Fundamentos

de Electrnica
Grupo 1

Transistores BJT

Eltransistor
de
unin
bipolar(delinglsbipolar
junction
transistor, o sus siglasBJT) es undispositivo
electrnicodeestado slidoconsistente en
dosuniones PNmuy cercanas entre s, que
permite controlar el paso de lacorrientea
travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar
gracias
al
desplazamiento
de
portadores
de
dos
polaridades
(huecospositivos yelectronesnegativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones;
pero
tienen
ciertos
inconvenientes, entre ellos suimpedanciade

Se denominaunin PNa la
estructura fundamental de
loscomponentes
electrnicoscomnmente
denominadossemiconductore
s,
principalmentediodosytransi
stores.

bipolares son los

transistores ms
conocidos y se usan
generalmente
enelectrnica
analgicaaunque
tambin en algunas
aplicaciones
deelectrnica digital,
como la tecnologa
TTLo BICMOS.

TTLes la sigla en ingls detransistor-transistor logic, es

decir, lgica transistor a transistor. Es unafamilia
lgicao lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin
de circuitos electrnicosdigitales. En los componentes
fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y
salida del dispositivo sontransistores bipolares.

Un transistor de unin bipolar

est formado por dosUniones
PNen un solo cristal
semiconductor, separados
por una regin muy estrecha.
De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de
las otras dos por estar
fuertementedopada,
comportndose como un
metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona
comoemisor de portadores
de carga.
Base, la intermedia, muy
estrecha, que separa el
emisor del colector.
Colector, de extensin
mucho mayor.

La tcnica de
fabricacin
ms comn
es la
deposicin
epitaxial.

funcionamiento
normal, la unin
base-emisor est
polarizada en
directa, mientras que
la base-colector en
inversa. Los
portadores de carga
emitidos por el
emisor atraviesan la
base, porque es muy
angosta, hay poca
recombinacin de
portadores, y la

ESTRUCTURA
Un transistor de unin bipolar
consiste en tres regiones
semiconductorasdopadas: la
regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector.
Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y
tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P,
y tipo N en un transistor NPN.
Cada regin del semiconductor
est conectada a un terminal,

Corte transversal simplificado de un

transistor de unin bipolar NPN. Donde se
puede apreciar como la unin base-colector
es mucho ms amplia que la base-emisor.

Tipos de
Transistor de
Unin Bipolar

NPN
PNP

TRANSISTOR
NPN

bipolares, en los
cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los
portadores de carga
mayoritarios dentro
de las diferentes
regiones del
transistor. La mayora
de los transistores
bipolares usados hoy
en da son NPN,
debido a que la
movilidad del electrn
es mayor que la
movilidad de los
"huecos" en los
semiconductores,
permitiendo mayores
corrientes y

consisten en una capa de

material
semiconductordopadoP
(la "base") entre dos
capas de
materialdopadoN. Una
pequea corriente
ingresando a la base en
configuracin emisorcomn es amplificada en
la salida del colector.
La flecha en el smbolo
del transistor NPN est en
la terminal del emisor y
apunta en la direccin en
la que lacorriente
convencionalcircula
cuando el dispositivo est

TRANSISTOR PNP
El otro tipo de transistor de unin
bipolar es el PNP con las letras "P"
y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en
da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo
en la mayora de las
circunstancias.

Los transistores PNP

consisten en una
capa de material
semiconductordopa
doN entre dos
capas de
materialdopadoP.
Los transistores PNP
son comnmente
operados con el
colector a masa y el
emisor conectado al
terminal positivo de
la fuente de
alimentacin a
travs de una carga

corriente circulando
desde la base
permite que una
corriente mucho
mayor circule desde
el emisor hacia el
colector.
La flecha en el
transistor PNP est
en el terminal del
emisor y apunta en
la direccin en la
que la corriente
convencional
circula cuando el
dispositivo est en

El transistor bipolar fue

inventado en diciembre
de1947en laBell
Telephone Companypor
John Bardeen y Walter
Brattain bajo la
direccin de William
Shockley. La versin de
unin, inventada por
Shockley en1948, fue
durante tres dcadas el
dispositivo favorito en
diseo de circuitos
discretos e integrados.
Hoy en da, el uso de
BJT ha declinado en
favor de la
tecnologaCMOSpara el
diseo de circuitos
digitales integrados.

Replica del primer

transistor.

Modelo Ebers-Moll para transistores

NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores

PNP

oxidesemiconductoroCMOS
(semiconductor
complementario de
xido metlico)es una
de lasfamilias lgicas
empleadas en la
fabricacin decircuitos
integrados. Su principal
caracterstica consiste en
la utilizacin conjunta
detransistoresde
tipopMOSy
tiponMOSconfigurados
de tal forma que, en
estado de reposo, el
consumo de energa es
nicamente el debido a
las corrientes parsitas,
colocado obviamente en

Buffer amplificador

Unbuffer amplificador
es un dispositivo electrnico
que sirve para hacer una
transformacin en
laimpedanciade unaseal.

Existen 2 tipos bsicos de

buffers, decorrientey
devoltaje.

Buffer de corriente

Se utiliza para transferir una corriente desde un primercircuito, que

tiene un nivel de salida de baja impedancia, a un segundo circuito con
una entrada de alta impedancia. El buffer impide que el segundo
circuito cargue demasiado al primero, provocando un funcionamiento
incorrecto. En un buffer ideal la impedancia de entrada es cero y la
impedancia de salida es infinita.
En un buffer de corriente, la ganancia suele ser 1, la corriente no vara.

Buffer de voltaje

Se utiliza para transferir una tensin de un primer circuito, que tiene un

nivel de salida de alta impedancia, a un segundo circuito con un nivel de
entrada de baja impedancia. El buffer impide que el segundo circuito
cargue demasiado al primero, provocando un funcionamiento incorrecto.
En un buffer ideal, la resistencia de entrada es infinita y la resistencia de
salida es 0.
En un buffer de voltaje, la ganancia suele ser 1, el voltaje no vara.

Implementaciones

Buffers de voltaje
Operacional
Un buffer de ganancia unidad se puede construir con unamplificador
operacional seguidor de tensin. La seal se introduce por la entrada no
inversora del amplificador operacional (Vin), a causa de la realimentacin
de la entrada inversora con la seal de salida se obtiene esa seal con el
mismo voltaje.

Transistores
Tambin se pueden crear este tipo de dispositivos contransistores
bipolaresyNMOS.

Buffer de colector comn

NPN

Buffer de drenaje comn

NMOS

Buffers de corriente

Estos buffers se realizan con la

configuracin de colector comn de
un transistor bipolar. Estos circuitos
requieren de unafuente de corriente.

Buffer con fuente de corriente (Ie), carga (Ic) y

fuente de corriente Norton con resistencia Rs.

Amplificador
operacional

dispositivo
electrnico
(normalmente se
presenta
comocircuito
integrado) que tiene
dos entradas y una
salida. La salida es
la diferencia de las
dos entradas
multiplicada por un
factor (G)
(ganancia):
Vout = G(V+ V)
el ms conocido y
comnmente

El primer amplificador operacional monoltico, que data

de losaos 1960, fue el Fairchild A702 (1964),
diseado porBob Widlar. Le sigui el Fairchild A709
(1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran
xito comercial. Ms tarde sera sustituido por el
popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y
fabricado por numerosas empresas, basado en

Originalmente
los A.O. se
empleaban
paraoperacione
s
matemticas(su
ma,resta,multi
plicacin,divisi
n,integracin,d
erivacin, etc.)
encalculadoras
analgicas. De
ah su nombre.

El A.O. ideal tiene unagananciainfinita,

unaimpedanciade entrada infinita, unancho
de bandatambin infinito, una impedancia de
salida nula, un tiempo de respuesta nulo y
ningnruido. Como la impedancia de entrada
es infinita tambin se dice que
lascorrientesde entrada son cero.

Compuertas lgicas:
Unapuerta lgica, ocompuerta lgica, es
undispositivo electrnicocon una
funcinbooleana. Suman, multiplican,
niegan o afirman, incluyen o excluyen
segn sus propiedades lgicas. Se pueden
aplicar a tecnologa electrnica, elctrica,
mecnica, hidrulica y neumtica.
Soncircuitos de conmutacinintegrados en
unchip.

Lgica Directa
Puerta SI o BUFFER
La puerta lgica S, realiza la funcin booleana igualdad.
En la prctica se suele utilizar como amplificador de
corriente o como seguidor de tensin, para adaptar
impedancias (buffer en ingls).
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento
de la puerta S es:

F=A

Sutabla de verdades la
siguiente:
Tabla de verdad puerta SI
Entrada

Salida

Smbolo de la funcin lgica

S

a) Contactos
normalizado

b) Normalizado

c) No

Puerta AND o Y
La puerta lgicaY, ms conocida por su nombre en
inglsAND(), realiza la funcin booleana de producto lgico.
Su smbolo es un punto (), aunque se suele omitir. As, el
producto lgico de las variables A y B se indica como AB, y se
lee A y B o simplemente A por B.
Laecuacincaracterstica que describe el comportamiento de
la puerta AND es:

F = (A) * (B)

Su tabla de verdad es la
siguiente:
Tabla de verdad puerta AND
Entrada A

Entrada B

Salida A ^ B

Puerta AND con transistores

Smbolo de la funcin lgica Y:

a) Contactos
normalizado

b) Normalizado

c) No

Puerta OR u O
La puerta lgicaO, ms conocida por su nombre
en inglsOR, realiza la operacin de suma
lgica.
Laecuacincaracterstica que describe el
comportamiento de la puerta OR es:

F=A+B

Sutabla de verdades la
siguiente:
Entrada

Entrada

Salida

Puerta OR con transistores

Smbolo de la funcin
lgica O

a) Contactos
normalizado

b) Normalizado

c) No

Puerta OR - Exclusiva
La puerta lgicaOR-exclusiva, ms conocida por su
nombre en inglsXOR, realiza la funcin booleana
A'B+AB'. Su smbolo es(signo ms "+" inscrito en un
crculo). En la figura de la derecha pueden observarse
sus smbolos enelectrnica.
Laecuacincaracterstica que describe el
comportamiento de la puerta XOR es:

F=A+B

_ _

F = AB + AB

Su tabla de verdad es la
siguiente
Entrada

Entrada

Salida

Gracias