FAMILIAS LOGICAS

Integrantes:

Ascencio Quispe Jonh

Asto Cantoral Ingrid
Castro Advincula Karen
Hernndez Hernndez Yessenia
Jurado Domnguez Rocio

FAMILIAS LOGICAS
Una familia lgica es un grupo de dispositivos digitales que
comparten una tecnologa comn de fabricacin y tienen
estandarizadas sus caractersticas de entrada y salidas, es
decir, son compatibles entre s.

Los circuitos integrados son unas piezas o capsula que

generalmente es de silicio o de algn material semiconductor
que al utilizar sus propiedades es capaz de hacer las funciones
realizadas por la unin en un circuito, de varios componentes
electrnicos como: resistencias, condensadores, transistores,
etc.

Caractersticas:

Velocidad: Mide la rapidez de respuesta de las salidas de un circuito digital

a cualquier cambio en sus entradas

Potencia: El consumo de potencia se mide la cantidad de corriente o de

potencia que consume un circuito digital en operacin

Confiabilidad: se mide el periodo til de servicio de un circuito digital

Ruido: la inmunidad al ruido mide la sensibilidad de un circuito digital al

ruido electromagntico ambiental

Tipos
Familias bipolares.- Emplean transistores bipolares (BJT),
resistencias y diodos, es decir, dispositivos de unin. Las
familias

bipolares

ms representativas son las familias TTL y

ECL.

Familias MOSFET.- Emplean transistores MOSFET, es decir,

transistores de efecto campo.
Las familias MOS ms representativas son las familias NMOS,
PMOS y

CMOS.

 Cada una de las familias

est formada por subfamilias, y

van a tener una serie de parmetros cuyos valores van a

ser

ms

menos

fijos.

Difieren

una

de otras

en

las

prestaciones que ofrecen, cada una por separado tiene una

serie de ventajas e inconvenientes respecto a las otras. Hay que
tener

en cuenta, que por lo general, la mejora de una

caracterstica va en perjuicio de otra.

La idoneidad de cada familia, depende de la aplicacin que

queramos realizar con ella y que es lo que interesa ms
(menor consumo, ms velocidad de respuesta, etc.)

Familias Lgicas Bipolares:

Tenemos:

Lgica Resistencia-Transistor (RTL).

Diodo-Transistor (DTL).

Transistor-Transistor (TTL).

Emisor Acoplado (ECL).

Alto Umbral de Ruido (HTL).

Inyeccin Integrada (IIL).

La Familia MOS:

Las principales son:

Lgica MOSFET de canal n (nMOS).

Lgica MOSFET de canal p (pMOS).

Lgica de Simetra Complementaria (CMOS).

La familia PMOS

est anticuada

en la actualidad. En cuanto a la

NMOS es la ms utilizada en circuitos LSI y VLSI, empleados

para microprocesadores y memorias. Por su parte la familia
CMOS,

(Complementary

Metal

combinacin de NMOS y PMOS),

Oxide

Semiconductor

debido a su bajo consumo es

idnea para utilizarla en equipos a bateras, como por ejemplo

las calculadoras de bolsillo. Cada familia lgica tiene un circuito
electrnico bsico (puerta NAND, NOR, NOT), mediante o partir
del

cual

complejos.

se

desarrollan

funciones

circuitos digitales

ms

ESCALAS DE INTEGRACIN EN
CMOS. Los circuitos electrnicos se pueden integrar en una pastilla para formar circuitos ms complejos,
ahorrando espacio y tiempo de diseo. Segn el numero de puertas integradas se clasifican:
SSI (Small Scale Integration) Pequea Escala de Integracin (de hasta 12) puertas
MSI (Medium Scale Integration) Media Escala de Integracin (de 12 a 100)puertas
LSI (Large Scale Integration) Gran Escala de Integracin (N < 1 000)
VLSI (Very Large Scale Integration) Muy Gran Escala de Integracin entran los cktos con mas de 1
000)puertas
ULSI (Ultra Large Scale Integration) Escala de Integracin elevadsima se trata de cktos de 10 000
puertas)

WSI (Wafer Scale of Integration). Escala de integracin a nivel de puerta. Se trata de millones de puertas. Es el nivel
ms alto de integracin y se realiza en las etapas ms bajas de la construccin del circuito integrado.

Subfamilias TTL

La familia ms extendida es la TTL y se emplea por su fcil utilizacin,

amplia documentacin sobre ellos, tensin de alimentacin de 5 Voltios, y
varias familias compatibles entre s como:La familia TTL o bipolar se divide
en las siguientes categoras o subfamilias bsicas.

TTL:estandar

TTL schottky (s)

TTL de baja potencia (L)

TTL schottky de baja potencia (Ls)

TTL de alta velocidad (H)

TTL schottky avanzada (As)

TTL schottky de baja potencia avanzada (ALS)

Diferencias entre las familias CMOS y TTL.

Las diferencias ms importantes entre ambas familias son:

A) En la fabricacin de los circuitos integrados se usan transistores bipolares

para el L y transistores MOSFE para la tecnologa CMOS.

B) Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que

los TTL.

C) Los CMOS son ms lentos en cuanto a velocidad de operacin que los L.

D) Los CMOS tienen una mayor inmunidad al ruido que los TTL.

E) Los CMOS presenta un mayor intervalo de voltaje y un factor de

carga ms elevado que los L. En resumen podemos decir que: L: diseada
para una alta velocidad.
CMOS: diseada
para
un
bajo
consumo.
Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que
intentan conseguir lo mejor de ambas: un bajo consumo y una alta
velocidad. La familia lgica ECL se encuentra a caballo entre la TTL y la
CMOS. Esta familia naci como un intento de conseguir la rapidez de TTL y
el bajo consumo de CMOS, pero en raras ocasiones es empleada.

Ventajas de CMOS sobre las TTL

La lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea de la MSI,

principalmente a expensas de la TTL, con la que compite directamente.

El proceso de fabricacin de CMOS es ms simple que el

L y tiene una
mayor densidad de integracin, lo que permite que se tengan ms circuitos en
un rea determinada de sustrato y reduce el costo por funcin.

La gran ventaja de los CMOS es que utilizan solamente una fraccin de la potencia
que se necesita para la serie L de baja potencia (74L00), adaptndose de una
forma ideal a aplicaciones que utilizan la potencia de una batera o con soporte
en una batera.

El inconveniente de la familia CMOS es que es ms lenta que la familia L,

aunque la nueva serie CMOS de alta velocidad "HCMOS" (SERIES HC y HCT),
que vio la luz en 1983, puede competir con las series bipolares avanzadas en
cuanto a velocidad y disponibilidad de corriente, y con un consumo menor, con las
series 74 y 74LS.

Margen de ruido DC
Se define como la diferencia entre los niveles lgicos limite del
circuito de salida y los valores del circuito de entrada, tambin se
conoce por inmunidad al ruido, indica asta que punto los circuitos
son inmunes a las variaciones en los niveles lgicos debido a las
perturbaciones originales por el ruido
Se puede decir que el margen de ruido, es el mximo voltaje de
ruido adicionado a una seal de entrada de un circuito digital de
modo que no cause un cambio indeseable en la salida del circuito

Algunas terminologas

Vil max: el voltaje mximo que una entrada garantiza reconocer como un estado bajo

VOLmax: el voltaje mximo que una salida , en el estado bajo, garantiza producir

VIH

VOH MIN: el estado mnimo de una salida en estado alto

IiL max: la corriente mxima que una entrada podra requerir en el estado bajo

IOL MAX: la corriente mxima que una salida puede proporcionar en el estado bajo

IH MAX:

OH MAX:

min

el voltaje mnimo que en una entrada garantiza reconocer como un estado alto

la corriente mxima que una entrada podra requerir en el estado alto

la corriente mxima que una salida puede proporcionar en el estado alto

Inversor NMOS

Hace unos pocos aos este circuito era la base de una familia de
circuitos integrados de amplia utilizacin. Sin embargo, actualmente
estn siendo desplazados por los circuitos basados en el inversor CMOS,
que se describir ms adelante en este captulo. Distinguiremos a las
variables y parmetros del MOS de carga con un subndice 2, y las
correspondientes al MOS de acumulacin con el subndice 1. En el MOS
de carga la tensin entre puerta y sustrato es nula: vGS2=0. Por este
MOS circula corriente en estas condiciones ya que se trata de un MOS
de vaciamiento que tiene una tensin umbral VT2 negativa.

Por tanto, cuando vo valga VDD el valor de vDS2 ser nulo e iD2 tambin lo
ser. Cuando vo sea nula, vDS2 valdr VDD y la corriente iD podr obtenerse
a travs de la grfica 8.16a para este valor de tensin. La curva de carga, as
pues, no es ms que la curva del transistor M2 reflejada sobre el eje de
ordenadas y desplazada una cantidad VDD hacia la derecha. Esta "curva de
carga" sustituye a la recta de carga que apareca en el anlisis grfico cuando
la carga era una resistencia RD.

Inversor NMOS:

Un circuito inversor sencillo se compone de un NMOS y una carga

La carga puede ser reemplazada por una resistencia u otro dispositivo

NMOS.

Estructura del circuito general de un

inversor NMOS.

El transisto
El voltaje de entrada:

VIn = VGs

El voltaje de salida:

Vout = VDs
Vsb = 0

El dispositivo de carga

Terminal de corriente IL;

Terminal de voltaje VL

INVERSOR NMOS CON MEJORA DE CARGA

SATURADA.

n MOSFET reemplaza la carga resistiva, mejorando en gran medida la

densidad del empaquetamiento.

Los dos MOSFETs son fabricados con umbrales idnticos y parmetros

de proceso de transconductancia, para simplicidad y alto rendimiento
del circuito.

La carga tiene un umbral positivo y tiene VGs=VDs;

por lo tanto siempre est saturada.

VOH=VDD-VT.

INVERSOR NMOS CON CARGA EN MEJORA.

-Este inversor bsico consiste en solo dos transistores NMOS en mejora.

Mucho ms practico que el inversor con carga resistiva, porque las

resistencias son miles de veces ms grandes q un MOSFET.

Inversor con carga mejorada.

Se muestra en la siguiente figura un diagrama de un circuito inversor con

carga en mejora. Esto consta de dos modos de mejora (normalmente
apagado), transistores, usado como un conductor cuya puerta constituye a
entrada del inversor y un segundo transistor cuya puerta est conectada al
drenaje (Drain) y acta como un dispositivo de carga:

El inversor de carga en mejora es el elemento lgico bsico de la primera

tecnologa de solo transistores.

La importancia histrica de esta tecnologa es que solo un tipo de

transistores fue usado lo que condujo a un simple proceso, mientras que es
muy eficiente del espacio, ya que no se necesitan resistencias.

Esta tecnologa fue rpidamente reemplazada con circuitos de carga de

agotamiento seguido de circuitos Complementarios MOS.

La tecnologa de proceso sencillo y el hecho de que todas las cuestiones

de circuitos MOS son muy similares a la de una tecnologa completa de
circuitos CMOS hacen que el modo de tecnologa de circuitos en mejora
sea un tema til de estudio.