Amplificadores RF

pequea seal
Pr. Fernando Cancino

Materiales de los transistores

de RF
Son llamados Amplificadores de bajo ruido (LNA).
Existen dos mtodos de fabricacin empleados en
el espacio de RF: 1)Transistores de juntura bipolar
(BJT) y 2)Transistores por efecto de campo (FET).

Transistores usados en el diseo

de RF
Se emplean variedad de transistores,
entre los que se incluyen: Los MOSFET, de
Arsenurio de galio (GaAs), FET con
material metal-semiconductor (MESFET),
transistores hetero juntura bipolar
GaAs/InGaP (HBT), nitrito de galio (GaN),
transistores de alta movilidad electrnica
(HEMT), y FETs de Silicio carburado (SiC).

Circuito equivalente del

transistor de RF
Transistor equivalente en configuracin emisor.
Comn:

Circuito equivalente incluyendo inductancia

adelante:

Impedancia de entrada
Circuito equivalente usando el efecto Miller:

Impedancia de entrada equivalente:

Impedancia de entrada
Impedancia vista en el terminal de entrada:

Empleando los siguientes valores prcticos:

Se obtiene la siguiente Carta por 100:

Impedancia de entrada VS frecuencia

Impedancia de salida y ganancia

Impedancia de salida equivalente:

Ganancia en potencia tpica VS frecuencia

Curvas caractersticas del

transistor

El transistor como Caja Negra

de 2 puertos
El transistor como un circuito de 2 puertos:

Parmetros Y

Parmetros Y :
yi = Admitancia de entrada de Corto Circuito
yr = Admitancia de transferencia inversa de C. C.
yf = Admitancia de transferencia directa de C.C.
yo = Admitancia de salida de C.C.

Parmetros S

Coeficiente
de reflexin:

Donde: Zn es la impedancia normalizada

Ejemplo
Hallar el coeficiente de reflexin para el circuito
mostrado:

Solucin: Normalizando la impedancia de carga:

Solucin del ejemplo

anterior

Parmetros S en el circuito de 2
puertos

S11= Coeficiente de reflexin de entrada

S12 = Coeficiente de reflexin de transmisin inversa
S21 = Coeficiente de reflexin de transmisin directa
S22 = Coeficiente de reflexin de salida

Frmulas de conversin de
parmetros Y y S

Diseo de Amplificadores de RF pequea

seal usando los parmetros Y

de estabilidad
1.Clculos

a. Factor de estabilidad de Linvill: (Bajo

condiciones hipotticas: sin fuente y sin
carga)

Conductancia de entrada.
Conductancia de salida.

. Si C es menor que 1 es transistor es incondicionalmente

estable en el punto de polarizacin escogido.
. Si C es mayor que 1 es transistor es potencialmente
inestable.
. Si C=1, el dispositivo es crticamente estable.

Estabilidad (cont.)
Criterio
de estabilidad de Stern= K:

Considera las impedancias de fuente y de carga.

Conductancia de fuente
Conductancia de carga
Si K es mayor que 1 el circuito es estable para los
valores de fuente y de carga elegidos.
Si K es menor que 1 el circuito es potencialmente
inestable y el circuito puede oscilar o entrar en
condicin de caos.

Mxima ganancia disponible

La
mxima ganancia disponible de un transistor
puede ser calculada como:

Es el clculo inicial de ganancia para una

aplicacin.
Esta ganancia ocurre cuando: ;

Diseo con acoplamiento conjugado

(transistores incondicionalmente estables)
Ganancia en potencia ptima se obtiene
calculando:

Ejemplo de diseo
Un transistor trabajando en 100 MHz, VCE = 10
volts, Ic = 5 mA, montaje emisor comn, tiene los
siguientes parmetros Y:

Disee un amplificador que provea mxima

ganancia en potencia desde una fuente con 50
ohm a una caga de 50 ohm en 100 MHz.

Solucin al Ejemplo
1. Clculo del factor de estabilidad de Linvill:

Puesto que C<1 el circuito es incondicionalmente

estable y en consecuencia se puede proceder con el
diseo. Sin embargo se debe tener cuidado con el
acople, pues podra generar inestabilidad.

Solucin al Ejemplo (Cont.)

2. Clculo de MAG:
3. Clculo de las admitancias de fuente y de carga para
acoplamiento conjugado simultneo:

Para la fuente:

La admitancia de fuente que el transistor debe ver para

mxima transferencia de potencia es: 6.95-j12.41
mmhos. La admitancia del lado de transistor debe ser:
6.95+j12.41 mmhos

Solucin al Ejemplo (Cont.)

Para la carga:

Para mxima transferencia de potencia la

admitancia de carga debe ser: 0.347-j1.84 mmhos.
4. Diseo de la red de acople de entrada: Debe acoplar
la impedancia de la fuente de 50 ohm a la entrada
del transistor:
Empleando un factor de normalizacin de 50: el
acople se realiza entre A=1 ohm y C= 50(6.95j2.42)=0.34 j 0.62 mho.

Red de acople de entrada

Red de acople de salida

Empleando un factor de normalizacin de 200, la
red de acople de salida tiene como entrada:
y salida: 50/200=0.2.5 ohm

Red de acople de salida

Red de polarizacin
1. Punto de polarizacin: Ic= 5 mA, Vce = 10 volt.
Vcc= +20 v., = 50.
2. Asumiendo VE=2.5 v
3. Clculo de RE y RC:

4. Clculo de R1 y R2:

Circuito final del ejemplo

Diseo con transistores

potencialmente inestables
Si C<1, el transistor es potencialmente inestable
y puede oscilar. En este caso hay varias opciones:
1. Seleccionar un nuevo punto de polarizacin para
el transistor, lo que implica cambio de
parmetros.
2. Unilateralizar o Neutralizar el transistor.
3. Seleccionar un desacoplamiento en la entrada y
en la salida del transistor para reducir la
ganancia.

Unilateralizacin
La
Unilateralization consiste en aprovicionar un circuito externo
de realimentacin (Yf ) entre la entrada la salida, tal que:

Por tanto, cancela permitiendo que la impedancia de transferencia

inversa compuesta sea igual a cero.
En este caso, el dispositivo se convierte en estable en forma
incondicional.
Esto puede ser verificado sustituyendo en la ecuacin de
estabilidad de Linvill generando un factor que en este caso llega
a ser cero, indicando una estabilidad incondicional.

Neutralizacin
La Neutralizacin es similar a la Unilateralizacin excepto que
la componente imaginaria de es nicamente tenida encuenta.
Se construye un realimentacin de la salida a la entrada tal
que
Bf =br.
Entonces, la suceptancia de transferencia inversa compuesta
(brc) es igual a cero.
En la Neutralizacin, gr es despreciable frente a br .
Por esta razn la neutralizacin es preferida a la
unilateralizacin.
Existen dos tipos de neutralizacin: el inductor en series con un
capacitor sintonizados para proveer la cantidad correcta de
susceptacia negativa (inductancia) necesaria para cancelar la
susceptancia de transferencia inversa positiva interna del
transistor.

Circuitos de
Neutralizacin

A) Para

B) Para

Parmetros compuestos
Conectando
una red externa entre la entrada y la

salida de la red activa, por Unilateralizacin o

neutralizacin se generan nuevos parmetros para
el amplificador llamados: parmetros compuestos.
Agregando un subndice t a los parmetros del
dispositivo y una f a la red de realimentacin, los
parmetros compuestos pueden escribirse as:

La red de realimentacin se reduce a una

admitancia cuyos parmetros son:

Ejemplo
Un
amplificador de RF pequea seal trabaja en ,
emplea un transistor en E-C, , , tiene los siguientes
parmetros y en

Encuentre las admitancias de fuente y de carga

que aseguren
un diseo estable. Encuentre la
ganancia del amplificador.
Solucin:
1. Clculo del factor C de estabilidad:

35 j5 0 j1.5
yf yr
C

2.4 1
2 gi g o Re yf yr 2 3 4 Re 35 j5 0 j1.5

El dispositivo es potencialmente inestable.

Neutralizando el transistor
(Ejemplo)

Requiere un Condensador de desacople de .

Parmetros compuestos
(Ejemplo)
;

Mxima Ganancia Disponible:

Diseo de amplificadores RF p.s.

mediante parmetros s
Se calcula de la misma manera que con los

parmetros y.
Para calcular la estabilidad con los parmetros S se
debe calcular primero una cantidad intermedia:
El factor de estabilidad ROLLETT (K) se calcula:

Si el dispositivo es Incondicionalmente estable.

Si el dispositivo es Potencialmente estable, y puede
oscilar con ciertas combinaciones de impedancias de
fuente y de carga.

Mxima Ganancia Disponible :

MAG
Se espera MAG bajo condiciones de
acoplamientos conjugados.
Se calcula primero:
Luego el clculo de MAG en dB:

El signo que precede al radical es el opuesto al

signo de B1.

Diseo con transistores

incondicionalmente estables
Clculo del coeficiente de reflexin de carga. Se
realizan los siguientes pasos:

Coeficiente de reflexin de fuente:

Ejemplo: Diseo amplificador RF

con los parmetros S
Disee un amplificador de RF con un transistor en
200 MHz, Vce=10v., Ic=10 mA, que tiene los
siguientes parmetros S:

El amplificador debe operar entre terminaciones de

50 Disear las redes de acople de entrada y
salida respectivamente, para mxima ganancia.

Solucin
Clculo
de la estabilidad en el punto de

operacin:

Dado que el transistor es incondicionalmente

ESTABLE.
Clculo de MAG:

Solucin (cont.)
Clculo del coeficiente de reflexin de carga:

Clculo del coeficiente de reflexin de fuente:

Solucin (cont.)
Red
de acople de entrada: Debe forzar a la

fuente con 50 presente un coeficiente de

reflexin . Con este ngulo y magnitud medidos
con el comps, se encuentra el punto C, que en la
carta de impedancias corresponde a
No olvidar que esta impedancia est normalizada.
La impedancia representada por
es igual a:

Solucin (cont.) Red de

entrada

C en paralelo.

L en serie.

Solucin (cont.) Red de

salida
Red
de acople de salida:

El coeficiente de reflexin de salida es mostrado en

la siguiente transparencia con:
Se puede leer en la carta:

Solucin (cont.) Red de

salida

C en paralelo.

L en paralelo

Solucin (cont.)
Circuito final sin incluir la polarizacin:

Diseo para una ganancia

especfica
Cuando se requiere una cierta ganancia se
emplea el mtodo de desacople selectivo,
mediante el crculo de ganancia constante en la
carta de Smith y se calcula as:
1. Calcule:
2.
3.
4.
5. Centro del crculo:
6. Radio del crculo:

Ejemplo
Un
transistor a 250 MHz con , tiene los siguientes
parmetros S:

Disear un amplificador que provea una ganancia

de 9 dB en 250 MHz si las impedancias de la fuente
y de la carga son:

El transistor es estable incondicionalmente con

Solucin

Ganancia:

El centro del crculo es localizado en el punto:

Este punto es graficado en la carta de Smith.

El radio del crculo de ganancia 9 dB es calculado
como:

Solucin (cont.)
A: Impedancia de carga
50-j50 cuyo valor
normalizado es:
1-j1

El circuito de salida del

transistor debe trasformar
La carga actual en un
Valor que cae sobre el
Crculo de ganancia cte.
Hay numerosas
Configuraciones
Que cumplen
Arco AB=C serie=-j2
Arco BC= L paralelo=-j0.425

Solucin (cont.)
Cualquier
impedancia de carga a lo largo de la

circunferencia producir una ganancia de 9 dB si

la impedancia de entrada del transistor es
acoplada con el conjugado.

Para un acoplamiento conjugado en la entrada

con (punto C), el coeficiente de reflexin debe
ser:

Solucin (cont.)

A: Impedancia de fuente
normalizada=0.7-j1.2
D:
Con un diseo de 3 elem.

AB=C2 paralelo
AB=j0.62 mho
BC=L2 serie
BC= j1.09 ohm
CD= C3 paralelo
CD=j2.1 mho

Solucin (cont.)

Diseo, excluido el circuito de polarizacin: