DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES:
-SEMICONDUCTORES
-SEMICONDUCTORES
INTRNSECOS
-SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
-TIPO N
-TIPO P
-JUNTURA PN DIODO
-EL DIODO IDEAL
-DIODO REAL

UNIDAD N 1:

SEMICONDUCTORES:

SEMICONDUCTORES:

Semiconductor Intrnseco:
-Silicio
-Germanio

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:

Para aumentar la concentracin de portadores, se realiza el proceso de

DOPADO o CONTAMINACIN con IMPUREZAS
El tipo de impureza predominante, determina el tipo de portador
mayoritario, y por ende, el tipo de semiconductor.

Semiconductor tipo N:
Impurezas: tomos donores
Ej : Antimonio

Semiconductor tipo P:

Impurezas: tomos aceptores.

Ej Galio, Indio, etc:

TIPO N, dopado con FSFOR

TIPO P, dopado con Boro

JUNTURAS P-N:

Frontera entre zona tipo N y tipo P, formada en el mismo cristal.

Se produce difusin de portadores de una zona a otra, hasta lograr
el equilibrio, generando una zona de agotamiento o DESERCIN.
La diferencia de potencial electrosttico creado, se denomina
potencial de barrera de la juntura.
El flujo de portadores minoritarios (lagunas de regin N a P y
electrones de P a N), se compensan mutuamente , en condicin de
equilibrio.

POLARIZACIN DIRECTA:

Se reduce la altura de la barrera de potencial

Permite que mayor cantidad de portadores mayoritarios crucen la
barrera por difusin.
Despreciando caidas en los contactos externos, la reduccin en la
barrera es igual a la tensin externa aplicada.
Pequeas variaciones en la barrera generan grandes variaciones en el
flujo de portadores (relacin exponencial)

POLARIZACIN INVERSA:

Se incrementa la altura de la barrera de potencial

Disminuye la cantidad de portadores mayoritarios que pueden cruzar la
barrera por difusin.
Predomina la difusin de portadores minoritarios-> corriente de
saturacin inversa Is ->t
Con tensiones de alrededor de 0,1 V, se logra anular casi por completo el
flujo de portadores mayoritarios.

RUPTURA DE LA JUNTURA PN:

Se produce con valores intensos de tensin de polarizacin inversa.
Se producen pares e- huecos por ruptura de enlaces covalentes.
Tensin de ruptura: Vr (depende de materiales y contaminacin)
En ruptura, la corriente inversa aumenta rpidamente con la tensin.
Avalancha Zener

DIODO:
Diodo
Ideal:

Cortocircuito con Vd>0

Circuito Abierto Vd<=0

Diodos reales:

Donde:

Diodos reales:

Pequeas
variaciones de Vd,
generan grandes
variaciones en Id

13

14

EFECTOS DE LA TEMPERATURA SOBRE LA

CURVA DEL DIODO:

15

Diodos reales: recta de

carga DC

RESISTENCIA DC:

En un punto de polarizacin Q,
se puede calcular la resistencia
de DC equivalente del DIODO:

s el punto de equilibrio o reposo quiescence

LA RESISTENCIA DC del diodo, es diferente

para cada punto de POLARIZACIN

17

RESISTENCIA Y RECTA DE
Concepto de
Vac+Vdc
CARGA
superposicin:AC:

Vac

Vdc

18

RECTA DE CARGA EN AC:

RESISTENCIA AC:

Sabemos que:

20

RESISTENCIA AC:
Sabemos que:

si

Para excursiones pequeas de

la seal
Modelo para pequea seal:

21

Si la excursin de la seal de AC es comparable al nivel de DC

22

Las formas de onda de Vd e Id se distorsionan

23

Seleccin de diodos hojas de datos:

24

25

Para calcular la potencia que disipar el

diodo:

26

Circuitos con diodos

ideales:

Circuitos con diodos

ideales:

FUENTE DE ALIMENTACIN REGULADA: RECTIFICADORES

Aplicacin:

29

RECTIFICADORES:

30

Rectificador de Media Onda:

31

Rectificador de Media Onda:

32

Rectificador de Media Onda:

Voltaje inverso mximo:

-Vmax

Rectificador Puente Onda completa:

IN

D 1

O U T

D 3

D 4
V m a x s e n (w t)
D 2

R L

Rectificador Puente Onda completa:

Rectificador Onda completa:

(con transformador de punto medio)
IN

D 1

O U T

V m a x s e n (w t)
Ls1

Vmax sen(wt)

Ls2

Vmax sen(wt+180)

Lp

D 2

R l

36

Rectificador Onda completa:

IN

D 1

O U T

V m a x s e n (w t)
Ls1

Vmax sen(wt)

Ls2

Vmax sen(wt+180)

Lp

D 2

R l

Voltaje inverso
mximo: -2Vmax

37

Rectificador TRIFSICO de media onda:

38

Rectificador TRIFSICO de media onda:

La tensin aplicada a la carga

es: Vfase

39

Rectificador TRIFSICO de media onda:

Voltaje inverso mximo?

Vlnea

Si D1 se considera Diodo ideal, puede

reemplazarse por un CC cuando est
polarizado en directo. D2 y D3 en ese
instante estarn inversamente
polarizados, y el voltaje entre sus
terminales nodo y Ctodo, ser el
voltaje de Lnea y no de fase!!
Ej: En el nodo de D2 tenemos VB, y
en su ctodo VA
Por analoga, lo mismo ocurrir para
D1 y D3 cuando el diodo que entre en
conduccin sea D2, o para D1 y D2

Rectificador TRIFSICO Puente:

La tensin aplicada a la carga es VLnea

Va
Vb

Vc

Rectificador TRIFSICO Puente:

Donde V(wt) es
tensin de lnea
Donde -30 es
el desfasaje de
la tensn de
lnea respecto
de la de fase en
conexin Y

Donde Vmax en este caso es valor pico

de la tensin de lnea!.

Ejercicios y ejemplos:

NG, Donald; BELOVE, Charles, Belove : CIRCUITOS ELECTRNICOS, Discretos e Integrados; 3 ed, Mc

Ejercicios y ejemplos:

STAD, Robert; NASHLESKY, Louis; ELECRNICA:TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS