Unidad I Teora de

Semiconductores
1.1 Introduccin a los dispositivos
Semiconductores
Electrnica Analgica

ELECTRONICA
ANALGICA
Unidad I Teora de
Semiconductores

1.1 Introduccin a los

Materiales Semiconductores
Toda la materia est compuesta por

tomos y todos los tomos estn

constituidos por electrones, protones y
neutrones.

La configuracin

de ciertos electrones
en un tomo es el factor crucial para
determinar
las
propiedades
de
conduccin de corriente elctrica que
posee un material dado.
EA_UNIDAD I

1.1 Introduccin a los

Materiales Semiconductores
Un tomo es la partcula ms pequea

de
un
elemento
que
tiene
las
caractersticas de ese elemento. Y cada
elemento tiene una estructura atmica
nica.

Segn el modelo clsico de Bohr, los

tomos tienen una estructura de tipo

planetario que consiste de un ncleo
central, rodeado de electrones orbitales.
EA_UNIDAD I

1.1 Introduccin a los

dispositivos
semiconductores
Los materiales en su estado solido se

pueden clasificar en tres grupos:

Conductor: Presentan altas
conductividades del orden de 104 a 106
S/cm. Ejemplos : plata, oro, cobre,
aluminio, nquel.
Aislante: Tienen baja conductividad en el
orden de 10-18 a 10-8 S/cm. Ejemplos:
cuarzo fundido, vidrio, mica, cermica.
Semiconductor: Poseen conductividades
intermedias entre conductores y aislantes
-8

La conductividad de los
materiales ()

Bandas de energa
en los materiales

Estructura Atmica
de un Conductor
En lo general, la

estructura atmica
de un buen conductor
incluye nicamente
un electrn en su
capa ms externa.
A ste se le llama

electrn de valencia.
Partiendo de este
tomo es fcil producir
un flujo de corriente
elctrica.

tomo
de
Cobre
8

Aisladores
Los aisladores presentan una

alta resistividad de tal forma

que la corriente elctrica no
puede fluir en ellos.
Algunos
buenos
aislantes
incluyen:
Vidrio, cermica, plsticos
y madera seca.
La mayor parte de los
aisladores estn compuestos
de varios elementos.
Los tomos de los aisladores
se encuentran fuertemente
enlazados entre s de tal
forma que es difcil mover a
los electrones para establecer

1.1.1 Definicin de
semiconductor
El estudio de semiconductores inicia en el siglo

XIX.
En 1950 el germanio (Ge) fue el mejor material
semiconductor, sin embargo exhiba grandes
corrientes
de
fuga
a
temperaturas
moderadamente altas.
Desde 1960 el silicio (Si) ha desplazado al
germanio en la fabricacin de dispositivos
semiconductores.
El Si es el material mas utilizado en la fabricacin
de semiconductores, debido a que exhibe mucho
menores corrientes de fuga, es el segundo
10
elemento mas abundante en la tierra (25%), se

caractersticas
de los
Semiconductores.

11

1.1.1 Definicin de
semiconductor
La conductividad en un semiconductor es

generalmente sensible a la temperatura,

la iluminacin, los campos magnticos y a
la concentracin de impurezas en el
material.
Un semiconductor es un material que
posee
propiedades
intermedia
entre
conductor y aislante; puede actuar como
un aislante (semiconductor Intrnseco),
pero se comporta como un conductor
cuando se combina con otros materiales12

Estructura atmica de un
Semiconductor elemental
La

principal
caracterstica en un
semiconductor
elemental
es
que
posee
cuatro
electrones
en
su
orbita mas externa o
capa de valencia .

13

Estructura de Diamante (Si)

14

Estructura Cristalina del

Silicio

Un cristal es un slido compuesto de

tomos en un solo arreglo Unificado.
Ntese que cada tomo de silicio esta
conectado a sus cuatro tomos
vecinos
Sims
Si cercanos.
Si SiSi Si Si Si

Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si SiSi Si Si Si

15

Electrones Compartidos
Los tomos tienden a tener OCHO electrones en

su orbita mas externa. (incluyendo al silicio)

Pero, el silicio tiene nicamente CUATRO electrones
en su capa de salida.

Solucin: los tomos de Silicio comparten

electrones entre s formando enlaces covalentes.

16

Los tomos de silicio

comparten electrones en
un cristal.
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si

Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si

Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
17

1.1.3 Materiales
Semiconductores
tipo-p y tipo-n
El silicio contaminado con impurezas

que aportan un electrn extra (por

ejemplo fosforo P) se llama
semiconductor tipo N. La N se refiere
a la carga negativa del electrn.
El Silicio contaminado con tomos de
impurezas que le falta un electrn
(por ejemplo Boro B) que produce
localidades llamadas huecos se le
llama semiconductor tipo P. La P se

18

Silicio Tipo-N
Al agregar tomos de Fosforo al silicio se crea un
semiconductor con cargas mviles Negativas
adicionales (electrones).

Fosforo

Fosforo adicionado al
Silicio.

+5

+5

Plus 1 Mobile Electron

19

Silicio Tipo-P

Al agregar tomos de Boro al silicio crea un

semiconductor con cargas mviles Positivas (ausencia
de electrones = huecos)

Boro

Boro adicionado al
Silicio

+3

+3

Plus 1 Mobile Hole (+)

20

Semiconductores Extrnsecos

21

EA_UNIDAD I

22

Diferentes impurezas en Si y
GaAs

EA_UNIDAD I

23

Variaciones
de la
banda
prohibida
con
respecto a
la
temperatu
ra.

EA_UNIDAD I

24

1.1.4 Obtencin de la
unin P-N

25

tomos de Boro y fosforo

en un mar de silicio
Boro

Fosforo

26

Cargas mviles de Boro y

fosforo
en un mar de Silicio.
Boro

Fosforo

27

Cargas mviles de Boro y

fosforo en un mar de
silicio
Boro

Diffusing positive
charge leaves
behind a
stationary
negative charge
28

Cargas mviles de Boro y

fosforo en un mar de silicio
Boro

Fosforo

Diffusing negative
charge leaves
behind a
stationary
positive charge
29

fosforo
en un mar de silicio
Boro

Fosforo

30

V. I. P: En la creacin de la
Unin PN
La diferencia de la concentracin de

portadores de carga en las regiones n

y p causa que los portadores se
difundan.
La
difusin
nos
lleva
a
un
desequilibrio de carga.
El desequilibrio de carga, a su vez
produce un campo elctrico, el cual
neutraliza ( contra resta) la difusin
de portadores tal que en equilibrio
trmico el flujo neto de partculas es
cero.
31

EA_UNIDAD I

32

1.2 Diodo semiconductor

33

Diodo en Polarizacin
Directa
Antes de que la polarizacin se aplique
Electrones
Positive

Negative

Huecos

"Voltaje interconstruido" ~ 0.7V

34

Diodo en Polarizacin
Directa

Positive

Negative

Conforme el voltaje se aplica, este sobrepasa al

voltaje interconstruido y la corriente empieza a
fluir....

" Voltaje
"Builtinterconstruido
In Voltage" ~ 0.1V
0.7V
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
0.2V
" ~ 0.0V

0.0V
0.7V
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
0.2V
0.1V
35

Diodo en Polarizacin
Directa
Conforme el voltaje se aplica, este
sobrepasa al voltaje interconstruido y la
corriente empieza a fluir....

" Voltaje interconstruido " ~ 0.0V

0.7V
36

Diodo en Polarizacin
Directa

Corriente (I)

Conforme el voltaje se aplica, este

sobrepasa al voltaje interconstruido y la
corriente empieza a fluir....

~0.7
Voltaje (V)
37

Diodo en Polarizacin
Inversa
Antes de que el voltaje se aplique
Electrones
Positive

Negative

Huecos

" Voltage interconstruido " ~ 0.7V

38

Diodo en Polarizacin Inversa

Conforme el voltaje en inversa se aplica

Electrones
Positive

Negative

Huecos

" Voltage interconstruido " ~ 1.7V

1.0V
39

Diodo en Polarizacin
Inversa
Conforme el voltaje en inversa se aplica

Electrones
Positive

Negative

Huecos

" Voltaje interconstruido " ~ 1.7V

1.0V
40

Negative

Positive

Caractersticas CorrienteVoltaje (I-V) del Diodo ideal

N

Corriente (I)

Voltaje (V)
0.7

41

Ideal

Corriente (I)

Corriente-Voltaje (I-V)
del Diodo Real

0.7

Real

Voltaje (V)
42

Corriente (I)

Efectos de la temperatura en las

caractersticas I-V del Diodo
+125C+25C-40C

-40C
0.7

+25C
+125C

Voltaje (V)
43

Caractersticas
del diodo
Semiconductor
EA_UNIDAD I

44

Aplicacin del Diodo Semiconductor

EA_UNIDAD I

45

Tarea de Investigacin
1.- Diodos emisores de luz.
2.- Fotodiodos y sus aplicaciones.

EA_UNIDAD I

46

Dudas ???

Hasta la prxima !!!

ELECTRNICA ANALGICA
UNIDAD I
TEORA DE
SEMICONDUCTORES
Conocer los dispositivos semiconductores
para
aprovechar
sus
caractersticas,
mediante la realizacin de exmenes
exploratorios prcticas de laboratorio,
exposicin oral, trabajos escritos, tareas,
participaciones individuales y grupales.

UNIDAD I TEORA DE
SEMICONDUCTORES
1.1 Introduccin a los materiales
semiconductores.
1.1.1 Conductor, Semiconductor, y Aislante.
1.1.2 Portadores de carga en
semiconductores.
1.1.3 Obtencin de la Unin P-N
1.1.4 Polarizacin de la unin P-N.
EA_UNIDAD I

50

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores
Toda la materia est compuesta por tomos
y todos los tomos estn constituidos por
electrones, protones y neutrones.
La configuracin de ciertos electrones en
un tomo es el factor crucial para
determinar las propiedades de conduccin
de corriente elctrica que posee un material
dado.
EA_UNIDAD I

51

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores
Un tomo es la partcula ms pequea de
un elemento que tiene las caractersticas de
ese elemento. Y cada elemento tiene una
estructura atmica nica.
Segn el modelo clsico de Bohr, los
tomos tienen una estructura de tipo
planetario que consiste de un ncleo
central, rodeado de electrones orbitales, ver
la Fig. 1.1.
EA_UNIDAD I

52

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.1 El modelo atmico de Bohr.

EA_UNIDAD I

53

 En un tomo, las rbitas se agrupan en

bandas energticas conocidas como
CAPAS. Cada capa tiene un nmero
mximo fijo de electrones en niveles
energticos permisibles.
Las capas se designan con las letras K, L,
M, N y as sucesivamente, siendo la capa K
la ms prxima al ncleo, ver Fig. 1.2.
EA_UNIDAD I

54

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.2 Los niveles energticos crecen cuando aumenta la

distancia al ncleo.
EA_UNIDAD I

55

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.2 Separacin de los niveles de energa en la molcula

de hidrgeno.
EA_UNIDAD I

56

 Por conveniencia todos los electrones de

una capa se representan como si
estuvieran en una sola orbita, por ejemplo:

Carbono

Hidrgeno

Cobre

Electrones por capa: 2 / 8 / 18 / 32 / 32 / 9 / 2

EA_UNIDAD I

57

 Si un electrn de valencia adquiere una

cantidad suficiente de energa, puede
removerse completamente de la capa
exterior y de la influencia del tomo.
La salida de un electrn de valencia deja a
un tomo previamente neutro con un
exceso de carga positiva.
El proceso de perder un electrn de
valencia se conoce como IONIZACIN, y el
tomo resultante cargado positivamente, se
le denomina ION POSITIVO.
EA_UNIDAD I

58


Cuando un electrn libre cae en la capa
externa de un tomo neutro, el tomo se
carga negativamente, y se le denomina
ION NEGATIVO. [ H- ]

EA_UNIDAD I

59

 El Si es por mucho el ms ampliamente

utilizado, debido a que:
1.- Semiconductor elemental.
2.- Tiene una Eg ms grande que el Ge, por
lo que se pueden fabricar microcircuitos que
operen a mayor temperatura que el Ge. (125
C a 175 C).

3.- Oxido de Silicio.- Utilizado como

pasivador de enlaces sueltos y como
aislante (SiO2).
EA_UNIDAD I

60


El segundo material ms importante es el
Arseniuro de Galio, GaAs, por su aplicacin
en la fabricacin de dispositivos pticos y
de alta velocidad de conmutacin (alta
frecuencia), como por ejemplo: LEDs,
lseres,
fotodiodos,
fotodetectores,
infrarrojos, etc.

EA_UNIDAD I

61

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.3 Enlaces Covalentes en un cristal de Silicio Puro

(intrnseco).
EA_UNIDAD I

62

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.3 Enlaces Covalentes en un cristal de Silicio Puro

(intrnseco).
EA_UNIDAD I

63

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.3 Enlaces Covalentes en Silicio.

EA_UNIDAD I

64

1.1 Introduccin a los Materiales

Semiconductores

Figura 1.3 Enlaces Covalentes en Silicio.

EA_UNIDAD I

65

 Un tomo de silicio con sus cuatro

electrones de valencia comparte un electrn
con cada uno de sus cuatro vecinos. Lo
anterior crea efectivamente ocho electrones
de valencia para cada tomo y produce un
estado de estabilidad qumica.
El enlace para el germanio es semejante al
de silicio, debido a que posee tambin
cuatro electrones de valencia.
EA_UNIDAD I

66

 En la Fig. 1.4 se muestra un cristal de

Silicio no excitado (sin energa calorfica
externa). Esta condicin ocurre slo a la
temperatura del cero absoluta (0 K).
Energa
Banda de
Conduccin

Espacios de
Energa

Banda de
Valencia

(NO hay
electrones)

Segunda banda

Eg
Primera banda

Figura 1.4 Diagrama de bandas energticas para un tomo de silicio no

excitado. En la banda de conduccin no hay electrones.
EA_UNIDAD I

67

 La Fig. 1.5 ilustra la creacin de pares

electrn-hueco en un tomo excitado.
La recombinacin ocurre cuando un
electrn en la banda de conduccin pierde
energa y cae nuevamente en un hueco en
la banda de valencia.

EA_UNIDAD I

68

Figura 1.5 Creacin de un par electrn-hueco en un tomo de

silicio excitado. Un electrn en la banda de conduccin es un
electrn libre.
EA_UNIDAD I

69

Figura 1.5 Pares electrn-hueco en un cristal de silicio. Los

electrones libres se crean de manera continua mientas algunos
se recombinan con huecos.
EA_UNIDAD I

70

Figura 1.5 Creacin de pares electrn-hueco.

EA_UNIDAD I

71

Corriente de electrones y de huecos

Al aplicar un voltaje a travs de una pieza de
silicio intrnseco, como se ve en la Fig. 1.6, los
electrones libres generados trmicamente en la
banda de conduccin son fcilmente atrados
hacia el extremo positivo. Dicho movimiento de
electrones libres se denomina corriente de
electrones.
Otro tipo de corriente ocurre en el nivel de
valencia, donde existe los huecos creados por los
electrones libres.
EA_UNIDAD I

72

Figura 1.6 Corriente de electrones en silicio intrnseco.

EA_UNIDAD I

73

 Los electrones que permanecen en la

banda de valencia continan adheridos a
sus tomos y no son libres de moverse
aleatoriamente en la estructura cristalina.
Sin embargo, un electrn de valencia puede
caer en un hueco prximo, con poco
cambio en su nivel energtico, dejando as
otro hueco en su lugar de procedencia, ver
la Fig. 1.7. Lo anterior de denomina
corriente de huecos.
EA_UNIDAD I

74

Figura 1.7 Corriente de

huecos en silicio intrnseco.

EA_UNIDAD I

75

1.1.1 Conductor, Semiconductor y

Aislante
En un semiconductor puro o intrnseco existen
relativamente pocos electrones libres, por lo que
ni el silicio ni el germanio son muy tiles en sus
estados intrnsecos.
Los Semiconductores intrnsecos no son ni
aisladores ni buenos conductores, ya que la
corriente en un material depende directamente del
nmero de electrones libres.
EA_UNIDAD I

76

 Figura 1.8
Comparacin de las
bandas energticas
para los tres tipos de
materiales, con
respecto a la
conduccin

EA_UNIDAD I

77

 7.- El Si tiene una Eg de 1.1 eV; el Ge

presenta una Eg de 0.67 eV; y el GaAs tiene
una Eg de 1.41 eV.
Eg = Banda Prohibida.
8.- Resistividad
Conductor: Cobre = 1x10-6 -cm.
Semicondoctores: Ge = 50 -cm.

Si = 50x10-3 -cm.
Dielctrico:
Mica = 1x106 -cm.
EA_UNIDAD I

78

1.1.1 Conductor,
Semiconductor y
Aislante

Figura 1.8 Bandas de

energa
en
un
semiconductor indirecto.

EA_UNIDAD I

79

1.1.1 Conductor,
Semiconductor y
Aislante

Figura 1.8 Efecto de

la temperatura en la
concentracin
de
portadores de carga
en un semiconductor.
EA_UNIDAD I

80

1.1.2 Portadores de Carga en

Semiconductores
Semiconductores tipo N y tipo P.- Los
materiales semiconductores no permiten
bien el paso de la corriente, por lo que
tienen muy poco valor en su estado
intrnseco. Lo anterior se debe al nmero
limitado de electrones libres en la banda de
conduccin y de huecos en la banda de
valencia.
EA_UNIDAD I

81

1.1.2 Portadores de Carga en

Semiconductores
El Si (o Ge) puro debe modificarse incrementando
los electrones y huecos libres (impurificacin) a fin
de aumentar su conductividad ( ) y hacerlo til
para su uso en dispositivos electrnicos.
Las impurezas se aaden en proporcin de una
parte por cada 10 millones, con lo cual se puede
alterar la estructura de bandas lo suficiente como
para modificar las propiedades elctricas del
material, ver la Fig. 1.9.
EA_UNIDAD I

82

Figura 1.9 Impurificacin de un

semiconductor
EA_UNIDAD I

83

Figura 1.9 Dopado de un semiconductor. Ionizacin completa.

EA_UNIDAD I

84

 La conductividad en un semiconductor se
incrementa drsticamente mediante la
adicin controlada de impurezas al material
puro. Este proceso, denominado DOPADO,
incrementa el nmero de portadores de
corriente (electrones o huecos) elevando
as la conductividad y disminuyendo la
resistencia (o la resistividad, , -cm).
EA_UNIDAD I

85

Material Extrnsecos
Las dos categoras de impurezas que
existen son: Tipo-n y Tipo-p.
Cuando un semiconductor tiene impurezas
se le denomina Material Extrnseco.
Tipo-n:
Elementos del grupo V (pentavalentes; fosforo,
P; arsnico, As; antimonio, Sb) en Si y Ge.
Dichos elementos proporcionan un nivel
donador.
Y los electrones son portadores mayoritarios.
EA_UNIDAD I

86

 Figura 1.9 Semiconductores Extrnsecos.

EA_UNIDAD I

87

Material Extrnsecos
Tipo-p:
Elementos del grupo III (trivalente; boro, B;
aluminio, Al; galio, Ga; indio, In) en Ge y Si.
Dichos elementos proporcionan un nivel
aceptor.
Los huecos son portadores mayoritarios y los
electrones son portadores minoritarios.

EA_UNIDAD I

88

Figura 1.9 Diferentes impurezas en Si y GaAs

EA_UNIDAD I

89

 Cuando en un material extrnseco se

generan
pares
electrn-hueco
trmicamente,
se
forman
algunos
electrones libres; tales electrones libres (en
un
semiconductor
tipo-p)
NO
son
producidos por la adicin de los tomos de
impureza trivalente.

EA_UNIDAD I

90

Figura 1.9 Variaciones de la banda prohibida con

respecto a la temperatura.
EA_UNIDAD I

91

 A temperatura ambiente en un material intrnseco

como el Si existe cerca de un electrn libre por
cada 1x1012 tomos (1x109 para el caso del Ge).
Si el grado de dosificacin de impurezas fuera de
1 en 10 millones (1x107), la razn 1x1012/1x107=
1x105 , indicara que la concentracin de
portadores se ha incrementado en una proporcin
de 100,000:1.

EA_UNIDAD I

92

1.1.3 Obtencin de la unin P-N

Si se toma un bloque de Si y se dopa, una mitad
con tomos de impureza pentavalente y la otra
mitad con tomos de impureza trivalente, entre las
porciones resultantes tipo-p y tipo-n se obtiene
una frontera denominada unin p-n.
La estructura bsica que se muestra en la Fig.
1.10 constituye un Diodo Semiconductor.

Figura 1.10 Unin P-N

EA_UNIDAD I

93

Figura 1.11 Portadores de carga en las Regiones P y N

de la unin P-N.
EA_UNIDAD I

94

1.1.3 Obtencin de la unin P-N

La capa de empobrecimiento o Regin de
agotamiento.- Al NO haber voltaje externo,
los electrones de conduccin en la regin-n
se desplazan en todas direcciones. Al
formarse la unin, algunos de los electrones
de conduccin cercanos a sta se difunden
a travs de la unin y se recombinan con
los huecos de la regin-p que estn
prximos a la unin.
EA_UNIDAD I

95

1.1.3 Obtencin de la unin P-N

Figura 1.11 Unin

P-N en equilibrio
trmico.
EA_UNIDAD I

96

Figura 1.11 Diagrama energtico de la unin P-N.

EA_UNIDAD I

97

1.1.3 Obtencin de la unin P-N

Figura 1.11 Capa de Agotamiento en la unin P-N.

EA_UNIDAD I

98

V. I. P: En la creacin de
la Unin PN
La diferencia de la concentracin de portadores
de carga en las regiones n y p causa que los
portadores se difundan.
La difusin nos lleva a un desequilibrio de carga.
El desequilibrio de carga, a su vez produce un
campo elctrico, el cual neutraliza ( contra resta)
la difusin de portadores tal que en equilibrio
trmico el flujo neto de partculas es cero.
Se obtiene una regin de vaciamiento
agotamiento.
EA_UNIDAD I

99

1.1.4 Polarizacin de la Unin PN

Para una unin pn existen dos condiciones
de polarizacin: Directa e Inversa.
Cualquiera de estas condiciones se obtiene
al conectar un voltaje externo de corriente
directa en la direccin idnea a travs del
diodo.

EA_UNIDAD I

100

Polarizacin en Directa. La polarizacin en directa es la que permite

el paso de corriente a travs de una unin
pn, ver la Fig. 1.12.

Figura 1.12 Conexin de Polarizacin

Directa de la unin PN.
EA_UNIDAD I

101

Polarizacin en Directa.-

Figura 1.12 Flujo de Electrones en un diodo

de unin PN.
EA_UNIDAD I

102

Diodo de
Unin

Figura 1.12
Comportamiento del
potencial de barrera en
un diodo de unin PN,
en Polarizacin Directa.
EA_UNIDAD I

103

Figura 1.12 Comportamiento del potencial de barrera en un

diodo de unin PN, polarizado en directa.
EA_UNIDAD I

104

Polarizacin en Inversa. Es la posicin que evita el paso de corriente a

travs de la unin PN.
En la Fig. 1.13 se muestra una fuente de voltaje
de corriente directa conectada para polarizar en
inversa al diodo.
En
polarizacin
inversa
la
capa
de
empobrecimiento se ampla hasta que la
diferencia de potencial a travs de ella es igual al
voltaje de polarizacin en inversa. En este punto,
los huecos y los electrones dejan de alejarse de la
unin y se interrumpe la corriente mayoritaria,
como se indica en las Fig. 1.13
EA_UNIDAD I

105

Diodo de
Unin

Figura 1.13
Comportamiento del
potencial de barrera en
un diodo de unin PN,
en polarizacin inversa.
EA_UNIDAD I

106

Figura 1.13 Conexin de Polarizacin Inversa del diodo de

unin PN, polarizado en inversa
EA_UNIDAD I

107

Polarizacin en Inversa. El movimiento inicial de portadores mayoritarios

alejndose de la unin se denomina corriente
transitoria y dura muy poco una vez que se ha
aplicado la polarizacin en inversa.
Cuando el diodo se encuentra polarizado en
inversa, la regin de vaciamiento acta
efectivamente como un aislador entre las capas
de
iones
opuestos.
Y
esto
constituye
efectivamente un CAPACITOR, ver Fig. 1.13
EA_UNIDAD I

108

Polarizacin en Inversa. Dicha capacitancia interna se denomina

capacitancia de capa de empobrecimiento, y tiene
aplicaciones prcticas.
CORRIENTE MINORITARIA.-

En polarizacin inversa
existe una pequea corriente producida por los
portadores minoritarios. Como regla, el Ge posee
mayor corriente en inversa que el Si. En el Si es
del rango de los A nA.
EA_UNIDAD I

109

Polarizacin en Inversa. En la capa de agotamiento existe un

nmero relativamente pequeo de pares
electrn-hueco producidos trmicamente.
Bajo los efectos del voltaje externo, algunos
electrones se difunden a travs de la unin
pn antes de recombinarse. Este proceso
establece una pequea corriente minoritaria
a travs del material.
EA_UNIDAD I

110

Polarizacin en Inversa. La
corriente
en
inversa
depende
esencialmente de la temperatura de la
unin, no de la cantidad de voltaje de
polarizacin en inversa. Un incremento de
temperatura produce un incremento de
corriente en inversa.

EA_UNIDAD I

111

Polarizacin en Inversa. RUPTURA EN INVERSA.- Si el voltaje de

polarizacin en inversa externo se incrementa
hasta un valor suficientemente grande, ocurre una
ruptura por avalancha de la unin, ver la Fig. 1.14.
La ruptura por avalancha, toma en cuenta el
campo elctrico en la zona de vaciamiento de la
unin y los portadores minoritarios generados
trmicamente (pno y npo ), los cuales caen por la
cresta de potencial lo que da lugar a la corriente
negativa (-Io ), (-Is ).
EA_UNIDAD I

112

Polarizacin en Inversa.-

Figura 1.14 Ruptura de la unin por avalancha y Zener.

EA_UNIDAD I

113

Polarizacin en Inversa.-

Figura 1.14 Ruptura de la unin por avalancha y Zener.

EA_UNIDAD I

114

Polarizacin en Inversa. El proceso de ruptura por avalancha ocurre

cuando electrones y/o huecos, se mueven a
travs de la regin de carga espacial,
adquiriendo energa suficiente del campo
elctrico para crear pares electrn-hueco
por colisin con tomos que estn dentro
de la regin de vaciamiento.

EA_UNIDAD I

115

Polarizacin en Inversa. Posiblemente los nuevos electrones o huecos

adquieran energa suficiente para ionizar otros
tomos.
Para la mayora de las uniones pn, el mecanismo
de ruptura predominante ser el efecto avalancha.
Si el voltaje en inversa aplicado es igual al voltaje
de ruptura, el campo elctrico mximo se definira
como campo elctrico critico, en ruptura.

EA_UNIDAD I

116

Polarizacin en Inversa.-

Figura 1.14 Fenmenos de Avalancha y Tuneleo

EA_UNIDAD I

117

Diodo de
Unin

Figura 1.14 Curva

caracterstica del diodo
de unin PN.

EA_UNIDAD I

118

EA_UNIDAD I

119

Caractersticas
del diodo
Semiconductor
EA_UNIDAD I

120

Aplicacin del Diodo Semiconductor

EA_UNIDAD I

121

Tarea de Investigacin
1.- Diodos emisores de luz.
2.- Fotodiodos y sus aplicaciones.

EA_UNIDAD I

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