Modos de operacin

del diodo de unin

Ing. Jhon Jairo Ramrez Echeverry
Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Universidad Nacional de Colombia

Contenidos de la
presentacin
1. Curva voltaje corriente para el diodo
de unin
2. Diodo de unin en circuito abierto
3. Diodo de unin polarizado en inverso
4. Diodo de unin polarizado en directo
5. Modelos circuitales del diodo de unin
6. Ejercicios

Curva de voltaje corriente de una

resistencia

Curva de voltaje corriente del diodo de

unin
D3

DIODE

BAT1

D3
DIODE

BAT1

Anlisis en las diferentes

regiones de la curva
Se analizan dos corrientes y su resultante:
ID:
corriente
de
difusin
(portadores
mayoritarios).
IS: corriente de deriva (portadores minoritarios).
I:
corriente resultante.
En todos los casos se da inicialmente un estado
transitorio y finalmente un estado de equilibrio.

Diodo semiconductor de
unin p-n
I
Circuito abierto
D

IS

Sin polarizacin los portadores mayoritarios (huecos) del

material tipo P se difunden hacia el material tipo N. De igual
manera los electrones pasan desde N hacia P. Los dos
componentes de estas corrientes se suman y forman ID (corriente
de difusin). ID es grande transitoriamente.
En la regin de deplexin de portadores libres aparece un
campo elctrico E (zona elctricamente NO neutra) que hace
requerir de un V0 para que los portadores mayoritarios se puedan
difundir entre las regiones. Sin fuente externa que proporcione una
tensin mayor a V0, ID se hace muy pequea (estado de equilibrio).

Diodo semiconductor de
unin p-n
Circuito abierto

N AND

Vo VT ln
2

n
i

VT = (k*T/q)
Tomada de http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/5f/Diodo_pn__zona_de_carga_espacial.png

Diodo semiconductor de
unin p-n
Circuito abierto
Ejercicio:
Halle para una unin N-P el voltaje de umbral o
barrera V0 (built-in voltage) con NA = 1017 /cm3 y
ND = 1016 /cm3 a T = 300K . Use ni = 1.5*1010
3
/cm
q =1.6*10-19 Coul (joule/volt), k= 1.38*10-23 joule/K

Sol.

Vo = 728 mV

Diodo semiconductor de
unin p-n
I
Circuito abierto
D

IS

En el material tipo N habr portadores minoritarios

(huecos), generados por ionizacin TRMICA, que se difunden.
Algunos de dichos portadores minoritarios se acercan a la
zona de agotamiento y se derivan (corriente de deriva) al
material tipo P por efecto del campo E.
Igualmente los portadores minoritarios (electrones) en el
material tipo P se difunden y luego se derivan hasta el
material tipo N por efecto de E.
Estas dos componentes dan origen a la corriente de deriva IS.

Diodo semiconductor de
unin p-n
I
Circuito abierto
D

IS

La magnitud de IS depende de la cantidad de portadores

minoritarios generados por efecto trmico, es de valor muy
pequeo y es independiente de V 0.
En equilibrio:

ID IS I 0
10

Diodo semiconductor de
unin p-n
Polarizado
en inverso
I
D

IS

11

Diodo semiconductor de
unin p-n
Polarizado
en
inverso
Condicin de Polarizacin Inversa (V < 0 V).
D

Al aplicar la fuente de tensin externa, electrones

libres de la region N son arrastrados hacia el
terminal positivo de la fuente; por lo tanto el
nmero de iones positivos descubiertos en la
regin de agotamiento del material tipo N
aumentan.
Asimismo, el nmero de iones negativos
descubiertos en el material tipo P aumentar
debido a que los electrones inyectados por la
terminal negativa ocuparn los huecos.
I es grande, pero transitoria y su valor se debe a
la fuente; se desprecian los componentes de I D e
IS .
12

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en inverso
La regin de agotamiento crece hasta establecer
una barrera muy grande (E grande con polaridad
contraria a la fuente); cuando este transitorio se
equilibra:
Los portadores mayoritarios escasamente se
DIFUNDEN entre las regiones por la asuencia de
portadores cercanos a la unin (zona de deplexin
grande), la barrera de E es grande; por lo tanto ID
cero.
IS debida a portadores minoritarios (generados
por efecto trmico) que se difunden y derivan entre
las regiones, es de valor independiente del voltaje
En
deequilibrio:
barrera, sigue constante y es muy pequea.

I IS ID IS 0

13

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
I
ID

IS

14

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
Condicin de Polarizacin Directa (VD >0)
La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a
los electrones del material tipo N a superar la zona
de agotamiento, a difundirse y recombinarse con
los huecos del material tipo P; lo mismo ocurrir
con los huecos del material tipo P. La anchura de
la regin de agotamiento tender a disminuir (E
pequeo con polaridad igual a la fuente externa).
Los huecos inyectados en la regin tipo N harn
que pn sea mayor que pn0 (efecto trmico). El
exceso de portadores minoritarios es >> hacia el
borde de la zona de deplexin y disminuye
exponencialmente al alejarse.
15

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo

pn pn 0

En equilibrio, este exceso de portadores minoritarios

es constante y hace que ID sea mayor que IS.

16

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
Condicin de Polarizacin Directa (VD >0)
Es decir, ID se hace mayor que IS porque los
electrones inyectados en la region P se difunden a lo
largo de la regin, lejos de la unin, hasta
desaparecer por recombinacin. Los electrones que
se recombinan son reabastecidos por la fuente
externa mantenindose el equilibrio.
I

ID

En equilibrio:
IS

I ID IS
17

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo

18

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
La
concentracin
de
portadores minoritarios al
borde de la deplexin es
(de la fsica):

p n ( xn ) p n 0 e

VD
VT

La distribucin de exceso de huecos en la regin

N, se expresa:

p n ( x ) p n 0 p n ( xn ) p n 0 e

x xn / L p

19

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
Lp
Constante longitud
de difusin de huecos en
regin N
Lp
mayor
significa
MENOR rapidez en la
recombinacin
de
huecos, que vienen de P,
con
los
electrones
mayoritarios.

L p D p p

p Tiempo de vida de exceso de portadores

minoritarios (huecos) en el sustrato N.
20

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo
La difusin de huecos en la regin N provoca una
densidad de corriente huecos
dp :
J p qD p
dx

p n ( x ) p n 0 p n ( xn ) p n 0 e
Jp q*

x xn
Jp q*

Dp

Dp
Lp

pn 0 eV / VT 1

Lp
Dn
Jn q *
n p 0 eV / VT 1
Ln

VD / VT

pn 0 e

1 e

I A*(

x xn / L p

( x xn ) / L p

qD p pn 0
Lp
2

ni
pno
ND

qDn n p 0
Ln

)(eVD /VT 1)
2

ni
n po
NA

21

Diodo semiconductor de unin p-n

Polarizado en directo

Dn VD /VT

e
1
L p N D Ln N A

I D Aqni *

Dp

Dn

L p N D Ln N A

I S Aqni *

Dp

VD /VT

ID IS e

22

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
Smbolo y nomenclatura:

23

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
1. Modelo ideal:

24

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
El
diodo
ideal,
por
consiguiente,
es
un
corto circuito para la
regin de conduccin.

El
diodo
ideal,
por
consiguiente,
es
un
circuito abierto para la
regin de no conduccin.
25

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
2. Modelo fsico:

26

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
I D I S (e

VD
VT

1)

Donde:
IS = Corriente de saturacin (A).
CuandoVD negativo el exponencial rpidamente es
cero y la corriente en inverso es IS, por eso el
nombre de saturacin. rdenes de 10-15 A.
q = Carga del electrn. 1.6*10-19 Coul {joule/volt}
k = Constante de Boltzman. 1.38*10-23 joule/K
T = Temperatura de K
V = Voltaje del Diodo en directo

27

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
3. Aproximacin a fuente de voltaje:

28

Modelamiento circuital de
un diodo de unin

Polarizacin directa

Polarizacin Inversa
29

Modelamiento circuital de
un diodo de unin
Resistencia de D.C.
Es la resistencia que presenta un diodo en un
punto particular de operacin. Su definicin
matemtica es la siguiente:

RDC = VD/ID {}

30

Circuitos con diodos en D.C.

Ejemplos:
1. Calcule la resistencia de D.C. para un diodo
de Unin de Si y de Ge , si sabe que ID = 20mA
(Solucione
por
consideracin
ideal
y
aproximacin a fuente de voltaje)
2. Considere un diodo cuyo VD = 0.5 Voltios,
TC = 25 C, IS = 10-13A; Halle la corriente directa
a travs del diodo y calcule la RDC.

31

Circuitos con diodos en D.C.

Ejemplos:
3. Para el siguiente circuito halle la resistencia de
D.C. del diodo. SeTCtiene
que:
= 25 C,
IS = 10-13A
(Considere los tres modelos)
D1
DIODE

R1
10V

1k

32

33

Materiales semiconductores
dp
J p qD p
dx
dn
J n qDn
dx

n p ni
2

EG

3
kT

ni BT e

J n drift qn n E
J p drift qp p E
J drift q ( p p n n ) E
1 D p Dn V
T

p n

q( p p n n )
34