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SEMICONDUTORES
Ana Isabela Arajo Cunha
Departamento de Engenharia Eltrica
Universidade Federal da Bahia
Tabela
Peridica
Silcio (Si):
1s22s22p63s23p2
Germnio (Ge):
1s22s22p63s23p64s23d104p2
Silcio (Si):
1s22s22p63s23p2
Germnio (Ge):
1s22s22p63s23p64s23d104p2
Configurao com 4 eltrons na camada de
valncia
No cristal:
ligaes covalentes
em estrutura
tetradrica
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Recombinao:
o fenmeno inverso ao da gerao, quando um
eltron livre retorna da banda de conduo para a de
valncia, fazendo desaparecer o par eltron-lacuna.
COMPARAO
Metais
Semicondutores
Portadores
eltron e
de carga
Concentrao
de portadores
espao
de carga
1 tipo: eltron
2 tipos:
lacuna
uniforme
varivel
no
deriva e difuso
ddp
sem ddp: movimento
movimento
aleatrio de mdia nula
com ddp:
aleatrio com mdia
no nula
Corrente de difuso
Devida a um gradiente de concentrao
Corrente de difuso
Fenmeno estatstico:
Injeo de portadores
(trmica ou tica)
Dopagem
concentrao no uniforme
aumento da condutividade
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P+
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B-
Si
Si
Si
Si
Si
Si
n = p = ni
Semicondutor tipo N:
n>p
concentrao
intrnseca
eltrons: majoritrios
lacunas: minoritrios
Semicondutor tipo P:
eltrons: minoritrios
lacunas: majoritrios
n<p
depende de
T
no Si a 300
K:
1,45 x 1010
cm-3
N nveis
N tomos no cristal
nvel de
energia
da camada
de valncia
Materiais condutores
nvel de
energia
da camada
de valncia
Materiais condutores
banda de conduo
nvel de
energia
da camada
de conduo
nvel de
energia
da camada
de valncia
Materiais isolantes
banda de conduo
grande
diferena banda proibida
energtica
banda de valncia
Materiais semicondutores
banda de conduo
banda de valncia
nveis
doadores
banda de valncia
Cada tomo de impureza acrescenta um nvel
doador
nveis
aceitadores
banda de valncia
Cada tomo de impureza acrescenta um nvel
aceitador
g(T)
(depende da
temperatura)
Taxa de recombinao:
r = KR.n.p
(KR constante)
No equilbrio em qualquer semicondutor:
r = g(T)
n.p = g(T)/KR
n.p = ni2(T)
No
equilbrio :
n.p = ni2(T)
Semicondutor tipo N:
diminui
Fortemente dopado:
concentrao de
impurezas
doadoras
Semicondutor tipo P:
diminui
Fortemente dopado:
concentrao de
impurezas
aceitadoras
n aumenta, p
ND >> ni
n ND
p ni2/ND
p aumenta, n
NA >> ni
p NA
n ni2/NA
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas
corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE
JL
q.p. x.A
JL
A.t
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas
JL
corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE
volum
e
q.p. x.A
JL
A.t
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas
carga das
lacunas
atravs do
JL volume
corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE
q.p. x.A
JL
A.t
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas
corrente
convencional
+
Jder
A
JL
condutivida
de
= .E = JL + JE
q.p. x.A
JL
A.t
velocidade mdia
das lacunas
JL
q.p. x.A
A.t
J L q.p.vL
velocidade mdia
dos portadores
Analogamente:
JE
q.n. x.A
A.t
J E q.n.vE
vL =
L.E
vE =
E.E
vSAT
inclinao:
mobilidades da
lacuna e do eltron
ECRIT
JL = q.p. L.E
JE = q.n. E.E
Jder = q.(p. L.E +
n. E.E)
= q.(p. L + n. E)
A condutividade aumenta com a
temperatura
Densidade de corrente de
difuso
= lacuna
JA
Qual corrente
mais
intensa
JB
Densidade de corrente de
difuso
dp
dp
dx A dx B
JA
JA > JB
JB
J L qDL
dp
dx
dn
J E qDE
dx
constante de
difuso de
lacunas e
eltrons
dn
dp
J dif J L J E q DE
DL
dx
dx
Corrente Total
dp
dx
dn
J E qEnE qDE
dx
J L qLpE qDL
D KT
t
q
potencial
termodinmico
26 mV a 300 K