CESI Part1

Cours CEM
INTRODUCTION A LA CEM
Le problme gnral de la CEM

Les modes de transmission des perturbations
lectromagntiques
Principales victimes des perturbations
lectromagntiques et comportement
Units en
CEM
Conversion
temps/frquences
Spcifications de la
CEM
CESI_part1_ 1
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden
Cours CEM
OBJECTIF DE LA CEM
RENDRE COMPATIBLE LE FONCTIONNEMENT

DUN SYSTEME SENSIBLE AVEC
SON ENVIRONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE
CESI_part1_ 2
Cours CEM
INTERFERENCES
ELECTROMAGNETIQUES
Une interfrence lectromagntique est le rsultat
de la perturbation dun systme lectrique,
lectronique, etc. par un autre circuit, ou un
phnomne lectrique extrieur au systme.
Linterfrence nest pas le signal perturbateur luimme mais le fait quil se couple avec un systme
suffisamment vulnrable pour tre affect.
CONCEPT DE SOURCE/VICTIME
CESI_part1_ 3
Cours CEM
SITUATION TYPIQUE DINTERFERENCE
Source EMI
(perturbateur)
Chemin de
transmission
Rcepteur
(victime)
Control de lmission
Control de la susceptibilit
(rduire le niveau de la source de bruit)(augmenter limmunit de la victime)
(limiter la propagation)
(limiter la propagation)
conduite
rayonne
conduite
CESI_part1_ 4
rayonne
Cours CEM
SITUATION TYPIQUE DINTERFERENCE
Il y a situation dinterfrences ds que la somme des

perturbateurs dpasse le seuil de susceptibilit du circuit
sous
test (zone hachure)
CESI_part1_ 5
Cours CEM
LES MODES DE TRANSMISSION DES

PERTURBATIONS
ELECTROMAGNETIQUES
CESI_part1_ 6
Cours CEM
MODE COMMUN / MODE DIFFERENTIEL
Le mode commun est LE problme rcurrent de la CEM
Tous les mcanismes de couplage en mode commun sont efficaces en

Impdance commune
Diaphonie inductive et capacitive
Champ cble ou piste
Champ boucle de masse
CESI_part1_ 7
Cours CEM
LES MODES DE TRANSMISSION DES PERTURBATIONS

ELECTROMAGNETIQUES
COUPLAGE PAR IMPEDANCE

COMMUNE
COUPLAGE PAR DIAPHONIE
COUPLAGE PAR RAYONNEMENT
ELECTROMAGNETIQUE
CESI_part1_ 8
Cours CEM
COUPLAGE PAR IMPEDANCE COMMUNE
CESI_part1_ 9
Cours CEM
COUPLAGE PAR IMPEDANCE COMMUNE
Survient chaque fois que diffrents circuits se partagent

des conducteurs en commun, principalement la masse.
Saggrave quand la frquence augmente car
limpdance des conducteurs est surtout inductive.
CESI_part1_ 10
Cours CEM
CALCUL DE LIMPEDANCE DUN PLAN DE
CUIVRE
,2
e17
mm
En basse frquence :
Z
En haute frquence : Z
370 F MHz
APPLICATION :
IMPEDANCE DUN PLAN DE CUIVRE DE
10cm*10cm
A LA FREQUENCE DE 30 MHz
Z 2m
CESI_part1_ 11
Cours CEM
CALCUL DE LIMPEDANCE DUNE PISTE
LIMPEDANCE DUNE PISTE DE CIRCUIT IMPRIME DE LONGUEUR L, DE LARGEUR
d ET DEPAISSEUR e SE CALCULE PAR :
EN BASSE FREQUENCE :
R m
EN HAUTE FREQUENCE :
17L
ed
2* L
d e
Z R 0 * L * Ln
0,5 0.2235
* F(Hz)
L
d e
(L en m, d et e sont exprims en mm)
(L, d et e sont exprims en mtres)
APPLICATION :
IMPEDANCE DUNE PISTE DE LONGUEUR L=10cm, DE LARGEUR d=1mm ET
DEPAISSEUR e=35m A LA FREQUENCE DE 30 MHz :
Z 20
CESI_part1_ 12
Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE
CESI_part1_ 13
Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE INDUCTIVE
Couplage entre un champ magntique et une
La diaphonie inductive boucle.
apparat lorsque deux circuits
sont parallles sur une certaine longueur.
Ip
Iv
Un courant Ip variable dans le temps cre un champ H.

Par phnomne dinduction, un courant Iv apparat dans
la ligne victime.
Ce type de diaphonie est prdominant en HF car les
impdances en bout de ligne diminuent.
CESI_part1_ 14
Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE INDUCTIVE
Modlisation du couplage par
diaphonie
Ligne 1 source
I2
L1
M
I1
Ligne 2
victime
L2
V
Les deux lignes se couplent comme le primaire et le

secondaire dun transformateur par lintermdiaire de la
mutuelle
M. la boucle victime
Tension inductance
induite dans
U=2..F.M.Ip
CESI_part1_ 15
F=Frquence du courant perturbateur

M=Mutuelle inductance entre les deux lignes
Ip=Courant dans la ligne perturbatrice
Cours CEM
COUPLAGE
PAR DIAPHONIE
COUPLAGE
PAR DIAPHONIE
CAPACITIVE CAPACITIVE
Couplage entre un champ lectrique et un
Lafil
diaphonie capacitive apparat lorsque des circuits sont
parallles sur une certaine longueur.
Vp
Vv
La tension Vp cre un champ E qui lui mme induit une tension Vv aux
bornes de la ligne victime. Un courant Iv est ainsi tablit dans la ligne
Ce
type de diaphonie est prdominant en BF car les impdances des
victime.
circuits sont (habituellement) plus leves que celles des lignes.
CESI_part1_ 16
Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE CAPACITIVE
Modlisation du couplage par diaphonie
capacitive
Ligne 1 source
i
Cm
Ligne 2
victime
Les deux lignes se couplent par lintermdiaire de la

capacit ligne ligne Cm qui matrialise le couplage
capacitif.
Courant induit dans le circuit victime
I=2..F.Cm.Up
CESI_part1_ 17
F=Frquence de la tension
perturbatrice
Cm=Capacit mutuelle entre les deux
lignes
Up=Tension perturbatrice
Cours CEM
REDUCTION DES COUPLAGES PAR
DIAPHONIE
Diaphonie inductive
sourc
erduire la
surface de
boucle
limiter les
dI/dt
chemin de
couplage
loigner les
lignes ou ne
pas les
mettre
parallle
Diaphonie
capacitive
victime
sourc
e
rduire la limiter
les
surface de dV/dt
boucle
blinder le fil
chemin de
couplage
victime
choisir un
loigner les dilectrique
lignes ou ne denrobage
pas les
des fils
mettre
avec r
parallle
faible
utiliser des
paires
torsades
CESI_part1_ 18
Cours CEM
COUPLAGE PAR RAYONNEMENT

ELECTROMAGNETIQUE
CESI_part1_ 19
Cours CEM
COUPLAGE PAR RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE
Le champ lectrique est gnr par

une DDP entre deux points de lespace
Il a pour effet dinduire un courant sur
les fils parallles aux lignes de champ
Le champ magntique est gnr par

une circulation de courant
Il a pour effet dinduire une DDP dans
les boucles perpendiculaires aux
lignes de champ
UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EST COMPOSE DUN

CHAMP ELECTRIQUE ET DUN CHAMP MAGNETIQUE
CESI_part1_ 20
Cours CEM
PROTECTION CONTRE UN RAYONNEMENT

ELECTROMAGNETIQUE
BLINDER ET
ASSURER UNE
BONNE
CONTINUITE
ELECTRIQUE
MATERIAU (conductivit,
absorption)
EPAISSEUR DE METALLISATION
TRAITEMENT DE SURFACE
ETAT DE SURFACE
OUVERTURE, FENTES
CESI_part1_ 21
Cours CEM
MECANISME DE LEFFET DE BLINDAGE
EN PRATIQUE, UN BLINDAGE EST UN ATTENUATEUR FONCTIONNANT

SELON DEUX MECANISMES COMBINES :
REFLEXION ET ABSORPTION
Champ reu en un point donn, sans blindag

EFFICACITE DE BLINDAGE (Eb) =
Champ reu en un point donn, avec blindag
CESI_part1_ 22
Cours CEM
EFFICACITE DE BLINDAGE DES MATERIAUX CONDUCTEURS
Eb = R + A + B
(en dB)
R = des pertes par rflexion (en dB)

A = des pertes par absorption (en dB)
B =des pertes par re-rflexion (en dB)
CESI_part1_ 23
Cours CEM
PERTES PAR ABSORPTION

Labsorption (A) est proportionnelle au rapport paisseur de
la barrire mtallique (e) sur paisseur de peau () la
frquence considre.
Labsorption (A) est indpendante de limpdance de londe
(champ proche, champ lointain).
e
A (dB) = 8.69
o = paisseur de peau
e= paisseur du blindage
CESI_part1_ 24
Cours CEM
EFFET DE PEAU
Leffet de peau (pelliculaire) est un phnomne de conduction : le courant
alternatif circule prfrentiellement en surface des conducteurs.
Laffaiblissement de la densit surfacique du courant (enA/m) suit une loi
exponentielle avec une constante despace note, appele paisseur de peau.
66 106
m
r r FMHz
CESI_part1_ 25
Cours CEM
PERTES PAR REFLEXION
La rflexion (R) est lie la dsadaptation entre

limpdance de londe Zch et limpdance de la barrire
mtallique (Zb)
Il faut distinguer 3 cas en fonctions de limpdance de londe :
En champ lointain (distance entre la source de rayonnement et
la barrire d>)
RdB
( ) 108 10log
F(MHz)r
r
( si paisseur barrire
e > paisseur de peau
En champ proche magntique (d< impdance de londe trs

petite
R(dB ) 74.6 20 log d (m) 10 log F ( MHz ) 10 log r

r
En champ proche lectrique (d< impdance de londe trs
grande
F3(MHz)
RdB
( ) 1417
. 20logd(m) 10log
CESI_part1_ 26
Cours CEM
CHAMP PROCHE, CHAMP LOINTAIN
IMPEDANCE DONDE
CESI_part1_ 27
Cours CEM
PRINCIPES FONDAMENTAUX POUR REALISER UN BLINDAGE

Le blindage des champs lectriques:
aux basses frquences est d la rflexion,
aux hautes frquences est d labsorption.
Le blindage des champs magntiques aux basses frquences
est d labsorption.
Un matriau de conductivit leve une influence positive sur
labsorption et la rflexion.
Un matriau de permabilit magntique leve donne une plus
grande
absorption, mais une plus faible rflexion:
utiliser des crans de blindage en matriau de permabilit
magntique leve seulement pour blinder des sources de
champ magntique trs basse frquence.
CESI_part1_ 28
Cours CEM
Labsorption augmente quand lcran de blindage devient pais:
le blindage des champs magntiques ncessite des crans
pais,
le blindage des champs lectriques peut tre ralis avec des
feuilles mtalliques minces.
La distance de la source lcran de blindage modifie les
proprits
de la rflexion:
Placer les sources de champ lectrique proches de lcran de
blindage
et les sources de champ magntique loins de lcran de
blindage.
CESI_part1_ 29
Cours CEM
Avant de concevoir le blindage dun botier lectronique, il faut

dcider sil
sagit de faire un blindage magntique ou lectrique, ou les deux:
Dans la plupart des cas pour les applications spatiales, seul
le
Les performances CEM dun cran de blindage sont dtermines pa
blindage lectrique a de limportance pour tenir les
les proprits des matriaux utiliss,
spcifications CEM.
la bande de frquences EMI,
le type de source considre (magntique, lectrique
ou lectromagntique).
En pratique dautres facteurs sont prdominants:
la localisation de la source par rapport lcran de blindage,
les connexions entre diffrentes parties du blindage,
les trous et fentes sur lcran de blindage.
CESI_part1_ 30
Cours CEM

Blindage contre les champs magntiques :
En pratique: important seulement en basse frquence (<30
MHz),
Lattnuation augmente avec la frquence,
Les trous et les fentes dans le blindage ont peu dimportance.
Blindage contre les champs lectriques :

En pratique: important seulement en haute frquence (>30 MH
Les trous et les fentes dans le blindage ont de plus en plus
dimportance lorsque la frquence augmente,
La qualit de la rsistance de contact (impdance) entre diffr
parties du blindage est trs importante (des parties isoles ag
comme des antennes !).
CESI_part1_ 31
Cours CEM
ATTENUATION DUNE PAROI MUNIE DUNE
OUVERTURE
dist. D
Une ouverture de longueur L dans un cran se comporte comme un diple
de mme longueur et re-rayonne de lautre ct de lcran une partie de
la puissance reue.
Pour L>/2 : Eb
0dB
Lattnuation est quasi nulle quel que soit le rapport L/h (en ralit Eb passe
par des rsonances et anti-rsonances de la fente).
CESI_part1_ 32
Cours CEM
ATTENUATION DUNE PAROI MUNIE DUNE
OUVERTURE
Pour L<2 : louverture prsente une certaine
e
attnuation.
E =100-20 Log L -20Log F + 20 Log (1+2.3 Log L/h) +
b
30
perte par rflexion
facteur de minceur
L= grande dimension de louverture en mm

h= hauteur de louverture en mm
e= paisseur de la paroi en mm
F= frquence en MHz
Eb= efficacit de blindage en dB
perte par
traverse
La correction suivante doit tre apporte la formule lorsque lon est en

situation de champ proche (E ou H).
prdominance lectrique
48
C ( E ) 20 log
D F
CESI_part1_ 33
prdominance magntique
48
C ( H ) 20 log
D F
avec D= distance de la source rayonnante (m)

Cours CEM
EFFICACITE DUNE OUVERTURE

GUIDE
Eff ( dB ) 27,2
1 ( F / Fc ) 2
Avec P>L et F<Fc

L = plus grande dimension de louverture (en mm
P = profondeur de louverture guide (en mm)
F = frquence en MHz
Fc = frquence de coupure en MHz
Fc = 150000/L
Application spatiale
Trou dvent des quipements embarqus sur satellite.
Afin de maintenir un blindage suprieur 80 dB en hyperfrquences, on impose
Dans ce cas le trou est cylindrique et L correspond au diamtre de louverture.
CESI_part1_ 34
Cours CEM
CALCUL DE BLINDAGES
Plaque d'alu de 0,8mm d'paisseur
100MHz
924
Bande C
5281
Bande X
7425
Bande Ku
9788
Bande Ka
13302
Plaque d'alu de 0,1mm d'paisseur
208
751
1019
1314
1753
Feuille d'or de 1m d'paisseur
107
113
116
119
125
Trou d'vent (diamtre 1mm, profondeur 3mm)
150
118
112
107
102
Trou pour liaison filaire a travers une plaque d'alu

(diamtre 2mm, profondeur 1mm)
69
37
31
26
21
Fente entre vis de fixation d'un capot (longueur

18mm, hauteur 0,01mm, profondeur 5mm)
62
30
Fente pour connecteur SUB-D 25pts (longueur

40mm, hauteur 8mm, profondeur 10mm)
44
DES EPAISSEURS DE PAROIES TRES FAIBLES SUFFISENT EN HYPER

POUR AVOIR UN BLINDAGE TRES IMPORTANT
ATTENTION AUX OUVERTURES MEME DE DIMENSIONS REDUITES
CESI_part1_ 35
Cours CEM
PRINCIPALES VICTIMES DES PERTURBATIONS

ELECTROMAGNETIQUES, ET COMPORTEMENT
CESI_part1_ 36
Cours CEM
COMPORTEMENT DES CIRCUITS VICTIMES A UN SIGNAL PERTURBATEUR
ACIRCUITS PASSE-BANDE OU ACCORDES (rcepteur, radio, TV, radar, etc....) :

- Trs sensible la frquence de travail et lintrieur de leur bande
passante.
- Trs peu sensibles hors bande (la rjection atteint 60 80 dB, en
thorie).
des rsonances dues aux selfs parasites des connexions et
- En
fait, la rjection hors bande est rduite cause :
capacits parasites internes aux circuits.
du phnomne de dtection parasite denveloppe en HF,
produit par toute jonction non linaire (jonction PN ou NP,
diodes crteuses, broche oxyde, etc...).
B- CIRCUITS PASSE-BAS OU BANDE DE BASE (amplis oprationnels ou
vido et circuits numriques) :
- Moins sensibles, dans leur bande passante que la catgorie A.
- Plus vulnrables des signaux indsirables du fait de leur absence
de slectivit.
CESI_part1_ 37
Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS
ANALOGIQUES
Lamplificateur analogique est suppos avoir :
un seuil de sensibilit assez bas,
une sortie proportionnelle la tension dentre, dans la bande passante,
une rjection en frquence, au dessus de la frquence de coupure Fco avec:
Fco =
BP gain unitaire
Gain
En thorie, toute frquence indsirable FEMI > FCO est attnue dans le rappor
F
ATTENUATION = EMI
FCO
avec n = ordre ou nombre

dtages du filtre
Un signal brouilleur hors-bande sort donc de lamplificateur avec

amplitude thorique gale
:
V (sortie) = V (entre) * ATTENUATION
EMI
EMI
Lattnuation est limite par des phnomnes parasites :

offset
dtection denveloppe
influence du botier
CESI_part1_ 38
Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES COMPOSANTS
ANALOGIQUES
PHENOMENE
DOFFSET
V sortie
V entre
R
tension parasite
continue
base
temps
Emetteur
temps
Le signal HF est redress par une diode de protection, par

la jonction base metteur dun transistor,
apparition dune tension parasite continue en sortie
Exempl
CESI_part1_
39
e
sur Ampli OP biFET : perturbateur de 1V/ 100 MHz en

entre
offset de 100mv en sortie
Cours CEM
ANALOGIQUES
DETECTION DENVELOPPE
V entre
V sortie
HF module
BF dmodule et amplifie
tps
tps
un signal HF modul par un signal BF est dtect par

des diodes parasites dun composant analogique
dmodulation du signal BF et amplification
CESI_part1_ 40
Cours CEM
ANALOGIQUES
INFLUENCE DU
BOITIER
Impdances
parasites du
botier
Composant
Entre
perturbations HF
Puce
Sortie
transmission directe du signal perturbateur de lentre vers
la sortie via les impdances parasites du botier
CESI_part1_ 41
Cours CEM
B-SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS NUMERIQUES

- Leur seuil de dtection relativement lev semble les rendre moins
vulnrables que les circuits analogiques. Par contre, leur grande
vitesse, correspondant une trs large bande passante, les expose
aux domaines de frquences de
pratiquement toutes les agressions
ambiantes.
- Le comportement dune porte logique vis--vis dun signal indsirable
sera une fonction chelon.
-Le paramtre dcrivant le seuil de susceptibilit est la marge de
bruit.
CESI_part1_ 42
Cours CEM
CHANGEMENT DETAT LOGIQUE
DEPASSEMENT DES MARGES DE BRUIT ET COMMUTATION
MARGE STATIQUE DE BRUIT DES CIRCUITS NUMERIQUES
Marge tat haut = VS1min -Ve1min

(impulsion ngative en limite de dclenchement sur une entre lta
Marge tat bas = VS0max -Ve0max
(impulsion positive en limite de dclenchement sur une entre ltat
CESI_part1_ 43
Cours CEM
CHANGEMENT DETAT LOGIQUE
DEPASSEMENT DES MARGES DE BRUIT ET COMMUTATION
MARGE DYNAMIQUE DE BRUIT DES CIRCUITS NUMERIQUES
Dure de l'impulsion parasite
vDynamique VStatique *
Temps de propagation dans la porte
Seuil de dclenchement
des logiques courantes
pour des impulsions
parasites brves
CESI_part1_ 44
Cours CEM
CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DES FAMILLES
NUMERIQUES
CESI_part1_ 45
Cours CEM
UNITES EN CEM
CESI_part1_ 46
Cours CEM
UNITES PRATIQUES
(Drives des units normales)
1 - On utilise les sous-multiples
TENSION :
COURANT:
CHAMP ELECTRIQUE:
(facteur 10-6)
CHAMP MAGNETIQUE:
12
)
V
A
pT
au lieu de V
(facteur 10-6)
au lieu de A
(facteur 10-6)
V/m
au lieu de V/m
au lieu de T
(facteur 10-
A/MHz
au lieu de A/Hz
(facteur 10-6)
2 - On utilise les : dB auV/m/MHz
dessus deau
.....
lieu de V/m/Hz (facteur 10-6)
dBV
au
dBA
au
dBV/m
au
dBpT
au
dBA/MHz
au
dBV/m/MHz au
V/M/Hz
lieu
lieu
lieu
lieu
lieu
lieu
de
de
de
de
de
de
V
A
V/m
pT
A/Hz
20 * log10
V
= 20 * log10 V (en V)
1V
CESI_part1_ 47
Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
CESI_part1_ 48
Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
Il y a deux faons de dfinir un signal physique:
Par son volution en fonction du temps, cest dire tel
quon lobserve loscilloscope.
Par son spectre de frquences tel quon lobserve
lanalyseur de spectre.
La reprsentation spectrale des perturbations est
indispensable en CEM car elle est utilise par:
Les normes de CEM tant civiles que militaires.
Les documentations fournisseurs de tous les blindages,
filtres, crans de cble et composants antiparasites.
La majorit des mthodes de prdictions CEM simples.
CESI_part1_ 49
Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
Train dimpulsions trapzodales
Pour un rapport cyclique de 50%, lamplitude du fondamental = A - 4dB

CESI_part1_ 50
Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
CESI_part1_ 51
Cours CEM
SPECIFICATIONS DE CEM
(application dans le domaine spatial)
CESI_part1_ 52
Cours CEM
SPECIFICATIONS
LENSEMBLE DES REGLES ET LIMITES CEM APPARAIT EN GENERAL DANS 2
DOCUMENTS QUI SONT LA BASE EN CE QUI CONCERNE LA CONCEPTION
CEM DUN SATELLITE
SPECIFICATIONS DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE
NORMES DE REALISATION ELECTRIQUE (G.D.I.R)
CES 2 SPECIFICATIONS ADAPTEES AU PROGRAMME A DEVELOPPER
SONT DES
DOCUMENTS AU NIVEAU SYSTEME.
CES SPECIFICATIONS DE CEM SONT EN GENERAL DERIVES DES NORME

MILITAIRES AMERICAINES :
MIL-STD-461C
MIL-STD-462
MIL-STD-1541A
MIL-B-5087B
CESI_part1_ 53
Cours CEM
SPECIFICATIONS
EXIGENCES CEM AU NIVEAU DES SOUS-SYSTEMES / EQUIPEMENTS
CONTRAINTES SUR LE BRUIT EMIS MAXIMUM (CE,RE) :
Domaine temporel ou spectral,

Conduit ou rayonn
CONTRAINTES DIMMUNITE AU BRUIT (CS,RS) :
Domaine temporel ou spectral,

Conduit ou rayonn
CONTRAINTES DE REALISATION :
Exigences dinterface alimentation (filtrage, protection

rfrence des potentiels lectriques (circuit zro volt),
masse mcanique (continuit lectrique),
rgles de cblage,
mcanique des botiers (blindage)
CESI_part1_ 54
Cours CEM
EXIGENCES AU NIVEAU EQUIPEMENT/SOUS-SYSTEME
RESPECT DES LIMITES DEFINIES DANS LA SPECIFICATION CEM AUSSI BIEN EN
EMISSION QUEN SUSCEPTIBILITE
EXIGENCES EN EMISSION CONDUITE (CE) :
Lignes dalimentation,
Lignes de signaux
EXIGENCES EN SUSCEPTIBILITE CONDUITE (CS) :
Lignes dalimentation,
Lignes de signaux
EXIGENCES SUR LES EMISSIONS RAYONNEES (RE) :
Champ magntique,
Champ lectrique
EXIGENCES EN SUSCEPTIBILITE RAYONNEE (RS) :
Champ magntique,
Champ lectrique
EXIGENCES SUR LA TENUE AUX DECHARGES ELECTROSTATIQ

CESI_part1_ 55
Cours CEM
EXEMPLES DE SPECIFICATIONS CEM
A) LIMITE D EMISSIONS CONDUITES B) LIMITE D EMISSIONS RAYONNEES

dBA rms
100
100.00
90
90.00
80.00
80
70.00
70
dBuV/m
60.00
60
50.00
40.00
50
30.00
40
20.00
1 MHz to 42 GHz
10,7 GHz to 12,75 GHz
13,75 GHz to 14,5 GHz
19,7 GHz to 21 GHz
29,5 GHz to 30 GHz
:
:
:
:
:
70 dBV/ m
90 dBV/m
30 dBV/m
90 dBV/m
30 dBV/ m
10.00
30
0.00
20
1E-2
0.01
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0.10
1E+4
FREQUENCE (KHz)
CESI_part1_ 56
1.00
10.00
100.00
Frequency (MHz)
1000.00
10000.00
100000.00
Cours CEM
EXEMPLES DE SPECIFICATIONS CEM
A) SUSCEPTIBILITE AUX PERTURBATIONS

B) SUSCEPTIBILITE AUX PERTURBATION
CONDUITES
RAYONNEES
V (e F F )
100.000
M O D E D IF F E R E N T IE L
10.000
(V/m)
1.000
1 MHz
to
42 GHz
10,7 GHz to 12,75 GHz
13,75 GHz to 14,5 GHz
19,7 GHz to 21 GHz
29,5 GHz to 30 GHz
0.100
:
:
:
:
:
+ 1 V/ m
+ 10 V/m
+ 0.006 V/m
+ 10 V/m
+ 0,006 V/m
0.010
M O D E C O M M U N
0 ,2
0.001
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
Frequency (MHz)
10 H z
60 100
1 kH z
10
100
1 M Hz
10
30 100 M H z
CESI_part1_ 57
1000.00
10000.00
100000.00
Cours CEM
CRITERES DE SUCCES EN EMC CS ET RS
EXEMPLE POUR UN EQUIPEMENT RF :
Critre en CS SPURIOUS MODULATION
Critre en RS IN-BAND EMC

SPURIOUS
EXEMPLE POUR UN EQUIPEMENT
NUMERIQUECritre
:
en CS et RS Choisir un critre de bon
fonctionnement :
Mesure dun Taux dErreur de Bit
Effectuer une squence de test - Ex.:
CESI_part1_ 58

CESI Part1

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CESI Part1

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Cours CEM

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