmero de dislocaciones de alrededor de 10 6
cm./cm3 y cuando se deforman plsticamente pueden
crearse muchas mas, llegando estas alrededor de
1012 cm./cm3.
3.1. DEFORMACION PLASTICA DE METALES
MONOCRISTALINOS.
Los cambios estructurales y microgrficos que
ocurren en un material que es deformado
plsticamente al aplicrsele fuerzas externas que
ocasionan cambios internos que afectan las
propiedades, por lo que, analizaremos, la deformacin
plstica de los monocristales, para lo cual es
necesario conocer algunos conceptos previos.

a)

METAL MONOCRISTALINO. Son aquellos

metales o materiales cuya estructura
microgrfica (grano), est compuesta por un
slo grano, donde sus cristales (celdas
unidad) tienen una sola orientacin, en estos
no existen los bordes de grano.

b)

METAL POLICRISTALINO. Son aquellos

metales o materiales cuya estructura
microgrfica (grano), est compuesta por un
conjunto de granos donde sus cristales (celdas
unidad) tienen diferentes orientaciones, los
cuales estn separados por los bordes de
grano.

 Fig. 5.10 MICROESTRUCTURAS:

MONOCRISTAL

POLICRISTAL

Cristales

Limite de grano

Grano

Fig. 5.11. FORMACION DE UN POLICRISTAL

c) SISTEMA DE DESLIZAMIENTO. Conjunto

formado por un plano y una direccin
generalmente los de mayor densidad del sistema,
a travs de los cuales se produce el movimiento
relativo de la red cristalina del material, durante la
deformacin plstica, por efecto de aplicacin de
una fuerza externa. Los sistemas de deslizamiento
de mayor densidad se activan con mayor facilidad,
dado que en estos las distancias interatmicas son
menores y los tomos necesitan menor cantidad
de energa para activarse y desplazarse.

3.2. MECANISMOS DE DEFORMACION PLASTICA

1) MECANISMO DE DESLIZAMIENTO.

Se produce, cuando por efecto de la tensin de cizalla

crtica en el monocristal parte de la red cristalina se desplaza
de manera paralela a la otra adyacente. Sobre planos y
direcciones especficas (sistemas de deslizamiento). Luego
de la deformacin, en los bordes, se observan marcas
escalonadas, llamadas bandas de deslizamiento, que es un
conjunto de lneas de deslizamiento. (lneas de LEUDERS),
donde el eje del cristal no se deforma. La tensin de cizalla
en metales puros monocristal depende principalmente de (a)
la estructura cristalina, (b) caractersticas de su enlace
atmico, (c) la temperatura a la que se produce la
deformacin y (d) la orientacin de los planos de
deslizamiento activos respecto a la tensin de cizalla.

Fig. 5.12 MECANISMO DE DESLIZAMIENTO

(En el mecanismo de deslizamiento todos los tomos de un lado del plano de
deslizamiento se mueven distancias iguales)

Fig. 5.13 DESLIZAMIENTO DE UNA DISLOCACION DE BORDE Y DE

TORNILLO EN UNA RED CUBICA SIMPLE

Fig. 5.14 BANDAS DE DESLIZAMIENTO O LINEAS DE LEUDER EN UNA

MICROFOTOGRAFIA DE UN MONOCRISTAL DE COBALTO

3.3 ECUACION DE SCHMIDT

RELACION ENTRE TENSION UNIAXIAL Y
TENSION DE CORTE EN UN MONOCRISTAL.
Considerando una tensin uniaxial actuando sobre
un cilindro de metal puro monocristal y la tensin de
cizalla resultante producida sobre un sistema de
deslizamiento en el cilindro se relacionan de la
siguiente manera.

Fuerza de cizalla
Fr

r Area de cizalla (rea del plano de deslizamiento) A

1

Fr cos
Fr
r A / cos A cos cos
0
0

cos cos

Normal al plano de deslizamiento

Direccin de deslizamiento
Plano de deslizamiento y rea
de cizalla

Fig. 5.15 LEY DE SCHMID APLICADO A UN CILINDRO DE METAL PURO

MONOCRISTAL

: Esfuerzo cortante en la direccin de deslizamiento.

: Esfuerzo en la direccin uniaxial.

: Angulo formado entre la direccin de deslizamiento

y la direccin uniaxial

: Angulo formado entre la direccin uniaxial y la
normal al plano de deslizamiento.

 PROBLEMA
Una barra de Fe BCC monocristalino de 30 mm

de dimetro y 20 cm de longitud, es sometido a

una carga de traccin de 15000 N, el cual tiene
200 GPa de mdulo de elasticidad, la carga
aplicada le produce un deslizamiento al activar el
sistema (0 1 1), [ 1 1 1], para estas condiciones
determine lo siguiente:
a) Trace el sistema activado en el cubo unitario y
determine sus densidades si Fe= 2,48 A0.
b) Determine la tensin de cizalla que produce el
deslizamiento.
SOLUCION:

 a1) Sistema activado en el cubo unitario BCC.

 a2)Densidad del plano activado.

p N atm.eqv . pl . N atm.eqv . pl . 2 atm.

Apl .

2
Apl a 2 donde 2 ,48 A 4 R a 2 a
2
2 atm.
atm.
p
0 ,115 2
2
A
2 2 ,48 A
2

a3) Densidad lineal de la direccin.

N atm.eqv .direccin .

N atm .eqv .direcc . 2 atm.

L direccin

L direcc . a 3

2 atm.
2 2 ,48 A

3
2

0 ,329

atm.
A

 b) Tensin de cizalla que produce el deslizamiento

15000
D0 2
( 30 x10 3 m )2
A0
A0
0
A0
4
4

0 21220659 Pa 21,22 MPa

Sen

35 ,26del sistema ,

a 3
por condicin del problema 35 ,26

se sabe que r 0 cos cos

0 21,22 MPa cos 35.26 cos 57.74

r 9 ,248 MPa

90 54 ,74

 PROBLEMA.
Considere un monocristal de fierro BCC, orientado de tal

manera que se aplica un esfuerzo de traccin a lo largo de la

direccin [0 1 0]. Calcule el esfuerzo de cizalladura resuelto
a lo largo del plano (1 1 0) y en la direccin [ 1 1 1], cuando
se aplica un esfuerzo de traccin de 52 MPa.

 PROBLEMA.
Calcule la tensin de cizalla resultante sobre el

sistema de deslizamiento (1 1 1) [0 1 1] en un
mono cristal de plata FCC si se aplican 13,7 Mpa
en la direccin de la normal [0 0 1] de una celdilla
unidad.

2) MECANISMO DE MACLAJE.
En este tipo de mecanismo, una parte de la red se
deforma formando una imagen especular de la red no
deformada vecina a ella, el plano de simetra entre las
partes deformadas y no deformadas de la red metlica se
llama plano de maclado el cual tiene una direccin
especfica, donde los tomos se mueven distancias
proporcionales a su distancia del plano de maclado, el eje
del cristal se deforma, cambiando la orientacin de la red
de modo que pueden obtenerse nuevos sistemas de
deslizamiento favorables a la tensin de cizalla y permitir
deslizamientos adicionales. Este mecanismo slo
involucra una pequea fraccin del volumen total del
cristal

Fig. 5.16. MACLA FORMADA EN LA RED CRISTALINA DURANTE LA

DEFORMACION PLASTICA EN UN METAL PURO MONOCRISTAL

4. SOLIDIFICACION
La solidificacin es proceso muy importante, en
la obtencin de materiales (metales) en estado
slido para aplicaciones en ingeniera, en la cual
es importante controlar, sus propiedades
derivadas de la fusin y enfriamiento, que influyen
en la formacin y crecimiento de sus cristales, y
de estas sus propiedades de aplicacin.
Esta se produce a partir de los embriones, que
luego forman los ncleos y finalmente la formacin
y crecimiento de grano.

EMBRION. Conglomerado de tomos enlazados

entre si, cuyo radio es menor que el tamao
critico, estos se estn formando y redisolviendo
constantemente en el metal fundido debido a la
agitacin atmica.

NUCLEO. Cuando el embrin supera el radio

crtico y el subenfriamiento es lo suficientemente
grande, como para causar la formacin de un
ncleo.

MECANISMOS DE NUCLEACION. Son dos.

a) Nucleacin homognea.
b) Nucleacin heterognea

4.1 NUCLEACION HOMOGENEA

Durante la formacin de los primeros cristales de
nano tamao en el material fundido, mediante la
transformacin de fase lquido slido, El material se
solidifica cuando el lquido se enfra justo debajo de
su temperatura de solidificacin, porque la energa
asociada con la estructura cristalina del slido es
menor que la energa del lquido. Esta diferencia de
energa lquido y slido es la energa libre por unidad
de volumen Gv que es la fuerza motriz para la
solidificacin; sin embargo en el proceso de
solidificacin se forma un interfaz slido-lquido a la
cual se asocia una energa libre superficial sl, por lo
que el cambio total de energa de solidificacin ser:

GT 43 r 3 G V 4 r 2 sl .......()
Donde :
Gv : Cambio de energa libre por unidad de volumen.

sl

Energa libre superficial de la interfaz slido y lquido

r : Radio del embrin o ncleo.

4.2 RADIO CRITICO DEL NUCLEO (r*).

A mayor grado de subenfriamiento T, por debajo
de la temperatura de fusin del metal mayor es el
cambio de energa volumtrica Gv ,Pero el cambio de
energa superficial no cambia mucho con la
temperatura, por lo que el tamao crtico del ncleo es
determinado principalmente por Gv

 Para determinar el valor mximo de la energa

total liberada en la formacin de un ncleo de

radio crtico (r*), derivamos la ecuacin ().
d
dr

G T

d 4

dr 3

r G V 4 r
sl

12 r*2 G 8 r * 0
V
sl
3
De la cual despejamos el radio crtico r*:

 Por lo que el tamao crtico del radio del ncleo se

expresa por :

* 2 sl
G V
Donde:

* 2 sl Tm
H s T

sl = Energa libre superficial (Joule/cm2),

Tm = Temperatura de solidificacin de equilibrio ( K)
Hs = Calor latente de solidificacin ( Joule/cm3 )
T = Cantidad de subenfriamiento a la que se forma el
ncleo,
NOTA: En la nucleacin homognea el metal proporciona por
si mismo los tomos para formar los ncleos por lo que
habitualmente requiere de elevados subenfriamientos

Tm

Hs

sl

TABLA 5.1 Valores para la temperatura de solidificacin, calor latente de

fusin, energa de superficie y subenfriamientos mximo observado para

algunos materiales en nucleacin homognea.

 PROBLEMA.
Suponga que el hierro lquido es subenfriado hasta que

ocurre nucleacin homognea. Calcule:

a) El radio crtico del ncleo requerido y
b) El nmero de tomos de hierro en el ncleo, Suponga
que el parmetro de red para el hierro slido BCC ()
es 2,92 A. Utilice la tabla 5.1.
SOLUCION.
c) Radio crtico requerido.
Empleando la ecuacin para crtico nucleacin homognea.

* 2 sl Tm
H s T

 De la tabla 5.1 para el Fe (BCC).

sl = 204 x 10-7

(Joule/cm2),
Tm = 1538 C
Tm = 1538+273 = 1811 K
Hs = 1737 Joule/cm3
T = 420 C
Reemplazando
7
2
* 2 204 10 (J/cm ) 1811K 1,0128 107cm
1737(J/cm 3 ) 420C
* 1,0128nm

r
r

b) Nmero de tomos de Fe en el ncleo

Vncleo

4 r 3
3

Vncleo

Vncleo 4,3517nm3

4 (1,0128nm)3
3

Vcelda a Vcelda(0,292 nm)3 0,02489nm3

3
Vncleo
4,3517nm
Nceldas
Nceldas
174,84celdas
3
Vcelda
0,02489nm

Celda(BCC) 2 atm.equiv.
N atm.ncleo 174.84 2 349tomos

 PROBLEMA.
a) Calcular el radio crtico en centmetros de un ncleo

homogneo que se forma al solidificar un lquido

puro de cobre. Considere un T= 0,2 Tm, utilice
datos de la tabla 5.1.
b) Calcule el nmero de tomos en el ncleo de
tamao
crtico
a
esta
temperatura
de
subenfriamiento. El cobre es FCC con a= 0,361 nm.
)SOLUCION
a) Clculo del radio crtico.

De la tabla tenemos : Tm = 1085 C

Hs = (-) 1628 J/cm3

sl

= 177 x 10-7J/cm2

 Empleando la ecuacin de radio crtico.

r*

* 2 sl Tm
H s T

Reemplazando valores

2 177 107 J/cm2 1358K

1628J/cm3 x 271,6K

1,0872 107cm

r* 1,0872nm
b) Clculo del nmero de tomos en ncleo de tamao crtico

4 *3
ncleo 3 r

4
3
3

1,0872nm

4,554
nm
nucleo 3

Vncleo 4,554nm3
Nceldasncleo Vcelda
96.8celdas
0,361nm 3
Ntomosncleo 96,8celdas 4atm/celda 387tomos
Ntomosncleo 387tomos

4.1 NUCLEACION HETEROGENEA

La nucleacin heterognea, tiene lugar en un

lquido sobre la superficie del recipiente que lo

contiene, o en impurezas insolubles u otros
materiales que estn en contacto con el lquido,
los que disminuyen la energa libre disponible
requerida para formar un ncleo estable y no
requiere de grandes subenfriamientos, estos
varan entre 0.1 a 10 C. Este es el tipo de
nucleacin que se da en los materiales metlicos
usados comnmente.

 Solidificacin heterognea, la cual ocurre sobre

una impureza o sobre la superficie del molde

donde produce el enfriamiento

Fig. 5.17. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION

HETEROGENEA EN UN MOLDE

Fig. 5.18. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION

HETEROGENEA EN UNA JUNTA SOLDADA

Fig. 5.19. TIPOS DE GRANO DE UN SOLIDO CRISTALINO TERMINADO

EL PROCESODE ENFRIAMIENTO.

5. TAMAO DE GRANO.
El tamao de grano en metales policristalinos es
importante debido a que la cantidad de superficie del
lmite de grano, tiene efecto significativo en muchas
propiedades de los metales especialmente en la
resistencia mecnica, que a bajas temperaturas los lmites
de grano se refuerzan y a elevadas temperaturas pueden
convertirse en regiones dbiles.
Un mtodo para determinar el tamao de grano, es el
de ASTM, en el cual el ndice de tamao de grano se
define por:

N = 2 (n 1)

(a/100)2 N = 2 (n 1)

Donde :
N = Nmero de granos por pulgada cuadrada,
con un aumento x 100.
n = ndice ASTM de tamao de grano (nmero entero).
a = aumento diferente de x 100.

 PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR EL INDICE DE

GRANO EN UNA MICROFOTOGRAFIA

D= 80 mm
Aumento x 100
a) Se cuenta el nmero de granos
cortados por el borde = 23 de
los cuales se consideran la
mitad
23/2 = 11.5 = 12
b) Se cuenta el nmero de granos
enteros = 28.
El nmero de granos total ser
= 12+28 = 40
Aplicando la ecuacin

 Para un aumento x 100

N=2

(n 1)

Calculando el rea de la microfotografa.

2

D2
80/25,4
A
A
7,7911
pulg2.
4
4

Calculando el nmero de granos x pulg.2 para un aumento x 100

40 granos

N 5,13granos/pulg2
2
7,7911pulg

Calculando el ndice de grano.

5,13 granos/pulg.= 2n-1
Aplicando logaritmos.
n = 3,36
n=3

 PROBLEMA.
La microfotografa de la figura tiene un aumento x 400 y

dimensiones de 120 x 90 mm, determine el indice de

grano de microfotografa.

PROBLEMA.
Si hay 450 granos por pulgada cuadrada, en una
microfotografa de un material cermico a un
aumento x 250. Cul es el ndice de tamao de
grano del material por el mtodo de ASTM?

 Una forma de controlar las propiedades de un

material es controlando el tamao de grano, dado

que si se reduce el tamao de estos su nmero se
incrementa y aumenta la cantidad de fronteras de
grano, por lo que durante un deslizamiento,
cualquier dislocacin se mover solamente una
distancia corta, antes de encontrar una frontera de
grano, incrementado as la resistencia del metal.
La ecuacin de Hall Petch relaciona el tamao de
grano con el esfuerzo de fluencia del material.

f = Y0 + K d -1/2
f = Esfuerzo de fluencia
Y0 , K = constantes del metal.
d = dimetro promedio de los granos

 Fig. 5.20. EFECTO DEL TAMAO DE GRANO EN EL ESFUERZO DE

CEDENCIA DEL ACERO A TEMPERATURA AMBIENTE

TABLA 5.2. TAMAOS DE GRANO SEGN ASTM

INDICE DEL
TAMAO DE
GRANO

NUMERO DE GRANOS /Pulg2 x 100 AUMENTOS

MEDIO

LIMITES

0,75 - 1,25

1,5 - 3,0

3-6

6 - 12

16

12 - 24

32

24 - 48

64

48 - 96

128

96 - 192

256

192 - 384

10

512

384 - 768

 PROBLEMA.
La resistencia del titanio es 65000 psi cuando el tamao de

grano es 17 x 10-6 m y de 82000 psi cuando el tamao de

grano es de 0,8 x 10-6 m. Determine lo siguiente:
a) Las constantes de la ecuacin de Hall-Petch.
b) La resistencia del titanio, cuando se reduce el tamao de
grano a 0,2 10-6 m.
SOLUCION.
65000psi Y0 K
82000psi Y0 K

1
17 106
1
6

0,8 10

Y0 242.5K
Y0 1118K

Resolviend
o
K 19,4psi / m y Y0 60290psi

 b) Resistencia del Titanio cuando el tamao de grano se

reduce a 0,2 x 10-6 m.

Aplicando la ecuacin de Hall-Petch.
f = Y0 + K d -1/2

f 60290psi
f 103670psi.

19,4psi

0,2 10-6

103670psi.

 PROBLEMA.
Una aleacin de cobre y zinc tiene las propiedades

siguientes:
Dimetro de granos (mm)

Esfuerzo de fluencia
(Mpa)

0,015

170

0,025

158

0,035

151

0,050

145

Determine lo siguiente:
a) Las constantes de la ecuacin de Hall Petch
b) El tamao de grano requerido para obtener una

resistencia de 200 Mpa.

6. VELOCIDAD DE PROCESOS EN SLIDOS

Relacionado con la velocidad a la cual los tomos
se mueven en el estado slido, lo que implica
espontneos reagrupamientos en nuevas y ms
estables ordenaciones atmicas; para lo cual los
tomos que se reagrupan deben tener suficiente
energa de activacin para superar la barrera de la
energa de enlace.
ENERGIA DE ACTIVACION. Es la energa adicional
requerida por los tomos reaccionantes (se mueven),
la cual es superior a la energa media de los tomos
enlazados, esta se expresa en Joule/mol, Cal/mol.

?E
Energa
de
Activacin
Energia liberada
por la reaccion

Reactivos

ENERGIA

ER

EP

Productos

Fig. 5.21. CURVA DE LA ENERGIA DE ACTIVACION

6.1 RELACION ENTRE EL NUMERO DE VACANTES

Y EL NUMERO DE SITIOS ATOMICOS
Dado que a una determinada temperatura, slo
una fraccin de los tomos de un sistema tendrn
suficiente energa para alcanzar la energa de
activacin, se puede deducir que a medida que
aumenta la temperatura, ms tomos y molculas
alcanzaran la energa de activacin, produciendo
mas huecos o vacantes, por lo que esta relacin
de nmero de vacantes y sitios atmicos puede
expresarse mediante la siguiente ecuacin

 E
v

nv
k
T

Ce
N
Donde :

nv = Nmero de vacantes por metro cbico de metal.

N = Nmero total de stios para tomos, por metro
cbico de metal.
Ev = Energa de activacin para formar un hueco.
T = Temperatura absoluta en K.
k = 8.62 x 10-5 ev/K (Constante de Boltzman).
C = Constante (C = 1).

6.2. DETERMINAR EL NUMERO DE SITIOS

ATMICOS DEL METAL
Referido al nmero de tomos en posiciones

reticulares para un metal por unidad de volumen

N
M .A.

Donde :
N0 = 6.023 x 1023 (tomos/mol)

= Densidad del metal (gr/cm3)

M.A. = Masa Atmica del metal (gr/mol)

 PROBLEMA.
a) Calcular la concentracin de vacantes por

metro cbico en el equilibrio en estao puro a

150 C, Suponga que la energa de formacin de
una vacante en estao puro de 0,51 eV.
b) Cul es la fraccin de vacantes a 200 C?
Considere que la densidad del estao es 7,3
gr/cm3 y su masa atmica es 118,69 gr/mol.
SOLUCION
a) Concentracin de vacantes x m 3 metal.

E
v

nv
k
T

Ce
N

nv = ??
Ev = 0,51 eV.
T = 150 +273 = 423 K.
k = 8,62 x 10-5 ev/K .
C =1
Calculando el valor de N (nmero de sitios atmicos)

N
M .A.

N = 6,023 x 1023 tomos/mol.

= 7, 3 gr/cm3
M.A. = 118,69 gr/mol

Reemplazando.
23

6.023 10 (atm/mol) 7,3( gr/cm )

118,69
(gr/mol)
29

N 0,3704 10 atm/m

 Clculo de concentracin de vacantes.

0,51eV

eV

5
8.62 10
423K
atm
K

nv 0,3704 1029
1e
3

m
22 atm
nv 3,12 10
m3
b)Fraccin de vacantes a 200C
T= 200+273 = 473 K

0,51eV

5 eV
8.62 10
473K
K

nv
N

nv
N

1e

3,69 10-6

 PROBLEMA.

Calcular:
a) Nmero de vacantes en equilibrio/metro cbico en
el Cu puro a 500 C.
b) Fraccin de vacantes a 500 C tambin en el Cu
puro. Considerar que la energa de activacin de
formacin de una vacante en el Cu puro es 0.90 ev,
asumir C = 1. Adems se conoce que la densidad del
Cu es 8,96 g/cm3 y su M.A. = 63,54 g/mol.

7. DIFUSION ATOMICA EN LOS SLIDOS

La difusin es el mecanismo mediante el cual la

materia es transportada a travs de la materia. La

difusin en los slidos es restringida, debido a los
enlaces atmicos que mantienen a los tomos en
posiciones de equilibrio; sin embargo las vibraciones
trmicas permiten que algunos tomos se muevan.
7.1 MECANISMOS DE DIFUSION.
a) Mecanismo de difusin sustitucional o por
vacantes.
b) Mecanismo de difusin intersticial

A. MECANISMO DE DIFUSION POR VACANTES

O SUSTITUCIONAL
Este tipo de difusin, se caracteriza porque
los tomos pueden moverse en la red
cristalina desde una posicin a otra si hay
presente suficiente energa de activacin
proporcionada por la vibracin trmica y si hay
vacantes u otros defectos cristalinos, para que
ellos los ocupen.

(1)

(2)

Energa

Energa de
activacin

Posicin

Fig. 5. 22. MOVIMIENTO ATOMICO POR DIFUSION

B. MECANISMO DE DIFUSION INTERSTICIAL.

Tiene lugar en las redes cristalinas, cuando
los tomos se trasladan de un intersticio a otro
contiguo
al
primero,
sin
desplazar
permanentemente a ningn tomo de la red
cristalina matriz, para que la difusin intersticial
sea efectiva el tamao de los tomos que se
difunden deben ser relativamente pequeos en
comparacin con el tamao de los tomos de la
red matriz; los tomos pequeos como el H, C,
N, O, pueden difundirse intersticialmente en
algunas redes cristalinas metlicas.

7.2FACTORESQUEINFLUYEN ENLADIFUSION.

1) El tipo de mecanismo de difusin; dependiendo de

2)
3)

4)

5)

que este sea sustitucional o intersticial, en funcin

del tamao de los tomos.
Temperatura a la cual tiene lugar la difusin, segn
aumente la temperatura, la difusin aumenta.
Tipo de estructura de la red cristalina del disolvente
(matriz), relacionada directamente con el factor de
empaquetamiento.
Tipo de imperfecciones cristalinas presentes, donde
la difusin es ms rpida en los lmites de grano que
en la estructura misma, en metales y cermicos.
La concentracin de las especies que se difunden,
ya que las concentraciones mayores del soluto
difundible, afectar la difusin.

7.3 TIPOS DE DIFUSION

A) DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARIO.
Para que se de
difusin en estado
estacionario se deben cumplir las siguientes
condiciones
Las concentraciones en los planos de difusin
son constantes en el tiempo.
Los planos de difusin del soluto, deben estar
separados, paralelos y perpendiculares a la
direccin del flujo atmico en difusin.
Para estas condiciones de difusin se cumple la

Primera Ley de Fick

C2

X1

ATOMOS EN
DIFUSION

X2

DISTANCIA X

UNIDAD DE
AREA

CONCENTRACION DE
ATOMOS EN DIFUSION

C1

J = - D dC
dx
J = Flujo o corriente neta de tomos.
D = Difusividad o Coeficiente de difusin
d C = Gradiente de la concentracin
dx

Fig. 5.23. DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARION PRINERA LEY DE FICK

A.1. PRIMERA LEY DE FICK

"Para

condiciones de estado estacionario, la

densidad de flujo neto, de los tomos en difusin
atmica, es igual a la difusividad D, por el gradiente
de concentracin". Esta viene expresada por la
siguiente ecuacin.

dC
J D
dx

Donde :
J = Flujo o corriente neta de tomos. (tomos/m 2 s)
D = Coeficiente de difusin o difusividad (m 2/s)
dC = Gradiente de concentracin (tomos/m 3)(1/m)

dx

 PROBLEMA.
Se utiliza una hoja de hierro BCC de 0,001 pulgadas para

separar un gas con alto contenido de hidrgeno de un gas con

bajo contenido de hidrgeno a 650 C. De un lado de la hoja
estn en equilibrio 5 x 108 tomos de H/cm3 yen el otro lado
estn 2 x 103 tomos de H/cm3 . Determine:
a) El gradiente de concentracin de hidrgeno.
b) El flujo de hidrgeno a travs de la hoja de Fe. (D
=16.85x10-5 cm2 /s) del H en Fe BCC a 650 C.
SOLUCION.
a) Gradiente de concentracin de H.
Concentraciones: 5 x 108 tomos de H/cm3 y 2 x 103 tomos de
H/cm3

dC c 2 10 3 5 10 8 ( atm H / cm 3 )
8 atm H

1969 10
dx x
( 0 ,001 pu lg 2 ,54 cm / pu lg)
cm 3 cm

dC c
8 atm H

1969 10
dx x
cm 3 cm
b) Flujo de hidrgeno a travs de la hoja de Fe BCC

c
J D
x
5

J 16 ,85 10 ( 1969 10 ) 0 ,33 10

J 0 ,33 10

atm.H
2

cm s

atm.H
2

cm s

B) DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO.

Este tipo de difusin es la que se da en la
mayora de los casos, en la cual, la
concentracin de los tomos del soluto en
cualquier punto del material vara con el tiempo.
Para casos de difusin en estado no
estacionario, en el cual la difusividad es
independiente del tiempo, es aplicable la
Segunda Ley de Fick:

Gas A

Slido B

Mucho mas tarde para t = t2

CONCENTRACIONDE
ATOMOSENDIFUSION

Mas tarde para t = t1

Cx

Inicialmente para t = 0

Co

DISTANCIA x

d Cx = d ( D d Cx )
dt dx
dx

Fig. 5.24. DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO

B.1 SEGUNDA LEY DE FICK

" La velocidad de cambio de la composicin de la

muestra, es igual a la difusividad, por la velocidad
de cambio del gradiente de concentracin".
La cual se expresa con la siguiente ecuacin
Gas A

C O N C E N T R A C IO N D E
A T O M O S E N D IF U S IO N

Slido B

Mucho mas tarde para t = t2

Mas tarde para t = t1

Cx

Inicialmente para t = 0

Co

d Cx = d
dt
dx

D d Cx
dx

DISTANCIA x

B.2 SOLUCION PARTICULAR DE LA SEGUNDA LEY DE

FICK APLICADA A TRATAMIENTOS TERMOQUIMICOS
Solucin particular:

Cs - Cx = f err
Cs - C0

2 Dt

Cs : Concentracin superficial del gas que se difunde.

Co : Concentracion inicial uniforme del elemento en el slido.
Cx : Concentracin del elemento a una distancia x de la superficie en un
tiempo t.
x : Distancia desde la superficie.
D : Coeficiente de difusin del elemento soluto que se difunde
t : Tiempo.
ferr: Funcin error

 PROBLEMA.
Considerar el metano como gas carburante, para

un engranaje de acero SAE 1020, a 927 C.

Calcular el tiempo en minutos necesario para
incrementar el contenido de carbono a un 0.40 %
a 0,50 mm bajo la superficie. Suponer que el
contenido de carbono en la superficie es de 0,90
% y que el acero tiene un contenido nominal de
carbono de 0,20 %. D = 1,28 x 10 -11 m2/s.

TABLA 5.3. FUNCION ERROR

FUNCION ERROR
Z

Er F(z)

Er F(z)

0,000

0,0000

0,85

0,7707

0,025

0.0282

0,90

0,7970

0,05

0,0564

0,95

0,8209

0,10

0,1125

1,00

0,8427

0,15

0,1680

1,10

0,8802

0,20

0,2227

1,20

0,9103

0,25

0,2763

1,30

0,9340

0,30

0,3286

1,40

0,9523

0,35

0,3794

1,50

0,9661

0,40

0,4284

1,60

0,9763

0,45

0,4755

1,70

0,9838

0,50

0,5205

1,80

0,9891

0,55

0,5633

1,90

0,9928

0,60

0,6039

2,00

0,9953

0,65

0,6420

2,20

0,9981

0,70

0,6778

2,40

0,9993

0,75

0,7112

2,60

0,9998

0,80

0,7421

2,80

0,9999

7.4. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA

DIFUSION EN SLIDOS
Como la difusin atmica implica movimientos

atmicos, entonces el incremento de la

temperatura en un sistema de difusin dar lugar
a un incremento en la velocidad de difusin el
cual se expresa por la siguiente ecuacin.

D D0 e

Q RT

Donde :
D = Difusividad m2/s.
Do = Constante de proporcionalidad m 2/s.
independiente de la temperatura.
Q = Energa de activacin de las especies en
difusin J/mol o cal/mol (mov. Del defecto)
R = 8,314 J/mol K (constante universal de los
gases).
T = Temperatura en K.

 PROBLEMA.
Calcular el valor de la difusividad D en m 2/s, para

la difusin del C, en hierro (FCC) a 927 C,

utilizar Do = 2,0 x 10 -5 m2/s, Q = 142 kJ/mol y R
= 8,314 J/mol K.