El transistor bipolar de unin (BJT).

Anlisis en CC
Estructura del transistor BJT
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales
(llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, NPN y PNP
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
de aceptadores o huecos (cargas positivas)

La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3 zonas, es la

zona encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la
base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del
transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de
emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las
capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible
de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de
recoger o colectar los portadores que inyectados por el emisor han
sido capaces de travesar la base. Es la zona con un nivel de dopado
inferior de las tres zonas

Operacin BJT
Al igual que en el diodo en las uniones p-n se forma una zona de agotamiento
que tendr grosores diferentes segn el dopado de cada material.
Su funcionamiento es el siguiente:
Inicialmente el emisor inyecta portadores mayoritarios en la base en donde se
convierten en portadores minoritarios. Como la base est poco dopada, slo
algunos portadores se recombinan con los pocos portadores de carga
contraria presentes en la base y por tanto la corriente de base es muy
pequea. Adems debido a su pequeo espesor, muchos portadores son
capaces de atravesar la base y pasar al colector donde son arrastrados hasta
el contacto elctrico.

Funcionamiento del BJT

En general se definen varias tensiones y corrientes en el transistor
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular,
y en el terminal de base (B) se aplica la seal de control
Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula

entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base.
En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisorbase) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin basecolector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como
una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.

Regiones de funcionamiento
Corte: Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.

Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte

cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor
del mismo, es decir, basta con que
VBE=0
Activa: La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes

en todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en

directa y la colector-base en inversa.
VBE=0,7 V

Saturacin: En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la

base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa.
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente). Es de sealar especialmente que cuando el
transistor se encuentra en saturacin circula tambin corriente por sus tres terminales, pero
ya no se cumple la relacin: IC = IB
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor

Configuraciones del BJT

Base comn, si el terminal comn es la base.
Emisor comn, si el terminal comn es el emisor.
Colector comn, si el terminal comn es el
colector.

Configuracin de Base comn

La terminologa en base comn se deriva del hecho de que la base

es comn tanto para la entrada como para la salida de la
configuracin.
se requieren dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de
entrada (punto de manejo)
y el otro para el lado de salida
El conjunto de entrada para el amplificador en base comn relaciona una
corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles
de voltaje de salida (VCB).

Curvas caractersticas Base comn

Entrada

y salida

Transistor tipo
PNP

Polarizacin (Detalles de la configuracin Base comn)

La polarizacin apropiada de la configuracin de base comn en la
regin activa se determina de inmediato con la aproximacin
y suponiendo por el momento que IB =0 Se tiene que siguiente
circuito:

ACCIN AMPLIFICADORA DEL

TRANSISTOR
las caractersticas de la figura 3.7 es muy pequea y por lo regular
vara de 10 a 100 , mientras que la resistencia de salida es bastante
alta de 50 k 1 M. Las diferencias entre los valores de las
resistencias se debe al tipo de polaridad de directa (entrada Base
emisor) y polaridad inversa (salida base colector).
Por ejemplo:

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje de la configuracin

en base comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente
(Ic/Ie) siempre es menor que 1 para la configuracin en base comn.

Configuracin en Emisor Comn

El emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de

entrada y salida (en este caso es comn para las terminales base y
colector)
Se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir plenamente el
comportamiento de la configuracin en emisor comn:
una caracterstica para el circuito de entrada o de base-emisor
otro para el circuito de salida o de colector-emisor.

las caractersticas de salida son una grfica de la corriente de salida ( IC)

con el voltaje de salida (VCE) para un intervalo de valores de la corriente
de entrada (IB). Las caractersticas de entrada son una grfica de la
corriente de entrada (IB) contra
el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de
salida (VCE).
Curvas caractersticas Emisor comn

La regin activa de la configuracin en emisor comn se emplea para amplificar

voltaje, corriente o potencia
Para propsitos de amplificacin lineal hay que evitar que IB = 0 uA
cuando se requiere una seal de salida no distorsionada

Polarizacin (Detalles de la configuracin Emisor comn)

Se determina de manera parecida a la de la configuracin en base
comn. Aplicando las corrientes de nodos

Configuracin en Colector Comn

La configuracin en colector comn se utiliza sobre todo para igualar
impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base
comn y en emisor comn.

Para la configuracin en colector comn las caractersticas de salida

son una grfica de IE c con respecto a VCE con un rango de valores de
IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con
las caractersticas en emisor comn como en colector comn
En la prctica, las caractersticas de salida de la configuracin en colector
comn son las mismas de la configuracin en emisor comn

Limites de operacin (los mas comunes en catalogo)

corriente mxima del colector (normalmente aparece en la hoja de
especificaciones como corriente continua en el colector)
voltaje mximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO en la hoja
de especificaciones)
Nivel de disipacin Pcmx

Comprobacin de transistores
Con el colector abierto la unin base a emisor deber producir un bajo
voltaje de cerca de 0.7 V con el cable rojo (positivo) conectado a la
base y el negro (negativo) conectado al emisor. La inversin de los
cables produce una indicacin OL para representar la unin polarizada
en inversa. Asimismo, con el emisor abierto se pueden verificar los
estados de polarizacin en directa y en inversa de la unin base a
colector

Un transistor en la regin activa la unin base a emisor (NPN) est

polarizada en directa y la unin base a colector est en inversa. En
esencia, por consiguiente, la unin polarizada en directa deber
registrar una resistencia relativamente baja, en tanto que la unin
polarizada inversa muestra un resistencia mucho ms alta

Polarizacin de cd de los
BJT

PUNTO DE OPERACIN

Para que el BJT se polarice en su regin de operacin lineal o activa

lo siguiente debe ser cierto:
1. La unin base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje ms
positivo en la regin p), con el voltaje de polarizacin en directa
resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.
2. La unin base-colector debe polarizarse en inversa (ms positivo
en la regin n), con el voltaje de polarizacin en inversa de
cualquier valor dentro de los lmites del dispositivo.
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA
El circuito de polarizacin fija es la configuracin de polarizacin de cd ms
simple.
Para el anlisis de cd se puede aislar la red de los niveles de ca indicados
reemplazando los capacitores con un equivalente de circuito abierto, ya que
la reactancia de un capacitor con cd es XC = 1/(2fC) = , porque la f=o Hz
en DC.

Saturacin del transistor

Posee valores mximos de corriente de colector

Anlisis por medio de la recta de carga

Definida por la resistencia de carga la cual determina la pendiente de
la recta de carga

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN DE EMISOR

Mejora la estabilidad
configuracin fija

del

circuito

en

comparacin

de

la

Estabilidad de polarizacin mejorada

Cuando las condiciones externas cambian como temperatura y
ganancia B la RE mejora la estabilidad de las corrientes de polarizacin
en DC y los voltajes tambin
Nivel de saturacin
Se aplica en corto circuito entre el colector y el emisor

Anlisis por medio de la recta de carga

Se realiza el anlisis en la malla base emisor

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE

Permite no ser dependiente del valor de ganancia B del transistor.
Existen dos mtodos que se pueden aplicar para analizar la configuracin del
divisor de voltaje:
mtodo exacto, el cual se puede aplicar a cualquier configuracin del divisor de
voltaje.
mtodo aproximado, se puede aplicar slo si se satisfacen condiciones
especficas, permite un anlisis ms directo con ahorro de tiempo y energa.

Saturacin del transistor

Se aplica en corto circuito entre el colector y el
emisor
Anlisis por medio de la recta de carga
Igual que la polarizacin de emisor

CONFIGURACIN DE REALIMENTACIN DEL COLECTOR

se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una
trayectoria de realimentacin desde el colector a la base
La trayectoria de realimentacin produce una reflexin de la resistencia RC
de vuelta al circuito de entrada, muy parecida a la reflexin de RE.

Malla base-emisor

Malla colector-emisor

Condiciones de saturacin
Utilizando la aproximacin Ic= Ic
la ecuacin de la corriente de saturacin es la misma que se
obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de
polarizacin de emisor.

Anlisis por medio de la recta de carga

Utilizando la aproximacin Ic= Ic
la ecuacin de la corriente de saturacin es la misma que se
obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de
polarizacin de emisor.